智慧財產法院行政判決

民國100年12月15日辯論終結

原告

美商柯林研發公司（Lam Research Corporation）

代表人

喬治‧席詩樂（George M. Schisler Jr.）

訴訟代理人

陳彥希 律師

訴訟代理人

林哲誠 律師

訴訟代理人

范銘祥 律師

共同送達代收人

林秋琴 律師

被告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花

訴訟代理人

劉中石

參加人

新加坡商中微半導體設備有限公司

代表人

朱新萍

訴訟代理人

范曉玲 律師

訴訟代理人

汪家倩 律師

訴訟代理人

黃惠敏 律師

共同送達代收人

范曉玲 律師

輔佐人

陳建銘

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國100 年5 月19日經訴字第10006099690 號訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如下：

主文

事實及理由

壹、事實概要：原告之前身美商泛林股份有限公司（下稱美商泛林公司）於民國88年6 月23日以「於電漿處理室中大量消除未侷限電漿之聚焦環配置」向被告申請發明專利，並聲明其已於1998年6 月26日向美國提出第09/105,547號申請案，以該案主張優先權。經被告編為第88110578號審查，准予專利，並於公告期滿後，核發發明第126873號專利證書（下稱系爭專利）。參加人嗣於98年2 月13日以系爭專利違反核准時83年1 月21日修正公佈之專利法第20條第1 項第1 款及第2 項規定，對之提起舉發，原告旋於98年5 月14日申准變更專利權人公司名稱為美商科林研發公司，並於99年1 月4 日之舉發答辯時提出系爭專利申請專利範圍更正本。參加人嗣於99年2 月11日就系爭專利更正本提出舉發補充理由書（一），原告則於99年5 月27日提出補充答辯理由書（一），並經被告於99年6 月24日面詢；原告於99年7 月23日提出補充答辯理由書（二），參加人復於99年7 月26日提出舉發補充理由書（二），原告再於99年9 月16日提出補充答辯理由書（三）。參加人舉發補充理由書，主張系爭專利更正申請專利範圍後，仍有違核准時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項規定。案經被告審查結果，認原告於99年1 月4 日提出之系爭專利申請專利範圍更正本，符合現行專利法第64條第1 項第1 款及第2 項之規定，應准予更正，並依該更正本審查，以系爭專利違反核准時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項之規定，並於100 年1 月20日以(100) 智專三（二）04128 字第10020051640 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服原處分，提起訴願，經濟部以100 年5 月19日經訴字第10006099690 號訴願決定駁回之，遂向本院提起行政訴訟。因本院認本件判決之結果，將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。

貳、原告主張：

一、系爭專利說明書教示當RF電力供給時，等電位場線被建立在基材上，正離子加速經過等電位場線，以碰撞基材之表面，藉以提供蝕刻作用。而場線可能因幾何因素而不均勻，且在晶圓邊緣變化最為劇烈。進行電漿處理時，倘無聚焦環會缺乏越過晶圓表面之場線均勻性，致電漿暴露在具有不同高度之晶圓邊緣與晶圓中心；反之，有聚焦環時，晶圓與聚焦環聯合結構之外緣，將延伸超過晶圓之邊緣。故因系爭專利聚焦環之存在，使等電位場線可在晶圓表面大致均勻分佈，可改良蝕刻過程中越過晶圓表面之場線均勻性。美國第5474649 號專利、第2010/0000000號申請案之先前技術中，均有論及典型之聚焦環，其實質上可延伸晶圓之邊緣，而在所有舉發證據中，均無此技術特徵。

二、因電漿密度與活動性於基材表面上不均勻，在靠近晶圓邊緣及晶圓中心處不同，正離子不會均勻撞擊基材表面。故證據2 所揭示之結構，無法提供全部基材表面上之均勻場線，不具備聚焦環之基本要件。則不論將證據2 之幾何構造，稱為「階差」、「垂直壁」或「結構」，均非聚焦環。而證據2為抑制在全部狹縫(4) 中所產生之放電，設置環狀延伸部(12b) 以驅趕在狹縫中之等電位場線，以獲得極低之電漿密度，進而壓制狹縫中所產生之放電。證據2 之圖3 顯示，環狀延伸部非常靠近晶圓(5) 之邊緣，此靠近晶圓邊緣之設置，將顯著擠壓晶圓邊緣之等電位場線，造成通過晶圓邊緣之等電位場線分佈不均勻，此結構顯非聚焦環。而在聚焦環之限制條件下，系爭專利「聚焦環組件」之凸緣部(304b)，並不會如證據2 之延伸部緊鄰晶圓邊緣，故系爭專利之「聚焦環組件」，不必再額外界定「凸緣部之長度或是否接近晶圓」。證據2 無法證明系爭專利請求項1 「聚焦環組件」，不具新穎性。

三、證據3 之電力線被設計為不可膨脹到晶圓之外，所有等電位線需穿過接地罩(10)與晶圓邊緣之狹小間隙，等電位線在晶圓邊緣將無法均勻。系爭專利未要求電力線不可膨脹至晶圓之外。而證據3 因電漿僅被限制在晶圓(4) 區域中，電漿固不會越過晶圓邊緣，然此非聚焦環應有之基本特性。證據3亦有一接近晶圓邊緣之階差，此階差定義為一緊靠晶圓邊緣之「垂直壁」。接地罩延長部(10a) 極接近晶圓，緊靠晶圓邊緣之壁及延長部造成場線不均勻性，亦與聚焦環之特性不符，證據3 未揭露系爭專利之聚焦環。參加人雖將SiO2當作一元件或實體，惟證據3 未將SiO2當作獨立元件，SiO2本質上應為接地罩延長部之一部，SiO2之形狀由接地罩延長部之形狀決定。故SiO2本身沒有形狀，並非實體物，接地罩延長部不可能內藏於非實體中。故證據3 之接地罩延長部在絕緣物延長部(9a)上，且被覆蓋在SiO2或SiN 之下，應僅揭露含SiO2或SiN 塗層之接地罩延長部，係放置在絕緣物延長部上，未揭露含SiO2或SiN 塗層之接地罩延長部係內藏於絕緣物延長部之中。證據3 未揭露系爭專利「環形介電體」及「內藏」之特徵。

四、在證據4 之圖2 ，電極覆蓋(6) 鄰近與齊平基板(14)；在證據3 之圖3 ，外周側(120) 在基板表面上。證據3 之操作原理，包括不同電場(11a、11b)，其中電場(11a) 係由絕緣物延長部(9a)之厚度決定，因而電場係受制於接地罩延長部(10a) 。如將證據3 圖3 之接地罩(10)加至證據4 圖2 ，將產生證據4 之電極覆蓋與晶圓齊平，則證據3 圖3 之接地罩，因位於基板下方而無法依原先預定方式運作；或使得證據4之電極覆蓋位於晶圓上方，則證據4 之電極覆蓋將不再與晶圓齊平，而產生階差。此階差將造成晶圓表面缺乏處理之均勻性，故證據3 、4 之組合，無法達成系爭專利請求項1 之可提供晶圓表面上處理均勻性聚焦環之功能。在證據5 之圖1 ，石英介電環(38)鄰近且齊平基板(32)；在證據3 之圖3，外周側在基板表面上。證據3 之操作原理包括不同電場，其中電場係由絕緣物延長部之厚度決定，因而電場係受制於接地罩延長部。倘將證據3 圖3 之接地罩加至證據5 之圖1，將產生證據5 之石英介電環仍與晶圓齊平，則證據3 圖3之接地罩，因將位於基板下方而無法依原先預定方式運作；或證據5 之石英介電環位於晶圓上方，則證據5 之石英介電環，將不再與晶圓齊平而產生階差。此階差將造成晶圓表面上缺乏處理之均勻性，故證據3 及證據5 之組合，無法達成系爭專利請求項1 之可提供晶圓表面上處理均勻性聚焦環之功能。組合證據6 未電氣接地之導電筒(54)與證據3 之電氣接地之接地罩延長部將造成證據3 、6 之組合無法運作。組合證據5 之陰極遮蔽(12)與證據7 之元件(B) ，將造成氣流被改變或阻擋，則證據5 、7 之組合將無法運作。

五、訴願決定及被告之理由沿用參加人之主張，固認系爭專利請求項1 之技術特徵已可單獨被證據2 或3 揭露，則證據2 組合證據3 ；證據4 、5 、6 之一與證據3 之組合；證據4 、5 、6 之一與證據2 、證據3 之組合；證據2 、3 之一與證據5 、7 之組合，足以證明系爭專利請求項1 為運用申請前既有技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成。然參加人、訴願決定及被告之原處分，均未說明可輕易組合此等證據而完成系爭專利之理由。訴願決定及被告審定顯缺乏依據，有理由不備之違法。再者，某證據有無揭露系爭專利之技術特徵。必須由證據中找到教示，而非尋求其他證據之揭露。訴願決定及被告由「證據2 及證據3 分別揭露系爭專利」，推及「各種證據組合可證明系爭專利為熟習該項技術者所能輕易完成」之審定明顯有誤，且違反83年專利法第71條第1 項第1 款規定。訴願決定及被告之原處分，未針對該等證據組合中各證據之揭露進行分析、比對，而據以論述系爭專利之進步性，僅依賴其對證據2 、3 之錯誤解釋結論以認定證據4 、5 、6 與證據2 、3 間組合之教示，不符合進步性要件之審查規定。

六、因系爭專利請求項1 具有新穎性與進步性，請求項2 、7 、8 、14、15各具有新穎性與進步性。證據3 之SiO2塗層及絕緣物延長部(9a)為相同介電材料，證據3 未揭露請求項3、9、16「第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，請求項3 、9 、16應具有新穎性及進步性。請求項4 、10、17各包含其所分別依附之請求項3 、9 、16之技術特徵，故請求項4 、10、17各具有新穎性與進步性。證據3 之第一介電材料之第一介電常數與第二介電材料之第二介電常數，兩者大致相同，未揭露請求項4 、10、17「第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數」技術特徵，請求項4 、10 、17 具有新穎性及進步性。請求項5 、11、18各包含其所分別依附之請求項4 、10、17之可專利性技術特徵，且證據3本 身非陶瓷，未揭露請求項5 、11、18「第一介電材料是陶瓷」技術特徵，請求項5 、11、18具有新穎性及進步性。請求項6 、12、19各包含其所分別依附之請求項4 、10、17之技術特徵，故請求項6 、12、19各具有新穎性及進步性。而請求項13包含系爭專利請求項1 之技術特徵，且請求項13另包含「一侷限環係安置於該聚焦環組件上」技術特徵，倘結合證據2 與系爭專利之侷限環先前技術，將增加上、下電極間之距離，造成電漿自侷限環漏出，熟悉該項技術者，無動機再將系爭專利之侷限環先前技術加入證據2 或證據3中，故請求項第13具有進步性。請求項1 具有新穎性，而請求項7 係一種包含請求項1 之聚焦環組件之電漿處理室；請求項14係一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，其中包含提供請求項1 之聚焦環組件。準此，系爭專利請求項7 及14均具有新穎性。

七、訴願機關及被告明顯忽略系爭專利「聚焦環」限制條件，錯誤解釋系爭專利「環形介電體」、「內藏」技術特徵，亦漏未審酌原告無法組合各證據之主張，致作出錯誤認定，故訴願決定以與原處分應予撤銷。準此，起訴聲明請求，原處分及原決定均撤銷。

參、被告答辯：

一、系爭專利說明書第13頁第2 段第1 行至第3 行明確記載：向內延伸凸緣部(304b)所示者，係與管形部(304a)一體成型，如第3 圖所示，並非絕對必要者。可知請求項第1 、7 、14項之管形部及凸緣部，均為「導電屏蔽」之一部，並未限定應為個別獨立之構件，亦可為一體成型。至於證據2 中之圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) ，亦未限定應一體成形，證據2 說明書第4 欄之第56至60行記載：實施例之圓柱部及環狀延伸部可為一體成型，亦可為個別獨立之構件。而證據2之圖1 顯示圓柱部及環狀延伸部相交於圓柱部之上邊緣，可直接得知請求項1 、7 、14界定「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」特徵。

二、系爭專利請求項未限定「管形部」與「凸緣部」應為個別獨立之構件或必須為一體成型，而請求項第2 、8 、15項則進一步界定「管形部」與「凸緣部」之連接關係，即其中平面與管形部之縱軸形成一90度角。而系爭專利說明書第12頁第三段記載：雖向內突出凸緣，係被示出形成相對於第3 圖之導電屏蔽之管狀部之縱軸呈一90度，然兩部分相交之精確角度並非重要。可知未要求兩部分相交之角度應為精確之90度角。而證據2 之圖1 顯示圓柱部及環狀延伸部相交於圓柱部之上邊緣，且相交平面與管形部之縱軸呈現90度角，已揭露請求項2 、8 、15所界定「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵。準此，被告所為原處分並無違法，故聲明請求駁回原告之訴。

肆、參加人答辯：

一、系爭專利經參加人提起舉發後，原告曾提出更正，並由被告依99年1 月4 日之更正本進行審查。系爭專利更正後請求項第1 至19項或原獨立項1 、8 、16之技術特徵，均未提及，亦未要求聚焦環應與基材間「無階差」，原告於起訴狀中對系爭專利「聚焦環」之解釋，顯係為維護系爭專利有效性所為之主張，自無根據。況系爭專利說明書從未揭露、教示或探討聚焦環與基材間之「階差」問題。而由原告申請之他件第US6,039,836 號專利第2 欄第51至57行之記載：眾所周知，氧化鋁為具有相當高介電常數之材料，暨具有相當高的阻抗。準此，聚焦環之上表面與電漿鞘層間存有相當高之位差。可知原告顯然瞭解聚焦環達到使等位場線均勻之功效因素，係與聚焦環之材質有關，而與基材間之高度差，並無必然關連，原告一再以證據2 、3 有「階差」云云，宣稱其必非系爭專利之「聚焦環組件」云云，顯有誤導之嫌。

二、原告行政訴訟起訴狀第6 頁第4 行所列論文索引為「J.Phys.D: Appl.Phys.41 No6」，倘以該索引進入論文資料庫檢索，所得論文為「Ionenergy andangular distributions int-o the wafer-focus ringgap in capacitively coupled d-ischarges」，其附圖竟無一與原告行政訴訟起訴狀第6 頁所附圖面相同，原告援引該論文之索引，而貼上該論文所無之圖面。況該論文僅係在探討不同幾何性質對等位線均勻性之影響，從未表示「有階差者即非聚焦環」或「聚焦環不能有階差」，亦不可能以該論文獲致原告所稱「證據2 及證據3 所揭示之結構並非聚焦環」結論。原告係擴大解釋系爭說明書中「幾何因素」，逕行主張舉發證據所揭示者，並非聚焦環。

三、參加人於舉發程序中，已提出系爭專利所屬技術領域諸多技術文件，顯示「聚焦環」與「基材、基板」間常有階差，熟悉該項技術者不會以「階差」之有無或程度，以認定某結構是否為「聚焦環」構件。由原告申請之他件第US20070032081 號專利，可知「聚焦環」與「邊緣環」係相同概念，且可高於基材表面。而瞭解聚焦環使等電位線均勻之功效，其因素通常與聚焦環、邊緣環之材料有關，其與基材間之高度差無關。在工業界真正使用之電漿處理室中，在電漿蝕刻過程，聚焦環、邊緣環亦會隨被處理之基材遭電漿逐漸蝕刻掉，屬於消耗品。故業內技術人員通常會在基材邊緣放置具有比基材表面更高之聚焦環、邊緣環。原告主張舉發證據僅揭露聚焦環與基材間有階差，而未揭露系爭專利「聚焦環組件」云云，顯無所據。

四、證據3 揭示SiO2為具體構件，SiO2顯然為物理型態上之固體與實體物。SiO2既係覆蓋在接地罩延長部(10a) 上，則由電漿處理室之配置及證據3 揭露之圖式可知，接地罩延長部乃環形構件，則接在其上之「Si O2 」亦係環形構件。至於證據3 已揭示接地罩延長部在絕緣物延長部之上，且被覆蓋在SiO2或SiN 之下，亦已揭露接地罩延長部「內藏」於絕緣物延長部(9a)與「SiO2或SiN 」間之技術特徵。系爭專利之內藏技術特徵，係向內突出部(304b)覆蓋在第一環介電部(302a)下。原告亦不否認此點，僅空言稱證據3 已揭露之SiO2，為非獨立元件或實體，顯與證據3 所載具體內容不符。原告雖主張系爭專利向內突出凸緣部「內藏」於環形介電體，係指「嵌入」、「設置於內部而無法由外處觀察」之意。然所謂嵌入者，係指結構特徵之限定方式，系爭專利說明書無任何記載以「嵌入」結構以設置凸緣部，原告之主張不為說明書所支持。而原告主張內藏凸緣部邊緣與晶圓邊緣「彼此不可太接近」云云，更無所據，且與系爭專利所載內容相悖。蓋系爭專利說明書已明確記載凸緣部與晶圓之具體可較接近或較遠離，其中凸緣穿入深度不具無法預期之功效，難謂具有進步性。至於原告另主張系爭專利具有避免內藏凸緣部腐蝕之保護結構設計、有減少內藏凸緣部發弧效應之結構設計云云。均與系爭專利請求項所載之結構性技術特徵無關，無庸審酌。況證據2 之環狀覆蓋環(13)及證據3 之SiO2係為介電材料，熟悉該項技藝者可知，其具有避免內藏凸緣部腐蝕及減少內藏凸緣部發弧效應之效果。

五、原告不否認舉發證據已揭露系爭專利之構件，原告固主張者乃證據之組合因「具有不同操作原理」而「無法運作」。然參加人所提出之各舉發證據，均為電漿領域之技術文件，對所屬技術之人士，並無不易暸解之問題。證據6 未說明導電筒(54)不可電氣接地。足見原告所稱「無法運作」、「不可預知之結果」，均係本於其自行臆測之詞。而舉發證據均屬電漿領域，其基本構件相同，僅因結構略有不同而有差異，並非電漿操作原理上有何差異，此不影響先前技術即舉發證據所提供之教示，亦不影響所屬技術領域者將舉發證據予以組合，且無原告所稱證據之組合無法運作之問題。

六、系爭專利請求項第1 至19項相較於舉發證據，是否具有新穎性及進步性，業經參加人於舉發程序歷次書狀及面詢所述，且經被告詳予審酌，並詳予比對如本案舉發審定書所述。可知系爭專利請求項第1 至19項確實不具可專利要件。而SiO2係陶瓷材料之一種，熟悉該項技術領域之人對此無爭議，原告悖於事實、據此主張系爭專利第5 、11、18項相較於證據3 所揭示之SiO2技術特徵有新穎性及進步性，即無可採。

七、自系爭專利請求項第1 、7 、14項之用語可知，請求項第1、7 、14項「管形部」及「凸緣部」，係一導電屏蔽之組成部分，並未限定為個別獨立之構件，亦可為一體成型。再者，系爭專利說明書第13頁第2 段第1 至3 行記載：向內延伸凸緣部(304b)所示者，係與管形部(304a)一體成型，如第3圖所示，此並非絕對必要。可知系爭專利請求項第1 、7 、14項之導電屏蔽，其管形部及凸緣部可為一體成型，亦可為可分之部件。準此，系爭專利請求項第1 、7 、14項「凸緣部形成一與管形部相交之平面，其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」，其意義指明導電屏蔽「凸緣部」與「管形部」兩個部分相連接，且凸緣部位於管形部之上方，即兩個部分相連接之處在管形部上邊緣。證據2 說明書第4 欄第56至60行記載其所載實施例之圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) 可為一體成型，亦可為個別獨立之構件。且系爭發明領域具有通常知識者，可由證據2 之圖1 得知，無論圓柱部及環狀延伸部為個別獨立之構件或為一體成型，環狀延伸部應與圓柱部相交於一平面，且平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣。證據2 之圖1 、說明書之圓柱部及環狀延伸部，已揭露系爭專利請求項第1 、7 、14項「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵甚明，是系爭專利請求項第1 、7 、14項欠缺新穎性。

八、系爭專利請求項第2 、8 、15項進一步界定「管形部」與「凸緣部」之相對位置與相連接之位置，為「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」。系爭專利說明書第12頁第3段第1 行至第3 行記載：雖向內突出凸緣(304b)，係被示出形成相對於第3 圖之導電屏蔽之管狀部(304a)縱軸呈一90度，兩部分相交之精確角度非重要。可知系爭專利請求項第2、8、15項「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」，其意義在表示「管形部」與「凸緣部」之相對位置及相交之位置，約略形成倒L 形，而非要求兩部分相交之角度應為精確之90度角。證據2 與說明書所載實施例之圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) 已揭露一具有管形部及凸緣部，管形部與凸緣部相交，而相交處在管形部上邊緣，相交處與管形部之縱軸呈現90度角之導電屏蔽，顯見系爭專利請求項第2 、8 、15項不具新穎性。

九、判斷系爭專利是否具備專利要件，應比對系爭專利之申請專利範圍與先前技術已揭露之內容，以判斷系爭專利是否具備新穎性、進步性等專利要件。原告準備（二）狀所為「系爭專利申請專利範圍第1 項之解釋」，並非判斷系爭專利是否具備專利要件之程序，且其所為「解釋」不為系爭專利說明書所支持，甚至與系爭專利說明書之實施例相違。原處分及訴願決定已審酌系爭專利及各舉發證據，「舉發成立，應撤銷專利權」及「訴願駁回」之審定，均無違誤，應予維持。準此，聲明請求駁回原告之訴。

伍、本院判斷：

一、程序方面：按訴狀送達後，原告固不得將原訴變更或追加他訴，然經被告同意，或行政法院認為適當者，不在此限，行政訴訟法第111 條第1 項定有明文。查原告起訴時訴之聲明：原處分及原訴願決定均撤銷，暨被告機關應為舉發不成立之處分。嗣於100 年10月11日當庭更正訴之聲明：原處分及原訴願決定均撤銷（見本院卷第217 頁）。本院認原告本於同一請求基礎為主張，其將撤銷之訴與課予義務訴訟等聲明，減縮僅為撤銷之訴之聲明，捨棄聲明無益之聲明，其符合本件訴訟之目的，並非屬訴之變更或追加，其訴之聲明變更為適當，且被告對撤回上開聲明，亦無意見（見本院卷第218 頁），揆諸前揭說明，應予准許。

二、原處分與原決定：參加人前於98年2 月13日以系爭專利違反核准時即83年1 月21 日 修正公布之專利法第20條第1 項第1 款及第2 項規定，對之提起舉發，原告於99年1 月4 日舉發答辯時，提出系爭專利申請專利範圍更正本。參加人嗣於99年2 月11日針對系爭專利更正本提出舉發補充理由書（一），原告則於99年5 月27日提出補充答辯理由書（一），並經被告於99年6 月24日面詢；原告於99年7 月23日提出補充答辯理由書（二），參加人復於99年7 月26日提出舉發補充理由書（二）；原告復於99年9 月16日提出補充答辯理由書（三）。參加人舉發補充理由書主張系爭專利更正申請專利範圍後，仍有違核准時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項規定。案經被告審查結果，認原告99年1 月4 日所提系爭專利申請專利範圍更正本，符合現行專利法第64條第1 項第1 款及第2 項之規定，應准予更正，並該更正本審查，以系爭專利違反核准時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項之規定，並於100 年1 月20日以(100) 智專三（二) 04128 字第10020051640 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服該行政處分，向經濟部提起訴願，經濟部訴願委員會以相同理由駁回原告之訴願（見本院卷第22至122 頁）。原告不服訴願決定，向本院提起行政訴訟。

三、本件專利舉發爭點：按利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依法申請取得發明專利。然發明係申請前已見於刊物或已公開使用者；或運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，則不得依法申請取得發明專利。83年1 月21日修正公布之專利法第19條、第20條第1項前段、第20條第1 項第1 款及第2 項分別定有明文。因系爭專利之申請日為88年6 月23日，核准公告日為90年1 月21日，故本件關於系爭專利有無具備新穎性、進步性之判斷，應依核准審定時有效之83年1 月21日修正公布之專利法為斷。因舉發程序採當事人進行主義，故發明專利不具新穎性或進步性要件時，應由舉發人附具證據證明之，倘其證據足以證明發明專利有違前揭專利法之規定，自應為舉發成立之處分。原告雖主張系爭專利具新穎性與進步性要件云云。然被告抗辯稱依據其所提出之證據，足以證明系爭專利不具新穎性與進步性，系爭專利應撤銷等語。職是，本院自應審究系爭專利是否具新穎性與進步性。茲先論述系爭專利技術與舉發證據技術內容，繼而比對分析系爭專利申請專利範圍與引證案之技術特徵，作為判斷系爭專利是否具新穎性與進步性之基準。

四、系爭專利技術：

（一）系爭專利技術內容：系爭專利為一種聚焦環組件(300) ，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤(104) 。聚焦環組件包含一環形介電體(302) ，暨一導電屏蔽(304) 包圍環形介電體。導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，暨包含一管形部(304a)安置於環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部。導電屏蔽更包含一向內突出凸緣部(304b)，其係與管形部電氣相接。凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內。

（二）系爭專利申請專利範圍：系爭專利之90年1 月21日申請專利範圍公告本之請求項共計22項，原告嗣於99年1 月4 日向被告提出申請專利範圍更正之申請，經被告審查後准予更正，業於100 年2 月11日公告申請專利範圍更正本。系爭專利之100 年2 月11日公告申請專利範圍更正本之請求項共計19項，請求項1 至3 、7 至9 及13至16為獨立項，其餘為附屬項，而系爭專利之主要圖面如本判決附圖1 所示。茲依序說明系爭專利申請專利範圍之各請求項如後：

1.請求項1 為一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤，包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於該環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部；暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內，其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣，管形部之上邊緣，定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間。

2.請求項2 為一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤，包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部；暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內，其中平面與管形部之縱軸形成一90度角。

3.請求項3為一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤，包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部；暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內，其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於該第一介電材料之第二介電材料形成。請求項4 為如申請專利範圍第3 項所述之聚焦環組件，其中第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數。請求項5 為如申請專利範圍第4 項所述之聚焦環組件，其中第一介電材料是陶瓷。請求項6 為如申請專利範圍第4 項所述之聚焦環組件，其中第二介電材料為鐵弗龍。

4.請求項7 為一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材；暨一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部；暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內，其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣，管形部之上邊緣定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間。

5.請求項8 為一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材；暨一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部；暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內，其中平面與管形部之縱軸形成一90度角。

6.請求項9 為一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材；暨一聚焦環組件實際包圍該吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部；暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內，其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成。請求項10為如申請專利範圍第9 項所述之電漿處理室，其中第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數。請求項11為如申請專利範圍第10項所述之電漿處理室，其中第一介電材料是陶瓷。請求項12為如申請專利範圍第10項所述之電漿處理室，其中第二介電材料是鐵弗龍。

7.請求項13為一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材；暨一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部；暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內，其中一侷限環安置於聚焦環組件上。

8.請求項14為一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤，方法包含以下步驟：提供一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，其包含以導電屏蔽之管形部分包圍環形介電體一部分，管形部安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交，其中平面管形部相交於管形部之上邊緣，管形部之上邊緣定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間。

9.請求項15為一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤，方法包含以下步驟：提供一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，其包含以導電屏蔽之管形部分包圍該環形介電體之一部，管形部安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交，其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角。

10.請求項16為一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤，方法包含以下步驟：提供一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，其包含以導電屏蔽之管形部分包圍環形介電體之一部，管形部係安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣係與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交，其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成。請求項17為如申請專利範圍第16項所述之方法，其中第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數。請求項18為如申請專利範圍第17項所述之方法，其中第一介電材料是陶瓷。請求項19為如申請專利範圍第17項所述之方法，其中第二介電材料是鐵弗龍。

五、舉發證據技術：參加人提出證據2 至7 ，其等公告日均早於系爭專利優先權日即1998年6 月26日，自作為證明系爭專利不具新穎性與進步性之引證案，茲依序說明引證案之技術內容如後：

（一）證據2之證據技術：證據2 為1996年3 月26日公告之美國第5,502,355 號「PL-ASMA PROCESSING APPARATUS FOR PRODUCING HIGH DENSITY PLASMA」專利案，其公告日早於系爭專利之優先權日，可為系爭專利之先前技術。證據2 揭露一種真空處理腔室，包括一狹窄間隙部分，其間隙距離窄於沿著兩電極周圍構成夾在兩電極間中央部分之一相對空間，由導電材料構成之一接地罩，藉由一絕緣構件提供以覆蓋一電極之外側表面，接地罩覆蓋電極之一外部表面，暨一延伸至狹窄間隙部分之環狀延伸部係被提供在接地罩之一邊緣部分之內側，證據2 之圖式如本判決附圖2 所示。

（二）證據3之證據技術：證據3 為1993年9 月3 日公開之日本特開平第5-226293號「高頻電漿處理器」專利案，其公開日早於系爭專利之優先權日，可為系爭專利之先前技術。證據3 為一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，使平行平板之間隔充分大，RF電極(1) 與對向電極(2) 以形成平行板之方式面對面，RF電極周圍用接地罩(10)隔著絕緣物(9) 包圍，接地罩設置有比形成RF電極之平行平板面(12)，朝向對向電極側更突出之延長部(10a) ，證據3 之圖式如本判決附圖3 所示。

（三）證據4之證據技術：證據4 為1993年11月5 日公開之日本特開平第5-291194號「電漿處理方法及裝置」專利案，其公開日早於系爭專利之優先權日，可為系爭專利之先前技術。證據4 為一種電漿處理方法及裝置，包含電極覆蓋(6) 、絕緣材料(15)、遮蔽(29)及基板載台(4) ，藉由高頻輝光放電而產生氣體電漿，對半導體基板進行蝕刻、濺鍍等電漿處理，證據4之圖式如本判決附圖4 所示。

（四）證據5之證據技術：證據5 為1997年12月29日公開之歐洲第0814495A2 號「Ad-justing DC bias voltage in plasma chamber」專利案，其公開日早於系爭專利優先權日，可為系爭專利之先前技術。證據5 為一種電漿處理腔室，包含石英介電環(38)、介電間隔物(28)、陰極遮蔽(12)及陰極電極(30)，廣泛地使用在製造半導體元件，證據5 之圖式如本判決附圖5所示。

（五）證據6之證據技術：證據6 為1994年5 月17日公告之美國第5,312,778 號「ME-THOD FOR PLASMA PROCESSING USING MAGNETICALLY ENH-ANCED PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 」專利案，其公告日早於系爭專利優先權日，可為系爭專利之先前技術。證據6 為一種電漿處理腔室，包含絕緣環(29)、絕緣筒(52)、導電筒54及陰極(16)，使用在製造半導體元件，證據6 之圖式如本判決附圖6 所示。

（六）證據7之證據技術：證據7 為1997年10月3 日公開之日本特開平第9-260475號「半導體晶圓座裝置以及半導體晶圓之玻璃方法」專利案，其公開日早於系爭專利優先權日，可為系爭專利之先前技術。證據7 為一種半導體處理裝置，包含構件(B) 與構件延長部，可使真空容器內之晶圓載台之晶圓脫離，不會引起位置偏移與跳起，防止晶圓處理之表面均勻性惡化，證據7之圖式如本判決附圖7 所示。

六、對比分析引證案與系爭專利請求項：原告於99年1 月4 日向被告提出申請專利範圍更正之申請，經被告審查後准予更正，並於100 年2 月11日公告申請專利範圍更正本，故以系爭專利之90年1 月21日說明書與圖式公告本，暨100 年2 月11日公告之申請專利範圍更正本，作為比對分析之基礎，茲探討如後：

（一）證據2 無法證明系爭專利請求項1 、2 、7 、8 、14及19不具新穎性：

1.證據2無法證明系爭專利請求項1不具新穎性：

(1)證據2 說明書第2 欄第31至35行揭示先前技術，藉由窄間隙成形元件(19)可使得放電現象均勻地集中在電極(2) 上，而證據2 藉由改良先前技術之窄間隙成形元件及接地罩(12) 結構，以改善先前技術中之空間(16)壓力問題，故證據2 之絕緣構件(11)、接地罩及環狀覆蓋環(13)所構成之結構，亦與先前技術之窄間隙成形元件，同樣可使得放電現象均勻地集中在電極之上，即證據2 之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，係為一種聚焦環組件。

(2)由證據2 之圖1 及說明書第4 欄第37至45行記載等內容可知，證據2 之真空處理腔室(1) ，等同系爭專利請求項1之電漿處理室，證據2 之電極，等同系爭專利請求項1 之吸盤，係用以承載晶圓(5) ，且證據2 之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構係包圍電極。故系爭專利請求項1 「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(3)由證據2 之圖1 、說明書第4 欄第43至45行及說明書第4欄第60行至第5 欄第2 行等記載內容可知，證據2 之絕緣構件可由聚四氟乙烯（polytetrafluoroethlene）製成，而聚四氟乙烯俗稱為鐵弗龍之介電材料。而證據2 之環狀覆蓋環可由氧化鋁陶瓷（alumina ceramics）之介電材料製成，故證據2 之絕緣構件及環狀覆蓋環所構成之結構，等同系爭專利請求項1 之環形介電體，故系爭專利請求項1 「一環形介電體」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(4)由證據2 之圖1 及說明書第4 欄第45至48行記載等內容可知，證據2 之接地罩，等同系爭專利請求項1 之導電屏蔽，係包圍絕緣構件及環狀覆蓋環，證據2 說明書及圖式雖未明確記載，接地罩是否電氣接地於真空處理腔室內。然證據2 之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，既為架構於真空處理腔室內，證據2 說明書第4 欄第45至48行記載，接地罩可由導電材料（conductive material）製成，故可直接得知證據2 之接地罩，係架構以電氣接地於真空處理腔室內，故系爭專利請求項1 「一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(5)由證據2 之圖1 及說明書第4 欄第49至59行記載等內容可知，證據2 之接地罩12包含圓柱部(12a) ，等同系爭專利請求項1 之管形部，而環狀延伸部(12b) ，等同系爭專利請求項1 的凸緣部，其中證據2 之圓柱部安置於絕緣構件外側，並包圍絕緣構件，即絕緣構件及環狀覆蓋環所組成結構之一部，而證據2 之接地罩既由導電材料製成，則環狀延伸部與圓柱部係為電氣相接。而由證據2 說明書第4欄第58至59行記載內容可知，證據2 之圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，即在以各自分別方式形成時，環狀延伸部形成一與圓柱部相交之平面，且環狀延伸部係內藏於絕緣構件及環狀覆蓋環所組成結構內。故系爭專利請求項1 「導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部係內藏於環形介電體內」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(6)由證據2 圖1 及說明書第4 欄第49行至第5 欄第2 行記載等內容可知，圓柱部之上邊緣位於環狀覆蓋環之上表面及絕緣構件之下表面間，故系爭專利請求項1 「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(7)證據2 說明書第4 欄第58至59行雖記載圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，然證據2 未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2 之圓柱部及環狀延伸部相交之平面至，存在有相交於圓柱部之「上邊緣」或「側邊緣」；反觀，系爭專利請求項1 係明確界定「其中平面與管形部相交於該管形部之上邊緣」，無法由證據2 揭示「圓柱部及環狀延伸部可以各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣」。職是，證據2 無法證明系爭專利請求項1 不具新穎性。

2.證據2無法證明系爭專利請求項2不具新穎性：

(1)系爭專利請求項2 具有與請求項1 相同「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤，包含一環形介電體；暨一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部係內藏於環形介電體內」技術特徵，而由系爭專利請求項1 與證據2 比對可知，技術特徵已為證據2 所揭露，故系爭專利請求項2 「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤，包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部係內藏於環形介電體內」技術特徵，亦為證據2 所揭露。

(2)證據2 說明書第4 欄第58至59行雖記載圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，然證據2 未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交平面之位置關係，故證據2 之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有平面與圓柱部之縱軸形成90度角或180 度角；反觀，系爭專利請求項2 明確界定「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」，難謂由證據2 揭示「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部之縱軸形成一90度角」，故系爭專利請求項2 「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵，非為證據2 所揭露。職是，證據2 無法證明系爭專利請求項2 不具新穎性。

3.證據2無法證明系爭專利請求項7不具新穎性：

(1)由證據2 之圖1 及說明書第4 欄第25至42行記載等內容可知，證據2 之真空處理腔室(1) ，等同系爭專利請求項7的電漿處理室，其係架構以處理一晶圓(5) ，等同系爭專利請求項7 之基材，故系爭專利請求項7「一種電漿處理室，架構以處理一基材」技術特徵為證據2所揭露。

(2)由證據2 圖1 及說明書第4 欄第37至45行記載等內容可知，證據2 之真空處理腔室具有電極(2) ，等同系爭專利請求項7 之吸盤，電極用在電漿處理時承載晶圓，故系爭專利請求項7 「一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(3)證據2 說明書第2欄第31至35行揭示先前技術藉由窄間隙成形元件(19)，可使得放電現象均勻地集中在電極上，而證據2 藉由改良先前技術之窄間隙成形元件及接地罩(12)結構，以改善先前技術中之空間(16)壓力問題，故證據2之絕緣構件(11)、接地罩及環狀覆蓋環(13)所構成之結構，亦與先前技術之窄間隙成形元件，同樣可使得放電現象均勻地集中在電極上，即證據2 之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，為一種聚焦環組件。而由證據2圖1 及說明書第4 欄第43至48行記載等內容可知，證據2之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，係包圍電極，故系爭專利請求項7 「一聚焦環組件實際包圍吸盤」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(4)由證據2 圖1 、說明書第4 欄第43至45行及說明書第4 欄第60 行 至第5 欄第2 行等記載內容可知，證據2 之絕緣構件製成，而聚四氟乙烯俗稱為鐵弗龍之介電材料，而證據2 之環狀覆蓋環由氧化鋁陶瓷之介電材料製成，故證據2之絕緣構件及環狀覆蓋環所構成之結構，等同系爭專利請求項7 之環形介電體，故系爭專利請求項7 「一環形介電體」技術特徵，已為證據2所揭露。

(5)由證據2 圖1 及說明書第4 欄第45至48行記載等內容可知，證據2 之接地罩，等同系爭專利請求項7 之導電屏蔽，係包圍絕緣構件及環狀覆蓋環，證據2 說明書及圖式雖未明確記載接地罩，是否電氣接地於真空處理腔室內，然證據2 之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構既為架構於真空處理腔室內，且證據2 說明書第4 欄第45至48行記載接地罩可由導電材料製成，故可直接得知證據2 之接地罩，係架構以電氣接地於真空處理腔室內，是系爭專利請求項7「一導電屏蔽包圍該環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內」技術特徵，已為證據2所揭露。

(6)由證據2圖1及說明書第4欄第49至59行記載等內容可知，證據2之接地罩包含圓柱部(12a) ，等同系爭專利請求項7之管形部，暨環狀延伸部(12b) ，等同系爭專利請求項7之凸緣部，其中證據2 之圓柱部安置於絕緣構件外側，並包圍絕緣構件，而證據2 之接地罩既由導電材料製成，則環狀延伸部與圓柱部係為電氣相接。而由證據2 說明書第4 欄第58至59行記載內容可知，證據2 之圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，即在以各自分別方式形成時，環狀延伸部形成一與圓柱部相交之平面，且環狀延伸部係內藏於絕緣構件及環狀覆蓋環所組成結構內，故系爭專利請求項7 「導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(7)由證據2 圖1 及說明書第4 欄第49行至第5 欄第2 行記載等內容可知，圓柱部之上邊緣位於環狀覆蓋環之上表面及絕緣構件之下表面間，故系爭專利請求項7 「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面之間」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(8)證據2 說明書第4 欄第58至59行雖記載圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，然證據2 未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2 之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有相交於圓柱部之「上邊緣」或「側邊緣」；反觀，系爭專利請求項7 明確界定「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」，難謂由證據2 揭示之「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣」。職是，系爭專利請求項7 「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵，非為證據2 所揭露。

4.證據2無法證明系爭專利請求項8不具新穎性：

(1)系爭專利請求項8 具有與請求項7 相同「一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材；暨一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部分，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，而系爭專利請求項7 與證據2 比對可知，技術特徵已為證據2 所揭露，故系爭專利請求項8 之技術特徵，亦為證據2 所揭露。

(2) 證據2 說明書第4 欄第58至59行雖記載圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，然證據2 未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2 之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有平面與圓柱部之縱軸形成90度角或180 度角；反觀，系爭專利請求項8明確界定「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」，難謂由證據2 揭示「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部之縱軸形成一90度角」，故系爭專利請求項8 「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵，非為證據2 所揭露。職是，證據2 無法證明系爭專利請求項8 不具新穎性。

5.證據2無法證明系爭專利請求項14不具新穎性：

(1)證據2 說明書第2 欄第31至35行揭示先前技術藉由窄間隙成形元件(19)可使得放電現象均勻地集中在電極(2) 上，而證據2 藉由改良先前技術的窄間隙成形元件及接地罩(12)結構，以改善先前技術中之空間(16)壓力問題，故證據2 之絕緣構件(11)、接地罩(12)及環狀覆蓋環(13)所構成之結構，亦與先前技術之窄間隙成形元件，同樣可使得放電現象均勻地集中在電極上，即證據2 之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，係為形成在真空處理腔室(1)，等同系爭專利請求項14之電漿處理室，其為一種聚焦環組件；而由證據2 圖之1 及說明書第4 欄第37至45行記載等內容可知，證據2 之真空處理腔室1 之電極，等同系爭專利請求項14之吸盤，係用以承載晶圓(5) ，且證據2 之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構係包圍電極，故系爭專利請求項14「一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(2)由證據2圖1、說明書第4欄第43至45行及說明書第4欄第60行至第5 欄第2 行等記載內容可知，證據2 之絕緣構件係可由聚四氟乙烯製成，而聚四氟乙烯即俗稱鐵弗龍之介電材料。證據2 之環狀覆蓋環係可由氧化鋁陶瓷之介電材料製成，故證據2 之絕緣構件及環狀覆蓋環所構成之結構，等同系爭專利請求項14之環形介電體，故系爭專利請求項14「提供一環形介電體」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(3)由證據2 圖1 及說明書第4 欄第45至48行記載等內容可知，證據2 之接地罩，等同系爭專利請求項14之導電屏蔽，係包圍絕緣構件及環狀覆蓋環，故系爭專利請求項14「以一導電屏蔽包圍環形介電體」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(4)由證據2 圖1 及說明書第4 欄第49至59行記載等內容可知，證據2 之接地罩包含圓柱部(12a) ，等同系爭專利請求項14之管形部，暨環狀延伸部(12b) ，等同系爭專利請求項14的凸緣部，其中證據2 之圓柱部安置於絕緣構件外側，並包圍絕緣構件，而證據2 之接地罩既由導電材料製成，則環狀延伸部與圓柱部係為電氣相接；由證據2 說明書第4 欄第58至59行記載內容可知，證據2 之圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，即在以各自分別方式形成時，環狀延伸部形成一與圓柱部相交之平面，且環狀延伸部係內藏於絕緣構件及環狀覆蓋環所組成結構內，故系爭專利請求項14「其包含以導電屏蔽之管形部分包圍環形介電體之一部，管形部係安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣係與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(5)由證據2 圖1 及說明書第4 欄第49行至第5 欄第2 行記載等內容可知，圓柱部之上邊緣位於環狀覆蓋環之上表面及絕緣構件之下表面間，故系爭專利請求項14「管形部之上邊緣，係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據2 所揭露。

(6)證據2 說明書第4 欄第58至59行雖記載圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，然證據2 未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2 之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有相交於圓柱部「上邊緣」或「側邊緣」；反觀，系爭專利請求項14明確界定「其中平面管形部相交於管形部之上邊緣」，難謂由證據2 揭示「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣」，故系爭專利請求項14「其中平面管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵，非為證據2 所揭露。職是，證據2 無法證明系爭專利請求項14不具新穎性。

6.證據2無法證明系爭專利請求項15不具新穎性：

(1)系爭專利請求項15具有與請求項14相同「一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤，方法包含以下步驟：提供一環形介電體及一導電屏蔽包圍該環形介電體，其包含以導電屏蔽之管形部分包圍環形介電體之一部，管形部係安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣係與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交」技術特徵，而由系爭專利請求項14與證據2 比對可知，技術特徵已為證據2 所揭露。故系爭專利請求項15之技術特徵，此為證據2 所揭露。

(2)證據2 說明書第4 欄第58至59行雖記載圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) 可各自分別方式形成，然證據2 未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2 之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有平面與圓柱部之縱軸形成90度角或180 度角；反觀，系爭專利請求項15明確界定「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」，難謂由證據2 揭示「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部之縱軸形成一90度角」。故系爭專利請求項15「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵，非為證據2 所揭露。職是，證據2無法證明系爭專利請求項15不具新穎性。

（二）證據2 可證明系爭專利請求項3 至6 、9 至12、16至19不具新穎性：

1.證據2可證明系爭專利請求項3不具新穎性：

(1)系爭專利請求項3 具有與請求項1 相同「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤，包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部係內藏於環形介電體內」技術特徵，而由系爭專利請求項1 與證據2 比對可知，技術特徵已為證據2所揭露，故系爭專利請求項3 之技術特徵，亦為證據2 所揭露。

(2)由證據2 圖1 及說明書第4 欄第43行至第5 欄第2 行記載內容可知，證據2 由環狀覆蓋環(13)，等同系爭專利請求項3 之第一環形部），暨相鄰於環狀H覆蓋環之絕緣構件(11)，等同系爭專利請求項3 之第二環形部，兩者組成之結構等同系爭專利請求項3 之環形介電體，而絕緣構件之一部分係被接地罩(12)之圓柱部(12a) 所包圍，且證據2說明書第4 欄第60行至61行揭示環狀覆蓋環，係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，等同系爭專利請求項3 之第一介電材料，證據2 說明書第4 欄第43行至44行揭示絕緣構件，係由不同於氧化鋁陶瓷之聚四氟乙烯之介電材料形成，等同系爭專利請求項3 之第二介電材料，故系爭專利請求項3 「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，已為證據2 所揭露。職是，證據2 可證明系爭專利請求項3 不具新穎性。

2.證據2可證明系爭專利請求項4不具新穎性：系爭專利請求項4係依附於請求項3之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數」。而證據2 說明書第4 欄第43行至44行及第60行至61行等記載內容，揭示環狀覆蓋環係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，絕緣構件係由聚四氟乙烯之介電材料形成，介電材料均具有一介電常數，且聚四氟乙烯或鐵弗材料具有較氧化鋁陶瓷材料之介電常數，等同系爭專利請求項4 之第一介電常數，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項4 之第二介電常數，此為鐵弗龍材料本身特性，系爭專利說明書第14頁第4 至6 行記載：第二環形介電部(302b)可由鐵弗龍之塑膠材料作成，其介電常數係較第一環形介電部(302a)之介電材料者更接近真空。」故系爭專利請求項4 之附屬技術特徵為證據2 所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項4 不具新穎性。

3.證據2可證明系爭專利請求項5不具新穎性：系爭專利請求項5係依附於請求項4之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第一介電材料是陶瓷」。而證據2 說明書第4 欄第60行至61行揭示，環狀覆蓋環係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，故系爭專利請求項5 之附屬技術特徵為證據2 所揭露，是證據2 可證明系爭專利請求項5 不具新穎性。

4.證據2可證明系爭專利請求項6不具新穎性：系爭專利請求項6係依附於請求項4之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第二介電材料是鐵弗龍」。而證據2說明書第4欄第43行至44行揭示，絕緣構件係由聚四氟乙烯之介電材料形成，聚四氟乙烯俗稱為鐵弗龍，故系爭專利請求項6 之附屬技術特徵為證據2 所揭露，是證據2 可證明系爭專利請求項6 不具新穎性。

5.證據2可證明系爭專利請求項9不具新穎性：

(1)系爭專利請求項9 具有與請求項7 相同「一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材及一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，而系由爭專利請求項7 與證據2 比對可知，技術特徵已為證據2 所揭露，故系爭專利請求項9 之技術特徵，已為證據2 所揭露。

(2)由證據2圖1及說明書第4欄第43行至第5欄第2行記載等內容可知，證據2 由環狀覆蓋環(13)，等同系爭專利請求項9 之第一環形部，暨相鄰於環狀覆蓋環之絕緣構件(11)，等同系爭專利請求項9 之第二環形部，其組成之結構等同系爭專利請求項9 之環形介電體，而絕緣構件之一部分係被接地罩(12)之圓柱部(12a)所包圍，且證據2 說明書第4欄第60行至61行揭示環狀覆蓋環，由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，等同系爭專利請求項9 之第一介電材料，證據2說明書第4 欄第43行至44行揭示絕緣構件，由不同於氧化鋁陶瓷之聚四氟乙烯之介電材料形成，等同系爭專利請求項9 之第二介電材料，故系爭專利請求項9 「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部由一第一介電材料形成，第二環形部由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，亦為證據2 所揭露。職是，證據2 可證明系爭專利請求項9 不具新穎性。

6.證據2可證明系爭專利請求項10不具新穎性：系爭專利請求項10係依附於請求項9之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數」。而證據2 說明書第4 欄第43行至44行及第60行至61行等記載內容揭示環狀覆蓋環13係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，絕緣構件(11)由聚四氟乙烯之介電材料形成，介電材料均具有一介電常數，且聚四氟乙烯材料具有較氧化鋁陶瓷材料之介電常數，等同系爭專利請求項10之第一介電常數，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項10之第二介電常數，乃為鐵弗龍材料本身特性，系爭專利說明書第14頁第4 至6 行記載：第二環形介電部(302b) 可由鐵弗龍之塑膠材料作成，其介電常數係較第一環形介電部(302a)之介電材料者更接近真空。故系爭專利請求項10之附屬技術特徵為證據2 所揭露。而系爭專利請求項10所依附之請求項9 之所有技術特徵為證據2 所揭露。職是，證據2 可證明系爭專利請求項10不具新穎性。

7.證據2可證明系爭專利請求項11不具新穎性：系爭專利請求項11係依附於請求項10之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第一介電材料是陶瓷」。而證據2說明書第4欄第60行至61行揭示環狀覆蓋環(13)由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，故系爭專利請求項11之附屬技術特徵為證據2 所揭露。系爭專利請求項11所依附之請求項10之所有技術特徵為證據2 所揭露。職是，證據2 可證明系爭專利請求項11不具新穎性。

8.證據2可證明系爭專利請求項12不具新穎性：系爭專利請求項12係依附於請求項10之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第二介電材料是鐵弗龍」。而證據2 說明書第4 欄第43行至44行揭示絕緣構件，係由聚四氟乙烯之介電材料形成，而聚四氟乙烯為鐵弗龍，故系爭專利請求項12之附屬技術特徵為證據2 所揭露。系爭專利請求項12所依附之請求項10之所有技術特徵，已為證據2 所揭露。職是，證據2 可證明系爭專利請求項12不具新穎性。

9.證據2可證明系爭專利請求項16不具新穎性：

(1)系爭專利請求項16具有與請求項14相同「一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤，方法包含以下步驟：提供一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，其包含以導電屏蔽之管形部分包圍環形介電體之一部，管形部係安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交」技術特徵，而由系爭專利請求項14與證據2 比對可知，技術特徵已為證據2 所揭露，故系爭專利請求項16之技術特徵，亦為證據2 所揭露。

(2)由證據2圖1及說明書第4欄第43行至第5欄第2行記載等內容可知，證據2 由環狀覆蓋環(13)，等同系爭專利請求項16之第一環形部，暨相鄰於環狀覆蓋環之絕緣構件(11)，等同系爭專利請求項16之第二環形部，其組成之結構係等同系爭專利請求項16之環形介電體，而絕緣構件之一部分，係被接地罩(12)之圓柱部(12a) 所包圍，且證據2 說明書第4 欄第60行至61行揭示環狀覆蓋環由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，等同系爭專利請求項16之第一介電材料，證據2 說明書第4 欄第43行至44行揭示絕緣構件，由不同於氧化鋁陶瓷之聚四氟乙烯之介電材料形成，等同系爭專利請求項16之第二介電材料，故系爭專利請求項16「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部由一第一介電材料形成，第二環形部由不同於該第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，已為證據2 所揭露。職是，證據2 可證明系爭專利請求項16不具新穎性。

10.證據2可證明系爭專利請求項17不具新穎性：系爭專利請求項17係依附於請求項16之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數」。而證據2 說明書第4 欄第43行至44行及第60行至61行等記載內容，揭示環狀覆蓋環(13)由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，絕緣構件(11)由聚四氟乙烯之介電材料形成，介電材料均具有一介電常數，且聚四氟乙烯材料具有較氧化鋁陶瓷材料之介電常數，等同系爭專利請求項17之第一介電常數，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項17之第二介電常數，乃為鐵弗龍材料本身特性，系爭專利說明書第14頁第4 至6 行記載：第二環形介電部(302b)可如鐵弗龍之塑膠材料作成，其介電常數係較第一環形介電部(302a)之介電材料者更接近真空。」故系爭專利請求項17之附屬技術特徵為證據2 所揭露。而系爭專利請求項17所依附之請求項16之所有技術特徵，已為證據2 所揭露。職是，證據2 可證明系爭專利請求項17不具新穎性。

11.證據2可證明系爭專利請求項18不具新穎性：系爭專利請求項18係依附於請求項17之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第一介電材料是陶瓷」。而證據2 說明書第4 欄第60行至61行揭示，環狀覆蓋環(13)由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，故系爭專利請求項18之附屬技術特徵為證據2 所揭露，系爭專利請求項18所依附之請求項17的所有技術特徵為證據2 所揭露。職是，證據2 可證明系爭專利請求項18不具新穎性。

12.證據2可證明系爭專利請求項19不具新穎性：系爭專利請求項19係依附於請求項17之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第二介電材料是鐵弗龍」。而證據2說明書第4 欄第43行至44行揭示絕緣構件(11)由聚四氟乙烯之介電材料形成，系爭專利請求項19之附屬技術特徵為證據2 所揭露。系爭專利請求項19所依附之請求項17的所有技術特徵，已為證據2 所揭露。職是，證據2 可證明系爭專利請求項19不具新穎性。

13.證據2 揭示系爭專利「聚焦環」技術特徵：

(1)系爭專利請求項1 至19記載內容中，就「聚焦環」部分僅有界定其組成構件，即環形介電體、導電屏蔽之管形部及凸緣部，暨各構件間的連結與位置關係，系爭專利請求項1 至19並無任何界定「聚焦環」與「晶圓」間之相對位置與幾何關係，即原告主張「聚焦環」與「晶圓」間無形成「階差」，暨「凸緣部」不會緊鄰「晶圓邊緣」等幾何關係。準此，解釋系爭專利申請專利範圍時，自不得將系爭專利圖式揭露之內容，即原告主張「聚焦環」與「晶圓」間無形成「階差」，暨「凸緣部」不會緊鄰「晶圓邊緣」等幾何關係，加入請求項1 至19所界定「聚焦環」技術特徵中，而限縮系爭專利之申請專利範圍。

(2)參加人於系爭專利舉發階段補充之附件2 ，即1991年1 月23日申請，1993年5 月25日公告之美國第5,213,658 號專利案；附件3 即1995年3 月24日申請，1996年5 月28日公告之美國第5,520,142 號專利案；附件4 即1995年3 月3日申請，1998年7 月21公告之美國第5,783,492 號專利案；附件5 即1994年10月20日申請，1996年11月5 日公告之美國第5,571,366 號專利案；附件6 即1994年10月4 日申請，1996年6 月25日公告之美國第5,529,657 號專利案；暨附件8 即1996年4 月19日申請，1998年2 月10日公告之美國第5,716,486 號專利案，該美國專利案之說明書及圖式所揭露「聚焦環」，均與「晶圓或基材」間形成有「階差」幾何關係，且該等專利案之申請日與公告日均早於系爭專利申請日。準此，足可佐證系爭專利申請日時，就熟習系爭專利技術者即電漿處理裝置技術領域，所具有之既有知識或技術而言，並不會認為「聚焦環」與「晶圓或基材」間不存在有「階差」幾何關係。

(3)系爭專利說明書第5 頁第22至23行雖記載：一聚焦環典型地提供於整個基材表面之處理均勻性之改良。暨第6 頁第3 至5 行記載：在第2 圖中，聚焦環(108) 之出現允許等電位場線，被大致均勻地安置於基材之整個表面上，藉以允許蝕刻以均勻方式於整個基材上進行，是聚焦環係用以於整個基材表面上均勻地進行電漿蝕刻處理。然由證據2說明書第2 欄第31至35行揭示先前技術藉由窄間隙成形元件(19)，可使得放電現象均勻地集中在電極(2) 上，而證據2 係藉由改良先前技術的窄間隙成形元件及接地罩(12)結構，以改善先前技術中之空間(16)壓力問題。故證據2之絕緣構件(11)、接地罩(12)及環狀覆蓋環(13)所構成之結構，亦與先前技術之窄間隙成形元件同樣可使得放電現象均勻地集中在電極上，即電極上所承載之晶圓(5) 可均勻地進行電漿蝕刻處理，故證據2 「絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構」，其與系爭專利之「聚焦環」係同為用以於整個基材或晶圓表面上，均勻地進行電漿蝕刻處理。職是，系爭專利請求項1 至19未界定「聚焦環」與「晶圓或基材」間之相對位置與幾何關係，且證據2 具有與系爭專利之「聚焦環」同為用以於整個基材表面上均勻地進行電漿蝕刻處理之結構，足證證據2 揭示系爭專利請求項1 至19「聚焦環」技術特徵。

（三）證據3 可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具新穎性：

1.證據3可證明系爭專利請求項1不具新穎性：

(1)由證據3 之圖4 、說明書第1 頁之目的段記載：有關於一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，目的在於能使平行平板之間隔充分大，且能均勻而有效率地進行處理，能防止污染物質之產生。說明書第1 頁之構成段記載：一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，係RF電極即高頻施加電極(1) 與對向電極(2) 以形成平行平板之方式面對面，將RF電極之周圍用接地罩(10)隔著絕緣物(9) 包圍。此外，在接地罩設置有比形成RF電極之平行平板之面(12)朝對向電極側更突出之延長部(10a) 。說明書第4 頁第0026段記載：圖4 及圖3 之絕緣物延長部(9a)上方所設置之接地罩延長部或圖2 之接地罩延長部等係高純度之鋁板，倘因鋁等金屬露出而使製程發生不妥當之情形時，亦可用SiO2或SiN等以覆蓋接地罩延長部之表面。準此，證據3 之高頻電漿處理裝置，等同系爭專利請求項1 之電漿處理室，由絕緣物、接地罩、接地罩延長部及SiO2或SiN 等，以覆蓋接地罩延長部之表面所形成之結構，等同系爭專利請求項1 之聚焦環組件，係包圍其高頻電漿處理裝置之靜電吸盤(3)，等同系爭專利請求項1 之吸盤，且結構係可提供被處理部材(4) 均勻而有效率地進行電漿處理，即提供處理部材表面均勻之電位場線以進行電漿蝕刻處理，故系爭專利請求項1 「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤」技術特徵，已為證據3 所揭露。

(2)由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極1 與接地罩之間的絕緣物9 為鐵弗龍。第4 頁第0026段第5 至6 行記載：亦可用SiO2或SiN 等以覆蓋接地罩延長部之表面。是證據3 已揭示形成絕緣物之材料為鐵弗龍，用以覆蓋接地罩延長部之表面材料為SiO2或SiN，而鐵弗龍、SiO2及SiN 為介電材料乃屬系爭專利申請時既有之知識，系爭專利說明書第10頁倒數第5 行至最後1行記載：環形介電體(302) 可由一合適介電材料，即石英，鋁土，氮化矽或塑膠材料。例如，鐵弗龍，聚醯亞胺，聚醚醚酮（PEEK），聚醯胺，聚醯亞胺醯胺，維士比（VESPEL）等形成。」故證據3 之絕緣物9 及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構，等同系爭專利請求項1 之環形介電體。故系爭專利請求項1「一環形介電體」技術特徵為證據3所揭露。

(3)由證據3 圖4 及說明書第2 頁第0007段記載：RF電極之周圍被接地電位之接地罩包圍。是證據3 之接地罩，等同系爭專利請求項1 之導電屏蔽，係包圍絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構，且接地罩係電氣接地於高頻電漿處理裝置內，故系爭專利請求項1 「一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於該電漿處理室內」技術特徵為證據3 所揭露。

(4)由證據3 圖4 及說明書第3 頁第0020段第4 至6 行記載：，在前述之絕緣物延長部上有接地罩之延長部延伸著。是證據3 之接地罩包含一垂直部，等同系爭專利請求項1 之管形部，暨一延長部等同系爭專利請求項1 之凸緣部，其中接地罩垂直部位於絕緣物外側，並包圍絕緣物外側，即絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構之部分，而接地罩與電氣接地於高頻電漿處理裝置內，則接地罩延長部與接地罩垂直部係為電氣相接，並形成一與接地罩垂直部相交之平面，且接地罩延長部內藏於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構內，故系爭專利請求項1 「導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部係內藏於環形介電體內」技術特徵，已為證據3 所揭露。

(5)證據3 圖4 顯示接地罩延長部與接地罩垂直部所相交之平面係相交於接地罩垂直部之上邊緣，故系爭專利請求項1「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵，為證據3 所揭露。再者證據3 之圖4 、說明書第3 頁第0020段第4 至6 行記載：在前述之絕緣物延長部上有接地罩之延長部延伸著。第4 頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等以覆蓋接地罩延長部之表面。是證據3 之絕緣物既為接地罩之垂直部及延長部所包覆，且接地罩延長部之表面覆蓋有SiO2或SiN ，則接地罩之垂直部之上邊緣，係定位於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構之上表面及下表面間，故系爭專利請求項1 「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項1 不具新穎性。

2.證據3可證明系爭專利請求項2不具新穎性：

(1)系爭專利請求項2 具有與請求項1 相同「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤，包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部係內藏於環形介電體內」技術特徵，而由系爭專利請求項1 與證據3 比對可知，技術特徵已為證據3 所揭露，故系爭專利請求項2 之技術特徵，亦為證據3所揭露。

(2)證據3 之圖4 明確顯示接地罩延長部(10a) 與接地罩垂直部所相交之平面，係與接地罩垂直部之縱軸形成一90度角，故系爭專利請求項2 「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵為證據3 所揭露。準此，系爭專利請求項2 界定之所有技術特徵，已均為證據3 所揭露，是證據3 可證明系爭專利請求項2 不具新穎性。

3.證據3可證明系爭專利請求項3不具新穎性：

(1)系爭專利請求項3 具有與請求項1 相同「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤，包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，而由系爭專利請求項1 與證據3 比對可知，技術特徵已為證據3所揭露，故系爭專利請求項3 之技術特徵，亦為證據3 所揭露。

(2)證據3之絕緣物(9)，等同系爭專利請求項3之第二環形部，暨覆蓋接地罩延長部(10a) 表面之SiO2或SiN ，等同系爭專利請求項3之第一環形部，其所形成之結構等同系爭專利請求項3 之環形介電體，而由證據3 圖4 可知絕緣物9 之一部分即絕緣物外側，係被接地罩(10)之垂直部所包圍，且由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1) 與接地罩之間的絕緣物為鐵弗龍。第4 頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等以覆蓋接地罩延長部10a 之表面。是覆蓋接地罩延長部表面之材料為SiO2或SiN 等材料形成，等同系爭專利請求項3 之第一介電材料形成，而絕緣物由不同於SiO2或SiN 等材料之鐵弗龍形成，等同系爭專利請求項3 之第二介電材料。而鐵弗龍、SiO2及SiN 等材料均為介電材料，乃屬系爭專利申請時既有之知識，故系爭專利請求項3 「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項3 不具新穎性。

4.證據3可證明系爭專利請求項4不具新穎性：由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1)與接地罩之間的絕緣物(9) 為鐵弗龍。第4頁第0026段第5至6行記載：可用SiO2或SiN等來覆蓋接地罩延長部之表面。是覆蓋接地罩延長部(10a)表面之材料係為SiO2或SiN 等介電材料形成，而絕緣物由鐵弗龍形成，而鐵弗龍、SiO2及SiN 等材料均為介電材料並具有一介電常數，乃屬系爭專利申請時既有之知識，且鐵弗龍具有較SiO2及SiN 等材料之介電常數，等同系爭專利請求項4 之第一介電常數，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項4之第二介電常數，乃為鐵弗龍之材料本身特性，系爭專利說明書第14頁第4 至6 行記載：第二環形介電部(302b)可由如鐵弗龍之塑膠材料作成，其介電常數係較第一環形介電部(302a)之介電材料者更接近真空。故系爭專利請求項4之附屬技術特徵為證據3 所揭露。而系爭專利請求項4所依附之請求項3 的所有技術特徵為證據3 所揭露。職是，，證據3可證明系爭專利請求項4不具新穎性。

5.證據3可證明系爭專利請求項5不具新穎性：證據3 說明書第4 頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等以覆蓋接地罩延長部(10a) 表面。而SiO2或SiN等材料均屬可形成陶瓷之材料，故系爭專利請求項5 之附屬技術特徵為證據3 所揭露。系爭專利請求項5 所依附之請求項4 的所有技術特徵為證據3 所揭露。職是，證據3可證明系爭專利請求項5 不具新穎性。

6.證據3可證明系爭專利請求項6不具新穎性：由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1) 與接地罩之間的絕緣物(9) 為鐵弗龍。證據3 之絕緣物係由鐵弗龍形成，故系爭專利請求項6之附屬技術特徵為證據3 所揭露。而系爭專利請求項6 所依附之請求項4之所有技術特徵，已為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項6 不具新穎性。

7.證據3可證明系爭專利請求項7不具新穎性：

(1)證據3 係一種高頻電漿處理裝置，等同系爭專利請求項7之電漿處理室，其係用以對一被處理部材(4) 進行電漿處理，等同系爭專利請求項7 之基材，故系爭專利請求項7「一種電漿處理室，架構以處理一基材」技術特徵，為證據3 所揭露。

(2)由證據3 之圖4 可知，證據3 之靜電吸盤(3) ，等同系爭專利請求項7的吸盤，係於進行電漿處理時，支撐被處理部材，故系爭專利請求項7「一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材」技術特徵為證據3所揭露。

(3)由證據3之圖4、說明書第1頁目的段記載：有關於一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，目的在於能使平行平板之間隔充分大，且能均勻而有效率地進行處理，能防止污染物質之產生。說明書第1 頁之構成段記載：一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，係RF電極(1) 與對向電極(2) 以形成平行平板之方式面對面，將RF電極之周圍用接地罩(10)隔著絕緣物(9) 包圍。此外，於該接地罩設置有比形成RF電極之平行平板之面(12)朝對向電極側更突出之延長部(10a)。說明書第4 頁第0026段記載：圖4 及圖3 之絕緣物延長部(9a)上方所設置之接地罩延長部或圖2 之接地罩延長部等係高純度的鋁板，倘因鋁等金屬露出而使製程發生不妥當之情形時，可用SiO2或SiN 等以覆蓋接地罩延長部之表面。在證據3之高頻電漿處理裝置中，由絕緣物、接地罩、接地罩延長部及SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部表面所形成之結構，等同系爭專利請求項7 的聚焦環組件，係包圍其高頻電漿處理裝置之靜電吸盤(3)，且結構係可提供被處理部材 均勻而有效率地進行電漿處理，故系爭專利請求項7 「一聚焦環組件實際包圍該吸盤」技術特徵，已為證據3所揭露。

(4)由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極與接地罩間之絕緣物為鐵弗龍。第4 頁第0026段第5 至6行記載：可用SiO2或SiN 等以覆蓋接地罩延長部之表面。是證據3 已揭示形成絕緣物之材料為鐵弗龍，用以覆蓋接地罩延長部表面之材料為SiO2或SiN ，而鐵弗龍、SiO2及SiN 為介電材料，乃屬系爭專利申請時既有之知識，系爭專利說明書第10頁倒數第5 行至最後1 行記載：環形介電體(302) 可由一合適介電材料，即石英、鋁土、氮化矽或塑膠材料。例如，鐵弗龍，聚醯亞胺，聚醚醚酮（PEEK），聚醯胺，聚醯亞胺醯胺，維士比（VESPEL）等形成。是證據3 之絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構，等同系爭專利請求項7 之環形介電體，故系爭專利請求項7 「一環形介電體」技術特徵，為證據3 所揭露。

(5)由證據3 圖4 及說明書第2 頁第0007段記載：RF電極之周圍被接地電位的接地罩包圍。證據3 之接地罩，等同系爭專利請求項7 的導電屏蔽，係包圍絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構，且接地罩係電氣接地於高頻電漿處理裝置內，故系爭專利請求項7 「一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內」技術特徵，為證據3 所揭露。

(6)由證據3 圖4 及說明書第3 頁第0020段第4 至6 行記載：在前述的絕緣物延長部上有接地罩之延長部延伸著。是證據3 之接地罩包含一垂直部，等同系爭專利請求項7 之管形部，暨一延長部等同系爭專利請求項7之凸緣部，其中接地罩垂直部係位於絕緣物外側，並包圍絕緣物外側，而接地罩既電氣接地於高頻電漿處理裝置內，則接地罩延長部與接地罩垂直部係為電氣相接，並形成一與接地罩垂直部相交之平面，且接地罩延長部係內藏於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構內，故系爭專利請求項7「導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵為證據3所揭露。

(7)證據3 圖4 即明確顯示接地罩延長部與接地罩垂直部所相交之平面，係相交於接地罩垂直部之上邊緣，故系爭專利請求項7 「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵為證據3 所揭露。

(8)證據3之圖4、說明書第3頁第0020段第4至6行記載：在前述之絕緣物延長部上有接地罩之延長部延伸著。第4頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等以覆蓋接地罩延長部之表面。是證據3之絕緣物既為接地罩之垂直部及延長部所包覆，且接地罩延長部之表面覆蓋有SiO2或SiN，則接地罩之垂直部之上邊緣，係定位於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成結構之上表面及下表面間，故系爭專利請求項7「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據3 所揭露。職是，證據3可證明系爭專利請求項7不具新穎性。

8.證據3可證明系爭專利請求項8不具新穎性：

(1)系爭專利請求項8 具有與請求項7 相同「一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材及一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，而由系爭專利請求項7 與證據3 比對可知，技術特徵已為證據3 所揭露，故系爭專利請求項8 技術特徵亦為證據3 所揭露。

(2)證據3 圖4 即明確顯示接地罩延長部與接地罩垂直部所相交之平面，係與接地罩垂直部之縱軸形成一90度角，故系爭專利請求項8 「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵為證據3 所揭露。職是，系爭專利請求項8 界定之所有技術特徵已均為證據3 所揭露，故證據3 可證明系爭專利請求項8 不具新穎性。

9.證據3可證明系爭專利請求項9不具新穎性：

(1)系爭專利請求項9 具有與請求項7 相同「一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材及一聚焦環組件實際包圍該吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，而由系爭專利請求項7 與證據3 比對可知，技術特徵已為證據3 所揭露，故系爭專利請求項9 之術特徵亦為證據3所揭露。

(2)證據3 之絕緣物(9) 及覆蓋接地罩延長部(10a) 表面之SiO2或SiN 所形成之結構，等同系爭專利請求項9 之環形介電體，而由證據3 之圖4 可知絕緣物之一部係被接地罩(10)之垂直部所包圍，且由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1) 與接地罩間的絕緣物為鐵弗龍。第4 頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等以覆蓋接地罩延長部之表面。是覆蓋接地罩延長部表面之材料係為SiO2或SiN 等材料形成，而絕緣物由不同於SiO2或SiN 等材料之鐵弗龍形成，鐵弗龍、SiO2及SiN 等材料均為介電材料，屬系爭專利申請時既有之知識，故系爭專利請求項9 「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，第二環形部之一部被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項9 不具新穎性。

10.證據3可證明系爭專利請求項10不具新穎性：由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1) 與接地罩之間的絕緣物(9) 為鐵弗龍。第4 頁第0026 段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部(10a) 表面。是覆蓋接地罩延長部表面之材料係為SiO2或SiN 等介電材料形成，而絕緣物由鐵弗龍形成，鐵弗龍、SiO2及SiN 等材料均為介電材料，並具有一介電常數，屬系爭專利申請時既有之知識，且鐵弗龍具有較SiO2及SiN 等材料之介電常數接近真空之介電常數，乃為鐵弗龍之材料本身特性。系爭專利說明書第14頁第4 至6 行記載：第二環形介電部(302b)可由鐵弗龍之塑膠材料作成，其介電常數係較第一環形介電部(302a)之介電材料者更接近真空。故系爭專利請求項10之附屬技術特徵為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項10不具新穎性。

11.證據3可證明系爭專利請求項11不具新穎性：證據3 說明書第4 頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部(10a) 表面。而SiO2或SiN等材料均屬可形成陶瓷之材料，故系爭專利請求項11之附屬技術特徵為證據3 所揭露。而系爭專利請求項11所依附之請求項10的所有技術特徵為證據3 所揭露。職是，證據3可證明系爭專利請求項11不具新穎性。

12.證據3可證明系爭專利請求項12不具新穎性：由證據3 說明書第3頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1)與接地罩之間的絕緣物(9) 為鐵弗龍。證據3 之絕緣物9 由鐵弗龍形成，故系爭專利請求項12之附屬技術特徵為證據3 所揭露。而系爭專利請求項12所依附之請求項10的所有技術特徵為證據3 所揭露。職是，證據3可證明系爭專利請求項12不具新穎性。

13.證據3可證明系爭專利請求項14不具新穎性：

(1)由證據3 之圖4 、說明書第1 頁目的段記載：有關於一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，目的在於能使平行平板之間隔充分大，且能均勻而有效率地進行處理，能防止污染物質之產生。說明書第1 頁之構成段記載：一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，係RF電極(1) 與對向電極(2)以形成平行平板之方式面對面，將該RF電極之周圍用接地罩(10)隔著絕緣物(9) 包圍。此外，接地罩設置有比形成該RF電極之平行平板的面(12)朝對向電極側更突出的延長部(10a) 。說明書第4 頁第0026段記載：圖4 及圖3 之絕緣物延長部(9a)上方所設置之接地罩延長部或圖2之接地罩延長部等係高純度之鋁板，倘因鋁等金屬露出而使製程發生不妥當之情形時，可用SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部表面。證據3 的高頻電漿處理裝置中，由絕緣物、接地罩、接地罩延長部及SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部表面所形成之結構，係包圍其高頻電漿處理裝置之靜電吸盤3 ，且結構係可提供被處理部材(4) 均勻而有效率地進行電漿處理，故系爭專利請求項14「一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤」技術特徵，為證據3 所揭露。

(2)由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極與接地罩之間絕緣物為鐵弗龍。第4 頁第0026段第5 至6行記載：可用SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部之表面。證據3 已揭示形成絕緣物之材料為鐵弗龍，用以覆蓋接地罩延長部表面之材料為SiO2或SiN ，鐵弗龍、SiO2及SiN為介電材料乃屬系爭專利申請時既有之知識，系爭專利說明書第10頁倒數第5 行至最後1 行記載：環形介電體(302可由一合適介電材料，即石英、鋁土、氮化矽或塑膠材料。例如，鐵弗龍，聚醯亞胺，聚醚醚酮（PEEK），聚醯胺，聚醯亞胺醯胺，維士比（VESPEL）等形成。準此，證據3 之絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構，即等同系爭專利請求項14的環形介電體，故系爭專利請求項14「提供一環形介電體」技術特徵，為證據3所揭露。

(3)由證據3 圖4 及說明書第2 頁第0007段記載：「RF電極周圍被接地電位之接地罩包圍。是證據3 之接地罩係包圍絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構，且接地罩係電氣接地於高頻電漿處理裝置內，故系爭專利請求項14「以一導電屏蔽包圍環形介電體」技術特徵，為證據3 所揭露。

(4)由證據3 之圖4 及說明書第3 頁第0020段第4 至6 行記載：在前述絕緣物延長部上有接地罩之延長部延伸著。是證據3 之接地罩包含一垂直部及一延長部，其中接地罩垂直部係位於絕緣物外側，並包圍絕緣物外側，而接地罩既電氣接地於高頻電漿處理裝置內，則接地罩延長部與接地罩垂直部，係為電氣相接並形成一與接地罩垂直部相交之平面，且接地罩延長部內藏於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構內，故系爭專利請求項14「其包含以導電屏蔽之管形部分包圍環形介電體之一部，管形部係安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣係與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交」技術特徵，為證據3 所揭露。

(5)證據3 之圖4 顯示接地罩延長部與接地罩垂直部所相交之平面，係相交於接地罩垂直部之上邊緣，故系爭專利請求項14「其中平面管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵，為證據3 所揭露。

(6)證據3 之圖4 、說明書第3 頁第0020段第4 至6 行記載：在前述絕緣物延長部上有接地罩之延長部延伸著。第4頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等以覆蓋接地罩延長部之表面。是證據3 之絕緣物既為接地罩之垂直部及延長部所包覆，且接地罩延長部之表面係覆蓋有SiO2或SiN ，則接地罩之垂直部之上邊緣，定位於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構之上表面及下表面間，故系爭專利請求項14「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項14不具新穎性。

14.證據3可證明系爭專利請求項15不具新穎性：

(1)系爭專利請求項15具有與請求項14相同「一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤，方法包含以下步驟：提供一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，其包含以導電屏蔽之管形部分包圍環形介電體之一部，管形部係安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣係與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交」技術特徵，而由系爭專利請求項14與證據3 比對可知，技術特徵已為證據3 所揭露，故系爭專利請求項15之技術特徵亦為證據3 所揭露。

(2)證據3 之圖4 顯示接地罩延長部(10a) 與接地罩垂直部所相交之平面與接地罩垂直部之縱軸形成一90度角，故系爭專利請求項15「其中平面與該管形部之縱軸形成一90 度角」技術特徵，為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項15不具新穎性。

15.證據3可證明系爭專利請求項16不具新穎性：

(1)系爭專利請求項16具有與請求項14相同「一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤，方法包含以下步驟：提供一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，其包含以導電屏蔽之管形部分包圍該環形介電體之一部，管形部安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣係與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交」技術特徵，而由系爭專利請求項14與證據3 比對可知，技術特徵已為證據3 所揭露，故系爭專利請求項16之技術特徵，亦為證據3 所揭露。

(2)證據3 之絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構，等同系爭專利請求項16之環形介電體，而由證據3 圖4 可知絕緣物(9) 之一，係被接地罩10之垂直部所包圍，且由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1) 與接地罩之間的絕緣物為鐵弗龍。第4 頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部之表面。是覆蓋接地罩延長部表面之材料為SiO2或SiN 等材料形成，而絕緣物9 係由不同於SiO2或SiN 等材料之鐵弗龍形成。鐵弗龍、SiO2及SiN 等材料均為介電材料，屬系爭專利申請時既有之知識，故系爭專利請求項16「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項16不具新穎性。

16.證據3可證明系爭專利請求項17不具新穎性：由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1) 與接地罩間之絕緣物(9) 為鐵弗龍。第4 頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部(10a) 表面。是覆蓋接地罩延長部表面之材料係為SiO2或SiN 等介電材料形成，而絕緣物由鐵弗龍形成，鐵弗龍、SiO2及SiN 等材料均為介電材料，並有一介電常數，屬系爭專利申請時既有之知識，且鐵弗龍具有較SiO2及SiN 等材料之介電常數接近真空之介電常數，乃為鐵弗龍之材料本身特性，系爭專利說明書第14頁第4 至6 行亦記載：第二環形介電部(302b)可由鐵弗龍之塑膠材料作成，其介電常數係較第一環形介電部(302a)之介電材料者，更接近真空。故系爭專利請求項17之附屬技術特徵為證據3 所揭露，而系爭專利請求項17所依附之請求項16所有技術特徵為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項17不具新穎性。

17.證據3可證明系爭專利請求項18不具新穎性：證據3 說明書第4 頁第0026段第5 至6 行記載：可用SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部(10a) 表面。而SiO2或SiN等材料均屬可形成陶瓷之材料，故系爭專利請求項18之附屬技術特徵為證據3 所揭露，系爭專利請求項18所依附之請求項17所有技術特徵，為證據3 所揭露。職是，證據3可證明系爭專利請求項18不具新穎性。

18.證據3可證明系爭專利請求項19不具新穎性：由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1) 與接地罩間之絕緣物(9) 為鐵弗龍。是證據3 之絕緣物由鐵弗龍形成，故系爭專利請求項19之附屬技術特徵為證據3 所揭露。而系爭專利請求項19所依附之請求項17所有技術特徵為證據3 所揭露。職是，證據3 可證明系爭專利請求項19不具新穎性。

19.證據3揭示系爭專利「聚焦環」技術特徵：

(1)解釋系爭專利申請專利範圍時，不得將系爭專利圖式揭露之內容加入請求項1 至19所界定「聚焦環」技術特徵中，而限縮系爭專利之申請專利範圍，且參加人於系爭專利舉發階段補充之附件2 至5 、6 及8 等美國專利案，已足可佐證系爭專利申請日即88年6 月23日時，就熟習系爭專利技術者所具有之既有知識或技術而言，並不會認為「聚焦環」與「晶圓或基材」間不存在有「階差」幾何關係。

(2)由證據3 說明書第1 頁目的段記載：有關於一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，目的在於能使平行平板之間隔充分大，且能均勻而有效率地進行處理，能防止污染物質之產生。是在證據3 之高頻電漿處理裝置中，由絕緣物(9)、接地罩(10)、接地罩延長部(10a) 及SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部表面所形成之結構，其可提供被處理部材(4)均勻而有效率地進行處理，故證據3具有與系爭專利之「聚焦環」同為用以於整個基材或晶圓表面上均勻地進行電漿蝕刻處理之結構。職是，系爭專利請求項1 至19 並無任何界定「聚焦環」與「晶圓或基材」間之相對位置與幾何關係，且證據3 具有與系爭專利之「聚焦環」同為用以於全部基材表面上均勻地進行電漿蝕刻處理之結構，故證據3 揭示系爭專利請求項1 至19「聚焦環」技術特徵。

20.證據3揭露系爭專利「內藏凸緣」技術特徵：由證據3 說明書第4 頁第0026段記載：圖4 及圖3 之絕緣物延長部(9a)上方所設置之接地罩延長部(10a) 或圖2 之接地罩延長部等係高純度的鋁板，倘因鋁等金屬露出而使製程發生不妥當的情形時，可用SiO2或SiN 等來覆蓋接地罩延長部表面。是證據3 係為避免鋁等金屬露出而使製程發生不妥當之情形，而利用SiO2或SiN 等材料覆蓋於接地罩延長部之表面，故熟習系爭專利技術者，顯可直接得知SiO2或SiN 等材料係完全覆蓋於接地罩延長部之表面，使接地罩延長部內藏於絕緣物，暨覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN 所形成之結構內，否則將無法達到避免接地罩延長部露出的目的，是證據3 揭露系爭專利「內藏凸緣」技術特徵。

21.證據3 揭露系爭專利「第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵：證據3 之絕緣物(9) 等同於系爭專利請求項3 、9 及16「第二環形部」，且由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4行記載：RF電極(1)與接地罩間之絕緣物(9)為鐵弗龍。是證據3 之絕緣物由鐵弗龍之介電材料所形成。故證據3揭露系爭專利請求項3 、9 及16「第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵。

22.證據3 揭露系爭專利「第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數」技術特徵：由證據3 說明書第3 頁第0022段第3 至4 行記載：RF電極(1) 與接地罩間之絕緣物(9) 為鐵弗龍。是證據3 之絕緣物由鐵弗龍之介電材料所形成，而鐵弗龍之介電材料具有較SiO2之介電材料接近真空之介電常數，為系爭專利申請時既有之知識，故證據3 揭露系爭專利請求項4 、10及17「第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數」技術特徵。

23.證據3 揭露系爭專利「第一介電材料是陶瓷」技術特徵：系爭專利請求項5、11及18「陶瓷」係一上位概念，而證據3 揭示之SiO2或SiN 等材料為下位概念，均屬可形成陶瓷之材料，故證據3 揭露系爭專利請求項5 、11及18「第一介電材料是陶瓷」技術特徵。

（四）證據2 與3 之組合可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性：

1.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項1不具進步性：

(1)系爭專利請求項1 與證據2 比對可知，由證據2 說明書第4 欄第58至59行記載圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) 可各自分別方式形成之內容，雖無法直接得知系爭專利請求項1 「其中平面與管形部相交於該管形部之上邊緣」技術特徵。然由系爭專利說明書第12頁倒數第6 行至最後1 行記載：向內突出凸緣(304b)雖係被示出形成相對於第3 圖之導電屏蔽之管狀部(304a)之縱軸呈一90度，然兩者相交之精確角度並非重要。同理，即使向內部被示出連接至管形部之上邊緣，可想出此連接得相對於管形部為較高或較低。故系爭專利係藉由導電屏蔽之管形部包圍環形介電體之一部，導電屏蔽之凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽之管形部與電漿處理室的室壁間之功效，而結構為證據2 之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2 同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室的室壁間之功效，且管形部與凸緣部相交於管形部之上邊緣，為系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項1 相較於證據2 未有突出的功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 可證明系爭專利請求項1 不具進步性。

(2)系爭專利請求項1 與證據3 比對可知，系爭專利請求項1界定之所有技術特徵，均為證據3 所揭露。故證據3 具有與系爭專利請求項1 之聚焦環組件相同之結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室室壁間之功效。職是，系爭專利請求項1 相較於證據3未有突出的功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據3 可證明系爭專利請求項1 不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項1 不具進步性，可認證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項1 不具進步性。

2.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項2不具進步性：

(1)系爭專利請求項2 與證據2 比對可知，由證據2 說明書第4 欄第58至59行記載圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) 可各自分別方式形成之內容，雖無法直接得知系爭專利請求項2 「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵。然由系爭專利說明書第12頁倒數第6 行至最後1 行記載：向內突出凸緣(304b)雖係被示出形成相對於第3 圖之導電屏蔽之管狀部(304a)之縱軸呈一90度，然兩者相交之精確角度並非重要。同理，即使向內部被示出連接至管形部之上邊緣，惟可想出此連接得以相對於管形部為較高或較低。故系爭專利係藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2 之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2 同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室之室壁間功效，且管形部與凸緣部相交之平面與管形部之縱軸形成一90度角，為乃系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項2 相較於證據2 未有突出之功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 可證明系爭專利請求項2 不具進步性。

(2)系爭專利請求項2 與證據3 比對可知，系爭專利請求項2界定之所有技術特徵，均為證據3 所揭露，故證據3 具有與系爭專利請求項2 之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項2 相較於證據3 未有突出之功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據3 可證明系爭專利請求項2 不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項2 不具進步性，故證據2 與3 之組合自亦可證明系爭專利請求項2 不具進步性。

3.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項3不具進步性：系爭專利請求項3 分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項3 界定之所有技術特徵，均為證據2 及3 所揭露，故證據2 及3 均具有與系爭專利請求項3 之聚焦環組件相同之結構，亦均具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項3 相較於證據2 及3 未有突出之功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項3 不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項3 不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項3不具進步性。

4.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項4不具進步性：系爭專利請求項4 分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項4 界定之附屬技術特徵已為證據2 及3 所揭露。而系爭專利請求項4 相較於請求項3 增加降低聚焦環配置內之電氣壓力功效，而證據2 之絕緣構件(11)及證據3 之絕緣物(9) 均由鐵弗龍之介電材料形成，且鐵弗龍之介電材料具有接近真空之介電常數，故證據2 及3 均可產生與系爭專利請求項4 相同之降低聚焦環配置內之電氣壓力功效。系爭專利請求項4 所依附之請求項3 不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2 及3 所揭露，且系爭專利請求項4 的功效見於證據2 及3 。職是，系爭專利請求項4 相較於證據2 及3 未有突出之功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項4 不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項4 不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項4 不具進步性。

5.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項5不具進步性：系爭專利請求項5 分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項5 界定之附屬技術特徵，已為證據2 及3 所揭露。而系爭專利請求項5 相較於請求項4 增加以陶瓷形成第一環形部之功效，證據2 之環狀覆蓋環(13)及證據3 之覆蓋接地罩延長部(10a) 表面之材料均由陶瓷材料形成，是證據2及3均具有與系爭專利請求項5相同之以陶瓷形成第一環形部功效。而系爭專利請求項5 所依附之請求項4 不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2 及3 所揭露，且系爭專利請求項5 的功效見於證據2 及3 。職是，系爭專利請求項5 相較於證據2 及3 未有突出的功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項5 不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項5 不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項5 不具進步性。

6.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項6不具進步性：系爭專利請求項6 分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項6 界定之附屬技術特徵已為證據2 及3 所揭露。而系爭專利請求項6 相較於請求項4 增加以鐵弗龍形成第二環形部之功效，證據2 之絕緣構件(11)及證據3 之絕緣物(9) 均由鐵弗龍形成，故證據2 及3 均具有與系爭專利請求項6相同之以鐵弗龍形成第二環形部的功效。而系爭專利請求項6 所依附之請求項4 不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2 及3 所揭露，且系爭專利請求項6 之功效見於證據2 及3 。職是，系爭專利請求項6 相較於證據2 及3 未有突出的功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項6 不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項6 不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項6 不具進步性。

7.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項7不具進步性：

(1)系爭專利請求項7 與證據2 比對可知，證據2 說明書第4欄第58至59行記載圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) 可各自分別方式形成之內容，雖無法直接得知系爭專利請求項7 「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵。然由系爭專利說明書第12頁倒數第6 行至最後1 行記載：向內突出凸緣(304b)雖係被示出形成相對於第3 圖之導電屏蔽之管狀部(304a)之縱軸呈一90度，然兩者相交之精確角度非重要。同理，即使向內部被示出連接至管形部之上邊緣，然可想出此連接得以相對於管形部為較高或較低。是系爭專利係藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2 之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，故證據2 同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室的室壁間之功效，且管形部與凸緣部相交於管形部之上邊緣，為系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項7 相較於證據2 未有突出之功效，其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 可證明系爭專利請求項7不具進步性。

(2)系爭專利請求項7 與證據3 比對可知，系爭專利請求項7界定之所有技術特徵，均為證據3 所揭露，故證據3 具有與系爭專利請求項7 之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項7 相較於證據3 未有突出之功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據3 可證明系爭專利請求項7 不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項7 不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項7 不具進步性。

8.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項8不具進步性：

(1)系爭專利請求項8 與證據2 比對可知，由證據2 說明書第4 欄第58至59行記載圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) 可各自分別方式形成之內容，雖無法直接得知系爭專利請求項8 「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵。然由系爭專利說明書第12頁倒數第6 行至最後1 行記載：向內突出凸緣(304b)雖係被示出形成相對於第3 圖之導電屏蔽之管狀部(304a)之縱軸呈一90度，然兩者相交之精確角度非重要。同理，即使向內部被示出連接至管形部之上邊緣，然可想出此連接得以相對於管形部為較高或較低。故系爭專利藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2 之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2 同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室的室壁間之功效，且管形部與凸緣部相交之平面與管形部之縱軸形成一90度角，乃系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項8 相較於證據2 未有突出的功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 可證明系爭專利請求項8 不具進步性。

(2)系爭專利請求項8 與證據3 比對可知，系爭專利請求項8界定之所有技術特徵，已均為證據3 所揭露，故證據3 具有與系爭專利請求項8 之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。準此，系爭專利請求項8 相較於證據3 未有突出之功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據3 可證明系爭專利請求項8 不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項8 不具進步性，是證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項8 不具進步性。

9.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項9不具進步性：系爭專利請求項9 分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項9 界定之所有技術特徵，已均為證據2 及3 所揭露，故證據2 及3 均具有與系爭專利請求項9 之聚焦環組件相同結構，亦均具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項9 相較於證據2 及3 未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項9 不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項9 不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項9不具進步性。

10.證據2 與3 之組合可證明系爭專利請求項10不具進步性：系爭專利請求項10分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項10界定之附屬技術特徵已為證據2 及3 所揭露。而系爭專利請求項10相較於請求項9 增加降低聚焦環配置內之電氣壓力功效，而證據2 之絕緣構件(11)及證據3 之絕緣物(9) 均由鐵弗龍之介電材料形成，且鐵弗龍之介電材料具有接近真空之介電常數，故證據2 及3 均可產生與系爭專利請求項10相同之降低聚焦環配置內之電氣壓力功效。而系爭專利請求項10所依附之請求項9 不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2 及3 所揭露，且系爭專利請求項10的功效見於證據2 及3 。準此，系爭專利請求項10相較於證據2 及3 未有突出的功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，是證據2 及3 均可證明系爭專利請求項10不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項10不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項10不具進步性。

11.證據2 與3 之組合可證明系爭專利請求項11不具進步性：系爭專利請求項11分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項11界定之附屬技術特徵，已為證據2 及3 所揭露。而系爭專利請求項11相較於請求項10增加以陶瓷形成第一環形部之功效，證據2 之環狀覆蓋環(13)及證據3 之覆蓋接地罩延長部(10a) 表面材料均由陶瓷材料形成，故證據2 及3 均具有與系爭專利請求項11相同之以陶瓷形成第一環形部功效。而系爭專利請求項11所依附之請求項10不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2 及3 所揭露，且系爭專利請求項11的功效見於證據2 及3 。準此，系爭專利請求項11相較於證據2 及3 未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項11不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項11不具進步性，是證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項11不具進步性。

12.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項12不具進步性：系爭專利請求項12分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項12界定之附屬技術特徵已為證據2 及3 所揭露。而系爭專利請求項12相較於請求項10增加以鐵弗龍形成第二環形部之功效，而證據2 之絕緣構件11及證據3 之絕緣物(9) ，均由鐵弗龍形成，是證據2 及3 均具有與系爭專利請求項12相同之以鐵弗龍形成第二環形部功效。系爭專利請求項12所依附之請求項10不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2 及3 所揭露，且系爭專利請求項12之功效見於證據2 及3 。職是，系爭專利請求項12相較於證據2 及3 未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3均可證明系爭專利請求項12不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項12不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項12不具進步性。

13.證據2 與3 之組合可證明系爭專利請求項14不具進步性：

(1)系爭專利請求項14與證據2 比對可知，由證據2 說明書第4 欄第58至59行記載圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) 可各自分別方式形成之內容，雖無法直接得知系爭專利請求項14「其中平面管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵。然由系爭專利說明書第12頁倒數第6 行至最後1 行記載：「向內突出凸緣(304b)雖係被示出形成相對於第3 圖之導電屏蔽之管狀部(304a)之縱軸呈一90度，固兩者相交之精確角度非重要。同理，即使向內突出凸緣被示出連接至管形部之上邊緣，然可想出此連接得以相對於管形部為較高或較低。是系爭專利係藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2 之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2 同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室之室壁間功效，且管形部與凸緣部相交於管形部之上邊緣，乃系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項14相較於證據2 未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 可證明系爭專利請求項14不具進步性。

(2)系爭專利請求項14與證據3 比對可知，系爭專利請求項14界定之所有技術特徵，已均為證據3 所揭露，是證據3 具有與系爭專利請求項14之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽的管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項14相較於證據3未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據3 可證明系爭專利請求項14不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項14不具進步性，則證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項14不具進步性。

14.證據2 與3 之組合可證明系爭專利請求項15不具進步性：

(1)系爭專利請求項15與證據2 比對可知，由證據2 說明書第4 欄第58至59行記載圓柱部(12a) 及環狀延伸部(12b) 可各自分別方式形成之內容，雖無法直接得知系爭專利請求項15「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵。然由系爭專利說明書第12頁倒數第6 行至最後1 行記載：向內突出凸緣(304b)雖被示出形成相對於第3 圖之導電屏蔽之管狀部(304a)之縱軸呈一90度，然兩者相交之精確角度非重要。同理，即使向內突出凸緣被示出連接至管形部之上邊緣，然可想出此連接得以相對於管形部為較高或較低。故系爭專利係藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2 之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2 同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室的室壁間之功效，且管形部與凸緣部相交之平面與管形部之縱軸形成一90度角，乃系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項15相較於證據2 未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 可證明系爭專利請求項15不具進步性。

(2)系爭專利請求項15與證據3 比對可知，系爭專利請求項15界定之所有技術特徵，已均為證據3 所揭露，故證據3 具有與系爭專利請求項15之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項15相較於證據3 未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據3 可證明系爭專利請求項15不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項15不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項15不具進步性。

15.證據2 與3 之組合可證明系爭專利請求項16不具進步性：系爭專利請求項16分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項16界定之所有技術特徵，已均為證據2 及3 所揭露，故證據2 及3 均具有與系爭專利請求項16之聚焦環組件相同結構，均具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項16相較於證據2 及3 未有突出的功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項16不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項16不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項16不具進步性。

16.證據2 與3 之組合可證明系爭專利請求項17不具進步性：系爭專利請求項17分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項17界定之附屬技術特徵，已為證據2 及3 所揭露。而系爭專利請求項17相較於請求項16增加降低聚焦環配置內之電氣壓力功效，而證據2 之絕緣構件(11)及證據3 之絕緣物(9) 均由鐵弗龍之介電材料形成，且鐵弗龍之介電材料具有接近真空之介電常數，故證據2 及3 均可產生與系爭專利請求項17相同之降低聚焦環配置內之電氣壓力功效。而系爭專利請求項17所依附之請求項16不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2 及3 所揭露，且系爭專利請求項17功效見於證據2 及3 。職是，系爭專利請求項17相較於證據2 及3 未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項17不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項17不具進步性，是證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項17不具進步性。

17.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項18不具進步性：系爭專利請求項18分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項18界定之附屬技術特徵已為證據2 及3 所揭露。而系爭專利請求項18相較於請求項17增加以陶瓷形成第一環形部功效，證據2 之環狀覆蓋環(13)及證據3 之覆蓋接地罩延長部(10a) 表面材料均由陶瓷材料形成，證據2 及3均具有與系爭專利請求項18相同之以陶瓷形成第一環形部功效。而系爭專利請求項18所依附之請求項17不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2 及3 所揭露，且系爭專利請求項18之功效見於證據2 及3 。職是，系爭專利請求項18相較於證據2 及3 未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項18不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項18不具進步性，是證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項18不具進步性。

18.證據2 與3 之組合可證明系爭專利請求項19不具進步性：系爭專利請求項19分別與證據2 及3 比對可知，系爭專利請求項19界定之附屬技術特徵，已為證據2 及3 所揭露。而系爭專利請求項19相較於請求項17增加以鐵弗龍形成第二環形部之功效，而證據2 之絕緣構件(11)及證據3 之絕緣物(9) 均由鐵弗龍形成，故證據2 及3 均具有與系爭專利請求項19相同之以鐵弗龍形成第二環形部之功效；而系爭專利請求項19所依附之請求項17不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2 及3 所揭露，且系爭專利請求項19之功效見於證據2 及3 。職是，系爭專利請求項19相較於證據2 及3 未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2 及3 均可證明系爭專利請求項19不具進步性。因以單一證據之證據2 及3 均可證明系爭專利請求項19不具進步性，故證據2 與3 之組合亦可證明系爭專利請求項19不具進步性。

（五）證據3 與4 之組合、證據3 與5 之組合、證據3 與6 之組合均可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性：1.因證據3 可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性，是證據3 與4 之組合亦可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性。

2.因證據3 可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性，是證據3 與5 之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。

3.因證據3 可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性，故證據3 與6 之組合自亦可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性。

（六）證據2 、3 與4 之組合；證據2 、3 與5 之組合；證據2、3 與6 均可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性：

1.因證據2 、3 或其組合均可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性，故證據2 、3 與4 之組合亦可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性。

2.因證據2 、3 或其組合均可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性，故證據2 、3 與5 之組合亦可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性。

3.因證據2 、3 或其組合均可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性，故證據2 、3 與6 之組合亦可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性。

（七）證據2 、5 與7 之組合；證據3 、5 與7 之組合均可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性：

1.因證據2 可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性，是證據2 、5 與7 之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。

2.因證據3 可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性，是證據3 、5 與7 之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。

4.原告雖主張證據3 與4 之組合、證據3 與5 之組合、證據3 與6 之組合及證據5 與7 之組合等均無法運作云云。然僅以單一證據之證據2 或證據3 即可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性，故證據3 與4 之組合；證據3 與5 之組合；證據3 與6 之組合；證據2 、5 及7 之組合；暨證據3 、5 及7 之組合，均可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性。是原告上開主張，即不可採。

（八）證據2 與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性：

1.系爭專利請求項13具有與請求項7 相同「一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材及一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體，暨一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，而由系爭專利請求項7 與證據2 比對可知，技術特徵已為證據2 所揭露，故系爭專利請求項13「一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材及一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，亦為證據2 所揭露。

2.證據2 藉由環狀接地罩(18)及環狀覆蓋環(17)所構成之結構，使得電漿僅能由窄間隙部分(4) 洩漏出晶圓(5) 之區域外，是證據2 之環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，即協助降低電漿形成於晶圓之區域外，而系爭專利請求項13「侷限環」同樣係為協助降低電漿形成於基材之區域外，且由系爭專利第1 圖及說明書第4 至6 頁記載之先前技術等內容可知，系爭專利請求項13「其中一侷限環係安置於聚焦環組件上」技術特徵，為系爭專利所載先前技術所揭露，熟習系爭專利技術者即能輕易將證據2 之環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構置換為侷限環。

3.就系爭專利請求項13之電漿處理室功效而言，其藉由聚焦環組件達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，並藉由侷限環降低電漿形成於基板區域外而改善電漿處理控制之功效。而證據2 既具有與系爭專利請求項13之聚焦環組件相同結構，亦具有與系爭專利請求項13相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室的室壁間之功效。證據2 之環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，係協助降低電漿形成於晶圓之區域外，以產生改善電漿處理控制之功效，且藉由侷限環降低電漿形成於基板區域外，而改善電漿處理控制之功效為系爭專利申請時既有之習知功效，系爭專利說明說第5 頁第4 至5 行記載：侷限環(102) 協助侷限蝕刻電漿至基材(106) 上之區域，以改良處理控制及確保重覆性，故系爭專利請求項13的功效已見於證據2 與習知功效，系爭專利請求項13之技術特徵為證據2 及系爭專利所載先前技術所揭露，且系爭專利請求項13之功效見於證據2 與習知功效。準此，系爭專利請求項13相較於證據2 及先前技術未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，是證據2 與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性。

4.原告雖主張：結合證據2 與系爭專利說明書之侷限環先前技術，將不利地增加上、下電極間之距離，且造成電漿從侷限環漏出。故熟習該項技術者無組合證據2 與系爭專利說明書之侷限環先前技術的動機云云。惟證據2藉由環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，使得電漿僅能由窄間隙部分洩漏出晶圓之區域外，是證據2 之環狀接地罩及環狀覆蓋環構成之結構，係協助降低電漿形成於晶圓之區域外，而系爭專利說明書記載之侷限環先前技術，亦協助降低電漿洩漏出基板區域外，則熟習系爭專利技術者具有將證據2 之環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構置換為侷限環之動機，且由系爭專利說明書第5 頁第5 至7 行記載：「第1圖之例子中雖只示出兩侷限環，然應可瞭解任何數量之侷限環均可提供。是在增加侷限環數量下可增加上、下電極間之距離，難謂證據2 與系爭專利說明書之侷限環先前技術並無組合動機。職是，原告上開主張，即不可採。

（九）證據3 與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性：

1.系爭專利請求項13具有與請求項7 相同「一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材及一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，而由系爭專利請求項7 與證據3 比對可知，技術特徵已為證據3 所揭露，故系爭專利請求項13之技術特徵，亦為證據3 所揭露。

2.證據3 雖不具有等同系爭專利請求項13「侷限環」構件，然在聚焦環組件上安置一侷限環，乃為系爭專利申請時既有之技術，系爭專利第1 圖及說明書第4 至6 頁記載之先前技術即已揭示聚焦環(108) 上安置一侷限環(102) ，故系爭專利請求項13「其中一侷限環係安置於聚焦環組件上」技術特徵，為系爭專利所載先前技術所揭露。

3.就系爭專利請求項13之電漿處理室功效而言，其藉由聚焦環組件達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，並藉由侷限環降低電漿形成於基板區域外而改善電漿處理控制之功效；而證據3 與系爭專利請求項13之聚焦環組件為相同結構，亦具有與系爭專利請求項13相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室的室壁間之功效。而藉由侷限環降低電漿形成於基板區域外而改善電漿處理控制之功效，為系爭專利申請時既有之習知功效，系爭專利說明說第5 頁第4 至5 行記載：侷限環協助侷限蝕刻電漿至基材(106) 上之區域，以改良處理控制及確保重覆性，系爭專利請求項13之功效已見於證據3 與習知功效，是系爭專利請求項13之技術特徵為證據3及系爭專利所載先前技術所揭露，且系爭專利請求項13之功效見於證據3與習知功效。職是，系爭專利請求項13相較於證據3及先前技術未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據3 與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性。

4.原告雖主張證據3 無電漿露出之情況下，熟悉該項技術者沒有動機再將系爭專利說明書之侷限環先前技術加入證據3 中云云。然藉由侷限環可具有協助降低電漿洩漏出基板區域外之功效，而證據3 並非使得電漿無洩漏出被處理部材(4) 區域外，故熟習系爭專利技術者具有在證據3 之高頻電漿處理裝置中加入習知之侷限環構件動機，以使得更有效協助降低電漿洩漏出被處理部材區域外。再者，系爭專利說明書第15頁第10至15行記載：用以例示本發明之電漿處理系統利用侷限環，非絕對需要。侷限環之出現協助降低洩漏出基板之區域外之帶電離子量，本發明之聚焦環配置之使用，配置包含一具有向內突出凸緣之導電接地屏蔽，同時即使侷限環未提供時，亦有利地降低未侷限電漿形成及（或）維持。是在系爭專利之聚焦環配置下，藉由侷限環可更有效協助降低電漿形成於基板之區域外，而系爭專利請求項13「聚焦環組件」技術特徵，已為證據3 所揭露，故可在證據3 之高頻電漿處理裝置中加入侷限環，以更有效協助將低電漿形成於被處理部材之區域外，難謂熟習系爭專利技術者無動機將侷限環加入證據3 之高頻電漿處理裝置中。職是，原告上開主張，即非可採。

七、綜上所述，證據2 雖無法證明系爭專利請求項1 、2 、7 、8 、14及15不具新穎性，然可證明系爭專利請求項3 至6 、9 至12及16至19不具新穎性。而證據3 可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具新穎性；證據2 與3 之組合、證據3與4 之組合、證據3 與5 之組合、證據3 與6 之組合、證據2 、3 與4 之組合、證據2 、3 與5 之組合、證據2 、3 與6 之組合、證據2 、5 與7 之組合、證據3 、5 與7 之組合，均可證明系爭專利請求項1 至12及14至19不具進步性；證據2 與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性；暨證據3 與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性。準此，被告以系爭專利違反核准時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項之規定，所為舉發成立之處分，其於法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告仍執前詞訴請撤銷原處分與訴願決定，均無理由，應予駁回。

八、本件事證已明，兩造其餘攻擊防禦方法，均與本件判決結果不生影響，爰不逐一論述，併此敘明。是原告雖聲請傳訊專家證人到庭就系爭專利與引證案之實質重大差異陳述意見等語，然本院已就系爭專利與引證案之技術特徵，就兩造爭執逐一詳究如上，自無傳訊該專家證人之必要性。

據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第二庭

附圖：