電力工程 108 年電子學考古題

如圖一，假設所有二極 和1 mA 以上的二極體 特性圖）。（20 分）

如圖二，R1=R4=1 kΩ，R C1=∞，C2=∞，在直流偏 （5 分）總增益（over fH=？（5 分） VI Vs - + 種考試地方政府公務人員考試 工程 座 試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題 理公式外，應使用本國文字作答。 極體在0.5 V 時開始導通，同時其 體壓降固定在0.7 V，請畫出Vo 圖一 R2=60 kΩ，R3=2 kΩ，β=200，Cµ=0 偏壓之工作點VBE=0.7 V，求gm rall gain at midband）Gv=Vo/Vs= 圖二 R Vo D1 D3 D2 D4 C1 C2 R1 R2 R3 R Rin +1.5V - + 考試試題 座號： 題上作答者，不予計分。 其導通電流在1 mA o-VI 圖（輸出-輸入 0.8 PF，fT=600 MHz， m=？（5 分）rπ=？ =？（5 分）3dB 點 R4 Vo

如圖三，Q1、Q2之β=15 Vo Vs = ？（10 分）

圖四為通用缺口式濾波 波器（Low Pass Notch

圖五為單一電晶體DR 此單元在讀取0、1 資 （20 分） Vs NM V 50，其中R1=R2=200 Ω，R3=15 kΩ 圖三 波器之電路圖，此電路若要調整 h，LPN），其L、C 元件之關係為 圖四 RAM（one-transistor DRAM）單 料的工作原理（假設Bit line cap 圖五 V L1 L2 C1 C2 R Word line MOS Bit line Q Cs Rin R1 R2 R3 Q1 Q2 Vo Vs +5V +5V 0.4mA Ω，求Rin=？（10 分） 整組成低通缺口式濾 為何？（20 分） 單元（cell），請說明 pactiance 為CB）？ Vo + -