電力工程 113 年電子學考古題

已知一理想運算放大器（Ideal-op，如圖一所示）之電路參數：電阻R1=2 k、 R2=8 k與RL=2 k，輸入電壓(vi)為1 V，請計算此電路：電壓增益(Av)之 分貝dB 值及功率增益(Ap)之分貝dB 值。（25 分） 圖一

已知一場效電晶體（FET，如圖二所示）之電路參數：VTN=0.8 V、Kn=1 mA/V2、 =0、IDQ=0.5 mA。請繪小訊號之等效電路圖並求其轉導(gm)值及求小訊號 之電壓增益(Av=vo/vs)。（25 分） 圖二 ii vi CC R1= 165 k vo vi +5 V RD= 7 k R2= 35 k RS= 0.5 k －5 V vo v1 R2 R1 RL i1 i2 io iL

已知一雙極性接面電晶體（BJT，如圖三所示）之電路參數：=125、VA= ∞、 VCC=18 V、RL=4 k、RE=3 kΩ、RC=4 k、R1=25.6 k、R2=10.4 k。求Q 點之電壓(VCEQ)值、Rm=vo/is及小訊號電壓增益(Av=vo/vs)。（25 分） 圖三

已知一弛緩振盪器（RO，如圖四所示）之電路參數：R1= 22 k、R2= 60 k、 R3= 18 k且C = 0.022 F。試求： ㈠此電路的振盪頻率(fr)值。另當輸出頻率為10 kHz 時，求此RO 所需之 阻抗(R1)值。（15 分） ㈡假設此RO 中的比較器輸出為10 V，求其三角波之振幅(VUTP 與VLTP) 值。（10 分） 圖四 RE RL CC2 CC1 vs is VCC R1 R2 RS= 100 k Vout vo R3 R2 R1 C RC

試以CMOS 邏輯（CMOS logic）電路實現布林函數 Y A B CD 之電 路圖。（20 分） 圖三 圖四