電力工程 104 年電子學概要考古題

如圖一所示，輸入信號為一個週期T 之連續信號：（每小題10 分，共20 分） ㈠請配合輸入信號說明D1 及D2 何時會導通。 ㈡請以輸入信號為參考，繪出vo，並說明那個部分是由D1 或D2 導通形成。 圖一

如圖二所示，VBE(on)=0.7 V，β=100： ㈠請繪出直流之效應電路。（3 分） ㈡利用㈠之結果將電晶體左端之R1、R2 與電源轉成戴維寧等效電路。（7 分） ㈢利用㈡之結果算出電晶體之IBQ、ICQ、IEQ 及VCEQ。（10 分） 圖二 1 D 2 D R − + Ov iv 2 : 1 − − − + + + iv CT iv V 10 = CC V Ω = k 2 C R Ω = k 56 1 R Ω = k 5.0 s R Ω = k 2. 12 2 R Ω = k 4.0 E R C C Sv O v iv T t 2 T 0 m V + - 104年特種考試地方政府公務人員考試試題 等 別： 四等考試 類 科： 電力工程、電子工程、電信工程 科 目： 電子學概要

㈠利用一個二極體、一個電阻及一個理想OP 放大器，繪出一個簡單的對數放大器 （simple log amplifier）。（10 分） ㈡利用㈠之電路證明輸出具有一個對數放大效應。（10 分）

如圖三：（每小題10 分，共20 分） ㈠利用電阻表示Av = vO/vI =？ ㈡假設放大倍率為10 倍，R2/R1= R3/R1=8，R1=50 kΩ，求R4=？ 圖三

如下表，為D flip-flop 之函數表：（每小題10 分，共20 分） ㈠利用NAND gate 繪出R-S flip-flop 電路。 ㈡利用NAND gate 及R-S flip-flop 繪出D flip-flop 電路。 R Clk D Q Q′ 0 X X 0 1 0 ↑ 0 0 1 0 ↑ 1 1 0 Iv Ov 0 1 = v x v 0 0 1 R 1i 2 R 3 R 4 R 3i 2i 4i + − ① ②