圖一電路均為理想二極體,在
V
5
V
5
≤
≤
−
sv
之區間,畫出o
v 與
sv 之轉換特性曲
線。必須標示各線段之斜率與轉折點,並說明理由。(20 分)
圖二積體電路放大器中,所有電晶體導通時
V
7.0
=
BE
V
,直流增益
1
100 >>
=
β
,
導通時忽略基極電流。各成對之差動電晶體完全匹配,
9
Q 之基極與射極接面之面積
為
7
Q 之4 倍,計算
5
C
I
、
6
C
I
、
9
C
I
、
9
C
V
與
6
E
V
。(20 分)
圖一
圖二
3V
-
+
3V
+
-
D1D2
1kΩ
1kΩ
1kΩ
+
+
-
-
vs
vo
3kΩ
20kΩ
20kΩ
18.6kΩ
3.7kΩ
10.7
Q1
2kΩ
kΩ
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
IC9
VC9
VE6
IC6
IC5
4X
+10V
-10V
1 0 4年專門職業及技術人員高等考試
會計師、不動產估價師、專利師考試試題
代號:
電子學)
全一張
(背面)
70360
70960
圖三電路中,
1
G
V
~
G
V
為適當直流電壓使電晶體工作於飽和區。請回答下列問題:
(每小題10 分,共20 分)
圖三(a)電晶體小信號參數為
m
g 與or ,推導
out
R
以
m
g 、or 與
s
R 之表示式。
圖三(b)之iv 為輸入小信號,NMOS 小信號參數:
mA/V
10
=
mn
g
,
Ω
=
k
4
on
r
;
PMOS 小信號參數:
mA/V
2
=
mp
g
,
Ω
=
k
6
op
r
。利用之結果,計算輸出電阻
o
R 。
四、圖四(a)運算放大器之迴轉率(或延遲率,slew rate)為12 V/μs,其他特性均為理
想。若輸入信號
)
(t
Vs
為理想方波如圖四(b),T >> 50 ns,畫出穩態時之
)
(t
Vo
波形,
須標示波形之轉折點以及線段之斜率。(20 分)
兩整數A、B 分別以連續兩個二進位元A1A2 與B1B2 表示。A 與B 之數值可能為
-1、0、+1,分別以11、00、01 表示;整數Y 之數值為A、B 和之絕對值:
B
A
Y
+
=
,並以標準二進位制Y1Y2 表示,Y1、Y2 為二進位元。以卡諾圖
(Karnaugh Map)分析,並求出Y1、Y2以A1、A2、B1、B2之布林函數式。(20 分)
圖四(a)
圖四(b)
Vs
Vo
Vs(t)
0V
T
1V
T+50
T+100
t
(ns)
+
-
圖三(a)
圖三(b)
Q
Rs
Rout
Q1
Q2 Q3
Q4
VG1
VG2
VG3
VG4
vi
vo
VG1
Ro