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專利師·113·電子學1/6

專利師 113電子學考古題

6 題申論題資料來源:考選部下載 .txt
跨年同科97-115

題庫收錄歷年原題;涉修法條文之題目,請以現行法為準。

試題6
113
1

如圖一之電路,假設 1 10 kΩ R ,

113
2

10 kΩ R ,

113
3

10 kΩ R ,

113
4

2 kΩ R ,

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5

2 kΩ R ,二極體 1 D 之完全導通電壓(fully conducting voltage)為0.7 V, 求㈠ 1 (A) I ? (10 分)㈡ 1 (V V ? )(10 分)(答案計算至小數點第二位 以下四捨五入) 圖一 12 V 12 V R1 R2 R3 R4 R5 D1 V1 V2 I1 二、如圖二之電路,假設電晶體 1 Q 之 100 , 1 100 kΩ R , 2 3 kΩ R , 3 4 kΩ R ,試計算㈠ (V) B V ? (4 分)㈡ (V) E V ? (4 分)㈢ (V) C V ? (4 分)㈣此電路之電晶體 1 Q 之工作模態(mode)為何?請說明理由。(8 分) (答案計算至小數點第二位以下四捨五入) 圖二 三、如圖三之電路,其中 1 200 kΩ R , 2 60 MΩ R , 3 12 MΩ R , 4 5 kΩ R , 5 3 kΩ R ,

113
6

12 kΩ R , 1 0.05 μF C , 2 0.2 μF C , 3 20 μF C ,NMOS 電晶體 1 Q ,其 1mA/V m g , 100 kΩ or ,求中帶增益 m A ?(8 分)假 設 1 Q 之 1pF gs c , 0.2 pF gd c ,求此電路之 Hf (高頻響應3 dB點頻率) =?(Hz)(12 分)(答案計算至小數點第二位以下四捨五入) 圖三 R2 R1 R3 Q1 VB VE VC +12 V -12 V VDD VDD VO Vsig R1 R2 R4 R6 R3 R5 C3 Q1 C1 C2 四、如圖四(A)之電路,V 為一電壓源,IV 為輸入電壓,O V 為輸出電壓,O I V V 的關係圖如圖四(B)所示,L為雙穩態正電壓,L為雙穩態負電壓, TH V 為正臨限電壓, TL V 為負臨限電壓,假設 12 V L L , 14 V V , 1 8 kΩ R , 5 V TL V , 5.2 V TH V ,求㈠ 2 (Ω) R ? (10 分)㈡ 3 (Ω) R ? (10 分)(答案計算至小數點第二位以下四捨五入) 圖四(A) 圖四(B) R1 R2 R3 V VO VI VO 0 VI VTH VTL L- L+ 五、如圖五為一CMOS 反相器(inverter)電路,假設 P Q 和 N Q 是匹配的 (matched ),其中 ' 2 320 mA / V nk ,( / ) 1.2 n W L , 2.0 V DD V , 0.55 V th V ,不考慮 n , p 即不考慮channel length modulation,假設 IV 從0 加大電壓到 DD V ,在什麼 IV 值,DP i 或 ( ) DN DP DN i i i 其電流會達到峰值 (peak)?(10 分)其峰值電流為多少(A)?(10 分)(答案計算至小數 點第二位以下四捨五入) 圖五 VO VDD VI QP QN iDN iDP

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