智慧財產法院行政判決

100年11月17日辯論終結

原告

南茂科技股份有限公司

代表人

鄭世杰

訴訟代理人

陳群顯律師（兼送達代收人）

訴訟代理人

許凱婷律師

被告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花（局長）

訴訟代理人

莊榮昌

參加人

勝創科技股份有限公司

代表人

劉福洲

訴訟代理人

何愛文律師

　范銘祥律師

　徐瑞毅律師

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國100 年6 月16日經訴字第10006100230 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。本院判決如下：

主文

事實及理由

一、事實概要：原告於民國94年5 月25日以「再封裝球格陣列封裝之記憶體模組」向被告申請發明專利，經被告編為第94117089號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第I281264 號專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人提出證據1 之西元1998年4 月14日公告之美國第5739585 號專利案、證據2 之1999年12月14日公告之美國第6002178 號專利案及證據3 之西元2003年2 月4 日公告之美國第6514797B2 號專利案為證，主張系爭專利有違專利法第22條第4 項之規定，對之提起舉發。案經被告審查，於100 年1 月17日以（100 ）智專三㈡04066 字第10020036410 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，經訴願機關決定駁回，原告猶未甘服，遂向本院提起行政訴訟。本院因認本件訴訟之結果，參加人之權利或法律上利益將受損害，乃依行政訴訟法第42條第1 項規定，依職權裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。

二、本件原告主張：

㈠有關證據1 並未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵部分：

⒈證據1 並未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項先以「記憶體晶片係設置於封裝基板之上表面，封膠體係形成於該封裝基板之上表面且顯露出該封裝基板側面」、再以「複數個封止膠，其係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露封裝基板側面」等先以封膠體形成於封裝基板上並顯露出封裝基板之側面、再以封止膠形成於模組基板上並覆蓋前開顯露出之封裝基板側面等整體結構之技術特徵。又證據1 所揭示之技術特徵，其目的在於「改善過去之封裝技術，提供一更簡單、便宜，但卻具有更多保護及散熱功能之封裝系統」，此與系爭專利為解決「在大量切割基板後，由於基板側面顯露於封膠體外，外部濕氣容易由基板側面入侵至封膠體與封裝基板之結合界面」之問題，不論在發明目的、技術手段與所欲解決之問題及達成之功效，均顯有不同。

⒉證據1 並未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，是原處分及訴願決定認為證據1 說明書第9 欄第48-51 行，已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項所載記憶體晶片係設置於封裝基板之上表面，封膠體係形成於該封裝基板之上表面且顯露出該基板側面之技術特徵，顯有違誤。

㈡有關證據2 並未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵部分：

⒈由系爭專利申請專利範圍第1 項之文義可知，系爭專利申請專利範圍第1 項之「封裝基板」須符合「具有一上表面、一下表面以及至少一基板側面」、「記憶體晶片設置於其上表面」、「封膠體形成於其上表面且顯露出該基板側面」及「球形接點係接合於其下表面」等技術特徵，該等技術特徵均為系爭專利申請專利範圍第1 項明文記載之限制條件。惟證據2 所揭露之基板不符合系爭專利申請專利範圍第1 項之限制條件，而證據2 所揭露之基板充其量僅為系爭專利申請專利範圍第1 項之模組基板，絕非得對應至系爭專利之「封裝基板」，故系爭專利申請專利範圍第1 項「封裝基板」之技術特徵並未為證據2 所揭露。又證據2 既未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之「封裝基板」之技術特徵，自不可能揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「包含有一封裝基板」之複數個「球格陣列封裝件」之技術特徵。

⒉證據2 除未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項先以「記憶體晶片係設置於封裝基板之上表面，封膠體係形成於該封裝基板之上表面且顯露出該封裝基板側面」、再以「複數個封止膠，其係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露封裝基板側面」等先以封膠體形成於封裝基板上並顯露出封裝基板之側面、再以封止膠形成於模組基板上並覆蓋前開顯露出之封裝基板側面等整體結構之技術特徵外，更未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「複數個球格陣列封裝件」之技術特徵。原處分及訴願決定對參加人自承證據2 之技術特徵未予詳查，僅以證據2 揭露多個覆晶之技術特徵為由，認定證據2 已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項所載複數個球格陣列封裝件設置於同一模組基板上之技術特徵，惟證據2 之多個覆晶均僅為晶片構造，並未揭露系爭專利之「球格陣列封裝件」（即包含有一封裝基板、一記憶體晶片、一封膠體以及複數個球形接點等特徵所組成之結構），是原處分及訴願決定於之認定不當，顯有違誤。

㈢有關證據3 並未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵部分：

⒈由系爭專利申請專利範圍第1 項之文義可知，系爭專利申請專利範圍第1 項「封裝基板」須符合「具有一上表面、一下表面以及至少一基板側面」、「記憶體晶片設置於其上表面」、「封膠體形成於其上表面且顯露出該基板側面」及「球形接點係接合於其下表面」等技術特徵，渠等技術特徵均為系爭專利申請專利範圍第1 項之限制條件。惟證據3 未揭示系爭專利申請專利範圍第1 項「形成於該封裝基板之該上表面且顯露出該基板側面」之「封膠體」技術特徵，且未揭示系爭專利申請專利範圍第1 項「形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露封裝基板側面」之「複數個封止膠」之技術特徵。證據3 所揭露之技術特徵與系爭專利之技術特徵顯無關連，自不得以證據3 曾出現「封膠體」或「封裝」等，即認定其已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵。況證據3 係以「單一晶片之方式進行封裝」，自無「封裝基板之側面顯露於該封膠體外」之情形，更無「濕氣容易由基板側面入侵至封膠體與封裝基板之結合界面」之問題需解決。且證據3 與系爭專利之技術手段、欲解決之問題及達成之功效均顯不相同，自難遽認證據3 已揭露系爭專利所欲解決問題之技術手段與技術特徵。

⒉證據3 並未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項先以「記憶體晶片係設置於封裝基板之上表面，封膠體係形成於該封裝基板之上表面且顯露出該封裝基板側面」、再以「複數個封止膠，其係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露封裝基板側面」等先以封膠體形成於封裝基板上並顯露出封裝基板之側面、再以封止膠形成於模組基板上並覆蓋前開顯露出之封裝基板側面等整體結構之技術特徵。是以，原處分及訴願決定認為證據3 說明書第4 欄已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項所載複數個封止膠，係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板側面之技術特徵之判斷，顯有違誤。

㈣有關組合證據1 、證據2 與證據3 無法認定系爭專利不具進步性部分：

⒈系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵係為解決在大量切割基板後，由於基板側面顯露於封膠體外，外部濕氣容易由基板側面入侵至封膠體與封裝基板之結合界面之問題而為之設計，惟證據1 、證據2 與證據3 均非為解決此問題而為之設計，在發明目的顯不相同之情況下，系爭專利所屬技術領域具有通常知識者當無動機將此與系爭專利技術特徵顯不相容之證據1 、證據2 與證據3 予以結合，並用以證明系爭專利不具進步性。系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，當無動機、亦無可能組合與系爭專利發明目的並不相關之證據1 、證據2 與證據3 以輕易完成系爭專利，則證據1 、證據2 與證據3 之組合自不足以證明系爭專利申請專利範圍不具進步性。

⒉證據1 、證據2 與證據3 均未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「形成於封裝基板之上表面且顯露出該基板側面之封止膠」及「形成於該模組基板上，且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板側面之複數個封止膠」之技術特徵，故證據1 、證據2 與證據3 之組合不足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性，亦不足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項至第9 項不具進步性。

㈤證據1 至證據3 均未揭露系爭專利申請專利範圍各項之技術特徵，且證據1 與證據3 均屬「已完成封裝之單晶片」，自無將其進行「再次封裝」之可能，在證據1 、證據3 與系爭專利之技術特徵顯不相容之情況下，系爭專利所屬技術領域具有通常知識者無法據此證明系爭專利不具進步性之動機。參加人對證據1 至證據3 均未提供任何組合之動機教示，則系爭專利所屬技術領域具有通常知識者自無將舉發證據1、證據2 與證據3 予以組合，並完成系爭專利之動機已不爭執，是證據1 至證據3 之組合不足證明系爭專利不具進步性。復由參加人提出「第二組證據組合」顯屬「未於言詞辯論終結前之適當時期」提出之新證據，依智慧財產案件審理細則第40條第1 項但書規定或鈞院現行司法實務見解，均應予以駁回。又系爭專利雖係一物品專利，然其於申請專利範圍中明確揭露之所有結構及其連結關係，均為系爭專利申請專利範圍之限制條件，故系爭專利之權利範圍自不以「最終之結構」為限。本件證據1 至證據3 之組合不足以證明系爭專利不具進步性。詎原處分及訴願決定未予詳查，據以證據1 、證據2 與證據3 各自揭露系爭專利某特定部分之技術特徵，據以認定此技術特徵與系爭專利顯不相容之證據組合足以證明系爭專利不具進步性，足見原處分及訴願決定之判斷有違誤。並聲明求為判決撤銷訴願決定及原處分。

三、被告則以：

㈠原告主張證據1 未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「封膠體係形成於該封裝基板之上表面且顯露出該基板側面」之技術特徵。然證據1 圖12C 係揭露晶粒位於基板上表面，封膠體覆蓋晶粒及接合導線，且封膠體並未封合基板之側面，足見證據1 已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「封膠體係形成於該封裝基板之上表面且顯露出該基板側面」之技術特徵。

㈡原告主張證據1 係單一封裝件結構，與系爭專利係一大面積之基板條進行封裝，於封裝體形成後再切割，封裝基板之側面會外露於封裝體之外的技術特徵不同。惟系爭專利申請專利範圍第1 項為一種記憶體模組，乃結構之技術內容，並非製程之技術，亦僅限定於「該記憶晶片係設置於該封裝基板之該上表面，該封膠體係形成於該封裝基板之上表面且顯露出該基板側面」，且該結構已為證據1 所揭露。又況，縱認證據1 係單一封裝件，與系爭專利係一大面積基板條不同，惟證據2 已揭露系爭專利一大面積之基板之結構特徵。被告係以組合證據1 、證據2 與證據3 之技術特徵，認定系爭專利不具進步性，並非據此認為系爭專利不具新穎性。

㈢原告主張證據2 係多個覆晶設置於模組基板上，與系爭專利之複數個球格陣列封裝件設置於模組基板上不同。惟倘將證據2 之覆晶以證據1 之封裝件取代，並以複數個排列於模組基板上，即構成系爭專利之複數個球格陣列封裝件設置於模組基板上之結構。

㈣原告主張證據3 並未揭露系爭專利之複數個封止膠形成於模組基板上且在球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之球格陣列封裝件之顯露基板側面。惟證據3 揭露封膠體流動於IC晶片週邊，將晶片及錫球包覆，以避免濕氣入侵及不容易掉球或斷路，而系爭專利利用封膠體覆蓋於記憶體晶片及封裝基板上表面而成為球格陣列封裝件，並利用封止膠形成於球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋球格陣列封裝件之基板側面，以避免濕氣入侵及不容易掉球或斷路，若將證據1 之封裝件取代證據3 之IC晶片，即揭露系爭專利之技術內容及達成功效。

㈤原告主張證據1 、證據2 與證據3 之組合無法證明系爭專利不具進步性。惟證據1 、證據2 與證據3 均具有封膠之技術內容，對於所屬技術領域者應能彼此參考並加以運用組合，故將證據1 之封裝件運用於證據2 之模組基板上，並利用證據3 之封膠體技術，即完成系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，且達到避免濕氣入侵及不容易掉球或斷路，與系爭專利達成之效果相同，足見系爭專利之技術特徵分別為證據1 、證據2 與證據3 所揭露。又系爭專利未具有不可預期之技術功效，是證據1 、證據2 與證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。並聲明駁回原告之訴。

四、參加人主張：

㈠有關系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性部分：

⒈系爭專利申請專利範圍第1 項所載「一種記憶體模組，包含: 一模組基板; 複數個球格陣列封裝件，其係設置於該模組基板上」之技術特徵，已被證據2 之module board 110、multiple flip chips 120-1 to 120-3所揭露，亦被系爭專利說明書圖1 所載習知技術第1 圖所揭露；系爭專利申請專利範圍第1 項所載「每一球格陣列封裝件係包含有一封裝基板、一記憶體晶片、一封膠體以及複數個球形接點」之技術特徵，已被證據1 之package body 12E、die 18、encapsulant 36E 、bump 16 所揭露，亦被系爭專利說明書圖1 所載習知技術第1 圖所揭露；系爭專利申請專利範圍第1 項所載「其中該封裝基板係具有一上表面、一下表面以及至少一基板側面」之技術特徵，已被證據1 之第12C 圖所揭露，亦被系爭專利說明書圖1 所載之習知技術第1 圖所揭露；系爭專利申請專利範圍第1 項所載「該記憶體晶片係設置於該封裝基板之該上表面」之技術特徵，已被證據1 之第12C 圖所揭露，亦被系爭專利說明書圖1 所載之習知技術第1 圖所揭露；系爭專利申請專利範圍第1 項所載「該封膠體係形成於該封裝基板之該上表面且顯露出該基板側面」之技術特徵，已被證據1 之第12C 圖所揭露，亦被系爭專利說明書圖1 所載之習知技術第1 圖所揭露；系爭專利申請專利範圍第1 項所載「而該些球形接點係接合於該封裝基板之該下表面」之技術特徵，已被證據1 之第12C 圖所揭露，亦被系爭專利說明書圖1 所載之習知技術第1 圖所揭露；系爭專利申請專利範圍第1 項所載「複數個封止膠，其係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板側面」，已被證據3 之第3 圖或第6圖所揭露。

⒉系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵分別為證據1 、證據2 及證據3 所揭示，且系爭專利申請專利範圍第1 項僅為證據1 、證據2 與證據3 簡單之相加組合即可完成，故對所屬技術領域中具有通常知識者而言應可輕易完成，是證據1至證據3 之組合，可證明系爭專利申請專利範圍第1 項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成。且系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵已為系爭專利說明書圖1 所載之習知技術以及證據3 所揭示，且系爭專利申請專利範圍第1 項僅為系爭專利說明書圖1 所載之習知技術及證據3 簡單之相加組合即可完成，故對所屬技術領域中具有通常知識者而言應可輕易完成，足見系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。有關系爭專利說明書圖1 所載之習知技術之證據，雖未於舉發程序提出，惟依智慧財產案件審理法第33條第1 項規定，鈞院仍應審酌之。

㈡有關系爭專利申請專利範圍第2項至第9項不具進步性部分：

⒈系爭專利申請專利範圍第2 項係依附第1 項，其包含第1 項之技術特徵部分已不具進步性，且其「該些封止膠係配合對應之該些球格陣列封裝件之該些封膠體完全密封該些封裝基板」特徵已被證據3 第6 圖所揭露，該特徵僅為簡單之附加限定，對所屬技術領域中具有通常知識者而言當可輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。

⒉系爭專利申請專利範圍第3 項係依附第1 項，其包含第1 項之技術特徵部分已不具進步性，且其「該些封止膠係黏接對應之該些球格陣列封裝件至該模組基板」技術特徵為半導體封裝之公知技術，該特徵僅為簡單之附加限定，對所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。

⒊系爭專利申請專利範圍第4 項係依附第1 項，其包含第1 項技術特徵部分已不具進步性，且其附加特徵「該些記憶體晶片係為頻率高達500MHz以上之DDR2（Double Data Rate 2,雙倍資料速率）動態隨機存取記憶體晶片」僅為封裝體內部之晶片種類及其特性不同，封裝製程並無涉及晶片本身功效目的不同而有其封裝時急迫待解決之困難，故該特徵僅為簡單之附加限定，對所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。

⒋系爭專利申請專利範圍第5 項係依附第1 項，其包含第1 項之技術特徵部分已不具進步性，且其「該些球格陣列封裝件係具有晶片尺寸封裝（Chip Scale Package, CSP ）型態」技術特徵已於證據1 摘要第1 行所揭露，該特徵僅為簡單之附加限定，對所屬技術領域中具有通常知識者而言可輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。

⒌系爭專利申請專利範圍第6 項係依附第1 項，其包含第1 項之技術特徵部分已不具進步性，且其附加特徵「該些球形接點係為錫球」亦為所屬領域者所公知通常知識，該特徵僅為簡單之附加限定，對所屬技術領域中具有通常知識者而言當可輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。

⒍系爭專利申請專利範圍第7 項係依附第1 項，其包含第 1項之技術特徵部分已不具進步性，且其「該些封止膠係不覆蓋至該些封膠體之複數個頂面」技術特徵已於證據3 第3 圖所揭露，該特徵僅為簡單之附加限定，對所屬技術領域中具有通常知識者而言可輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第7項亦不具進步性。

⒎系爭專利申請專利範圍第8 項係依附第1 項，其包含第1 項之技術特徵部分已不具進步性，且其附加特徵「該些封止膠係為液態塗敷之填充膠體」亦為所屬領域者所公知通常知識，該特徵僅為簡單之附加限定，對所屬技術領域中具有通常知識者而言當可輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第8 項亦不具進步性。

⒏系爭專利申請專利範圍第9 項係依附第1 項，其包含第1 項之技術特徵部分已不具進步性，且其附加特徵「該些封止膠之間係不相互連接」亦為所屬領域者所公知通常知識，該特徵僅為簡單之附加限定，對所屬技術領域中具有通常知識者而言當可輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第9 項不具進步性。

㈢系爭專利申請專利範圍所載「物」之結構構成，已被證據1至證據3 所揭露。又系爭專利說明書第1 圖之習知技術已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項所載「複數個封止膠，其係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板側面」以外之技術內容，而「複數個封止膠，其係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板側面」之技術特徵，亦被證據3 所揭露，是系爭專利不具進步性。又系爭專利已違反核准審定時之專利法第22條第4 項規定而應予撤銷，原告之主張並不足採。並聲明駁回原告之訴。

五、兩造之爭點為：證據1 、證據2 、證據3 以及證據1 、證據2 與證據3 之組合，得否證明系爭專利不具進步性？茲分述如下：

㈠按凡利用自然法則之技術思想之創作，而可供產業上利用者，固得依專利法第21條暨第22條第1 項前段之規定申請取得發明專利。惟其發明「雖無第1 項所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，為同法第22條第4 項所明定。

㈡本件原告前於94年5 月25日以「再封裝球格陣列封裝之記憶體模組」向被告申請發明專利，經被告編為第94117089號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第I281264 號專利證書。經查，系爭專利主要係為改良習知之晶片封裝技術缺失，避免封裝客體因封裝不良而產生瑕疵。蓋習知之封裝技術，其封裝基板（121 ）之側面（參附件P1圖示圓圈圈註處）會外露於該封膠體之外，外部濕氣容易由該基板側面入侵至該封膠體（123 ）與該封裝基板（121 ）之結合界面（如上開圖示圓圈內上方箭頭所示），導致黏晶膠層水解，使得該記憶體晶片（122 ）因而故障，此外，先前技術係利用晶片上之錫球（124 ）之回焊焊接力，結合該些球格陣列封裝件（120 ）至該模組基板（110 ），其接合力較差，且各別獨立，在最周邊之錫球（124 ）容易受到熱應力之集中影響而斷裂（如上開圖示圓圈內下方箭頭所示），發生掉球或斷路之問題，且因該焊接部位無任何固持結構之配合，其抗震性即有不足，一旦掉落地面容易產生焊接處有摔傷或斷裂之問題。為解決上開習知技術之瑕疵，系爭專利在該模組基板（210 ）及球格陣列封裝件（220 ）之周邊使用封止膠（230 ）（參附件圖示1 所示圓圈圈註處）覆蓋顯露之基板側面（221C），以避免濕氣由該等基板側面（221C）入侵至對應封裝基板（221 ）與封膠體（223 ）之結合界面，同時進一步增加該等球格陣列封裝件（220 ）與該模組基板（210）之結合強度。換言之，系爭專利為解決習知技術之問題所用之技術手段係利用複數個封止膠，形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板側面。而就上開創作目的，系爭專利共計申請9 項請求項，其中第1 項為獨立項，而第2 項至第9 項則為直接依附於第1 項之附屬項，所揭露之技術特徵分別為：

⒈一種記憶體模組，包含：一模組基板；複數個球格陣列封裝件，其係設置於該模組基板上，每一球格陣列封裝件係包含有一封裝基板、一記憶體晶片、一封膠體以及複數個球形接點，其中該封裝基板係具有一上表面、一下表面以及至少一基板側面該記憶體晶片係設置於該封裝基板之該上表面，該封膠體係形成於該封裝基板之該上表面且顯露出該基板側面，而該些球形接點係接合於該封裝基板之該下表面；以及複數個封止膠，其係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板側面。

⒉如申請專利範圍第1 項所述之記憶體模組，其中該些封止膠係配合對應之該些球格陣列封裝件之該些封膠體完全密封該些封裝基板。

⒊如申請專利範圍第l 項所述之記憶體模組，其中該些封止膠係黏接對應之該些球格陣列封裝件至該模組基板。

⒋如申請專利範圍第1 項所述之記憶體模組，其中該些記憶體晶片係為頻率高達 500MHz 以上之 DDR2 ( Double DataRate 2，雙倍資料速率）動態隨機存取記憶體晶片。

⒌如申請專利範圍第l 項所述之記憶體模組，其中該些球格陣列封裝件係具有晶片尺寸封裝（Chip Scale Package, CSP）型態。

⒍如申請專利範圍第1 項所述之記憶體模組，其中該些球形接點係為錫球。

⒎如申請專利範圍第1 項所述之記憶體模組，其中該些封止膠係不覆蓋至該些封膠體之複數個頂面。

⒏如申請專利範圍第l 項所述之記憶體模組，其中該些封止膠係為液態塗敷之填充膠體。

⒐如申請專利範圍第1 項所述之記憶體模組，其中該些封止膠之間係不相互連接。

㈢而本件參加人主張系爭專利不具進步性，主要係援引證據1、證據2 、證據3 ，並以證據1 、證據2 與證據3 之組合，認為系爭專利不具進步性。經查：

⒈證據1係1998年4月14日公告之美國第5739585號「Singlepiece package for semiconductor die 」專利案，其公告日早於系爭專利申請日（94年5 月25日），且為有關半導體製成之晶片封裝領域，故可作為與系爭專利比對之相關先前技術，自不待言。依證據1 圖12C 及第9 欄第41-51 行所示，其封裝件(flat packag e 10E) ，包含有封裝基板(package body 12E) 、晶片(die 18 ) 、封膠體(encapsulant36E)以及球形接點(bumps 16)，封裝基板（12E ）則有上表面、下表面以及側面，另晶片（18）係設置於封裝基板（12E ）之上表面，證據1 之封膠體（36E ）係形成於封裝基板之上表面且顯露出封裝基板（12E ）之側面，而球形接點（16）則係接合於封裝基板（12E ）之下表面（參附件圖示2-1 所示）。另依證據1 圖Fig3A 及第6 欄第12-15 行所示，證據1 之封裝件(completed package 10)亦可設置於模組基板(supporting substrate 30) 上（參附件圖示2-2 所示）。

⒉至證據2則為1999年12月14日公告之美國第6002178號「Multiple chip module configuration to simplify testingprocess and reuse of known-good chip-size package (CSP)」專利案，其公告日亦早於系爭專利申請日（94年5月25日），且係關於電子器材封裝領域（參證據2第1欄第8行所載內容），自亦可為系爭專利相關之先前技術。依證據2圖1A、1B及第3欄第60-64行所示，證據2揭露有複數個封裝件(multiple flip chips 120-1 to 120-3)，且設置於模組基板(multiple chip module board 110)上（參附件圖示3所示）。

⒊另證據3亦係美國專利案，為2003年2月4日公告之美國第6514797B2號「Underfill applications using film technology」專利，其公告日係早於系爭專利申請日（94年5月25日），且亦係關於半導體元件封裝領域 (證據3第1欄第6-7行所載）故亦可為系爭專利相關之先前技術。茲依證據3圖式3及第4欄第58-59行所載，其具有複數個封止膠(encapsulant 29)，係形成於晶片(IC chip 24)之周邊，以覆蓋對應之晶片(ICchip 24)之側面（參附件圖示4所示）。

㈣如原告系爭專利所述，習知之半導體封裝業者所遭遇之問題，主要乃：⒈如何以電路方式將半導體晶片與外部迴路電性連接；⒉如何從濕度、溫度等外部環境保護晶片以防止晶片特性惡化；⒊如何協助晶片動作時散熱等。上開習知技術所遭遇之濕氣入侵問題，所對應之重點乃在於如何從外部環境保護晶片之封裝，而習知技術所遭遇熱應力之問題，所對應之重點即如何協助封裝之晶片於動作時之散熱，是以，所屬技術領域中具通常知識者欲解決半導體封裝之上開問題，應會以半導體封裝之所有相關領域做為尋找解答之範圍，至於被封裝之晶片是否為記憶體、被封裝者為球格陣列封裝件或晶片等，並不會成為通常知識者尋找解答時之主要考量。由於證據1 、證據2 、證據3 皆為半導體封裝相關領域之先前技術，而系爭專利所屬技術領域中具通常知識者所可能尋找解答的範圍為半導體封裝之所有相關領域，因此，證據1 、證據2 、證據3 之組合對於通常知識者而言，自屬明顯之可能參考範圍。準此，就有關證據1 、證據2 與證據3 之組合，得否證明系爭專利不具進步性疑義，爰分別論述如下：

⒈證據1 、證據2 、證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：

⑴經查，證據1 已揭示一種封裝基板(package body 12E)側面裸露之封裝件(flat package 10E 10E)，雖其側面裸露之原因並非如系爭專利所揭示係將大面積基板條先封裝再切割所造成，惟其側面裸露之結構與系爭專利申請專利範圍第1 項側面裸露結構之描述相符。其次，證據1 亦揭示一個封裝件(completed package 10)可設置於模組基板(supportingsubstrate 30) 上，雖其未揭示複數個封裝件同時設置於一模組基板之結構，惟證據2 已揭示有複數個封裝件(multiple flip chips 120-1 to 120-3)，設置於模組基板(multiple chip module board 110)上之結構。是以，所屬技術領域中具有通常知識者在參酌證據1 與證據2 所揭示之內容，即可將其組合而輕易完成系爭專利申請專利範圍第1 項所揭露之「一種記憶體模組，包含：一模組基板；複數個球格陣列封裝件，其係設置於該模組基板上，每一球格陣列封裝件係包含有一封裝基板、一記憶體晶片、一封膠體以及複數個球形接點，其中該封裝基板係具有一上表面、一下表面以及至少一基板側面該記憶體晶片係設置於該封裝基板之該上表面，該封膠體係形成於該封裝基板之該上表面且顯露出該基板側面，而該些球形接點係接合於該封裝基板之該下表面」技術特徵。

⑵另證據3 揭示有複數個封止膠(encapsulant 29)，其係形成於晶片(IC chip 24)之周邊，以覆蓋對應晶片(IC chip 24)之側面外，另證據3 說明書第5 欄第41-51 行揭示封止膠(encapsulant 29) 選擇上之考量因素為：「Typical properties of an appropriate encapsulant material include:low warpage; good adhesion properties with respect to the die, substrate, die attached tape and paste;good releasability from the mold die and the release film; ability to fill small gaps; good flowability; low stress; low water absorption; good reliability performance; good flexural strength; good dielectric stability; good thermal stability; low alpha emission; and low flammability. 」等語，其中「low water absorption」即隱含教示封止膠(encapsula nt 29) 可防止外部濕氣由基板側面入侵效果；另其中「low stress」、「goodthermal stability 」即隱含教示封止膠(encapsulant 29)可減少熱應力所造成之斷裂現象。是以，系爭專利所屬技術領域中具通常知識者面對濕氣入侵及熱應力問題時，自有極高之可能性會依據證據3 隱含之教示，而輕易達成系爭專利申請專利範圍第1 項所揭露之「複數個封止膠，其係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板側面。」技術特徵。由是可知，所屬技術領域中具通常知識者應能依證據1 、證據2 、證據3 之組合而輕易完成系爭專利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。

⑶原告起訴主張系爭專利申請專利範圍第1 項之「複數個封止膠，其係形成於該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之周邊，以覆蓋對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板側面。」技術特徵，係以封止膠對前揭已完成封裝之封裝件「再封裝」之技術特徵（參原告100 年10月31日所提「行政訴訟補充理由㈡狀」第6 頁倒數第10行起），而證據1 至3 均未提及「對複數球格陣列封裝件再封裝」之技術特徵（參原告100 年10月31日所提「行政訴訟補充理由㈡狀」第8 頁第8行起），是以系爭專利申請專利範圍第1 項與證據1 至3 不同云云。惟查，系爭專利申請專利範圍第1 項之範疇為物，而非方法，且系爭專利申請專利範圍第1 項之「複數個封止膠，其係『形成於』該模組基板上且在該些球格陣列封裝件之『周邊』，以『覆蓋』對應之該些球格陣列封裝件之該些顯露基板『側面』。」，其中所謂「『形成於』…『周邊』，『覆蓋』…『側面』」皆為結構相對位置之界定，並非製成先後之界定，是以，系爭專利申請專利範圍第1 項中並無所謂『再封裝』之技術特徵，原告前揭所述自非可採。原告又稱證據1 至3 並未予人結合之動機，自無法證明系爭專利不具進步性云云（參原告100 年10月31日所提「行政訴訟補充理由㈡狀」第11頁倒數第8 行起）。惟查，如前所述，習知技術所面臨之濕氣入侵與熱應力之問題，為半導體封裝最基本之問題，所屬技術領域中具通常知識者為解決上開問題，當然會以半導體封裝之所有相關領域做為尋找解答之範圍，是以，證據1 至3 之組合對於所屬技術領域中具通常知識者而言應屬明顯，況證據3 已隱含教示封止膠(encapsulant29) 可減少熱應力所造成之斷裂現象，自足使具通常知識者可輕易產生結合前開證據之動機以達成系爭專利申請專利範圍第1 項所揭露之技術特徵，故原告前揭所述理由自非可採。

⒉證據1 、證據2 、證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性：如前所述，系爭專利申請專利範圍第2 項所揭露之技術特徵，除其所依附之第1 項技術特徵外，更包括「其中該些封止膠係配合對應之該些球格陣列封裝件之該些封膠體完全密封該些封裝基板」技術特徵，惟此部分技術特徵業已經證據3於第6 圖所揭示，而側面覆蓋即可達到習知技術欲解決濕氣入侵及熱應力之目的，完全密封當然更能達到目的，因此，所屬技術領域中具通常知識者於參考證據3 第6 圖之揭示後自有極高可能產生組合證據1 至證據3 之動機而輕易完成系爭專利申請專利範圍第2 項之所有技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第2 項亦不具進步性。

⒊證據1 、證據2 、證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性：經查，系爭專利申請專利範圍第3 項係依附於第1 項之附屬項，除具有其所依附之第1項所有技術特徵外，更包括「其中該些封止膠係黏接對應之該些球格陣列封裝件至該模組基板」技術特徵，惟上開技術特徵業已經證據3 於第5 欄第41至51行中揭示封止膠(encapsulant 29)選擇上之考量包括：「good adhesion properties with respect to the die」等語，是以，所屬技術領域中具有通常知識者依據證據3封止膠在黏接性部分之教示，當然有極大可能產生將證據1至證據3 組合之動機，進而輕易完成系爭專利申請專利範圍第3 項之所有技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第3 項亦不具進步性。

⒋證據1 、證據2 、證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第4 項亦係依附於第1 項之附屬項，除具有其所依附之第1項所有技術特徵外，更包括「其中該些記憶體晶片係為頻率高達500MHz以上之DDR2 (Double Data Rate 2，雙倍資料速率）動態隨機存取記憶體晶片」技術特徵，惟系爭專利所揭露之技術特徵僅係就晶片為封裝，至於被封裝之晶片究係記憶體，以及若為記憶體晶片者，種類為何，均與系爭專利所欲解決側面濕氣入侵及熱應力之問題無涉，且僅為習知技術之附加，是以，系爭專利所屬技術領域中具通常知識者仍能依證據1 至證據3 之教示產生組合上開證據之動機而輕易完成系爭專利申請專利範圍第4 項之所有技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第4 項自不具進步性。

⒌證據1 、證據2 、證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性：查系爭專利申請專利範圍第5 項亦為依附於第1 項之附屬項，除包含其所依附之第1 項所有技術特徵外，更包括「其中該些球格陣列封裝件係具有晶片尺寸封裝（Chip Scale Package , CSP）型態」技術特徵。惟因封裝之球格陣列封裝件尺寸，與系爭專利所欲解決之側面濕氣入侵及熱應力問題無涉，且僅為習知技術之附加，是以，系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者仍能組合證據1 至證據3 而輕易完成系爭專利申請專利範圍第5 項之所有技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第5 項自亦不具進步性。

⒍證據1 、證據2 、證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性：如同前述，系爭專利申請專利範圍第6 項亦係依附於第1 項之附屬項，除其所依附之第1 項所有技術特徵外，更包括「其中該些球形接點係為錫球」技術特徵，惟因利用所謂錫球作為接點乃所屬領域之公知常識，此所以本項請求僅能作為依附於第1 項之習知技術，因此，系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者，仍能透過組合證據1 至證據3 而輕易完成系爭專利申請專利範圍第6 項之所有技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第6 項亦不具進步性。

⒎證據1 、證據2 、證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第7 項同屬依附於第1 項之附屬項，除具有其所依附之第1 項所有技術特徵外，更包括「其中該些封止膠係不覆蓋至該些封膠體之複數個頂面」技術特徵。然因減少封膠體用量而減少成本乃所屬技術領域中具通常知識者之基本概念，且不覆蓋頂面與系爭專利所欲解決側面濕氣入侵及熱應力之問題亦無涉，是以，系爭專利所屬技術領域中具通常知識者當然仍得藉由證據1 至證據3 之教示而產生組合上開證據之動機，進而輕易完成系爭專利申請專利範圍第7 項之所有技術特徵，故第7 項請求項自不具進步性。

⒏證據1 、證據2 、證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第8項不具進步性：系爭專利第8 請求項亦為附屬於第1 項之附屬項，除其所依附之第1 項所有技術特徵外，更包括「其中該些封止膠係為液態塗敷之填充膠體」技術特徵。然依據證據3 第5 欄第41行至第51行所揭示之封止膠(encapsulant 29)選擇上之考量包括：「good flowability」等語，足見系爭專利第8 項請求項所揭露之技術特徵已經證據3 所揭露，是以系爭專利所屬技術領域中具通常知識者依據證據3 封止膠在流動性上之教示，自當足以產生將證據1 至證據3 組合之動機，進而得以輕易完成系爭專利申請專利範圍第8 項之所有技術特徵，故可知系爭專利申請專利範圍第8 項並不具進步性。

⒐證據1 、證據2 、證據3 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性：系爭專利申請專利範圍第9 項亦係依附於第1 項之附屬項，除其所依附之第1 項所有技術特徵外，更包括「其中該些封止膠之間係不相互連接」技術特徵。惟因封止膠之間是否相互連接，與系爭專利所欲解決之側面濕氣入侵及熱應力等問題無關，且僅為習知技術之附加，是以，系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者仍能藉由組合證據1 至證據3 所揭露之技術內容而輕易完成系爭專利申請專利範圍第9 項之所有技術特徵，故系爭專利第9 項亦不具進步性。

六、綜上所述，證據1 、證據2 、證據3 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 至9 項均不具進步性，是以，被告於專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」處分，依法並無不合。訴願決定予以維持，亦無違誤。原告徒執前詞，聲請撤銷原處分及訴願決定，為無理由，應予駁回。

七、本件事證已明，兩造其餘主張或答辯，已與本院判決結果無涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第一庭