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電力工程·114·電子學概要1/4

電力工程 114電子學概要考古題

4 題申論題資料來源:考選部下載 .txt
跨年同科91-115

題目為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。

試題4
114
1

如圖一所示雙極性電晶體(BJT)電路,其中電晶體參數為β 75 , (on) 0.7 V BE V 。試求電路中的電流 BI 及電壓 C V 。(25 分) 圖一

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2

如圖二所示電路為金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器之小信號電路 模型,其中電晶體參數為 2 mA/V m g 。試求電路之小信號電壓增益 / o i V V 、輸入電阻 iR 及輸出電阻 o R 。(25 分) 圖二 VCC = 5 V RC = 10 kΩ RE = 2 kΩ RSi = 50 kΩ 4 kΩ 10 kΩ RB = 20 kΩ i1 i3 CC R1 12kΩ RC 12kΩ vI Qo i2 vo D2 D1

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3

如圖三所示電路,試推導電壓轉換函數(voltage transfer function) / ( ) ( ) ( ) o i s s H V V s ,並說明此電路是何種濾波器,及求出此電路的截止 角頻率 c (corner or cutoff angular frequency)。(25 分) 圖三

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4

如圖四所示二極體-電晶體邏輯(DTL)電路,其中電晶體參數為β 25 , (on) 0.7 V BE V , (sat) 0.8 V BE V , (sat) 0.1V CE V ,所有二極體的切入電壓 0.7 V V ,試分別求出當輸入電壓⑴ 0.1V Iv 時及⑵ 2.5 V Iv 時,電 路中的電流1i 及電壓 ov 。(25 分) 圖四 2 kΩ 2 μF L = 2 H 12 kΩ 12 kΩ VCC = 2.5 V vi(t) R C vo(t)

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