電力工程 101 年電子學概要考古題

圖（一）所示為一電晶體電路，若電晶體工作於主動區（active region），則基極至 射極導通電壓，VBE(on) = 0.7V，若電晶體工作於飽和區（saturation region），則 VCE(sat) = 0.2V，試求IB及IC電流，已知電晶體之β值為100。（20 分） +10V RC = 4kΩ RB = 220kΩ +8V VBE VCE + + _ _ IC IB 圖（一）

圖（二）所示為一截波器（clipper）電路，若二極體D1、D2均為理想二極體，輸入 VI是峰值為6V之正弦波，試求出VO之波形。（20 分） +_ Vo V2=4V V1=2V 1 R2= 10kΩ VI = 6sinωt i1 + + _ _ D1 D2 + _ R =10kΩ 圖（二） 101年特種考試地方政府公務人員考試試題 類 科： 電力工程、電子工程、電信工程 1 2

㈠將圖2 電路的vO表示成v1與v2的函數。（5 分） ㈡由v1看到的輸入電阻為何？（5 分） ㈢由v2看到的輸入電阻為何？（5 分） ㈣由連接在兩個輸入端之間的信號源看到的輸入電阻為何？（5 分） + - - + vO v1 v2 R R R R 圖2

㈠V R R R R = ， 三、圖（三）所示為一運算放大器電路，若輸入電壓為VI1及VI2，輸出電壓為Vo，試求 o值與VI1及VI2之關係方程式，㈡若 試求Vo值。（20 分） R2 R1 R3 R4 Vo VI1 VI2 圖（三） 四、圖（四）所示為一回授放大器電路，電晶體參數為hFE = 100，VBE(on) = 0.7V， 厄粒電壓（Early voltage）VA = ∞，偏壓電流及偏壓電壓各為ICQ = 0.492mA及 VCEQ = 5.08V，試求出㈠小訊號等效電路及㈡電壓增益 i V o V 值。（20 分） + - VCC=10V RC=10kΩ R1=51kΩ RS=10kΩ RF=82kΩ CC1→∞ CC2→∞ R2=5.5kΩ RE=0.5kΩ CE→∞ Vo Vi 圖（四）

㈠試繪CMOS 反相器電路圖並說明其功能（5 分） ㈡試說明C 級放大器特性（5 分） ㈢試說明NAND Gates 特性（5 分） ㈣試說明R-S 正反器特性（5 分）