專利師 99 年電子學考古題

如下圖所示為一共射極放大器。電路中C1 = C2 = ∞，VT = 25 mV，電晶體Q之特性 如下：β = 100，Cµ = 0.8 pF，fT = 600 MHz。 求中頻段（mid-band）的小信號增益vo/vs。（10 分） 求高頻3 dB 截止頻率。（10 分） C2=∞ C1=∞ 1 mA Q vo -15V +15V 2.5 kΩ vs 5 kΩ 5 kΩ ＋ －

如下圖所示為一由理想OP放大器所構成之放大器電路。求vO/vI。（20 分） vI r R R R － ＋ vO

如下圖所示為一由兩個理想OP放大器所構成的多諧振盪器。右邊的OP放大器電路 構成一個比較器。OP放大器的輸出電壓範圍為±VOMAX。 就比較器的OP放大器輸出為+VOMAX與-VOMAX時，分別求vI2端的交換臨界電壓。（ 10 分） 求此多諧振盪器的振盪週期。（10 分） vo C R R2 － ＋ vI2 R1 ＋ － 99年專門職業及技術人員高等考試律師、會計師、不 動產估價師、專利師、民間之公證人考試、99年第二 次專門職業及技術人員高等考試社會工作師考試試題 代號： 類 科： 專利師 全一張 （背面） 70360 70960

如下圖所示為一以MOSFET 所組成的疊接電流鏡（cascode current mirror），四個 電晶體的特性完全相同。 求IO與IR的關係。（5 分） 若電晶體小信號模型中之互導（transconductance）為gm，輸出電阻為ro。忽略本 體效應，求由輸出端所視入之小信號等效電阻Ro。（15 分） IO VDD RO IR

簡答題： 說明雙極性電晶體中，Early effect 的成因，以及對電晶體輸出特性曲線的影響。 （10 分） 說明CMOS 反相邏輯閘中功率消耗與操作頻率的關係。（10 分）