臺北高等行政法院 高等庭(含改制前臺北高等行政法院)九十二年度訴字第一一二九號

臺北高等行政法院判決　　　　　　　　　　　　　　九十二年度訴字第一一二九號

原告

台灣積體電路製造股份有限公司

代表人

甲○○

訴訟代理人

乙○○兼送達

複代理人

戊○○

輔佐人

丙○○

被告

經濟部智慧財產局

代表人

蔡練生（局長）住同右

訴訟代理人

丁○○

右當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國九十二年一月十三日經訴

字第０九二０六二００六００號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如左：

主文

事實

一、事實概要：緣原告前於民國（下同）八十七年四月十七日以「鑲嵌式內連線之自對準護層的製作方法」（下稱系爭案）向被告機關之前身經濟部中央標準局申請發明專利，經編為第00000000號予以審查，不予專利。原告不服，申請再審查，案經被告於九十一年九月四日以（九一）智專三（二）０四０二四字第０九一八七００一三七九號專利再審查核駁審定書仍為應不予專利之處分。原告不服，提起訴願，經遭駁回，遂向本院提起本件行政訴訟。

二、兩造聲明：

㈠原告聲明求為判決：

⒈原處分及訴願決定均撤銷。

⒉被告應就第00000000號發明專利申請案「鑲嵌式內連線之自對準護層的製作方法」，作成准予專利之審定。

㈡被告聲明求為判決：駁回原告之訴。

三、兩造之爭點：系爭案是否為運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，而不具進步性？

甲、原告主張之理由：

一、查本件爭執焦點極為明確簡單，即系爭案有無符合審定時專利法第二十條第二項規定「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟悉該項技術者所能輕易完成者」。於系爭案申請專利範圍第一項中步驟(c)~步驟(f)之步驟，即明確指出「利用過度研磨手法而使位於內連線凹槽中之導電層形成凹陷，隨後沉積一銅合金層然後再利用一次化學機械研磨進行平坦化，以使銅合金層自動殘留於導電層上，以及氧化銅合金層使之形成具有阻絕效果之金屬氧化物而作為內連線之護層」，此為本件之爭議焦點。

二、查本件專利審定書、再審查案核駁理由先行通知書及再審查核駁審定書均以西元一九九七年一月二十一日公告之美國第0000000號專利（下稱引證案）作為引證資料核駁系爭申請案。該等先行通知書及審定書中皆謂「本案所使用之方法與原理已見於所引證之美國第0000000號專利，本案在鑲嵌式製程之後再沉積銅合金與再施行化學機械研磨，其中「銅合金」代替銅膜，因銅合金可避免銅被氧化，並且銅合金較銅堅硬，均是從事同項技藝者所能輕易得知者，且系爭案之銅合金係銅鉻合金，此亦為從事同項技藝者所能輕易得知者，自不具進步性等云云，係謂本案為運用申請前既有之技術或知識」復查本件訴願決定書中亦謂「本案係在鑲嵌式製程之後再沉積銅合金與再施行化學機械研磨，其中「銅合金」代替銅膜，且銅合金較銅堅硬，均係從事同項技藝者所能輕易得知者。引證案揭示使用金屬銅形成一接觸結構的方法，兩者之技術原理完全相同。本案於內連線結構內形成一凹陷，再填入銅合金，此僅為習知技藝之轉用，為從事同項技藝者所能輕易得知者；且本案所述之產生凹陷區域，此凹陷區域之深度等係不易控制的步驟，惟其亦未明確揭示此技術內容；至於本案所述之銅合金可避免內層銅的氧化，亦為習知技藝之轉用，不具進步性。」

三、系爭案之主要目的及特徵：

㈠系爭案主要目的在於解決於習知鑲嵌式內連線製程中之氮化矽護層形成過程中對於內連線金屬品質的影響（如金屬氧化問題等）。而系爭案的發明構想則提供了一種鑲嵌式內連線之自對準護層（護層材質為銅合金）的製作方法，以取代傳統鑲嵌式內連線製程中的氮化矽護層。

㈡系爭案之主要特徵係於完成構成鑲嵌式內連線之金屬層的研磨後，另外再沉積一層銅合金，此銅合金層經過研磨後，便會自動殘留於內連導線上方的凹陷區域。在於後續沉積內金屬介電層時，這些殘留的銅合金便會在原處 (in-situ)自行氧化層一具有阻絕效果的金屬氧化層，而保護其下之金屬導線。

四、引證案之技術原理無關系爭案。查該美國第0000000號專利，係為距今六年前由日本NEC公司所擁有之具有埋入於溝槽內之內連線的半導體製作方法。此專利中僅教導了使用金屬銅形成一種無明顯邊界範圍差異之接觸結構(margin-less contact)之形成方法（詳見該案說明書內column 4，L6~13），適用於當接觸結構與其下層結構 (如一擴散層、一下層內連線、一接觸孔等)間無明顯邊界範圍（margin-less）之情形，具有解決形成接觸窗圖形時因微影問題（如光阻膜厚不一、圖形對準問題或曝光後尺寸錯誤等），以形成一較低成本、一具有較高可靠度之接觸結構，且於此專利案內之實施例中僅描述一般傳統的鑲嵌內連線製程，亦無提及或教導使用金屬護層以保護該接觸結構內之金屬材質免於後續製程條件氧化之相關內容，顯然與系爭案所請之形成自對準金屬護層之技術無關。

五、對原處分及訴願決定書核駁理由之反駁：

㈠系爭案並非習知技術之轉用：在先行通知書、審定書與訴願決定書內，原審查委員及訴願委員皆提到：系爭案所使用之方法與原理已見於初審之引證案，系爭案在鑲嵌式製程之後再沉積銅合金與再施行化學機械研磨，其中「銅合金」代替銅膜，因銅合金可避免銅被氧化，並且銅合金較銅堅硬，均是從事同項技藝者所能輕易得知者。然而，原告認為原處分官署審查委員及訴願委員等之核駁理由並不客觀，因為引證案所揭露之內連線CMP技術內容，僅為一般金屬CMP之基本技術，於引證案內並無教導系爭案所使用之方法與原理之事實。

㈡系爭案與引證案之技術特徵差異：

⒈系爭案專利申請範圍第一項所請內容：提供一覆蓋有介電層之半導體基底，其中該介電層經過定義後具有一鑲嵌式內連線溝槽。引證案亦同。

⒉系爭案專利申請範圍第一項所請內容：形成一導電層於該介電層上，並填入該鑲嵌式內連線溝槽。引證案亦同。

⒊系爭案專利申請範圍第一項所請內容：以化學機械研磨法 (CMP)去除該介電層上之導電層，並使該內連線溝槽中之導電層因過度研磨而產生凹陷 (dishing)。而引證案有銅金屬CMP製程，但無過度研磨以產生凹陷之技術內容。

⒋系爭案專利申請範圍第一項所請內容：沉積一銅合金層於該介電層上與該導電層上；其中該含銅合金可為銅-鉻合金、銅-錳合金或銅-鈦合金。而引證案無銅合金之使用。

⒌系爭案專利申請範圍第一項所請內容：以化學機械研磨法去除該介電層上之銅合金層，而使銅合金自行殘留於該導電層上之凹陷區域。而引證案無第二次CMP研磨。

⒍系爭案專利申請範圍第一項所請內容：氧化上述銅合金，以在該導電層上形成具有阻絕效果之金屬氧化物。而引證案無。

㈢且由系爭案說明書第八頁及第十二頁之實施例描述中，可明確看出系爭案於內連線凹槽中仍具有導電層結構並利用過度研磨手法而使該導電層凹陷，隨後沉積一銅合金層然後再利用一次化學機械研磨進行平坦化，以使銅合金層自動殘留於導電層上以作為內連線之護層，而引證案之技術僅止於第一次金屬層（銅金屬）之沉積與CMP研磨；於此內連線凹槽內，導電層於本案實施例中所使用為金屬銅，並非原審查委員其中「銅合金」代替銅膜之事實。故系爭案絕非如審查委員所謂之為從事同項技藝者所能輕易得知者，且於審查基準第1-2-27頁，關於審查上應注意事項第三項中所提到：「判斷發明不具進步性時，原則上審查委員應引證具體的既有之技術、知識資料，但該既有之技術、知識為習知或慣用（如教科書、標準、辭典等有記載）者，則不在此限，惟審定書內需充分說明」。查被告機關審查委員及訴願委員等實無引證具有「銅合金」代替銅膜之引證資料，且於先前審定書及訴願決定書等中未充分予以說明「銅合金」代替銅膜之技術事實。況且半導體業界對於鑲嵌製程之專利申請案件數量極多，但審查委員卻無法提出任何一篇使用銅合金之引證資料，顯現銅合金於鑲嵌製程中之使用並非習知技藝。

㈣並非習知技術之轉用即不具進步性：於訴願決定書中所謂「本專利申請案內之銅合金的僅為習知技藝之轉用」，而依照被告所發行之專利審查基準第二章第四節內相關發明之進步性判斷（1-2-22頁）所述，轉用發明係為將某一技術領域之既有技術、知識轉用至其他技術領域，且如此之轉用，對熟習該項技術者而言，可產生突出的技術特徵或顯然的進步，或可克服其他技術領域中之技術問題者，此種轉用視為非能輕易完成。由前述理由可得知系爭案非單純之轉用，但亦須提醒「並非轉用即不具進步性」。

㈤判斷進步性時應以「整體標的」考慮：於判斷發明具有進步性時，不能僅分析發明的各項構件，而以分析所得的各個構件與各個先前技術逐一比較其不同，而以其異同之大小、多寡而論斷發明是否顯著，而是應就發明請求專利標的之整體觀察其是否為依先前技術顯而易知，此為專利法規定「標的整體」之當然解釋。系爭案所申請技術領域為一新製程方法，經由多道製程依特定串連執行程序所完成，亦即該製程方法為一套製程整合程序，即使審查委員仍堅持認定「銅合金」在鑲嵌製程的應用為習知技術，系爭發明之製程仍非單一之銅合金與銅膜置換所能達成，其理由同前所述。

㈥被告機關審查委員以及訴願委員等對於系爭案審理皆有後見之明之情形：審查基準第1-2-28頁，關於審查上應注意事項中提到：「進步性之研判，因審查委員在審查中瞭解其技術內容後，極易對發明之進步性作成偏低之評斷，以致有後見之明之情形，故審查時應以熟習該項技術者之觀點，根據申請當時之技術水準，作客觀之判斷」。如上述，引證案係以距今六年前由日本NEC公司所擁有之具有埋入於溝槽內之內連線的半導體製作方法之引證資料來核駁系爭案，原告認為被告機關審查委員及訴願委員等於瞭解系爭案之技術內容後，皆產生了後見之明之情形，而對系爭案作出了進步性偏低之判斷。實質上由上述分析可知，引證案內容既無揭露第二次銅合金之沉積也無教導第二次銅合金之CMP研磨，完全不足以核駁系爭案。

六、對於訴願決定書第三頁第十五行至第四頁第二行所述「本案所述之產生凹陷區域，此凹陷區域之深度等係不易控制的步驟，惟其亦未明確揭示此技術內容」，原告認為於CMP研磨技術領域中，因晶圓上圖案的密度不同，於製程內皆須適度採用過度研磨步驟以確保無被研磨材料（如金屬）之殘留，故可於採用過度研磨步驟同時地產生此些凹陷區域，其凹陷深度雖有可能不一致，但不需要控制，因為藉由後續所沉積之銅合金層較導電層內之材料（例如為銅）材質為硬，而於銅合金層的研磨過程中，可得到一平坦之表面，不至於有凹陷的情形產生，這也是系爭案「自對準護層」的優點之一。上述技術內容係以明白地揭露於系爭案專利說明書內第九頁第十八行至第十頁第六行，非訴願決定書所述之未明確揭示此技術內容之事實。

七、原告對於被告機關之答辯實在難以心服，實際上於系爭案申請之前甚至目前為止，於鑲嵌銅製程應用中尚無銅合金之應用的發現，何以如同被告機關所述之「本案為習知技術轉用」。反觀引證案僅為「一般銅金屬 CMP技術應用」，完全無提及系爭案之技術特徵，引證案美國專利第0000000號係為不適格證據。且於上述系爭案與引證案之比較結果中，系爭案所請之申請專利範圍第一項中銅合金使用以作為護層之特徵步驟並未出現於引證案中，被告機關審查委員實在對於系爭案做出不當之先前技術引證及不正確之內容審查。

八、系爭案之「鑲嵌式內連線之自對準護層的製作方法」實已符合前揭專利法第二十條第二項的要求，而非如行政訴訟答辯書所述。此外，系爭案與引證案之技術內容明顯不同，該引證案中未揭露系爭案特徵，不應作為核駁系爭案之證據，而被告機關應確認其係使用合理的證據作為引證資料，而非全憑其主觀認定即認定系爭案為從事同項技藝者所能輕易得知者，被告機關審查委員對於系爭案之審理實為嚴重的錯誤認定，而造成原告嚴重的權益受損。

九、由於系爭案所相關之鑲嵌結構技術，於晶圓製造領域中係屬於原告所有之核心先進製造技術，而鑑定機構之專業人士大都與晶圓製造產業有密切的關係，而其中也可能包括與競爭公司合作或服務之顧問在內，而專利於核准之前也屬於保密階段，因此為避免原告之機密技術於專利未定之前即揭露予第三者知悉，並擔心因此減損原告之競爭力，故原告認為此時尚不宜交予鑑定機構進行鑑定。此外，由於被告機關已承認引證案並未全部教導系爭案之特徵技術，且亦未按審查基準所要求，提供充分之證據，並依據此證據進行法律邏輯分析來判斷系爭案之進步性，因此原處分及訴願決定之瑕疵至為明顯。

十、被告機關承認引證案並無全部教導或揭露系爭案申請專利第一項中步驟 (c)至步驟 (f)之步驟，而被告機關除了引證案之外，並無引證用以核駁系爭案為熟悉此技藝所熟知之任何資料。而依照被告機關所發行之專利審查基準第二章第四節之判斷方式（1-2-20頁）所述，判斷發明有無進步性時，如為熟習該項技術者基於引證資料所能輕易完成者，則不具進步性；此外，在判斷發明是否能輕易完成時，係准予將先前技術 (prior art)之各片斷部份相互組合，以判斷申請專利之發明是否具有突出的技術特徵或顯然的進步。其中，突出的技術特徵（1-2-21 頁）係指申請專利範圍之發明對熟習該項技術者而言，若以先前技術為基準，仍然不易由邏輯分析、推理或實驗而得者。顯然地，根據被告機關引證之美國第0000000號號專利中揭示內容並無法由邏輯分析、推理或實驗而得到本發明所提出之製造方法，因此已具有突出的技術特徵。再者，顯然的進步（1-2-21頁）係指申請專利之發明克服先前技術中存在的問題或困難性而言，通常係表現於功效上，例如，在發明所屬之技術領域中，發明能突破熟習該項技術者長久根深蒂固存在之技術、知識，或在技術發展空間有限之領域中（in the field of thecrowed art），在技術上有微小的改進。明顯地，系爭案所提出之鑲嵌式內連線之自對準護層的製作方法，配合內連線金屬於化學機械研磨時先於內連線結構內形成一凹陷區域，再將銅合金填入於此凹陷區域內，以於原處形成一自對準護層，以保護其下之內連線結構，以解決如銅金屬氧化所導致之內連線阻值上升與其金屬品質劣化的情形，所以系爭案亦具有顯然的進步。因此，系爭案實非如被告機關所述之為從事同項技藝者所能輕易得知者。

乙、被告主張之理由：

一、原告起訴主要理由㈠美國專利第0000000號案無提及或教導使用金屬護層以保護該接觸結構內之金屬材質免於後續製程條件氧化；㈡前述引證案並未教導「沈積一銅合金層，再利用一次化學機械研磨進行平坦化，以使銅合金層自動殘留於導電層上以作為內連線之護層」；㈢銅合金層較硬，故於研磨過程中，可得到一平坦之表面，不至於有凹凸之情形發生。

二、查系爭案與引證案均係於內連線結構內形成一凹陷，再填入銅或銅合金，二者之原理與技術內容均相同；而系爭案以銅合金代替銅，僅為習知技術之轉用，銅合金較銅堅硬及可避免氧化，此均為從事同項技藝者所熟知者；而系爭案所謂「再利用一次化學機械研磨進行平坦化，以使銅合金層自動殘留於導電層上以作為內連線之護層」，主要是將其氧化以避免其再度氧化，並做為保護層，此亦為從事同項技藝者所熟知者，不具進步性。

理由

一、按「申請案經審查後，應作成審定書送達申請人或其代理人。經審定不予專利者，審定書應備具理由。」、「發明專利申請人對於不予專利之審定有不服者，得於審定書送達之次日起三十日內備具理由書，申請再審查。但因申請程序不合法或申請人不適格而駁回者，得逕依法提起行政救濟。經再審查認為有不予專利之情事時，在審定前應先通知申請人，限期申復。」、「再審查或異議審查時，專利專責機關應指定未曾審查原案之專利審查人員審查，並作成審定書。前項再審查之審定書應送達申請人。異議審查之審定書應送達申請人及異議人。」、「對於再審查、異議或舉發之審定有不服時，得於審定書送達之次日起三十日內，依法提起行政救濟。」系爭案核駁審定時專利法第三十八條第一項、第二項、第四十條、第四十三條、第四十六條定有明文。凡此規定無非為使行政行為遵循公正、公開、民主之程序及當事人參與原則，確保其內容之明確性，以提高行政效能，保障人民權益，增進人民對行政之合理信賴，並實現專利法第一條「鼓勵、保護、利用發明與創作，以促進產業發展」之立法目的。故再審查認為有不予專利之情事時，在審定前應先將其理由通知申請人，並限期申復，使其在不變更申請案之實質之前提下，有修正或補充之機會，以便符合專利申請要件。且再審查審定不予專利之審定書應具體指明不予專利之理由，俾申請人得依其不予專利之理由提起行政救濟，如其理由空泛、未針對該專利申請案如何不備要件具體論駁、未於理由中對當事人所曾主張有利於己之證據資料加以斟酌論斷，或認定事實未指明其所依憑之證據，即屬理由不備；如其不予專利之理由違反論理法則，或認定事實與其所憑之證據資料不相適合，即屬理由矛盾，均難謂為適法之處分。

二、本件被告機關係認原告申請之第00000000號「鑲嵌式內連線之自對準護層的製作方法」發明專利申請案所使用之方法與原理已見於其初審引證之西元一九九七年一月二十一日公告之美國第0000000號專利（即引證案）。系爭案在鑲嵌式製程之後再沈積銅合金與再施行化學機械研磨，其中「銅合金」代替銅膜，因銅合金可避免銅被氧化，並且銅合金較銅堅硬，此均係從事同項技藝者所能輕易得知者，且系爭案之銅合金係銅鉻合金，此亦為從事同項技藝者所能輕易得知者，自不具進步性，不符發明專利之要件，乃為應不予專利之處分。原告不服，提起訴願，主張由系爭案專利說明書第八項及第十二項之實施例敘述中，可明確看出其於內連線凹槽中仍具有導電層結構並利用過度研磨手法而使該導電層凹陷，隨後沉積一銅合金層，然後再利用一次化學機械研磨進行平坦化，以使銅合金層自動殘留於導電層上以作為內連線之護層，於此內連線凹槽內，導電層於系爭案實施例中所使用為金屬銅，並非原處分書中所稱其中「銅合金」代替銅膜之事實。又系爭案所提出之鑲嵌式內連線之自對準護層的製作方法，配合內連線金屬於化學機械研磨時先於內連線結構內形成一凹陷區域，再將銅合金填入於此凹陷區域內，以於原處形成一自對準護層，以保護其下之內連線結構，以解決如銅金屬氧化所導致之內連線阻值上升與其金屬品質劣化之情形，且系爭案之自對準護層作用原理特殊，其作用原理於引證案中並無教導，因此具有明顯之進步，非如原處分書所稱為從事同項技藝者所能輕易得知者，且較習知之技術能增進功效等語。訴願決定以系爭案係在鑲嵌式製程之後再沈積銅合金與再施行化學機械研磨，其中「銅合金」係代替銅膜，且銅合金可避免氧化，且銅合金較銅堅硬，均係從事同項技藝者所能輕易得知者。引證案揭示使用金屬銅形成一接觸結構的方法，二者之技術原理完全相同。系爭案先於內連線結構內形成一凹陷，再填入銅合金，此僅為習知技藝之轉用，為從事同項技藝者所能輕易得知者；系爭案所述之產生凹陷區域，此凹陷區域之深度等係不易控制的步驟，惟其亦未明確揭示此技術內容；至於系爭案所述之銅合金可避免內層銅的氧化，亦為習知技藝之轉用，不具進步性。此業據原處分書及被告機關九十一年十一月十五日（九一）智專三（二）０四０二四字第０九一三一００一七二五號訴願答辯書辯明在卷，從而被告機關所為系爭案應不予專利之處分，洵無違誤，應予維持等語為由，駁回原告之訴願。原告猶不服，提起行政訴訟，主張理由及其爭點均如事實欄所載。

三、本院查：

㈠被告所制訂而於系爭案審查時應適用之「發明專利審查基準」載明「判斷進步性之基本原則」，包括「申請專利範圍之請求項有二項以上時，應就每一請求項各別判斷其進步性」（1-2-20頁參照），並提示「審查上應注意事項」，包括「判定發明不具進步性時，原則上審查委員應引證具體的既有之技術、知識資料」，如「該既有之技術、知識為習知或慣用（如教科書、標準、辭典等有記載）者」，雖「不在此限」，惟審定書內仍需充分說明（1-2-27頁參照），即既有之技術、知識如係出自教科書、標準、辭典等文獻者，固無須具體引證，但仍應說明其內容及如何可以搜尋到該文獻。被告於本件專利審定書、再審查案核駁理由先行通知書及再審查核駁審定書均以西元一九九七年一月二十一日公告之美國第0000000號專利作為引證資料核駁系爭申請案，然綜觀上開再審查核駁理由先行通知書及審定書，其核駁理由係認：系爭案所使用之方法與原理已見於所引證之美國第0000000號專利，系爭案在鑲嵌式製程之後再沉積銅合金與再施行化學機械研磨，僅是將製程再施行一次，不具進步性，並增加成本；其中「銅合金」代替銅膜，因銅合金可避免銅被氧化，並且銅合金較銅堅硬，均是從事同項技藝者所能輕易得知者，且系爭案之銅合金係銅鉻合金，此亦為從事同項技藝者所能輕易得知者，自不具進步性等云云。訴願決定理由亦引述被告答辯意旨謂：系爭案係在鑲嵌式製程之後再沉積銅合金與再施行化學機械研磨，其中「銅合金」代替銅膜，銅合金可避免氧化，且銅合金較銅堅硬，均係從事同項技藝者所能輕易得知者。引證案揭示使用金屬銅形成一接觸結構的方法，兩者之技術原理完全相同。系爭案於內連線結構內形成一凹陷，再填入銅合金，此僅為習知技藝之轉用，為從事同項技藝者所能輕易得知者；且系爭案所述之產生凹陷區域，此凹陷區域之深度等係不易控制的步驟，惟其亦未明確揭示此技術內容；至於系爭案所述之銅合金可避免內層銅的氧化，亦為習知技藝之轉用，不具進步性等語。足見被告已認知引證案僅係揭露系爭案之「鑲嵌式製程之後再沉積銅合金」技術內容，惟其核駁理由對於系爭案其他技術特徵，除對其中「再施行化學機械研磨」，具體指明「僅是將製程再施行一次，不具進步性」外，對於其所認系爭案之以「銅合金」代替銅膜，可避免銅被氧化，及系爭案於內連線結構內形成一凹陷，再填入銅合金等技術特徵，僅泛稱此為習知技藝之轉用，均是從事同項技藝者所能輕易得知云云，究係何種「習知技藝」之轉用，則未引證具體的既有之技術、知識資料，亦未充分說明該「習知技藝」之內容及其如何成為習知或慣用（即有何教科書、標準、辭典等文獻可資參考？），何況系爭案申請專利範圍第一項所描述之技術特徵又不止於核駁理由所引述之部分（詳後述），惟原處分及訴願決定意旨對於系爭案之其他技術特徵，如何不具進步性，並無任何說明，顯然違背上開審查基準，有理由不備之瑕疵。

㈡次按前揭被告制訂之「發明專利審查基準」載明「進步性審查上應注意事項」：獨立項之發明具有進步性者，其附屬項當然具有進步性。且不得因獨立項之發明不具有進步性，而對其附屬項逕予核駁，因其附屬項仍須依進步性之審查基準，作進一步客觀的研判（1-2-27頁參照）。系爭案係由一個獨立項及十個附屬項組成，縱使其獨立項不具有進步性，其附屬項仍須依進步性之審查基準，作進一步客觀的研判，如合乎進步性要件，即有通知申請人修正其獨立項之必要。惟原處分及訴願決定意旨均未說明系爭案之附屬項如何不具進步性，除有理由不備之瑕疵外，亦可見其並未逐項審酌附屬項之進步性，逕認系爭申請案全部不符專利要件而予以核駁，自與前揭「發明專利審查基準」不合，有違行政自我拘束原則。

㈢系爭案主要目的在於解決於習知鑲嵌式內連線製程中之氮化矽護層形成過程中對於內連線金屬品質的影響（如金屬氧化問題等）。而系爭案的創作構想則提供了一種鑲嵌式內連線之自對準護層（護層材質為銅合金）的製作方法，以取代傳統鑲嵌式內連線製程中的氮化矽護層。其主要特徵係於完成構成鑲嵌式內連線之金屬層的研磨後，另外再沉積一層銅合金，此銅合金層經過研磨後，便會自動殘留於內連導線上方的凹陷區域。在於後續沉積內金屬介電層時，這些殘留的銅合金便會在原處 (in-situ)自行氧化成一具有阻絕效果的金屬氧化層，而保護其下之金屬導線（參見原處分卷第十至二十頁系爭案專利說明書）。系爭案申請專利範圍第一項載明：「一種鑲嵌式內連線之自對準護層的製作方法，包括下列步驟：a.提供一覆蓋有介電層之半導體基底，其中該介電層經過定義後具有一鑲嵌式內連線溝槽。b.形成一導電層於該介電層上，並填入該鑲嵌式內連線溝槽。c.以化學機械研磨法 (CMP)去除該介電層上之導電層，並使該內連線溝槽中之導電層因過度研磨而產生凹陷 (dishing)。d.沉積一銅合金層於該介電層上與該導電層上；其中該含銅合金可為銅-鉻合金、銅-錳合金或銅-鈦合金。e.以化學機械研磨法去除該介電層上之銅合金層，而使銅合金自行殘留於該導電層上之凹陷區域。f.氧化上述銅合金，以在該導電層上形成具有阻絕效果之金屬氧化物。」（參見原處分卷第九頁）反觀引證案係一種具有埋入於溝槽內之內連線的半導體製作方法，其僅教導了使用金屬銅形成一種無明顯邊界範圍差異之接觸結構(margin-less contact)之形成方法（詳見原處分卷第二十九至三十一頁引證案說明書），適用於當接觸結構與其下層結構（如一擴散層、一下層內連線、一接觸孔等）間無明顯邊界範圍（margin-less）之情形，具有解決形成接觸窗圖形時因微影所生問題（如光阻膜厚不一、圖形對準問題或曝光後尺寸錯誤等），以形成一較低成本、一具有較高可靠度之接觸結構，且於其實施例中僅描述一般傳統的鑲嵌內連線製程，亦無提及或教導使用金屬護層以保護該接觸結構內之金屬材質免於後續製程條件氧化之相關內容，核與系爭案所揭示之形成自對準金屬護層之技術尚有不同。其間差異在引證案雖亦揭露「提供一覆蓋有介電層之半導體基底，其中該介電層經過定義後具有一鑲嵌式內連線溝槽」、「形成一導電層於該介電層上，並填入該鑲嵌式內連線溝槽」等技術，但系爭案「以化學機械研磨法(CMP)去除該介電層上之導電層，並使該內連線溝槽中之導電層因過度研磨而產生凹陷 (dishing)」，而引證案雖有銅金屬CMP製程，卻無過度研磨以產生凹陷之技術內容；系爭案有「沉積一銅合金層於該介電層上與該導電層上；其中該含銅合金可為銅-鉻合金、銅-錳合金或銅-鈦合金」，而引證案則無銅合金之使用；系爭案「以化學機械研磨法去除該介電層上之銅合金層，而使銅合金自行殘留於該導電層上之凹陷區域」，而引證案則無第二次CMP研磨；系爭案有「氧化上述銅合金，以在該導電層上形成具有阻絕效果之金屬氧化物」，而引證案則無。足見引證案並無全部教導或揭露系爭案申請專利範圍第一項 (c)至 (f)之步驟，質諸被告於本院審理時亦自認「引證案確實沒有過度研磨以產生凹陷之技術、也無教導形成銅合金層之方法及無揭示第二次CMP研磨技術，原告補充狀（九十二年六月五日）所提對造表（系爭案與引證案同異比較表）是正確的」等情在卷，被告雖又辯稱「引證案沒有教導上述技術，但該技術是習知的技術」云云，惟未具體引證，亦未說明該「習知技術」之內容及其如何成為習知或慣用，即有何教科書、標準、辭典等文獻可資參考，所辯尚難採信。

㈣復按前揭發明專利審查基準第一─三─十二頁謂：「依據專利法施行細則第十六條第二項之規定，獨立項應載明之事項，包括⑴申請專利之標的⑵構成及其實施之必要技術內容、特點。上述⑵係對專利法第二十二條第四項『申請專利範圍，應具體指明申請專利範圍之標的、技術內容及特點』作具體的規定，由此可知申請專利發明之技術內容上解決問題點所採的手段及手段間之結合關係、作用關係亦內含『構成及其實施之必要』」，故專利案獨立項進步性之判斷即應以該項內所揭示各技術手段及各技術手段間之整體結合關係做對象，而不應僅以部分技術手段或部分技術手段間之作用關係為對象。系爭案申請專利範圍第一項（獨立項）所揭示之技術術領域為一製作方法，經由多道製程依特定串連執行程序所完成，亦即該製作方法為一套製法整合程序，故縱使「銅合金」在鑲嵌製程的應用為習知技術，系爭案之製程仍非單純由原處分意旨所指「銅合金代替銅膜」所能達成，被告仍應就系爭案申請專利範圍第一項（獨立項）所揭示製程方法之整體結合作用關係，審酌其是否具有進步性，然被告僅分析系爭案之部分製程即否定其進步性，亦有未洽。

㈤末查訴願決定理由雖指「本案所述之產生凹陷區域，此凹陷區域之深度等係不易控制的步驟，惟其亦未明確揭示此技術內容」，惟系爭案專利說明書內第九頁第十八行至第十頁第六行及2E、2F、2G圖已詳細揭示如何以化學機械研磨法 (CMP)去除絕緣層（介電層）上方之導電層，並使內連線溝槽中之導電層因過度研磨而產生凹陷 (dishing)；接著沉積一銅合金層於該絕緣層（介電層）上與該導電層上；再以化學機械研磨法去除該絕緣層（介電層）上之銅合金層，而使銅合金自行殘留於該導電層上之凹陷區域。並說明「由於所沉積之銅合金層的輪廓深度較為平坦，再加上銅合金層的材質又較導電層（通常為銅線）堅硬，因此銅合金層經過化學機械研磨後，可得到一平坦之表面，不至於有凹陷的情形產生」等語（參見原處分卷第十一至十三頁），訴願決定理由所指容有誤會。

四、綜上所述，原處分既有理由不備之瑕疵，且僅憑上開引證案似尚不足以證明系爭案不具進步性，訴願決定未加糾正，仍予維持，容有未洽，原告訴請將之一併撤銷，自無不合，應予准許。惟系爭申請案尚待被告依本院前述判決意旨，重新依具體之引證資料及原告主張之理由詳細審查其是否符合專利要件，另為適法之處分，故原告請求判決命被告即作成准予系爭案專利權之審定，並未達全部有理由之程度，依行政訴訟法第二百條第四款規定意旨，原告僅在請求命行政機關遵照本院判決之法律見解對原告作成決定部分為有理由，其餘部分，不應准許，應予駁回。

據上論結，本件原告之訴為一部有理由，一部無理由，爰依行政訴訟法第二百條第四款、第一百零四條、民事訴訟法第七十九條，判決如主文。

臺北高等行政法院 第二庭