電力工程 108 年電子學概要考古題

如圖一所示電路，其中MOSFET電晶體的特性 ，W/L = 20， VA = 50 V，此電路之Q點偏壓，讓其 ，RD = 10 kΩ，RG = 5 MΩ， Rsig = 500 kΩ，其負載電阻RL = 10 kΩ，假設C

300 μ μA/V COX n = mA 25 I D .0 = C1，CC2，CS皆無窮大，求輸入 阻抗Rin =？輸出阻抗RO =？開路電壓增益Avo =？全電路電壓增益（overall voltage gain）， sig O v V G = V ＝？（20分） VDD RD CC2 VO Rsig CC1 Q1 RL RG Vsig CS -VSS 圖一 二、如圖二所示電路，其中BJT 電晶體的特性 ， = 400 kΩ，又 ，又C 120 β = O γ pF C 1 = μ C1，CC2，CE 皆無窮大，Rsig = 10 kΩ，R1 = 66 kΩ，R2 = 44 kΩ， RE = 4 kΩ，RC = 5 kΩ，VCC = 5 V，RL = 5 kΩ，直流偏壓電流IE = 0.3 mA，假 設fT = 900 MHz，求fH（3 dB 頻率）=？（20 分） VCC RC CC2 R1 VO CC1 Rsig RL Vsig R2 RE CE 圖二

在雙極性接面電晶體（BJT）和金氧半場效電晶體（MOSFET）的特性， 其爾利電壓（early voltage）若存在，請分別說明在雙極性接面電晶體（BJT） 和金氧半場效電晶體（MOSFET）是什麼原因產生爾利電壓？請分別說明 這現象對雙極性接面電晶體（BJT）和金氧半場效電晶體（MOSFET）之 等效電路模型有何影響？（20 分）

請以雙埠網路（two port network）及其輸入、輸出之電壓、電流等式之參 數（parameters）變化，來說明單向（unilateral）電路的特性。（20 分）

請將 F B D) (C A C B A Y ⋅ + + ⋅ + ⋅ ⋅ = 之函數以Dynamic MOS logic circuits 之型式，畫出其電路圖，並說明其工作原理。（20 分）