專利師 113 年電子學考古題

如圖一之電路，假設 1 10 kΩ R  ，

10 kΩ R  ，

10 kΩ R  ，

2 kΩ R  ，

2 kΩ R  ，二極體 1 D 之完全導通電壓（fully conducting voltage）為0.7 V， 求 1 (A) I ？ （10 分） 1 (V V ？ )（10 分）（答案計算至小數點第二位 以下四捨五入） 圖一 12 V 12 V R1 R2 R3 R4 R5 D1 V1 V2 I1 70960 二、如圖二之電路，假設電晶體 1 Q 之 100  ， 1 100 kΩ R  ， 2 3 kΩ R  ， 3 4 kΩ R  ，試計算 (V) B V ？ （4 分） (V) E V ？ （4 分） (V) C V ？ （4 分）此電路之電晶體 1 Q 之工作模態（mode）為何？請說明理由。（8 分） （答案計算至小數點第二位以下四捨五入） 圖二 三、如圖三之電路，其中 1 200 kΩ R  ， 2 60 MΩ R  ， 3 12 MΩ R  ， 4 5 kΩ R  ， 5 3 kΩ R  ，

12 kΩ R  ， 1 0.05 μF C  ， 2 0.2 μF C  ， 3 20 μF C  ，NMOS 電晶體 1 Q ，其 1mA/V m g  ， 100 kΩ or  ，求中帶增益 m A ？（8 分）假 設 1 Q 之 1pF gs c  ， 0.2 pF gd c  ，求此電路之 Hf （高頻響應3 dB點頻率） ＝？(Hz)（12 分）（答案計算至小數點第二位以下四捨五入） 圖三 R2 R1 R3 Q1 VB VE VC +12 V -12 V VDD VDD VO Vsig R1 R2 R4 R6 R3 R5 C3 Q1 C1 C2 70960 四、如圖四(A)之電路，V 為一電壓源，IV 為輸入電壓，O V 為輸出電壓，O I V V  的關係圖如圖四(B)所示，L為雙穩態正電壓，L為雙穩態負電壓， TH V 為正臨限電壓， TL V 為負臨限電壓，假設 12 V L L     ， 14 V V  ， 1 8 kΩ R  ， 5 V TL V  ， 5.2 V TH V  ，求 2 (Ω) R ？ （10 分） 3 (Ω) R ？ （10 分）（答案計算至小數點第二位以下四捨五入） 圖四(A) 圖四(B) R1 R2 R3 V VO VI VO 0 VI VTH VTL L- L+ 70960 五、如圖五為一CMOS 反相器（inverter）電路，假設 P Q 和 N Q 是匹配的 （matched ），其中 ' 2 320 mA / V nk  ，( / ) 1.2 n W L  ， 2.0 V DD V  ， 0.55 V th V  ，不考慮 n ， p 即不考慮channel length modulation，假設 IV 從0 加大電壓到 DD V ，在什麼 IV 值，DP i 或 ( ) DN DP DN i i i  其電流會達到峰值 （peak）？（10 分）其峰值電流為多少(A)？（10 分）（答案計算至小數 點第二位以下四捨五入） 圖五 VO VDD VI QP QN iDN iDP