智慧財產法院行政判決

民國102年4月18日辯論終結

原告

群成科技股份有限公司

代表人

卓恩民（董事長）

訴訟代理人

陳丁章律師

訴訟代理人

黃宜婷律師

訴訟代理人

江國慶（專利師）

輔佐人

邱伯縣

被告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花（局長）

訴訟代理人

簡信裕

參加人

米輯電子股份有限公司

代表人

麥瑞達（董事長）

訴訟代理人

張哲倫律師

陳佳菁律師

蕭輔寬（專利代理人）

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國101 年9 月6 日經訴字第10106111200 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下︰

主文

事實及理由

一、程序事項：原告原起訴聲明第1 項為「訴願決定及原處分均予撤銷。」（本院卷第1 冊第11頁），因原處分及訴願決定係審查第584950號「晶片封裝結構及其製程」發明專利（下稱系爭專利）之更正准許與否、及更正後申請專利範圍第1 、2 、124項是否舉發成立等爭點，而原告係就其中系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 、124 項是否舉發成立部分提起本件行政訴訟，經本院闡明後，原告於民國102 年3 月5 日當庭更正第1 項聲明為「原處分及訴願決定關於第584950號『晶片封裝結構及其製程』發明專利申請專利範圍第1 、2 、124項部分均撤銷。」（本院卷第1 冊第219 至220 頁），並追加第2 項聲明「被告應就第584950號『晶片封裝結構及其製程』發明專利申請專利範圍第1 、2 、124 項為舉發成立應予撤銷之審定。」由於原告更正後第1 項聲明及追加第2 項聲明均係本於同一請求基礎為請求，且經被告、參加人同意（本院卷第1 冊第220 頁），依行政訴訟法第111 條第1 項但書規定，自應允許。

二、事實概要：參加人之前手米輯科技股份有限公司（下稱米輯科技公司）前於90年12月31日以「晶片封裝結構及其製程」向被告申請發明專利，經被告編為第90133092號審查，准予專利，並於公告期滿後發給發明第200791號專利證書（即系爭專利），旋米輯科技公司申准將前揭專利讓與參加人。嗣訴外人育霈科技股份有限公司（下稱育霈公司）以系爭專利有違核准時（90年10月24日修正公布）專利法第20條之1 、第27條及第71條第3 款規定，對之提起舉發。米輯電子公司復於95年12月28日、98年3 月6 日、99年3 月8 日、100 年6 月13日、及同年11月11日提出系爭專利申請專利範圍更正本，育霈公司於同年12月27日針對參加人同年11月11日更正本提出舉發補充理由書，主張系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 項有違同法第22條第3 項規定，更正後申請專利範圍第1 、2、124 項有違同法第20條之1 規定，經被告審查，認參加人同年11月11日所提之更正本符合申請更正時（即99年8 月25日修正公布）專利法第64條第1 項第1 款及第2 項規定，應准予更正，並依該更正本審查，認難證明系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 、124 項不具擬制新穎性，以101 年5月1 日（101 ）智專三（二）04069 字第10120428580 號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分。育霈公司不服，提起訴願，嗣育霈公司於訴願程序進行中因公司合併而消滅，由合併後存續之原告依法申請承受訴願。本件經經濟部同年9 月6 日經訴字第10106111200 號決定駁回，原告遂向本院提起行政訴訟。

三、原告聲明求為判決：㈠原處分及訴願決定關於第584950號「晶片封裝結構及其製程」發明專利申請專利範圍第1 、2 、124 項部分均撤銷。㈡被告應就第584950號「晶片封裝結構及其製程」發明專利申請專利範圍第1 、2 、124 項為舉發成立應予撤銷之審定。並主張：

㈠原證4 （原證5 至9 、16為用以證明系爭專利申請時熟習該項技術者之通常知識之佐證資料）可證明系爭專利更正後申請專利範圍第1 項不具擬制新穎性：

⒈原證4 之申請日為90年9 月25日，在系爭專利申請日同年12月17日之前，可為證明系爭專利擬制喪失新穎性之適格證據。而原證5 至9 之公開日均早於系爭專利申請日，且原告於另一舉發案（申請號第090133194 號「晶片封裝結構及其製程」發明專利，舉發案號：第090133194N01號），提出原證6 至10（即本件原證5 至9 ），作為引證文件（該案原證1 ）之參考文件，以說明應被視為引證文件之一部分的習知技藝，前經本院99年度行專訴字第43號、最高行政法院100 年度判字第1490號判決確定，可知本院及最高行政法院已認可該案原證6 至10（即本件原證5 至9）之證據能力，足證本件原證5 至9 可佐證原證4 並可建構系爭專利申請時所屬技術領域之通常知識。另原證16之公告日（86年5 月13日）早於系爭專利申請日，且列於原證4 之發明內容內，即與原證4 、系爭專利屬同一發明領域。

⒉即便原證4 未揭示銅為貫孔內之材料，但依據系爭專利說明書第10至11頁所示，該貫孔內部分（導電插塞）的材料可以是一導電膠，更是系爭專利自證「銅可為其他材質置換」的證據，因此，系爭專利申請專利範圍第1 項並未界定銅為貫孔內之材料，即未界定貫孔內材料之差異，與原證4 在貫孔內材料上無差異。又系爭專利申請專利範圍第1 、2 、124 項僅界定「圖案化導線層......穿過該介電層之該些貫孔」和「該圖案化導線層之材質為銅」，並未界定圖案化導線層如何穿過介電層。此外，不論銅與錫之特性是否不同又是否互為上下位概念，在半導體封裝領域中，圖案化導線層及貫孔內的導電插塞之功能本在電性連接，為所屬技術領域之習知知識，而不論使用銅材料，抑或錫，均以達成電性連接為其技術目的，而銅與錫均為所屬技術領域習知之電性連接材料。因此，不論以銅或以焊錫作為圖案化導線層或作為貫孔內的導電插塞的材料，皆為所屬技術領域所習知。另原證16之第9 欄第55至60行的導孔部分，已揭示銅作為貫孔內之材料，可以看出涵蓋系爭專利之範圍，且其中「copper terminal pin 」為銅插栓，即插栓整個材質都是銅。

⒊參照系爭專利說明書第24頁第15至19行，可知系爭專利說明書僅說明被動元件配置於圖案化導線層之上，並沒有敘述被動元件不是相對於圖案化導線層本身之一外加元件。至系爭專利說明書第25頁第3 行所述「利用單層圖案化導線層642a之圓形螺旋狀結構或方形螺旋狀結構（未繪示）來形成被動元件644 （如電感）」，並未說明螺旋狀結構或方形螺旋狀結構是在何處形成，因此，螺旋狀結構或方形螺旋狀結構亦可能是在外部另外形成後才移置於圖案化導線層上，雖然此螺旋狀結構可稱為圖案化導線層之部分，但仍是一外加元件。因此，被告的解讀並未獲得系爭專利說明書的支持。又若不將系爭專利申請專利範圍第1 項之更正「該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成」作上述解讀的話，則因為被動元件同樣是配置於圖案化導線層上，原證4 之被動元件亦可視為由圖案化導線層之部分結構所構成，因此系爭專利之上述技術特徵已為原證4 所揭示。

㈡原證4 （原證5 至9 、16為用以證明系爭專利更正後申請時熟習該項技術者之通常知識之佐證資料）可證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具擬制新穎性：訴願機關與被告同認：系爭專利申請專利範圍第2 項因為與系爭專利申請專利範圍第1 項之差異僅在於「一晶片」與「複數晶片」的不同，故理由同於系爭專利新申請專利範圍第1 項。因此，在證明系爭專利更正後申請專利範圍第1 項不具擬制新穎性後，等同系爭專利更正後申請專利範圍第2 項證明不具擬制新穎性。

㈢原證4 （原證5 至9 、16為用以證明系爭專利申請時熟習該項技術者之通常知識之佐證資料）可證明系爭專利更正後申請專利範圍第124 項不具擬制新穎性：

⒈原證4 之「環氧樹脂」、系爭專利申請專利範圍第124 項之「陶瓷薄層」作為一絕緣層的材料，皆為所屬技術領域所習知。

⒉依系爭專利說明書第9 頁末段，可知系爭專利之填充層130 之材質和作用可等同於原證4 之環氧樹脂。且依系爭專利說明書第20頁第1 段，可知「第一陶瓷基板410 」即為系爭專利之「陶瓷薄層」，其為絕緣材料。亦足以證明系爭專利申請專利範圍第124 項之「陶瓷薄層」與原證4 之「環氧樹脂」同樣是作為一絕緣層（介電層），皆為所屬技術領域所習知。

⒊系爭專利之介電層142 （陶瓷薄層410 ）和填充層130 僅是將原證4 之環氧樹脂10分割為兩部，而實際上因為介電層142 （陶瓷薄層410 ）和填充層130 皆具有絕緣性質，故其整體即為原證4 之環氧樹脂10，而這種分割僅造成敘述上的差異，在結構上並沒有造成差異。綜上，系爭專利與原證4 之間的差距僅在於習知材料的替換，或者在結構上並未造成差異的分割。

四、被告聲明求為判決：駁回原告之訴。並抗辯：

㈠系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 、124 項之圖案化導線層包含配置於介電層之上，並穿過貫孔而連接至晶片金屬墊之結構，且該結構之材質均為銅，與原證4 所揭示之圖案化導線層係由銅導線14透過焊錫12連接至鋁墊4 所構成之線路層，兩者之材質即有不同，因原證4 未揭示以銅作為貫孔內之材料，故系爭專利申請專利範圍第1 、2 、124 項非發明所屬技術領域中具通常知識者依據原證4 能直接且無歧異得知，銅與焊錫兩者間亦非上下位概念。再者，誠如原告於99年4 月29日之補充理由書第7 頁所述「證據之焊錫可當作一緩衝區，減少不同層之間不同材質所引發的應力不平衡問題」，更益證明原證4 之焊錫與系爭專利之銅金屬具有不同特性，導電性亦不同，故系爭專利申請專利範圍第1 、2 、124 項之銅亦非由證據1 之焊錫所能直接置換。

㈡系爭專利圖式第1D圖及說明書第11頁第6 至13行與說明書第11頁第13至15行係分別關於圖案化導線層與晶片上之金屬墊126 電性連接方式之兩種不同實施態樣。至原告主張貫孔內材料可為導電膠乃為另一種實施態樣，該實施例之圖案化導線層本身並未穿過介電層之貫孔，而係經由預先填入導電材料如導電膠之導電插塞與晶片之金屬墊連接，其並非系爭專利申請專利範圍第1 、2 、124 項所請求保護之實施態樣，故原告主張並無理由。

㈢系爭專利申請專利範圍第1 、2 、124 項之被動元件係由圖案化導線層本身或由圖案化導線層本身結合介電層來達成，因圖案化導線層係位於晶片之上，故系爭專利之被動元件係位於晶片之上，而原證4 揭示之晶粒電容係外加於晶片之側邊，兩者之被動元件之配置位置即有差異。且原證4 之該晶粒電容係一外加元件，並非由圖案化導線層之部分所構成，與系爭專利申請專利範圍第1 項被動元件之技術手段及結構不同，非參酌引證文件即能直接置換。

㈣關於系爭專利申請專利範圍第124 項，原證4 之環氧樹指，與系爭專利之填充層的結構不同。另原證4 並未揭示「一陶瓷薄層，配置於該填充層及該晶片組之上」之技術特徵，亦未揭示或教示可採用陶瓷材料用於配置於填充層及晶片組之上，該發明所屬技術領域中具通常知識者基於原證4 之技術內容，並無法直接且無歧異得知，並將「環氧樹脂」置換為「陶瓷薄層」。又原證4 至9 均未揭示系爭專利申請專利範圍第124 項之被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成之技術特徵，且原證4 與系爭專利申請專利範圍第1 項存在前述之差異，故由原證4 （參酌原證5 至證據9 之佐證資料）尚難證明系爭專利申請專利範圍第124 項不具擬制新穎性。

㈤原證16銅可作為貫孔之材料，但與系爭專利之圖案化導線層之結構不同。

五、參加人聲明求為判決：駁回原告之訴。茲援引被告之答辯，並補稱略以：

㈠系爭專利所請封裝結構中之圖案化導線層及介電層貫孔內之材質（插塞）俱為銅材料，並且同時成形；原證4 則係採用銅、銲錫分層結構，並且在銅、銲錫之間存在鎳/ 銅或鈦銅層（銅種子層）。

㈡依系爭專利說明書第11頁之記載可知系爭專利說明書揭示兩種不同實施態樣，由於系爭專利所請積層線路層係由銅金屬材質之圖案化導線層直接穿過介電層中銅材質（插塞）之貫孔電性連接至晶片之金屬墊，因此系爭專利所請封裝結構中之圖案化導線層及介電層貫孔內之材質（插塞）俱為銅材料，且同時成形，然系爭專利之結構與原證4 之結構完全不同、亦不近似。

㈢原證4 與系爭專利所請發明之另一差異在於原證4 使用銲錫作為貫孔材質，而系爭專利所請發明之相對應技術特徵係於介電層貫孔（插塞）中使用銅金屬。而銲錫金屬與銅金屬無論在導電性、電阻值及熔點都具有相當大的差異性。原證4並未揭露或建議在相對應於系爭專利所請封裝結構之介電層貫孔中可以使用其他材料取代銲錫。另銲錫金屬在原證4 中具有特定功能（作為緩衝區），且原證4 揭露之技術特徵對系爭專利使用銅金屬之內容並未有任何教示或指導，本發明所屬技術領域中具有通常知識者在參閱原證4 說明書之後，無法直接且無歧異地得知原證4 之銲錫可以被銅所取代。

㈣系爭專利所請封裝結構中之被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，且所形成之被動元件位置在晶片之上方。而原證4 並未教示或建議被動元件由圖案化導線層之部分結構所構成，且依據原證4 之教示，被動元件係被外加至原證4 之封裝結構中，並擺放在晶片側邊，該被動元件不會也不可能被擺放於晶片上方。因此，系爭專利之封裝結構與原證4 之封裝結構實不相同。

㈤原證4 未揭示系爭專利之頂面對齊於晶片組之主動表面之填充層及陶瓷薄層，二者結構並不相同。此外，原證4 並未有任何教示或指導如系爭專利使用「陶瓷材料配置於該填充層及該晶片組之上」。因此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者在參閱原證4 說明書之後，無法直接且無歧異地得知原證4 之環氧樹脂可以被陶瓷材料所置換。

㈥原告於言詞辯論始提出原證16，明顯違反行政訴訟法第132條準用民事訴訟法第276 條規定，本院無庸審酌。又原證16揭露內容貫孔材料有3 種（焊錫、含銀的聚合物及銅），此三種材料非上下位概念，是技藝人士即便參閱原證16仍然沒有辦法直接且無歧異的以銅取代焊錫。

六、得心證之理由：

㈠查系爭專利係於93年3 月24日審定准予專利，是系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時有效之90年10月24日修正公布之專利法為斷。

㈡本件應適用之法規範及新穎性之判斷基準：

⒈按利用自然法則之技術思想之高度創作，且可供產業上利用之發明，得依90年10月24日修正公布之專利法第19條、第20條規定申請取得發明專利。又申請專利之發明，與申請在先而在其申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案所附說明書或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利，但其申請人與申請在先之發明或新型專利申請案之申請人相同者，不在此限，同法第20條之1 定有明文。而發明有違反第20條之1 規定之情事者，任何人得附具證據，向專利專責機關提起舉發（同法第72條第1 項、第71條第1 款規定參照）。準此，系爭專利有無違反同法第20條之1 所定情事而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發人（即原告）附具證據證明之，倘其證據不足以證明系爭專利有違前揭專利法之規定，自應為舉發不成立之處分。

⒉次按專利審查基準係專利主管機關經濟部，為協助下級機關（即被告）或屬官辦理專利申請程序、專利要件審查之統一解釋法令、認定事實等，而訂頒之解釋性規定及裁量基準性質的行政規則。對於此一解釋性規定及裁量基準，其係基於行政自我拘束原則間接對外發生效力，司法機關自得依據法律表示其確信合法的見解。又系爭專利核准審定時之89年專利審查基準第1-2-5至1-2-6頁規定：「判斷發明有無新穎性時，應以發明之技術內容比對是否相同（含能由熟習該項技術者所直接推導）為準。不相同即具有新穎性。」所稱「含能由熟習該項技術者所直接推導。」係指一個單一的先前技術，雖未完整揭露一個申請專利所有的限制要件，但如果該未揭露的部分係為該先前技術本質上所固有的或必然存在於該先前技術中，而由熟習此技術領域之人士之觀點，可以認為該先前技術所未揭露之部分係可認定必然包含在該等先前技術中者即屬之。亦即新穎性中所謂「含直接推導」部分，除先前技術文字的記載形式或能直接且無歧異得知之技術特徵者當然包括外，係指先前技術中雖未記載但卻為其本質上所固有，可以直接置換之技術特徵或先前技術係下位概念之技術內容而言，業經最高行政法院迭次判決闡述在案（最高行政法院96年度判字第1743、1744、1875號、98年度判字第1003、1032號等判決參照）。是以在系爭專利核准審定時之專利審查基準，並非無「直接置換」之新穎性判斷之概念及基本原則，是以可參酌其後被告所訂頒之2004年版、2009年版、及2013年版專利審查基準有關新穎性之判斷基準，以釐清確認「直接置換」之概念範圍（最高行政法院100 年度判字第1490號判決參照）。

⒊2004年版、2009年版專利審查基準第2-3-6 至2-3-7 頁「2.4 新穎性之判斷基準」：「請求項中所載之發明與引證文件中所載之先前技術有下列情事之一者，即不具新穎性：⑴完全相同......⑵差異僅在於文字的記載形式或能直接且無歧異得知之技術特徵......⑶差異僅在於相對應之技術特徵的上、下位概念......⑷差異僅在於參酌引證文件即能直接置換的技術特徵申請專利之發明與先前技術的差異僅在於部分技術特徵，而該部分技術特徵為該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌引證文件即能直接置換者。例如引證文件已揭露固定元件為螺釘，而該螺釘在該引證文件所揭露之技術手段中僅須具備『固定』及『可鬆脫』的功能，由引證文件得知螺栓包括該兩項功能，若申請專利之發明中僅將該螺釘置換為螺栓，應屬參酌引證文件的直接置換。」而第2-3-15至2-3-16頁「2.7 擬制喪失新穎性」：「有關之審查原則準用本章2.3 『新穎性之審查原則」、判斷基準準用本章2.4 『新穎性之判斷基準』所載之內容，並得參酌後申請案之說明書、圖式及其申請時的通常知識，以理解申請專利之發明。」是以並未區別新穎性與擬制喪失新穎性之「內容相同」概念，「直接置換」之判斷標準可適用於新穎性與擬制喪失新穎性。

⒋2013年版專利審查基準第2-3-13頁則進一步釐清「新穎性」與「擬制喪失新穎性」之判斷標準：「2.6.4 擬制喪失新穎性之判斷基準：擬制喪失新穎性所稱之『內容相同『，其判斷基準除準用本章2.4 『新穎性之判斷基準』之⑴完全相同，⑵差異僅在於文字之記載形式或能直接無歧異得知之技術特徵，⑶差異僅在於相對應之技術特徵的上、下位概念等情事外，尚包含⑷差異僅在於依通常知識即能直接置換的技術特徵。上述(4) 之情事係指申請專利之發明與先前技術的差異僅在於部分技術特徵，而該部分技術特徵為該發明所屬技術領域中具有通常知識者依通常知識即能直接置換者。例如引證文件已記載固定元件為螺釘，而該螺釘在該引證文件所記載之技術手段中僅須具備『固定』及『可鬆脫』的功能，由於螺栓亦包含該二項功能，若申請專利之發明中僅將該引證文件之螺釘置換為螺栓，應屬依通常知識的直接置換。」亦即「直接置換」僅適用於擬制喪失新穎性之判斷。

⒌所謂先前技術，係指在系爭專利申請日前已公開而能為公眾得知（available to the public ）之資訊；而所謂通常知識，係指系爭專利所屬技術領域中已知普通知識，包括習知或普遍使用的資訊以及教科書或工具書內所載之資訊，或從經驗法則所瞭解事項；此二者之概念意涵不同。

⒍有關「參酌引證文件之直接置換」之新穎性判斷，係指差異僅在於參酌引證文件即能直接置換的技術特徵，亦即申請專利之發明（後申請案）與先前技術（先申請案）的差異僅在於部分技術特徵，而該部分技術特徵為該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌引證文件即能直接置換者。而其判斷原則有三：⑴僅以單一先申請案（引證文件）為比對對象；⑵參酌後申請案之說明書、申請專利範圍、圖式及申請時之通常知識，以理解申請專利之發明，其後比對後申請案與先申請案，有部分技術特徵不同，而該差異係以所屬技術領域中之通常知識即可置換；⑶之所以可以通常知識置換此二存有差異的技術特徵，係因此二技術特徵對於後申請案整體技術並不會產生不同功效。

㈢系爭專利之技術內容：

⒈系爭專利所屬之技術領域：依系爭專利之發明專利說明書第3 頁【發明說明⑴】記載，系爭專利之發明是有關於一種晶片封裝結構及其製程，且特別是有關於一種將晶片封裝於陶瓷基板上的晶片封裝結構及其製程（本院卷第1 冊第20頁）。

⒉系爭專利之創作目的：系爭專利係針對習知之晶片封裝技術為改良對象，無論是球格陣列（BGA ）或針腳柵狀陣列（PGA ）的封裝型態，均需要利用打線或覆晶的方式，將晶片上的接點分別連接至基板上的接點，並利用基板之內部繞線將接點分佈於基板的底面，再經由銲球或針腳與外界電性連接。然而，如此不但無法有效縮短訊號傳導的路徑，反而會增加訊號傳導的路徑長度，並同時提高訊號傳導的延遲性及衰減性，因而降低晶片的運作效能。此外，就晶圓級晶片尺寸封裝（Wafer Level Chip Scale Package, WLCSP ）的封裝型態而言，雖可大幅縮短訊號傳導的路徑，然而在晶片內部元件及線路的積集度（Integration ）越來越高，且晶片的接點數目（Pin Count ）越來越多，但晶片的面積卻越來越小的情況下，勢必難以將晶片所有的接點以面矩陣的方式重新分佈於晶片的表面，即使晶片表面容納得下所有的接點，也將造成接點之間的間距過小，因而無法符合寬間距接點的印刷電路板。系爭專利發明之目的係在於提供一種晶片封裝結構及其製程，可將晶片上之原有的接點，經由一積層線路層之外部線路，而重新分佈於晶片之上，並使得這些重配置後之接點間的間距，可符合具有寬間距之接點的印刷電路板。為此，系爭專利提出一種晶片封裝結構及其製程，係將晶片以其背面貼附於陶瓷基板之上，其中晶片之主動表面配置有多個金屬墊，接著配置一積層線路層係於晶片及陶瓷基板之上，此積層線路層具有一外部線路，其電性連接晶片上的金屬墊，且部分外部線路係延伸至晶片之主動表面以外的區域，並具有多個接合墊，其位於積層線路層之表層。此外，晶片之主動表面上更具有一內部線路及多個主動元件，訊號係可從一主動元件經由內部線路，而傳遞到外部線路，接著再從外部線路經由內部線路，而傳遞至其他的主動元件。另外，陶瓷基板更具有至少一凹穴，而晶片則以其背面配置於凹穴之中，並暴露出晶片之主動表面。其中，陶瓷基板亦可由一陶瓷層及一導熱層所疊合而成，而凹穴則是由陶瓷層上的開口與導熱層之表面所構成。最後，除了將單顆晶片封裝於同一封裝體內，更可將功能相同或不同的多顆晶片，同時封裝整合至同一封裝體內，並經由外部線路使得晶片間相互電性連接（本院卷第1 冊第20至21頁之系爭專利的發明專利說明書第3 至5 頁【發明說明⑴至⑶】）。

⒊原告曾數次更正申請專利範圍，最近一次為100 年11月11日，經被告於原處分第2 至5 頁第十㈢項准許，並於101年5 月21日公告在案，因原告、參加人均未就准許更正部分聲明不服，且經本院當庭諭知本件以系爭專利更正後之申請專利範圍第1 、2 、124 項為準，兩造及參加人均表示無意見等語（本院卷第1 冊第221 頁）。故本件應依更正後之申請專利範圍為審查。

⒋系爭專利更正後之申請專利範圍共124 項，其中第1 、2、3 、50、87、124 項均為獨立項，其餘為附屬項（本院卷第1 冊第57頁反面至67頁）。相關圖式如附圖1 所示。

㈣原告所提之引證案：

⒈原證4 ：

⑴原告提出之引證案為原證4 之中華民國專利第90123655號「晶圓型態擴散型封裝之製程」專利案（公告號：531854），其申請日（90年9 月25日）早於系爭專利申請日（同年12月31日），而於系爭專利申請後始於92年5月12日公告，是原證4 可作為判斷系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 、124 項是否擬制喪失新穎性之先前技術。

⑵原證4 之技術內容：原證4 係一種半導體封裝技術，特別是有關於利用擴散型（fan out ）晶圓型態封裝製程製作封裝之方法。本發明包含切割晶粒後，經過篩選，將晶粒黏著於玻璃底座上，再將黏於晶粒上的金屬墊的I/O 接頭透過特殊材質與方式，將I/O 接頭植球的位置，以擴散型（fan out ）方式，將接觸點往外擴散到晶粒的邊緣，甚至晶粒的外圍，此種接觸點往外擴散，由於有較大的範圍來植入I/O 植球，因此，一來可以增加I/O 植球的數目，增加更多I/O 接觸點，二來可以減少由於接觸點距（pitch ）過於接近所造成的訊號干擾（signal coupling ）及銲錫接頭過於接近時造成的銲錫橋接（solder bridge ）問題。本發明的特徵是延用原來之封裝機台，不需額外花費，同時，本發明可以應用到8 吋與12吋晶圓的封裝過程，又可以包含到晶粒與電容以及多晶粒（multi-chip）或多種被動元件，例如中央處理器、DRAM，SRAM等等在封裝底座的封裝過程。此外，由於所選用的底做為玻璃底座，不會產生減少不同層之間，由於材質使用的不同所引發的應力不平衡問題，增加其可靠度（本院卷第1 冊第91頁反面之原證4 說明書【摘要】）。相關圖式如附圖2 所示。

⒉原告於舉發階段即提出原證5 至9 （即舉發證據2 至6 ）用以證明系爭專利申請時熟習該項技術者之通常知識之佐證資料：

⑴原證5 （舉發證據2 ）為西元1979年出版之JACOB MILLMAN 所著「MICRO ELECTRONIC : Digital and AnalogCircuits and Systems」page 115, 167 （本院卷第1冊第107 至109 、256 至259 頁）。其公開日早於系爭專利案申請日（2001年12月31日），得證明系爭專利申請時之通常知識。其中第115 頁記載整體電路佈局（monolithic-circuitlayout）之設計規則；第167 頁第6-1 記載常見之封裝：雙列直插式（dual-in-line，塑膠或陶瓷）封裝，其具有14個引線（leads ），7 個輸出（brought out ）至積體電路（IC）之每一邊。相關圖式如附圖3 所示。

⑵原證6 （舉發證據3 ）為1997年出版Rao R. Tummala,Eugene J. Rymaszewski 及Alan G. Klopfenstein合著之「MICROELECTRONICS PACKAGING HANDBOOK, SecondEdition: Technology Drivers Part I, An overviewand 8-2 chip-level interconnection evolution」（本院卷第1 冊第110 至116 、260 至267 頁）。其公開日早於系爭專利申請日（2001年12月31日），得證明系爭專利申請時之通常知識。其中第133 頁第17至21行記載具有多層線路之晶片表面已經成為導體與絕緣體結構之微觀結構圖，該結構普遍形成於先前的多層印刷電路板上與多層陶瓷封裝上。相關圖式如附圖4 所示。

⑶原證7 （舉發證據4 ）為1999年出版John H. Lau 及S.W. Ricky Lee 合著之「Chip Scale Package」Chapter ten 10.2 Design Concepts and Package Structure, pages 157-161 （本院卷第1 冊第117 至120 、268至272 頁）。其公開日早於系爭專利申請日（2001年12 月31日），得證明系爭專利申請時之通常知識。原證7 揭露填充層Flex置於基板之表面及積層線路層之間之封裝結構，第160 頁第1 至3 行記載第二種型態差不多為具有扇出電路與墊外接晶片區域之晶片尺寸封裝。相關圖式如附圖5 所示。

⑷原證8 （舉發證據5 ）為1989年出版ASM International Handbook Committee, ASM International 之「Electronic Materials handbook Volume 1 Packaging, Other Design Considerations, Material and Electronic Phenomena, Physical Characteristics of Microelectronic Materials 」P.104-111 （本院卷第1 冊第121 至125 頁）。其公開日早於系爭專利申請日（2001年12月31日），得證明系爭專利申請時之通常知識。原證8 係為一半導體封裝技術領域之工具書，提供所有封裝技術領域者之相關半導體封裝之技藝與資料，適用於所有該項技術領域者使用。其中電子材料之物理特性一節中已說明，基板(substrate) 作為一微電子電路之支持結構，主要為放置各種微電子電路，例如導電元件、介電質、被動元件、電阻材等，且基板必為絕緣體，以隔電路之導電通路，且必須有良好的熱傳導性。

⑸原證9 （舉發證據6 ）為郭嘉龍編譯之「半導體封裝工程」第九章「材料的微構造與性質」第9-5 頁（全華科技圖書股份有限公司，民國89年初版二刷，本院卷第1冊第126 至128 頁）。其公開日早於系爭專利申請日（90年12月31日），得證明系爭專利申請時之通知常識。原證9 係為一半導體封裝技術領域之教科書，其中第9-5 頁表9.1 已揭露通常使用在封裝之主要材料，包含有各類絕緣物，如氧化矽、碳化矽、氮化矽、氮化鋁、石英玻璃、聚醯亞胺，環氧樹脂化合物等。相關圖式如附圖6 所示。

⒊原告於本件所提之原證16：

⑴原證16為西元1997年5 月13日公告之美國第5629835 號「Metal Ball Grid Array Package with Improved Thermal Conductivity」專利案（本院卷第2 冊第28至37頁），其係原證4 說明書第6 頁所載之先前技術（本院卷第1 冊第93頁反面之原證4 說明書第6 頁【發明說明⑵】第6 至9 行）。其公開日早於系爭專利申請日（民國90年12月31日），得證明系爭專利申請時之通知常識。原證16係關於一種具有整合凸塊（integral bumps）的電子封裝產品，當具整合凸塊元件為封裝基板時可以減少焊球疲勞破壞（fatigue ）。相關圖式如附圖7 所示。

⑵原告提出原證16，乃補充原證4 引證例之資料，係為說明銅作為貫孔內之材料，為系爭專利申請時熟習該項技術者之通常知識，並非智慧財產案件審理法第33條所稱之獨立新證據，此經原告當庭陳明（本院卷第2 冊第11、12、38頁），雖其係於準備程序終結後始行提出，惟原告並非用以與先前所提出之原證4 或原證5 至9 技術內容組合，而作為撤銷系爭專利所提出之引證，為免原告就同一專利權再為舉發，並因之衍生另一行政爭訟程序，就此新的補強證據，於本件訴訟程序應予審酌，於同一訴訟程序一次解決，以期減少就同一專利權之爭執，因循環發生行政爭訟，而拖延未決之情形。

㈤本件爭點如下：

⒈原證4 （原證5 至9 、16為用以證明系爭專利更正後申請時熟習該項技術者之通常知識之佐證資料）可否證明系爭專利申請專利範圍第1 項擬制喪失新穎性？

⒉原證4 （原證5 至9 、16為用以證明系爭專利申請時熟習該項技術者之通常知識之佐證資料）可否證明系爭專利更正後申請專利範圍第2 項擬制喪失新穎性？

⒊原證4 （原證5 至9 、16為用以證明系爭專利申請時熟習該項技術者之通常知識之佐證資料）可否證明系爭專利更正後申請專利範圍第3 項擬制喪失新穎性？

㈥關於系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 、124 項與原證4 （原證5 至9 為用以證明系爭專利申請時熟習該項技術者之通常知識之佐證資料）之技術比對，就本院所具備有關之專業知識，以及經技術審查官為意見陳述所得之專業知識，業經本院依智慧財產案件審理法第34條第1 項、第8 條第1項、第2 項規定，於審理時詳列各爭點明細，對當事人適當揭露本院所知與本件有關之特殊專業知識，並命當事人陳述意見，令其有辯論之機會，且經當事人充分攻防行言詞辯論（本院卷第1 冊第195 至207 、222 頁之審理單、通知、筆錄）。另關於原告於言詞辯論始行提出之原證16，亦經被告、參加人當庭陳述意見（本院卷第2 冊第10至12頁之筆錄）。是以本院就涉及專業知識判斷之相關技術爭點業經踐行必要之證據調查程序，並已予當事人有辯論之機會，本院即得參酌當事人所提之意見加以判斷。

㈦系爭專利更正後申請專利範圍第1 項：

⒈系爭專利更正後申請專利範圍第1 項：「一種晶片封裝結構，至少包括：一陶瓷基板；一晶片，該晶片具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片更具有複數個金屬墊，其配置於該主動表面上，而該晶片係以該背面貼附於該陶瓷基板上；以及一積層線路層，配置於該陶瓷基板及該晶片上，該積層線路層具有一外部線路，其中該些外部線路係電性連接該晶片之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該晶片之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，而該介電層係配置於該陶瓷基板及該晶片之上，其中該介電層具有複數個貫孔，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線層係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅。」（本院卷第1 冊第57頁反面）

⒉系爭專利更正後申請專利範圍第1 項與原證4 之技術特徵比對：

⑴原證4 圖十二（如附圖2 所示）及說明書第10頁第12行揭示：「本發明揭露一種晶圓型態封裝......」（本院卷第1 冊第95頁反面），第11頁第12至13行揭示：「......將進行封裝之晶圓2 正面（或第一表面）具有做為輸入輸出之金屬墊，例如鋁墊......」（本院卷第1 冊第96頁），第12頁第5 至6 行揭示：「......將晶粒2a擺置於玻璃底座6 上面，並透過黏著劑7 黏著於玻璃底座6 上面......。」（本院卷第1 冊第97頁反面），第10頁倒數第4 行列舉底座可為玻璃、陶瓷或矽晶（本院卷第1 冊第95頁反面。原處分第12頁第⒈項第3 行誤載為「第16頁第7 行」，見本院卷第1 冊第73頁反面）。其中「晶圓型態封裝」、「底座」、「晶粒」及「鋁墊」，可分別對應至系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之「晶片封裝結構」、「陶瓷基板」、「晶片」及「金屬墊」。故原證4 已揭示系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之「一種晶片封裝結構，至少包括：一陶瓷基板（6 ）；一晶片（2a），該晶片具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片更具有複數個金屬墊（4 ），其配置於該主動表面上，而該晶片係以該背面貼附於該陶瓷基板（6 ）上」之技術特徵。

⑵原證4 圖十二（如附圖2 所示）及說明書第12頁第7 行至第14頁第2 行已揭示於陶瓷基板6 及該晶片2a上，由下而上依序形成有第一環氧樹脂（EPOXY ）10、銲錫（solder）12、鈦/ 銅（Ti/Cu ）19、銅導線14、第二環氧樹脂（epoxy ）16，其中銲錫12係電性連接該晶片之該些金屬墊4 ，銅導線14延伸至該晶片2a之該主動表面上方以外的區域，且具4 個接合墊（圖十二焊錫球18的下方銅導線）位於第一環氧樹脂（EPOXY ）10之表層，而每一接合墊分別電性連接至晶片2a之金屬墊4 （本院卷第1 冊第96頁反面至97頁反面）。其中原證4 之陶瓷基板6 及該晶片2a上之第一環氧樹脂（EPOXY ）10及第二環氧樹脂（epoxy ）16、銲錫（solder）12、鈦/ 銅（Ti/Cu ）19、及銅導線14，分別可對應至系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之「介電層」、「圖案化導線層」；原證4 之第一環氧樹脂（EPOXY ）10、銲錫（solder)12 、鈦/ 銅（Ti/Cu ）19、銅導線14及第二環氧樹脂（epoxy ）16之堆疊、電性連接金屬墊4 的銲錫12及延伸至該晶片2a之該主動表面上方以外區域的銅導線14，及焊錫球18下方的銅導線部分，可分別對應至系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之「積層線路層」、「外部線路」及「接合墊」。是原證4 已揭示系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之「一積層線路層（10,12,19,14,16），配置於該陶瓷基板及該晶片上，該積層線路層具有一外部線路（12,19,14），其中該些外部線路係電性連接該晶片之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊（焊錫球18的下方的銅導線部分），其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該晶片之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層（12,19,14）及一介電層（10,16 ），其中介電層係配置於該陶瓷基板及該晶片之上」，以及「圖案化導線層（12,19,14）係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊（焊錫球18下方的銅導線部分）」之技術特徵。

⑶原證4 圖十二（如附圖2 所示）及說明書及第12頁第11至12行揭示：「......移除鋁墊4 上方的第一環氧樹脂10，形成第二開口13，並暴露出下方的鋁墊4 ......」，第12頁第20至23行揭示：利用銲錫(solder)12以網印（printer ）技術填滿該第二開口13，然後濺鍍一層鈦/ 銅（Ti/Cu ）19於銲錫（solder）12上（本院卷第1冊第96頁反面），第13頁第1 至5 行揭示：以光阻定義銅導線圖案，利用電鍍方式形成銅導線於鈦/ 銅（Ti/Cu ）19的上面，一端對準第二開口銲錫12的內端（晶粒的內側邊），而另一端以水平向方向朝外擴散（fan out ）的方式（本院卷第1 冊第97頁）。其中原證4 第一環氧樹脂10、第二開口13、銅導線14、銲錫12及鈦/ 銅19之構造，可分別對應至系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之「介電層」、「貫孔」、「配置於介電層上之圖案化導線層」及「穿過介電層貫孔之圖案化導線層」。故原證4 已揭示系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之「其中該介電層具有複數個貫孔（13），且該圖案化導線層（12,14,19）係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊（4）」之技術特徵，但原證4 之圖案化導線層係由銅導線（14）、銲錫（12）與鈦/ 銅（19）所構成（原處分第13頁第2 行漏載鈦/ 銅（19），本院卷第1 冊第74頁），第二開口13內材質為銲錫12及鈦/ 銅19，並未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第1 項貫孔內之圖案化導線層材質為銅之技術特徵。

⑷原證4 圖十六（如附圖2 所示）及說明書第14頁第16至19行揭示：「本發明也能將晶粒電容2b納入封裝過程，圖十六所示，即為電容2b植入到玻璃基座上與單一晶粒的晶圓型態擴散型封裝(waferlevel fan out packaging)的成型剖面圖。」（本院卷第1 冊第97頁反面），明顯不同於系爭專利更正後申請專利範圍第1 項所請「外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該『圖案化導線層之部分結構所構成』」之技術特徵。

⑸綜上，原證4 與系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之技術差異有二：

①原證4 第一環氧樹脂10中第二開口13內材質為銲錫12及鈦/ 銅19，而系爭專利更正後申請專利範圍第1 項貫孔內之圖案化導線層材質為銅。

②原證4 之被動元件為晶粒電容2b，而系爭專利更正後申請專利範圍第1 項則為「......外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由圖案化導電層之部分結構所構成......」。

⒊關於前述第六㈦⒉⑸①項技術差異：

⑴原告主張：即便原證4 未揭示銅為貫孔內之材料，但系爭專利申請專利範圍第1 項亦未界定銅為貫孔內之材料，且在半導體封裝領域中，圖案化導線層及貫孔內的導電插塞之功能本在電性連接，為其所屬技術領域之習知知識，而不論使用銅材料，抑或錫，均以達成電性連接為其目的，而銅與錫均為所屬技術領域習知之電性連接材料云云。

⑵系爭專利更正後申請專利範圍第1 項所載關於貫孔內材料係「......其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，......該介電層具有複數個貫孔，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔......，其中該圖案化導線層之材質為銅」，業已明確記載材質為銅之圖案化導線層配置該介電層之上並穿過介電層中的貫孔，是以「銅」乃該介電層中貫孔之材料。故原告主張系爭專利更正後申請專利範圍第1 項並未界定銅為貫孔內之材料云云，要無足取。

⑶就原證4 第二開口13內銲錫12及鈦/ 銅19之材質，能否以通常知識直接置換成銅，原告主張原證16之第9 欄第55至60行的導孔部分，已揭示銅作為貫孔內之材料云云。惟查：

①原證16固為原證4 說明書第6 頁所載之先前技術（本院卷第1 冊第93頁反面），其揭露目的在於說明原證4 申請當時IC半導體承載的封裝趨向於利用球矩陣排列封裝技術（ball grid array ）之技術水準，並非說明原證4 中所揭露之技術特徵，是原證16並非原證4 技術內容之一部分。本件新穎性（擬制喪失新穎性）之比對仍應循單獨比對原則，即判斷系爭專利更正後申請專利範圍第1 項與單一先申請案（原證4 ）之技術內容是否相同，且二者貫孔內材料之差異（「銅」與「銲錫」、鈦/ 銅），是否為系爭專利所屬晶片封裝技術領域中具有通常知識者參酌引證文件（即原證4 ），即能利用以系爭專利申請時之通常知識予以直接置換。原告為此提出原證16，係為說明銅作為貫孔內之材料，為系爭專利申請時熟習該項技術者之通常知識，並非將原證16所揭示之貫孔內導電材料與原證4 之其餘技術內容加以結合，否則變成先申請案（原證4 ）及通常知識之組合與系爭專利之比對審查，而與新穎性之單獨比對原則有違，合先敘明。

②系爭專利更正後申請專利範圍第1 項貫孔內之材料「銅」，與原證4 第一環氧樹脂10中第二開口13內材質銲錫12及鈦/ 銅19，能否以通常知識直接置換，端視此二者（銅；銲錫及鈦/ 銅）是否對系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之整體技術不會產生不同功效。

③查系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之貫孔內的結構為銅單層（全由銅所組成），其具有導電、連接電性之功效（本院卷第1 冊第24頁之系爭專利說明書第11頁第11至13行）。而原證4 之第二開口13內結構為銲錫及鈦/ 銅層兩層，乃由3 種不同的材料所組成，且由原證4 說明書第15頁第23行至第16頁第1 行所載，該環氧樹脂中之銲錫（即第一環氧樹脂10中第二開口13內材質銲錫12），除導電、連接電性功效外，尚有當作緩衝區域之目的，可以減少後續製程中不同層材質間所引發的應力不平衡之功效（本院卷第1 冊第98 頁 ）。倘將系爭專利中圖案化導電圖案在介電層貫孔中的銅，以原證4 相對應的銲錫及鈦/ 銅進行置換，將使系爭專利除原本的貫孔內導電的功效外，並增加原證4 說明書所明確揭露之緩衝功效，而改變系爭專利之整體功效。因此，無從將原證4 第二開口內之銲錫及鈦/ 銅的技術特徵，直接置換成系爭專利更正後申請專利範圍第1 項貫孔內之銅的技術特徵。

④次查原告所提之原證5 至9 僅揭露具散熱功能之承載基板包含金屬基板及陶瓷基板之通常知識，並未教示可將銲錫及鈦/ 銅的技術內容置換為銅的技術特徵，而可達成系爭專利之功效。又原證16說明書第9 欄第55至60行及圖15固揭示形成在金屬基板122 中的貫孔148 以一銲錫（a solder）、銀充填聚合物（silverfilled polymer）或一銅端子釘（a copper terminal pin ）等導電材料填入（本院卷第2 冊第36頁反面），雖已有銅材料於貫孔之技術內容，惟原證16是由端子釘（terminal pin）貫穿於基板的構造及組配關係，與系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之圖案化導線層係配置於介電層之上並穿過介電層之貫孔不同，亦與原證4 之封裝結構不同（如在輸出焊墊的位置，原證16在基板下方而原證4 在基板上方；貫孔的位置，原證16貫穿基板而原證4 未貫穿基板；晶粒與基板電連接的方式，原證16為銲線而原證4 為貫孔中的銲錫），原證16亦未揭示貫孔中的銅端子釘可以當作緩衝區域之技術。此外，如將原證4 之圖案化導線層在第二開口13（貫孔）部分之銲錫12、鈦/ 銅19置換為銅，將導致置換後之圖案化導線層整體變成由同一材料組成，明顯與原證4 所明確揭示之貫孔內銲錫及鈦/ 銅層兩層的結構、圖案化導電層整體為3 種不同材料堆疊而成，以及可作為達成減少應力不平衡的目的功效相違。因此，原證16並非系爭專利申請時得以將「銅」與「銲錫及鈦/ 銅」直接置換之通常知識。

⑤綜上，系爭專利之發明所屬技術領域中具有通常知識者，僅參酌原證4 之圖案化導電層在貫孔內材質為銲錫及鈦/ 銅之技術內容，無法以通常知識直接置換或直接推導出系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之圖案化導電層在貫孔內材質為銅的技術特徵。故原告主張僅以銅與銲錫為習知之電性連接材料，忽略「銲錫及鈦/ 銅」與「銅」將對系爭專利之整體功效產生不同的功效，其主張自無足取。

⑥至原告所援引之本院99年度行專訴字第43號判決，該案之先申請案（證據1 ）已揭示後申請案（即該案之系爭專利申請專利範圍第1 、30項發明）之晶片及其上之積層線路層結構，兩者差異僅在於後申請案採用「金屬基板」，而先申請案（證據1 ）係採用「絕緣基材」之不同，依一般通常知識（即該案之原證6 、9 、10）可知基板具有承載、支撐晶片之功能，且後申請案因為要增加散熱功效故採用金屬基板，故基板對於後申請案整體技術而言，必須兼具「承載」及「散熱」之功效，而先申請案（證據1 ）之陶瓷基板亦兼具「承載」及「散熱」之功效，而「金屬基板」與「陶瓷基板」均為系爭專利申請前之通常知識（或慣用手段），且陶瓷基板亦具有後申請案之金屬基板之增加散熱之效果，故後申請案之「金屬基板」與先申請案（證據1） 之「陶瓷基板」之差異為發明所屬技術領域中具通常知識者參酌通常知識（或慣用手段）即能直接置換，故由先申請案（證據1 ）可證明後申請案擬制喪失新穎性（本院卷第1 冊第152 頁之上開判決第13至14頁第㈥、㈦項）。是該案之先申請案（證據1 ）、後申請案及通常知識（原證6 、9 、10）同為兼具「承載」及「散熱」功效之基板，故可將先申請案（證據1 ）之絕緣基板、陶瓷基材，利用通常知識（原證6 、9 、10之金屬基材、絕緣基材）直接置換成後申請案之金屬基板，未對後申請案之整體功效產生不同功效，與本件系爭專利更正後申請專利範圍第1 項、原證4 、16之技術內容並不相同，要難比附援引，執為系爭專利更正後申請專利範圍第1 項此部分技術特徵亦應直接置換之論據。

⒋關於前述第六㈦⒉⑸②項技術差異：

⑴原告主張：被告將「該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成」，解讀為「被動元件係由該圖案化導線層本身之部分結構所構成，並非一外加元件」，與系爭專利說明書的內容不同云云。惟觀諸系爭專利更正後申請專利範圍第1 項，明確記載被動元件係由該「圖案化導線層之部分結構所構成」，且系爭專利說明書第24頁第19至23行：「......在形成積層電路層640 時，如第9A、9B圖所示，可將被動元件644 （如電阻材料）利用印刷或其他方式，配置於圖案化導線層642a之兩接點間，或是如第10A 圖所示，直接利用單一圖案化導線層642a之梳狀結構來形成被動元件644 （如梳狀電容）......」（本院卷第1 冊第30頁反面），亦明確記載以部分圖案化導電層形成被動元件。是系爭專利更正後申請專利範圍第1 項為其說明書所支持，且被動元件由該圖案化導線層本身之部分結構所構成，而非一外加元件，原告此部分主張委無可採。

⑵原告又主張：若不將系爭專利申請專利範圍第1 項之更正作上述解讀的話，則因為被動元件同樣是配置於圖案化導電層上，原證4 之被動元件亦可視為由圖案化導電層之部分結構所構成云云。惟查系爭專利更正後申請專利範圍第1 項所記關於被動元件之配置位置係「一積層線路層，配置於該陶瓷基板及該晶片上，該積層線路層具有一外部線路，......其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，......其中該圖案化導線層係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件......」，可知配置於陶瓷基板及晶片上的積層線路層包括一圖案化導線層、圖案化導線層係構成外部線路，且外部線路包括被動元件，亦即被動元件係配置於陶瓷基板及晶片上。而原證4 說明書第14頁第17至18行明確記載：「......晶粒電容2b納入封裝過程，圖十六所示，即為電容2b植入到玻璃基座上......」（本院卷第1 冊第97頁反面），亦即被動元件僅配置於陶瓷基板，並未設於晶片上。因此，原證4 被動元件（晶粒電容2b）的配置位置及整體結構，明顯不同於系爭專利更正後申請專利範圍第1 項將被動元件由圖案化導線層之部分結構所構成並配置於晶片上方的積層線路層中。而原告所提之原證5 至9 僅教示具散熱功能之承載基板包含金屬基板及陶瓷基板之通常知識，既未記載上述被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成及被動元件位置等差異技術特徵乃所屬技術領域之通常知識或慣用手段，亦未記載該二存有差異之技術特徵對於系爭專利並不會產生不同功效之資訊。是以，原證4 本身及原證5 至9 均未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第1 項所請被動元件由圖案化導電層之部分結構所構成並配置於晶片上方的積層線路層中之技術，則該發明所屬技術領域中具有通常知識者無從依照原證4 （輔以原證5 至9 之通常知識）而完成系爭專利更正後申請專利範圍第1 項之發明，更無從直接置換載該二存有差異之技術特徵。

⑶因此，由於被動元件的配置位置之技術特徵，原證4 與系爭專利更正後申請專利範圍第1 項所請者存有差異之技術特徵，且未見於原告所提之通常知識佐證資料（原證5 至9 ），故原告主張「原證4 之被動元件亦可視為由圖案化導電層之部分結構所構成」云云，不足採信。

⒌綜上，由於原證4 與系爭專利更正後申請專利範圍第1 項間有前述部分技術特徵之差異，而該部分技術特徵並非發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌原證4 即能直接置換或直接推導者，是以系爭專利更正後申請專利範圍第1項之發明，與申請在先而在其申請後始公告之原證4 之內容並非相同，故原證4 無法證明系爭專利更正後申請專利範圍第1 項擬制喪失新穎性。

㈧系爭專利更正後申請專利範圍第2 項：

⒈系爭專利更正後申請專利範圍第2 項為獨立項：「一種晶片封裝結構，至少包括：一陶瓷基板；複數個晶片，每一該些晶片分別具有一主動表面及對應之一背面，且每一該些晶片更分別具有複數個金屬墊，其配置於對應之該主動表面上，而每一該些晶片係分別以該背面貼附於該陶瓷基板上；以及一積層線路層，配置於該陶瓷基板及該些晶片上，該積層線路層具有一外部線路，其中該些外部線路係電性連接該些晶片之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該些晶片之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，而該介電層係配置於該陶瓷基板及該些晶片之上，其中該介電層具有複數個貫孔，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該些晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線層係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅。」（本院卷第1 冊第58頁反面至59頁）

⒉系爭專利更正後申請專利範圍第2 項與第1 項之技術特徵差異僅在於「複數晶片」（第2 項）與「一晶片」（第1項）之不同，此為兩造及參加人所不爭執（本院卷第1 冊第17、165 、220 頁）。而原證4 圖十二（如附圖2 所示）及說明書第10頁第12行揭示：「本發明揭露一種晶圓型態封裝.. .... 」（本院卷第1 冊第95頁反面），第11頁第12至13行揭示：「......將進行封裝之晶圓2 正面（或第一表面）具有做為輸入輸出之金屬墊，例如鋁墊......」（本院卷第1 冊第96頁），第12頁第5 至6 行揭示：「......將晶粒2a擺置於玻璃底座6 上面，並透過黏著劑7黏著於玻璃底座6 上面......。」（本院卷第1 冊第97頁反面），第10頁倒數第4 行列舉底座可為玻璃、陶瓷或矽晶（本院卷第1 冊第95頁反面），且圖十二揭示有二晶粒2a（如附圖2 所示）。其中「晶圓型態封裝」、「底座」、「晶粒」及「鋁墊」，可分別對應至系爭專利更正後申請專利範圍第2 項之「晶片封裝結構」、「陶瓷基板」、「晶片」及「金屬墊」。故原證4 已揭示系爭專利更正後申請專利範圍第2 項之「一種晶片封裝結構，至少包括：一陶瓷基板（6 ）；複數個晶片（2a），每一該些晶片具有一主動表面及對應之一背面，且該些晶片更具有複數個金屬墊（4 ），其配置於該主動表面上，而每一該些晶片係以該背面貼附於該陶瓷基板（6 ）上」之技術特徵。

⒊另原證4 亦已揭示系爭專利更正後申請專利範圍第2 項之「一積層線路層（10,12,19,14,16），配置於該陶瓷基板及該些晶片上，該積層線路層具有一外部線路（12,19,14），其中該些外部線路係電性連接該些晶片之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊（焊錫球18的下方的銅導線部分），其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該些晶片之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層（12,19,14）及一介電層（10,16 ），其中介電層係配置於該陶瓷基板及該些晶片之上」，以及「圖案化導線層（12,19,14）係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊（焊錫球18的下方的銅導線部分）」之技術特徵（理由同前第六㈦⒉⑵項所述），且原證4 已揭示系爭專利更正後申請專利範圍第2 項之「其中該介電層具有複數個貫孔（13），且該圖案化導線層（12,14,19）係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫孔而電性連接該些晶片之該些金屬墊（4 ）」之技術特徵，但未揭示貫孔內之圖案化導線層材質為銅之技術特徵（理由同前第六㈦⒉⑶項所述），亦未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第2項之「外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該『圖案化導線層之部分結構所構成』」之技術特徵（理由同前第六㈦⒉⑷項所述）。

⒋綜上，原證4 與系爭專利更正後申請專利範圍第2 項之技術差異亦有二：①原證4 第一環氧樹脂10中第二開口13內材質為銲錫12及鈦/ 銅19，而系爭專利更正後申請專利範圍第2 項貫孔內之圖案化導線層材質為銅。②原證4 之被動元件為晶粒電容2b，而系爭專利更正後申請專利範圍第2 項則為「......外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由圖案化導電層之部分結構所構成......」。而此二技術特徵之差異，並非發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌原證4 即能直接置換或直接推導者（理由同前第六㈦⒊、⒋項所述）。是以系爭專利更正後申請專利範圍第2 項之發明，與申請在先而在其申請後始公告之原證4 之內容並非相同，故原證4 無法證明系爭專利更正後申請專利範圍第2 項擬制喪失新穎性。

㈨系爭專利更正後申請專利範圍第124 項部分：

⒈系爭專利更正後申請專利範圍第124 項為獨立項：「一種晶片封裝結構，至少包括：一陶瓷基板；一晶片組，該晶片組具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片組更具有複數個金屬墊，其配置於該主動表面上，而該晶片組係以該背面貼附於該陶瓷基板上；一填充層，配置於該陶瓷基板之上，並環繞於該晶片組之周緣，且該填充層之頂面係對齊於該晶片組之該主動表面；一陶瓷薄層，配置於該填充層及該晶片組之上；以及一積層線路層，配置於該陶瓷薄層之上，其中該積層線路層具有一外部線路，而該些外部線路係電性連接該晶片組之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片組之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該晶片組之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層，而該圖案化導線層係配置於該陶瓷薄層之上，其中該陶瓷薄層具有複數個貫孔，且該圖案化導線層係並穿過該陶瓷薄層之該些貫孔而電性連接該晶片組之該些金屬墊，其中該圖案化導線層係構成該外部線路及形成該外部電路之該些接合墊，該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之材質為銅。」（本院卷第1 冊第67頁反面）

⒉系爭專利更正後申請專利範圍第124 項與原證4 之技術特徵比對：

⑴原證4 圖十二（如附圖2 所示）及說明書第10頁第12行揭示：「本發明揭露一種晶圓型態封裝......」（本院卷第1 冊第95頁反面），第11頁第12至13行揭示：「......將進行封裝之晶圓2 正面（或第一表面）具有做為輸入輸出之金屬墊，例如鋁墊......」（本院卷第1 冊第96頁），第12頁第5 至6 行揭示：「......將晶粒2a擺置於玻璃底座6 上面，並透過黏著劑7 黏著於玻璃底座6 上面......。」（本院卷第1 冊第97頁反面），第10頁倒數第4 行列舉底座可為玻璃、陶瓷或矽晶（本院卷第1 冊第95頁反面），且圖十二揭示有二晶粒2a（如附圖2 所示）。其中「晶圓型態擴散型封裝」、「底座」、「晶粒」及「鋁墊」，可分別對應至系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之「晶片封裝結構」、「陶瓷基板」、「晶片」及「金屬墊」。故原證4 已揭示系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之「一種晶片封裝結構，至少包括：一陶瓷基板（6 ）；一晶片組（2a），該晶片組具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片組更具有複數個金屬墊（4 ），其配置於該主動表面上，該晶片組係以該背面貼附於該陶瓷基板（6 ）上」之技術特徵。

⑵原證4 圖十二（如附圖2 所示）及說明書第12頁第7 至12行：「接著，全面性地在玻璃底座6 ，晶粒2a、BCB8與開口的鋁墊4 的上面全面性地填充一層第一環氧樹脂（EPOXY ）10，接著，如圖六至七所示，經過光阻型蝕刻或化學藥劑以移除鋁墊上方的第一環氧樹脂10，形成第二開口13，並曝露出下方的鋁墊4 ......」（本院卷第1 冊第96頁反面）。可知原證4 之第一環氧樹脂除了配置於該陶瓷基板之上環繞於該晶片組周緣外，更延伸覆蓋晶片組的上方。是原證4 之第一環氧樹脂10雖可對應至系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之「填充層」，但無可對應的「陶瓷薄層」，故原證4 未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之「一填充層，配置於該陶瓷基板之上，並環繞於該晶片組之周緣，且該填充層之頂面係對齊於該晶片組之該主動表面；一陶瓷薄層，配置於該填充層及該晶片組之上」之技術特徵。

⑶原證4 圖十二（如附圖2 所示）及說明書第12頁第7 行至第14頁第2 行已揭示於陶瓷基板6 及該晶片2a上，由下而上依序形成有第一環氧樹脂10、銲錫12、鈦/ 銅19、銅導線14、第二環氧樹脂16，其中銲錫12係電性連接該晶片之該些金屬墊4 ，銅導線14延伸至該晶片2a之該主動表面上方以外的區域，且具4 個接合墊（圖十二焊錫球18的下方銅導線）位於第一環氧樹脂10之表層，而每一接合墊分別電性連接至晶片2a之金屬墊4 。其中原證4 之銲錫12及銅導線14，對應至系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之「圖案化導線層」；第一環氧樹脂10、銲錫12、鈦/ 銅19、銅導線14及第二環氧樹脂16之堆疊、電性連接金屬墊4 的銲錫12及延伸至該晶片2a之該主動表面上方以外區域的銅導線14，及焊錫球18的下方的銅導線部分，係分別可對應至系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之「積層線路層」、「外部線路」及「接合墊」，但如前第六㈨⒉⑵項所述，原證4 並無可對應的陶瓷薄層，故原證4 並未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之「一積層線路層（10,12,19,14,16），配置於該陶瓷薄層上，該積層線路層具有一外部線路（12,19,14），其中該些外部線路係電性連接該晶片組之該些金屬墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊（焊錫球18的下方的銅導線部分），其位於該積層線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該晶片組之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案化導線層（12,19,14），而該圖案化導電層係配置於該陶瓷薄層之上，以及圖案化導線層（12,19,14）係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊（焊錫球18的下方的銅導線部分）」之技術特徵。

⑷原證4 圖十二（如附圖2 所示）及說明書及第12頁第11至12行揭示：「......移除鋁墊4 上方的第一環氧樹脂10，形成第二開口13，並暴露出下方的鋁墊4...... 」，第12頁第20至23行揭示：利用銲錫（solder）12以網印（printer ）技術填滿該第二開口13，然後濺鍍一層鈦/ 銅（Ti/Cu ）19於銲錫（solder）12上（本院卷第1 冊第96頁反面），第13頁第1 至5 行揭示：以光阻定義銅導線圖案，利用電鍍方式形成銅導線於鈦/ 銅（Ti/Cu ）19的上面，一端對準第二開口銲錫12的內端（晶粒的內側邊），而另一端以水平向方向朝外擴散（fanout ）的方式（本院卷第1 冊第97頁）。其中原證4 之第二開口13、銅導線14、銲錫12及鈦/ 銅19之構造，可分別對應至系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之「貫孔」、「圖案化導線層」及「貫孔之圖案化導線層」，但如前第六㈨⒉⑵項所述，原證4 並無可對應的陶瓷薄層，故原證4 並未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之「其中該陶瓷薄層具有複數個貫孔（13），且該圖案化導線層（12,14,19）並穿過該陶瓷薄層之該些貫孔而電性連接該些晶片之該些金屬墊（4 ）」之技術特徵，且原證4 之圖案化導線層係由銅導線（14）、銲錫（12）與鈦/ 銅（19）所構成（原處分第13頁第2行漏載鈦/ 銅（19），本院卷第1 冊第74頁），第二開口13內材質為銲錫12及鈦/ 銅19，並未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第124 項貫孔內之圖案化導線層材質為銅之技術特徵。

⑸原證4 圖十六（如附圖2 所示）及說明書第14頁第16至19行揭示：「本發明也能將晶粒電容2b納入封裝過程，圖十六所示，即為電容2b植入到玻璃基座上與單一晶粒的晶圓型態擴散型封裝(waferlevel fan out packaging)的成型剖面圖。」（本院卷第1 冊第97頁反面），明顯不同於系爭專利更正後申請專利範圍第124 項所請「外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該『圖案化導線層之部分結構所構成』」之技術特徵。

⑹綜上，原證4 與系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之技術差異有三：

①原證4 之環氧樹脂10除配置於該陶瓷基板之上環繞於該晶片組周緣外，更延伸覆蓋晶片組的上方，而系爭專利更正後申請專利範圍第124 項則為「......填充層之頂面係對齊於該晶片組之該主動表面；一陶瓷薄層，配置於該填充層及該晶片組之上填充層」。

②原證4 第一環氧樹脂10中第二開口13內材質為銲錫12及鈦/ 銅19，而系爭專利更正後申請專利範圍第124項貫孔內之圖案化導線層材質為銅。

③原證4 之被動元件為晶粒電容2b，而系爭專利更正後申請專利範圍第124 項則為「......外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由圖案化導電層之部分結構所構成......」。

⒊關於前述第六㈨⒉⑹②、③項技術差異，並非發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌原證4 即能直接置換或直接推導者（理由同前第六㈦⒊、⒋項所述）。至前述第六㈨⒉⑹①項技術差異：

⑴原告主張：原證4 之環氧樹脂與系爭專利申請專利範圍第124 項之陶瓷薄層皆具有絕緣特性，且其作用係在於作為一絕緣層用以分隔導電層與導線間之電訊號，並形成多層電路層，而原證4 之環氧樹脂或系爭專利之陶瓷薄層作為一絕緣層的材料，皆為所屬技術領域所習知，系爭專利之介電層142 （陶瓷薄層410 ）和填充層130僅是將原證4 之環氧樹脂104 分割為兩部，而實際上因為介電層142(陶瓷薄層410)和填充層130 皆具有絕緣層性質，故整體即為原證4 之環氧樹脂10。而這種分割僅造成敘術上的差異，在結構上並沒有造成差異云云。

⑵陶瓷薄層與環氧樹脂固均為所屬技術領域習知之絕緣層材料，惟原證4 環氧樹脂的配置位置（包覆於晶片組周圍和晶片組上方）及整體結構，明顯不同於系爭專利更正後申請專利範圍第124 項填充層環繞於晶片組之周緣並以頂面對齊於晶片組之主動表面，再以一陶瓷薄層配置於填充層及晶片組之上。再就介於晶片組與積層線路層間的絕緣層整體技術觀之，系爭專利更正後申請專利範圍第124 項所請乃由填充層及陶瓷薄層2 種不同的材料所組成，而原證4 則全由環氧樹脂所組成且不可分割，而原告所提之原證5 至9 僅教示具散熱功能之承載基板包含金屬基板及陶瓷基板之通常知識，既未記載上述陶瓷薄層與填充層之組合、或環氧樹脂在晶片組以上的部分使用陶瓷薄層等差異技術特徵乃所屬技術領域之通常知識或慣用手段。此外，倘如原告所述，將原證4之環氧樹脂分割為兩部而其中一部以陶瓷薄層置換，將導致置換後晶片組與積層線路層間的絕緣層由陶瓷薄層與環氧樹脂兩種不同材料所組成，明顯與原證4 所明確揭示環氧樹脂為一體之技術相違。是以，原證4 本身及原證5 至9 均未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第124項所請將陶瓷薄層配置在填充層上之技術，則該發明所屬技術領域中具有通常知識者無從依照原證4 （輔以原證5 至9 之通常知識）而完成系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之發明，更無從直接置換該二存有差異之技術特徵。

⒋綜上，由於原證4 與系爭專利更正後申請專利範圍第124項間有前述部分技術特徵之差異，而該部分技術特徵並非發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌原證4 即能直接置換或直接推導者，是以系爭專利更正後申請專利範圍第124 項之發明，與申請在先而在其申請後始公告之原證4之內容並非相同，故原證4 無法證明系爭專利更正後申請專利範圍第124 項擬制喪失新穎性。

七、從而，原證4 未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2項中所明確記載之技術（即圖案化導線層材質為銅，及外部線路包含被動元件係由圖案化導電層之部分結構所構成）；原證4 未揭示系爭專利更正後申請專利範圍第124 項中所明確記載之技術（即一陶瓷薄層配置於該填充層及該晶片組之上、圖案化導線層在貫孔中的材質為銅、及外部線路包含被動元件係由圖案化導電層之部分結構所構成）。而原告用以證明系爭專利申請時之通常知識的佐證資料（原證5 至9 、16）均未揭示原證4 與系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 、124 項之差異技術得以通常知識即可置換，故系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 、124 項之發明，與申請在先而公告在後之原證4 申請案附說明書、圖式載明之內容並不相同，即無90年10月24日修正公布之專利法第20條之1 所定擬制喪失新穎性而不得取得發明專利之情事。因此，被告所為「舉發不成立」之處分，參照首揭法條規定及說明，於法並無不合。訴願決定予以維持，亦無違誤。原告主張前詞，請求撤銷原處分及訴願決定關於系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 、124 項部分，並命被告就系爭專利更正後申請專利範圍第1 、2 、124 項為舉發成立應予撤銷之審定，為無理由，應予駁回。

八、本件事證已明，兩造及參加人其餘主張或答辯，已與本院判決結果無涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第三庭