電力工程 102 年電子學概要考古題
題目為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。
分析圖一之電路:㈠若使用理想之運算放大器,請計算電壓增益 I O /v v ;(10 分) ㈡若運算放大器之開路增益(open-loop gain)A 並非無限大,且R2=10 kΩ、R1=1 kΩ, 在需要將㈠求出之電壓增益誤差壓低到1% 以內的條件下,A 的最小數值為何? (10 分) R2 R1 - + 3 1 - + vI vO - +
圖一 二、圖二為一MOS 差動放大器,差動輸入電壓施加於Q1 與Q2 之閘極,請推導其差動電 壓增益。相關小訊號參數給定如下:各電晶體之轉導(transconductance)為gm1、 gm2、gm3、gm4;各電晶體之輸出阻抗為ro1、ro2、ro3、ro4;電流源I 之輸出阻抗為 RSS。其中,Q1與Q2全等,意即,gm1=gm2、ro1=ro2;而Q3與Q4亦全等。(20 分) VDD Q4 Q3 vo Q1 vG1 vG2 Q2 I -VSS 圖二
在純矽半導體中參雜(doping)適量的磷原子(擁有5 個價電子)之後,請說明會 形成n 型(n type)或p 型(p type)半導體?參雜前後自由電子與電洞的數目有何 改變,亦請說明?(10 分) 102年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 類 科: 電力工程
請說明二極體之匱乏區(depletion region)如何形成。在未施加任何偏壓之下,二極 體的陽極(anode)與陰極(cathode)之電位孰高孰低?請務必說明原因。(10 分)
請說明圖三屬於何種回授組態(feedback topology)。其中,is 為輸入訊號且使用理想之運 算放大器,請計算回授因子(feedback factor)β 與閉迴路增益(closed-loop gain)Af。 (20 分) R2 - + vo is RL 圖三 六、請以CMOS 邏輯電路實現 ) ( CD B A Y + = 。(20 分)