電力工程 113 年電子學考古題

已知一理想運算放大器（Ideal-op，如圖一所示）之電路參數：電阻R1=2 k、 R2=8 k與RL=2 k，輸入電壓(vi)為1 V，請計算此電路：電壓增益(Av)之 分貝dB 值及功率增益(Ap)之分貝dB 值。（25 分） 圖一

113年公務人員高等考試三級考試試題 類 科：電力工程、電子工程、電信工程 科 目：電子學 考試時間：2 小時 座號： 不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。 本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。 如圖一之電路中，假設所有二極體均為理想（Ideal），且當R1 為5 k、 R2 為10 k時，試求該電路的I 和V 值。（25 分） 圖一 如圖二之電路中，已知此兩個雙極性接面（BJT）電晶體（Q1 及Q2）之 電路：電流增益（β）均為80、基-射極電壓（VBE(on)）均為0.7 V，試 求：Q1 及Q2 中之靜態基極、集極與射極電流值。（25 分） 圖二 ↓ID2 ↓I D2 V + － D1 R2 +10 V -10 V +5 V Q2 Q1 －5 V RE2=1 kΩ RE1=20 kΩ R1 R2 B 如圖三之電路參數為：VTN=0.8V 和k’n=40 μA/V2，以及λ=0。當ML 之 寬長比(W/L)L=1，若VI=5V、使得Vo=0.10 V 時，試求其驅動電晶體之寬 長比[(W/L)D]。（25 分） 圖三 如圖四之電路中，假設所有二極體均為理想（Ideal），且當R1為1 k，且 vA = +1 V、vB = +2 V、vC = +3 V 時，試求該電路的I 和V 值。（25 分） 圖四 負載 Load Driver 驅動 V + － ↓I VDD=5 V IDL VDSL ML IDD VDSD MD VGSL VGSD V1 Vo +5 V R1 vC vB vA

已知一場效電晶體（FET，如圖二所示）之電路參數：VTN=0.8 V、Kn=1 mA/V2、 =0、IDQ=0.5 mA。請繪小訊號之等效電路圖並求其轉導(gm)值及求小訊號 之電壓增益(Av=vo/vs)。（25 分） 圖二 ii vi CC R1= 165 k vo vi +5 V RD= 7 k R2= 35 k RS= 0.5 k －5 V vo v1 R2 R1 RL i1 i2 io iL

已知一雙極性接面電晶體（BJT，如圖三所示）之電路參數：=125、VA= ∞、 VCC=18 V、RL=4 k、RE=3 kΩ、RC=4 k、R1=25.6 k、R2=10.4 k。求Q 點之電壓(VCEQ)值、Rm=vo/is及小訊號電壓增益(Av=vo/vs)。（25 分） 圖三

已知一弛緩振盪器（RO，如圖四所示）之電路參數：R1= 22 k、R2= 60 k、 R3= 18 k且C = 0.022 F。試求： 此電路的振盪頻率(fr)值。另當輸出頻率為10 kHz 時，求此RO 所需之 阻抗(R1)值。（15 分） 假設此RO 中的比較器輸出為10 V，求其三角波之振幅(VUTP 與VLTP) 值。（10 分） 圖四 RE RL CC2 CC1 vs is VCC R1 R2 RS= 100 k Vout vo R3 R2 R1 C RC

試以CMOS 邏輯（CMOS logic）電路實現布林函數   Y A B CD   之電 路圖。（20 分） 圖三 圖四