最高行政法院(含改制前行政法院)101年度判字第556號

最　高　行　政　法　院　判　決

101年度判字第556號

上訴人

美商柯林研發公司 Lam Research Corporation

代表人

George M. Schisler Jr.

訴訟代理人

陳世杰 律師

訴訟代理人

陳博建 律師

被上訴人

經濟部智慧財產局

代表人

王美花

參加人

新加坡商中微半導體設備有限公司

代表人

朱新萍

訴訟代理人

范曉玲 律師

訴訟代理人

汪家倩 律師

複代理人

吳雅貞 律師

上列當事人間發明專利舉發事件，上訴人對於中華民國100年12月29日智慧財產法院100年度行專訴字第70號行政判決，提起上訴，本院判決如下：

主文

理由

一、上訴人之前身美商泛林股份有限公司（下稱美商泛林公司）於民國88年6月23日以「於電漿處理室中大量消除未侷限電漿之聚焦環配置」向被上訴人申請發明專利，並聲明其已於西元1998年6月26日向美國提出第09/105,547號申請案，以該案主張優先權。經編為第88110578號審查，准予專利，並於公告期滿後，核發發明第126873號專利證書（下稱系爭專利）。參加人嗣於98年2月13日以系爭專利違反核准時83年1月21日修正公布之專利法第20條第1項第1款及第2項規定，對之提起舉發，上訴人旋於98年5月14日申准變更專利權人公司名稱為美商科林研發公司，並於99年1月4日之舉發答辯時提出系爭專利申請專利範圍更正本。參加人主張系爭專利更正申請專利範圍後，仍有違核准時專利法第20條第1項第1款及第2項規定。案經被上訴人審查結果，認上訴人於99年1月4日提出之系爭專利申請專利範圍更正本，符合現行專利法第64條第1項第1款及第2項之規定，應准予更正，並依該更正本審查，以系爭專利違反核准時專利法第20條第1項第1款及第2項之規定，並於100年1月20日以(100)智專三（二）04128字第10020051640號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。上訴人不服原處分，提起訴願，經遭駁回，向原審提起行政訴訟，經原審法院裁定命參加人獨立參加本件被上訴人之訴訟後，亦遭駁回，上訴人仍不服，乃提起本件上訴。

二、上訴人起訴主張：系爭專利因聚焦環之存在，使等電位場線可在晶圓表面大致均勻分佈，可改良蝕刻過程中越過晶圓表面之場線均勻性。美國第5474649號專利、第2010/0000000號申請案之先前技術中，均有論及典型之聚焦環，其實質上可延伸晶圓之邊緣，而在所有舉發證據中，均無此技術特徵。且因電漿密度與活動性於基材表面上不均勻，在靠近晶圓邊緣及晶圓中心處不同，正離子不會均勻撞擊基材表面，故證據2（即1996年3月26日公告之美國第5,502,355號「PLASMA PROCESSING APPARATUS FOR PRODUCING HIGH DENSITY PLASMA」專利案，下稱證據2，圖式如原判決附圖2所示）所揭示之結構，無法提供全部基材表面上之均勻場線，不具備聚焦環之基本要件。而證據2為抑制在全部狹縫(4)中所產生之放電，設置環狀延伸部(12b)以驅趕在狹縫中之等電位場線，以獲得極低之電漿密度，進而壓制狹縫中所產生之放電。證據2之圖3顯示，環狀延伸部非常靠近晶圓(5)之邊緣，此靠近晶圓邊緣之設置，將顯著擠壓晶圓邊緣之等電位場線，造成通過晶圓邊緣之等電位場線分佈不均勻，此結構顯非聚焦環。而在聚焦環之限制條件下，系爭專利「聚焦環組件」之凸緣部(304b)，並不會如證據2之延伸部緊鄰晶圓邊緣，故系爭專利之「聚焦環組件」，不必再額外界定「凸緣部之長度或是否接近晶圓」，證據2無法證明系爭專利請求項1「聚焦環組件」，不具新穎性。其次，證據3（即1993年9月3日公開之日本特開平第5-226293號「高頻電漿處理器」專利案，下稱證據3，圖式如原判決附圖3所示）之電力線被設計為不可膨脹到晶圓之外，所有等電位線需穿過接地罩(10)與晶圓邊緣之狹小間隙，等電位線在晶圓邊緣將無法均勻。系爭專利未要求電力線不可膨脹至晶圓之外。而證據3因電漿僅被限制在晶圓(4)區域中，固不會越過晶圓邊緣，然此非聚焦環應有之基本特性，證據3亦有一接近晶圓邊緣之階差，此階差定義為一緊靠晶圓邊緣之「垂直壁」，接地罩延長部(10a)極接近晶圓，緊靠晶圓邊緣之壁及延長部造成場線不均勻性，亦與聚焦環之特性不符，是證據3並未揭露系爭專利之聚焦環。參加人雖將SiO2當作一元件或實體，惟證據3未將SiO2當作獨立元件，SiO2本質上應為接地罩延長部之一部，SiO2之形狀由接地罩延長部之形狀決定，並非實體物，接地罩延長部不可能內藏於非實體中，故證據3之接地罩延長部在絕緣物延長部(9a)上，且被覆蓋在SiO2或SiN之下，應僅揭露含SiO2或SiN塗層之接地罩延長部，係放置在絕緣物延長部上，未揭露含SiO2或SiN塗層之接地罩延長部係內藏於絕緣物延長部之中，是證據3未揭露系爭專利「環形介電體」及「內藏」之特徵。再者，證據3之操作原理，包括不同電場(11a、11b)，如將證據3圖3之接地罩(10)加至證據4（即1993年11月5日公開之日本特開平第5-291194號「電漿處理方法及裝置」專利案，下稱證據4，圖式如原判決附圖4所示）之圖2，將產生證據4之電極覆蓋與晶圓齊平，則證據3圖3之接地罩，因位於基板下方而無法依原先預定方式運作；或使得證據4之電極覆蓋位於晶圓上方，則證據4之電極覆蓋將不再與晶圓齊平，而產生階差。此階差將造成晶圓表面缺乏處理之均勻性，故證據3、4之組合，無法達成系爭專利請求項1之可提供晶圓表面上處理均勻性聚焦環之功能。另倘將證據3圖3之接地罩加至證據5（即1997年12月29日公開之歐洲第0814495A2號「Adjusting DC bias voltage in plasma chamber」專利案，下稱證據5，圖式如原判決附圖5所示）之圖1，將產生證據5之石英介電環仍與晶圓齊平，則證據3圖3之接地罩，因將位於基板下方而無法依原先預定方式運作；或證據5之石英介電環位於晶圓上方，則證據5之石英介電環，將不再與晶圓齊平而產生階差。此階差將造成晶圓表面上缺乏處理之均勻性，故證據3及證據5之組合，無法達成系爭專利請求項1之可提供晶圓表面上處理均勻性聚焦環之功能。又組合證據6（即1994年5月17日公告之美國第5,312,778號「METHOD FOR PLASMA PROCESSING USING MAGNETICALLY ENHANCED PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION」專利案，下稱證據6，圖式如原判決附圖6所示）未電氣接地之導電筒(54)與證據3之電氣接地之接地罩延長部將造成證據3、6之組合無法運作。組合證據5之陰極遮蔽(12)與證據7（即1997年10月3日公開之日本特開平第9-260475號「半導體晶圓座裝置以及半導體晶圓之玻璃方法」專利案，下稱證據7，圖式如原判決附圖7所示）之元件(B)，將造成氣流被改變或阻擋，則證據5、7之組合將無法運作。又訴願決定及被上訴人之理由沿用參加人之主張，固認系爭專利請求項1之技術特徵已可單獨被證據2或3揭露，則證據2組合證據3；證據4、5、6之一與證據3之組合；證據4、5、6之一與證據2、證據3之組合；證據2、3之一與證據5、7之組合，足以證明系爭專利請求項1為運用申請前既有技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成。然參加人、訴願決定及被上訴人之原處分，均未說明可輕易組合此等證據而完成系爭專利之理由。訴願決定及被上訴人審定顯缺乏依據，有理由不備之違法。再者，訴願決定及被上訴人由「證據2及證據3分別揭露系爭專利」，推及「各種證據組合可證明系爭專利為熟習該項技術者所能輕易完成」之審定明顯有誤，且違反83年專利法第71條第1項第1款規定。訴願決定及被上訴人之原處分，未針對該等證據組合中各證據之揭露進行分析、比對，而據以論述系爭專利之進步性，僅依賴其對證據2、3之錯誤解釋結論以認定證據4、5、6與證據2、3間組合之教示，不符合進步性要件之審查規定。另因系爭專利請求項1具有新穎性與進步性，請求項2、7、8、14、15各具有新穎性與進步性。證據3之SiO2塗層及絕緣物延長部(9a)為相同介電材料，證據3未揭露請求項3、9、16「第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，請求項3、9、16應具有新穎性及進步性。請求項4、10、17各包含其所分別依附之請求項3、9、16之技術特徵，故請求項4、10、17各具有新穎性與進步性。證據3之第一介電材料之第一介電常數與第二介電材料之第二介電常數，兩者大致相同，未揭露請求項4、10、17「第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數」技術特徵，請求項4、10、17具有新穎性及進步性。請求項5、11、18各包含其所分別依附之請求項4、10、17之可專利性技術特徵，且證據3本身非陶瓷，未揭露請求項5、11、18「第一介電材料是陶瓷」技術特徵，請求項5、11、18具有新穎性及進步性。請求項6、12、19各包含其所分別依附之請求項4、10、17之技術特徵，故請求項6、12、19各具有新穎性及進步性。而請求項13包含系爭專利請求項1之技術特徵，且請求項13另包含「一侷限環係安置於該聚焦環組件上」技術特徵，倘結合證據2與系爭專利之侷限環先前技術，將增加上、下電極間之距離，造成電漿自侷限環漏出，熟悉該項技術者，無動機再將系爭專利之侷限環先前技術加入證據2或證據3中，故請求項第13具有進步性。請求項1具有新穎性，而請求項7係一種包含請求項1之聚焦環組件之電漿處理室；請求項14係一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，其中包含提供請求項1之聚焦環組件。準此，系爭專利請求項7及14均具有新穎性。另訴願機關及被上訴人明顯忽略系爭專利「聚焦環」限制條件，錯誤解釋系爭專利「環形介電體」、「內藏」技術特徵，亦漏未審酌上訴人無法組合各證據之主張，致作出錯誤認定等語。求為判決將原處分及原決定均撤銷。

三、被上訴人則以：系爭專利請求項第1、7、14項之管形部及凸緣部，均為「導電屏蔽」之一部，並未限定應為個別獨立之構件，亦可為一體成型。至於證據2中之圓柱部(12a)及環狀延伸部(12b)，亦未限定應一體成形，而證據2之圖1顯示圓柱部及環狀延伸部相交於圓柱部之上邊緣，可直接得知請求項1、7、14界定「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」特徵。又系爭專利請求項未限定「管形部」與「凸緣部」應為個別獨立之構件或必須為一體成型，而請求項第2、8、15項則進一步界定「管形部」與「凸緣部」之連接關係，即其中平面與管形部之縱軸形成一90度角，系爭專利未要求兩部分相交之角度應為精確之90度角。而證據2之圖1顯示圓柱部及環狀延伸部相交於圓柱部之上邊緣，且相交平面與管形部之縱軸呈現90度角，已揭露請求項2、8、15所界定「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵。準此，被上訴人所為原處分並無違法等語，資為抗辯。求為判決駁回上訴之訴。

四、參加人則以：（一）系爭專利更正後請求項第1至19項或原獨立項1、8、16之技術特徵，均未提及，亦未要求聚焦環應與基材間「無階差」，上訴人對系爭專利「聚焦環」之解釋，顯係為維護系爭專利有效性所為之主張，自無根據。況系爭專利說明書從未揭露、教示或探討聚焦環與基材間之「階差」問題，而由上訴人申請之他件第US6,039,836號專利第2欄第51至57行之記載可知上訴人顯然瞭解聚焦環達到使等位場線均勻之功效因素，係與聚焦環之材質有關，而與基材間之高度差，並無必然關連，上訴人一再以證據2、3有「階差」云云，宣稱其必非系爭專利之「聚焦環組件」云云，顯有誤導之嫌。（二）上訴人援引之論文索引，其附圖竟無一與上訴人行政訴訟起訴狀第6頁所附圖面相同，況該論文僅係在探討不同幾何性質對等位線均勻性之影響，從未表示「有階差者即非聚焦環」或「聚焦環不能有階差」，亦不可能以該論文獲致上訴人所稱「證據2及證據3所揭示之結構並非聚焦環」結論。上訴人係擴大解釋系爭說明書中「幾何因素」，逕行主張舉發證據所揭示者，並非聚焦環。（三）參加人於舉發程序中，已提出系爭專利所屬技術領域諸多技術文件，顯示「聚焦環」與「基材、基板」間常有階差，熟悉該項技術者不會以「階差」之有無或程度，以認定某結構是否為「聚焦環」構件。由上訴人申請之他件第US20070032081號專利，可知「聚焦環」與「邊緣環」係相同概念，且可高於基材表面，而瞭解聚焦環使等電位線均勻之功效，其因素通常與聚焦環、邊緣環之材料有關，其與基材間之高度差無關。在工業界真正使用之電漿處理室中，在電漿蝕刻過程，聚焦環、邊緣環亦會隨被處理之基材遭電漿逐漸蝕刻掉，屬於消耗品，故業內技術人員通常會在基材邊緣放置具有比基材表面更高之聚焦環、邊緣環。上訴人主張舉發證據僅揭露聚焦環與基材間有階差，而未揭露系爭專利「聚焦環組件」云云，顯無所據。（四）證據3揭示SiO2為具體構件，SiO2顯然為物理型態上之固體與實體物，SiO2既係覆蓋在接地罩延長部(10a)上，則由電漿處理室之配置及證據3揭露之圖式可知，接地罩延長部乃環形構件，則接在其上之「SiO2」亦係環形構件。至於證據3已揭示接地罩延長部在絕緣物延長部之上，且被覆蓋在SiO2或SiN之下，亦已揭露接地罩延長部「內藏」於絕緣物延長部(9a)與「SiO2或SiN」間之技術特徵。系爭專利之內藏技術特徵，係向內突出部(304b)覆蓋在第一環介電部(302a)下，上訴人僅空言稱證據3已揭露之SiO2，為非獨立元件或實體，顯與證據3所載具體內容不符。又系爭專利說明書無任何記載以「嵌入」結構以設置凸緣部，上訴人之主張不為說明書所支持。而上訴人主張內藏凸緣部邊緣與晶圓邊緣「彼此不可太接近」云云，更無所據，且與系爭專利所載內容相悖。至於上訴人另主張系爭專利具有避免內藏凸緣部腐蝕之保護結構設計、有減少內藏凸緣部發弧效應之結構設計云云，均與系爭專利請求項所載之結構性技術特徵無關，無庸審酌，況證據2之環狀覆蓋環(13)及證據3之SiO2係為介電材料，熟悉該項技藝者可知，其具有避免內藏凸緣部腐蝕及減少內藏凸緣部發弧效應之效果。（五）上訴人不否認舉發證據已揭露系爭專利之構件，上訴人固主張者乃證據之組合因「具有不同操作原理」而「無法運作」。然參加人所提出之各舉發證據，均為電漿領域之技術文件，對所屬技術之人士，並無不易暸解之問題。證據6未說明導電筒(54)不可電氣接地，足見上訴人所稱「無法運作」、「不可預知之結果」，均係本於其自行臆測之詞。而舉發證據均屬電漿領域，其基本構件相同，僅因結構略有不同而有差異，並非電漿操作原理上有何差異，此不影響先前技術即舉發證據所提供之教示，亦不影響所屬技術領域者將舉發證據予以組合，且無上訴人所稱證據之組合無法運作之問題。又系爭專利請求項第1至19項相較於舉發證據，可知系爭專利請求項第1至19項確實不具可專利要件。而SiO2係陶瓷材料之一種，熟悉該項技術領域之人對此無爭議，上訴人悖於事實、據此主張系爭專利第5、11、18項相較於證據3所揭示之SiO2技術特徵有新穎性及進步性，即無可採。（六）自系爭專利請求項第1、7、14項之用語可知，請求項第1、7、14項「管形部」及「凸緣部」，係一導電屏蔽之組成部分，並未限定為個別獨立之構件，可為一體成型，亦可為可分之部件。準此，系爭專利請求項第1、7、14項「凸緣部形成一與管形部相交之平面，其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」，其意義指明導電屏蔽「凸緣部」與「管形部」兩個部分相連接，且凸緣部位於管形部之上方，即兩個部分相連接之處在管形部上邊緣。證據2說明書第4欄第56至60行記載其所載實施例之圓柱部(12a)及環狀延伸部(12b)可為一體成型，亦可為個別獨立之構件。且系爭發明領域具有通常知識者，可由證據2之圖1得知，無論圓柱部及環狀延伸部為個別獨立之構件或為一體成型，環狀延伸部應與圓柱部相交於一平面，且平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣。證據2之圖1、說明書之圓柱部及環狀延伸部，已揭露系爭專利請求項第1、7、14項「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵甚明，是系爭專利請求項第1、7、14項欠缺新穎性。（七）系爭專利請求項第2、8、15項進一步界定「管形部」與「凸緣部」之相對位置與相連接之位置，為「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」，其意義在表示「管形部」與「凸緣部」之相對位置及相交之位置，約略形成倒L形，而非要求兩部分相交之角度應為精確之90度角。證據2與說明書所載實施例之圓柱部(12a)及環狀延伸部(12b)已揭露一具有管形部及凸緣部，管形部與凸緣部相交，而相交處在管形部上邊緣，相交處與管形部之縱軸呈現90度角之導電屏蔽，顯見系爭專利請求項第2、8、15項不具新穎性。（八）上訴人準備（二）狀所為「系爭專利申請專利範圍第1項之解釋」，並非判斷系爭專利是否具備專利要件之程序，且其所為「解釋」不為系爭專利說明書所支持，甚至與系爭專利說明書之實施例相違，原處分及訴願決定已審酌系爭專利及各舉發證據，「舉發成立，應撤銷專利權」及「訴願駁回」之審定，均無違誤等語。

五、原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，以：（一）證據2無法證明系爭專利請求項1、2、7、8、14及19不具新穎性：1.證據2無法證明系爭專利請求項1不具新穎性：證據2之絕緣構件(11)、接地罩及環狀覆蓋環(13)所構成之結構，亦與先前技術之窄間隙成形元件，同樣可使得放電現象均勻地集中在電極之上，即證據2之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，係為一種聚焦環組件。又證據2之真空處理腔室(1)，等同系爭專利請求項1之電漿處理室，證據2之電極，等同系爭專利請求項1之吸盤，係用以承載晶圓(5)，且證據2之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構係包圍電極，故系爭專利請求項1「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤」技術特徵，已為證據2所揭露。且證據2之絕緣構件及環狀覆蓋環所構成之結構，等同系爭專利請求項1之環形介電體，故系爭專利請求項1「一環形介電體」技術特徵，已為證據2所揭露。其次，證據2之接地罩，係架構以電氣接地於真空處理腔室內，等同系爭專利請求項1之導電屏蔽，係包圍絕緣構件及環狀覆蓋環，故系爭專利請求項1「一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內」技術特徵，已為證據2所揭露。再者，證據2之接地罩12包含圓柱部(12a)，等同系爭專利請求項1之管形部，而環狀延伸部(12b)，等同系爭專利請求項1的凸緣部，其中證據2之圓柱部安置於絕緣構件外側，並包圍絕緣構件，即絕緣構件及環狀覆蓋環所組成結構之一部，而證據2之接地罩既由導電材料製成，則環狀延伸部與圓柱部係為電氣相接，證據2之圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，即在以各自分別方式形成時，環狀延伸部形成一與圓柱部相交之平面，且環狀延伸部係內藏於絕緣構件及環狀覆蓋環所組成結構內。故系爭專利請求項1「導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部係內藏於環形介電體內」技術特徵，已為證據2所揭露。另圓柱部之上邊緣位於環狀覆蓋環之上表面及絕緣構件之下表面間，是系爭專利請求項1「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據2所揭露。又圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，然證據2未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有相交於圓柱部之「上邊緣」或「側邊緣」；反觀，系爭專利請求項1係明確界定「其中平面與管形部相交於該管形部之上邊緣」，無法由證據2揭示「圓柱部及環狀延伸部可以各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣」，是證據2無法證明系爭專利請求項1不具新穎性。2.證據2無法證明系爭專利請求項2不具新穎性：證據2未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交平面之位置關係，故證據2之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有平面與圓柱部之縱軸形成90度角或180度角；反觀，系爭專利請求項2明確界定「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」，難謂由證據2揭示「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部之縱軸形成一90度角」，故系爭專利請求項2「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵，非為證據2所揭露，是證據2無法證明系爭專利請求項2不具新穎性。3.證據2無法證明系爭專利請求項7不具新穎性：證據2未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有相交於圓柱部之「上邊緣」或「側邊緣」；反觀，系爭專利請求項7明確界定「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」，難謂由證據2揭示之「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣」。職是，系爭專利請求項7「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵，非為證據2所揭露。4.證據2無法證明系爭專利請求項8不具新穎性：證據2未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有平面與圓柱部之縱軸形成90度角或180度角；反觀，系爭專利請求項8明確界定「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」，難謂由證據2揭示「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部之縱軸形成一90度角」，故系爭專利請求項8「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵，非為證據2所揭露，是證據2無法證明系爭專利請求項8不具新穎性。5.證據2無法證明系爭專利請求項14不具新穎性：證據2未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有相交於圓柱部「上邊緣」或「側邊緣」；反觀，系爭專利請求項14明確界定「其中平面管形部相交於管形部之上邊緣」，難謂由證據2揭示「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣」，故系爭專利請求項14「其中平面管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵，非為證據2所揭露，是證據2無法證明系爭專利請求項14不具新穎性。6.證據2無法證明系爭專利請求項15不具新穎性：證據2未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有平面與圓柱部之縱軸形成90度角或180度角；反觀，系爭專利請求項15明確界定「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」，難謂由證據2揭示「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部之縱軸形成一90度角」，故系爭專利請求項15「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵，非為證據2所揭露，是證據2無法證明系爭專利請求項15不具新穎性。（二）證據2可證明系爭專利請求項3至6、9至12、16至19不具新穎性：1.證據2可證明系爭專利請求項3不具新穎性：系爭專利請求項3具有與請求項1相同之技術特徵，而由系爭專利請求項1與證據2比對可知，技術特徵已為證據2所揭露，故系爭專利請求項3之技術特徵，亦為證據2所揭露。又證據2由環狀覆蓋環(13)，等同系爭專利請求項3之第一環形部），暨相鄰於環狀覆蓋環之絕緣構件(11)，等同系爭專利請求項3之第二環形部，兩者組成之結構等同系爭專利請求項3之環形介電體，而絕緣構件之一部分係被接地罩(12)之圓柱部(12a)所包圍，且證據2說明書揭示環狀覆蓋環，係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，等同系爭專利請求項3之第一介電材料，證據2說明書揭示絕緣構件，係由不同於氧化鋁陶瓷之聚四氟乙烯之介電材料形成，等同系爭專利請求項3之第二介電材料，故系爭專利請求項3「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，已為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項3不具新穎性。2.證據2可證明系爭專利請求項4不具新穎性：證據2說明書揭示環狀覆蓋環係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，絕緣構件係由聚四氟乙烯之介電材料形成，介電材料均具有一介電常數，且聚四氟乙烯或鐵弗材料具有較氧化鋁陶瓷材料之介電常數，等同系爭專利請求項4之第一介電常數，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項4之第二介電常數，此為鐵弗龍材料本身特性，故系爭專利請求項4之附屬技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項4不具新穎性。3.證據2可證明系爭專利請求項5不具新穎性：系爭專利請求項5係依附於請求項4之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第一介電材料是陶瓷」，而證據2說明書揭示，環狀覆蓋環係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，故系爭專利請求項5之附屬技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項5不具新穎性。4.證據2可證明系爭專利請求項6不具新穎性：系爭專利請求項6係依附於請求項4之附屬項，其附屬技術特徵為「其中第二介電材料是鐵弗龍」。而證據2揭示，絕緣構件係由聚四氟乙烯之介電材料形成，聚四氟乙烯俗稱為鐵弗龍，故系爭專利請求項6之附屬技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項6不具新穎性。5.證據2可證明系爭專利請求項9不具新穎性：系爭專利請求項9具有與請求項7相同之技術特徵，而由系爭專利請求項7與證據2比對可知，技術特徵已為證據2所揭露，故系爭專利請求項9之技術特徵，已為證據2所揭露。證據2由環狀覆蓋環(13)，等同系爭專利請求項9之第一環形部，暨相鄰於環狀覆蓋環之絕緣構件(11)，等同系爭專利請求項9之第二環形部，其組成之結構等同系爭專利請求項9之環形介電體，而絕緣構件之一部分係被接地罩(12)之圓柱部(12a)所包圍，且證據2說明書揭示環狀覆蓋環，由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，等同系爭專利請求項9之第一介電材料，證據2說明書揭示絕緣構件，由不同於氧化鋁陶瓷之聚四氟乙烯之介電材料形成，等同系爭專利請求項9之第二介電材料，故系爭專利請求項9「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部由一第一介電材料形成，第二環形部由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，亦為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項9不具新穎性。6.證據2可證明系爭專利請求項10不具新穎性：系爭專利請求項10係依附於請求項9之附屬項，證據2說明書揭示環狀覆蓋環13係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，絕緣構件(11)由聚四氟乙烯之介電材料形成，介電材料均具有一介電常數，且聚四氟乙烯材料具有較氧化鋁陶瓷材料之介電常數，等同系爭專利請求項10之第一介電常數，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項10之第二介電常數，乃為鐵弗龍材料本身特性，故系爭專利請求項10之附屬技術特徵為證據2所揭露。而系爭專利請求項10所依附之請求項9之所有技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項10不具新穎性。7.證據2可證明系爭專利請求項11不具新穎性：系爭專利請求項11係依附於請求項10之附屬項，證據2說明書揭示環狀覆蓋環(13)由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，故系爭專利請求項11之附屬技術特徵為證據2所揭露。系爭專利請求項11所依附之請求項10之所有技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項11不具新穎性。8.證據2可證明系爭專利請求項12不具新穎性：系爭專利請求項12係依附於請求項10之附屬項，而證據2說明書揭示絕緣構件，係由聚四氟乙烯之介電材料形成，而聚四氟乙烯為鐵弗龍，故系爭專利請求項12之附屬技術特徵為證據2所揭露。系爭專利請求項12所依附之請求項10之所有技術特徵，已為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項12不具新穎性。9.證據2可證明系爭專利請求項16不具新穎性：系爭專利請求項16具有與請求項14相同之技術特徵，而由系爭專利請求項14與證據2比對可知，技術特徵已為證據2所揭露，故系爭專利請求項16之技術特徵，亦為證據2所揭露。又證據2由環狀覆蓋環(13)，等同系爭專利請求項16之第一環形部，暨相鄰於環狀覆蓋環之絕緣構件(11)，等同系爭專利請求項16之第二環形部，其組成之結構係等同系爭專利請求項16之環形介電體，而絕緣構件之一部分，係被接地罩(12)之圓柱部(12a)所包圍，且證據2說明書揭示環狀覆蓋環由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，等同系爭專利請求項16之第一介電材料，證據2說明書揭示絕緣構件，由不同於氧化鋁陶瓷之聚四氟乙烯之介電材料形成，等同系爭專利請求項16之第二介電材料，故系爭專利請求項16「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部由一第一介電材料形成，第二環形部由不同於該第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，已為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項16不具新穎性。10.證據2可證明系爭專利請求項17不具新穎性：系爭專利請求項17係依附於請求項16之附屬項，而證據2說明書揭示環狀覆蓋環(13)由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，絕緣構件(11)由聚四氟乙烯之介電材料形成，介電材料均具有一介電常數，且聚四氟乙烯材料具有較氧化鋁陶瓷材料之介電常數，等同系爭專利請求項17之第一介電常數，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項17之第二介電常數，乃為鐵弗龍材料本身特性，故系爭專利請求項17之附屬技術特徵為證據2所揭露，而系爭專利請求項17所依附之請求項16之所有技術特徵，已為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項17不具新穎性。11.證據2可證明系爭專利請求項18不具新穎性：系爭專利請求項18係依附於請求項17之附屬項，而證據2說明書揭示，環狀覆蓋環(13)由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，故系爭專利請求項18之附屬技術特徵為證據2所揭露，系爭專利請求項18所依附之請求項17的所有技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項18不具新穎性。12.證據2可證明系爭專利請求項19不具新穎性：系爭專利請求項19係依附於請求項17之附屬項，而證據2說明書揭示絕緣構件(11)由聚四氟乙烯之介電材料形成，系爭專利請求項19之附屬技術特徵為證據2所揭露，系爭專利請求項19所依附之請求項17的所有技術特徵，已為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項19不具新穎性。13.證據2揭示系爭專利「聚焦環」技術特徵：系爭專利請求項1至19並無任何界定「聚焦環」與「晶圓」間之相對位置與幾何關係，即上訴人主張「聚焦環」與「晶圓」間無形成「階差」，暨「凸緣部」不會緊鄰「晶圓邊緣」等幾何關係。準此，解釋系爭專利申請專利範圍時，自不得將系爭專利圖式揭露之內容，即上訴人主張「聚焦環」與「晶圓」間無形成「階差」，暨「凸緣部」不會緊鄰「晶圓邊緣」等幾何關係，加入請求項1至19所界定「聚焦環」技術特徵中，而限縮系爭專利之申請專利範圍。又參加人於系爭專利舉發階段補充之附件2-附件8之說明書及圖式所揭露「聚焦環」，均與「晶圓或基材」間形成有「階差」幾何關係，且該等專利案之申請日與公告日均早於系爭專利申請日。準此，足可佐證系爭專利申請日時，就熟習系爭專利技術者即電漿處理裝置技術領域，所具有之既有知識或技術而言，並不會認為「聚焦環」與「晶圓或基材」間不存在有「階差」幾何關係。然由證據2說明書揭示先前技術藉由窄間隙成形元件(19)，可使得放電現象均勻地集中在電極(2)上，而證據2係藉由改良先前技術的窄間隙成形元件及接地罩(12)結構，以改善先前技術中之空間(16)壓力問題。故證據2之絕緣構件(11)、接地罩(12)及環狀覆蓋環(13)所構成之結構，亦與先前技術之窄間隙成形元件同樣可使得放電現象均勻地集中在電極上，即電極上所承載之晶圓(5)可均勻地進行電漿蝕刻處理，故證據2「絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構」，其與系爭專利之「聚焦環」係同為用以於整個基材或晶圓表面上，均勻地進行電漿蝕刻處理。是系爭專利請求項1至19未界定「聚焦環」與「晶圓或基材」間之相對位置與幾何關係，且證據2具有與系爭專利之「聚焦環」同為用以於整個基材表面上均勻地進行電漿蝕刻處理之結構，足證證據2揭示系爭專利請求項1至19「聚焦環」技術特徵。（三）證據3可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具新穎性：1.證據3可證明系爭專利請求項1不具新穎性：證據3之高頻電漿處理裝置，等同系爭專利請求項1之電漿處理室，由絕緣物、接地罩、接地罩延長部及SiO2或SiN等，以覆蓋接地罩延長部之表面所形成之結構，等同系爭專利請求項1之聚焦環組件，係包圍其高頻電漿處理裝置之靜電吸盤(3)，等同系爭專利請求項1之吸盤，且結構係可提供被處理部材(4)均勻而有效率地進行電漿處理，即提供處理部材表面均勻之電位場線以進行電漿蝕刻處理，故系爭專利請求項1「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤」技術特徵，已為證據3所揭露。又證據3已揭示形成絕緣物之材料為鐵弗龍，用以覆蓋接地罩延長部之表面材料為SiO2或SiN，而鐵弗龍、SiO2及SiN為介電材料乃屬系爭專利申請時既有之知識，而證據3之絕緣物9及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構，等同系爭專利請求項1之環形介電體，故系爭專利請求項1「一環形介電體」技術特徵為證據3所揭露。又證據3之接地罩，等同系爭專利請求項1之導電屏蔽，係包圍絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構，且接地罩係電氣接地於高頻電漿處理裝置內，故系爭專利請求項1「一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於該電漿處理室內」技術特徵為證據3所揭露。另證據3之接地罩包含一垂直部，等同系爭專利請求項1之管形部，暨一延長部等同系爭專利請求項1之凸緣部，其中接地罩垂直部位於絕緣物外側，並包圍絕緣物外側，即絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構之部分，而接地罩與電氣接地於高頻電漿處理裝置內，則接地罩延長部與接地罩垂直部係為電氣相接，並形成一與接地罩垂直部相交之平面，且接地罩延長部內藏於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構內，故系爭專利請求項1「導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部係內藏於環形介電體內」技術特徵，已為證據3所揭露。又證據3圖4顯示接地罩延長部與接地罩垂直部所相交之平面係相交於接地罩垂直部之上邊緣，故系爭專利請求項1「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵，為證據3所揭露。而證據3之絕緣物既為接地罩之垂直部及延長部所包覆，且接地罩延長部之表面覆蓋有SiO2或SiN，則接地罩之垂直部之上邊緣，係定位於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構之上表面及下表面間，故系爭專利請求項1「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項1不具新穎性。2.證據3可證明系爭專利請求項2不具新穎性：系爭專利請求項2具有與請求項1相同之技術特徵，而由系爭專利請求項1與證據3比對可知，技術特徵已為證據3所揭露，故系爭專利請求項2之技術特徵，亦為證據3所揭露。證據3之圖4明確顯示接地罩延長部(10a)與接地罩垂直部所相交之平面，係與接地罩垂直部之縱軸形成一90度角，故系爭專利請求項2「其中平面與管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵為證據3所揭露。準此，系爭專利請求項2界定之所有技術特徵，已均為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項2不具新穎性。3.證據3可證明系爭專利請求項3不具新穎性：系爭專利請求項3具有與請求項1相同之技術特徵，而由系爭專利請求項1與證據3比對可知，技術特徵已為證據3所揭露，故系爭專利請求項3之技術特徵，亦為證據3所揭露。證據3之絕緣物(9)，等同系爭專利請求項3之第二環形部，暨覆蓋接地罩延長部(10a)表面之SiO2或SiN，等同系爭專利請求項3之第一環形部，其所形成之結構等同系爭專利請求項3之環形介電體，而由證據3圖4可知絕緣物9之一部分即絕緣物外側，係被接地罩(10)之垂直部所包圍，是覆蓋接地罩延長部表面之材料為SiO2或SiN等材料形成，等同系爭專利請求項3之第一介電材料形成，而絕緣物由不同於SiO2或SiN等材料之鐵弗龍形成，等同系爭專利請求項3之第二介電材料。而鐵弗龍、SiO2及SiN等材料均為介電材料，乃屬系爭專利申請時既有之知識，故系爭專利請求項3「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項3不具新穎性。4.證據3可證明系爭專利請求項4不具新穎性：覆蓋接地罩延長部(10a)表面之材料係為SiO2或SiN等介電材料形成，而絕緣物由鐵弗龍形成，而鐵弗龍、SiO2及SiN等材料均為介電材料並具有一介電常數，乃屬系爭專利申請時既有之知識，且鐵弗龍具有較SiO2及SiN等材料之介電常數，等同系爭專利請求項4之第一介電常數，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項4之第二介電常數，乃為鐵弗龍之材料本身特性，故系爭專利請求項4之附屬技術特徵為證據3所揭露，而系爭專利請求項4所依附之請求項3的所有技術特徵為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項4不具新穎性。5.證據3可證明系爭專利請求項5不具新穎性：SiO2或SiN等材料均屬可形成陶瓷之材料，故系爭專利請求項5之附屬技術特徵為證據3所揭露，系爭專利請求項5所依附之請求項4的所有技術特徵為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項5不具新穎性。6.證據3可證明系爭專利請求項6不具新穎性：證據3之絕緣物係由鐵弗龍形成，故系爭專利請求項6之附屬技術特徵為證據3所揭露，而系爭專利請求項6所依附之請求項4之所有技術特徵，已為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項6不具新穎性。

7.證據3可證明系爭專利請求項7不具新穎性：證據3係一種高頻電漿處理裝置，等同系爭專利請求項7之電漿處理室，其係用以對一被處理部材(4)進行電漿處理，等同系爭專利請求項7之基材，故系爭專利請求項7「一種電漿處理室，架構以處理一基材」技術特徵，為證據3所揭露。由證據3之圖4可知，證據3之靜電吸盤(3)，等同系爭專利請求項7的吸盤，係於進行電漿處理時，支撐被處理部材，故系爭專利請求項7「一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材」技術特徵為證據3所揭露。又在證據3之高頻電漿處理裝置中，由絕緣物、接地罩、接地罩延長部及SiO2或SiN等來覆蓋接地罩延長部表面所形成之結構，等同系爭專利請求項7的聚焦環組件，係包圍其高頻電漿處理裝置之靜電吸盤(3)，且結構係可提供被處理部材均勻而有效率地進行電漿處理，故系爭專利請求項7「一聚焦環組件實際包圍該吸盤」技術特徵，已為證據3所揭露。其次，證據3已揭示形成絕緣物之材料為鐵弗龍，用以覆蓋接地罩延長部表面之材料為SiO2或SiN，而鐵弗龍、SiO2及SiN為介電材料，乃屬系爭專利申請時既有之知識，而證據3之絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構，等同系爭專利請求項7之環形介電體，故系爭專利請求項7「一環形介電體」技術特徵，為證據3所揭露。再者，證據3之接地罩，等同系爭專利請求項7的導電屏蔽，係包圍絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構，且接地罩係電氣接地於高頻電漿處理裝置內，故系爭專利請求項7「一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內」技術特徵，為證據3所揭露。另證據3之接地罩包含一垂直部，等同系爭專利請求項7之管形部，暨一延長部等同系爭專利請求項7之凸緣部，其中接地罩垂直部係位於絕緣物外側，並包圍絕緣物外側，而接地罩既電氣接地於高頻電漿處理裝置內，則接地罩延長部與接地罩垂直部係為電氣相接，並形成一與接地罩垂直部相交之平面，且接地罩延長部係內藏於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構內，故系爭專利請求項7「導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵為證據3所揭露。況證據3圖4即明確顯示接地罩延長部與接地罩垂直部所相交之平面，係相交於接地罩垂直部之上邊緣，故系爭專利請求項7「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵為證據3所揭露。又證據3之絕緣物既為接地罩之垂直部及延長部所包覆，且接地罩延長部之表面覆蓋有SiO2或SiN，則接地罩之垂直部之上邊緣，係定位於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成結構之上表面及下表面間，故系爭專利請求項7「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項7不具新穎性。8.證據3可證明系爭專利請求項8不具新穎性：系爭專利請求項8具有與請求項7相同之技術特徵，而由系爭專利請求項7與證據3比對可知，技術特徵已為證據3所揭露，故系爭專利請求項8技術特徵亦為證據3所揭露。又證據3圖4即明確顯示接地罩延長部與接地罩垂直部所相交之平面，係與接地罩垂直部之縱軸形成一90度角，故系爭專利請求項8「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵為證據3所揭露。職是，系爭專利請求項8界定之所有技術特徵已均為證據3所揭露，故證據3可證明系爭專利請求項8不具新穎性。9.證據3可證明系爭專利請求項9不具新穎性：系爭專利請求項9具有與請求項7相同之技術特徵，而由系爭專利請求項7與證據3比對可知，技術特徵已為證據3所揭露，故系爭專利請求項9之技術特徵亦為證據3所揭露。又證據3之絕緣物(9)及覆蓋接地罩延長部(10a)表面之SiO2或SiN所形成之結構，等同系爭專利請求項9之環形介電體，而由證據3之圖4可知絕緣物之一部係被接地罩(10)之垂直部所包圍，是覆蓋接地罩延長部表面之材料係為SiO2或SiN等材料形成，而絕緣物由不同於SiO2或SiN等材料之鐵弗龍形成，鐵弗龍、SiO2及SiN等材料均為介電材料，屬系爭專利申請時既有之知識，故系爭專利請求項9「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，第二環形部之一部被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項9不具新穎性。10.證據3可證明系爭專利請求項10不具新穎性：覆蓋接地罩延長部表面之材料係為SiO2或SiN等介電材料形成，而絕緣物由鐵弗龍形成，鐵弗龍、SiO2及SiN等材料均為介電材料，並具有一介電常數，屬系爭專利申請時既有之知識，且鐵弗龍具有較SiO2及SiN等材料之介電常數接近真空之介電常數，乃為鐵弗龍之材料本身特性，故系爭專利請求項10之附屬技術特徵為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項10不具新穎性。11.證據3可證明系爭專利請求項11不具新穎性：SiO2或SiN等材料均屬可形成陶瓷之材料，故系爭專利請求項11之附屬技術特徵為證據3所揭露。而系爭專利請求項11所依附之請求項10的所有技術特徵為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項11不具新穎性。12.證據3可證明系爭專利請求項12不具新穎性：證據3之絕緣物9由鐵弗龍形成，故系爭專利請求項12之附屬技術特徵為證據3所揭露。而系爭專利請求項12所依附之請求項10的所有技術特徵為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項12不具新穎性。

13.證據3可證明系爭專利請求項14不具新穎性：證據3的高頻電漿處理裝置中，由絕緣物、接地罩、接地罩延長部及SiO2或SiN等來覆蓋接地罩延長部表面所形成之結構，係包圍其高頻電漿處理裝置之靜電吸盤3，且結構係可提供被處理部材(4)均勻而有效率地進行電漿處理，故系爭專利請求項14「一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方法，聚焦環組件係架構以實際包圍電漿處理室之吸盤」技術特徵，為證據3所揭露。又證據3既已揭示形成絕緣物之材料為鐵弗龍，用以覆蓋接地罩延長部表面之材料為SiO2或SiN，鐵弗龍、SiO2及SiN為介電材料乃屬系爭專利申請時既有之知識，準此，證據3之絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構，即等同系爭專利請求項14的環形介電體，故系爭專利請求項14「提供一環形介電體」技術特徵，為證據3所揭露。是證據3之接地罩係包圍絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構，且接地罩係電氣接地於高頻電漿處理裝置內，故系爭專利請求項14「以一導電屏蔽包圍環形介電體」技術特徵，為證據3所揭露。其次，證據3之接地罩包含一垂直部及一延長部，其中接地罩垂直部係位於絕緣物外側，並包圍絕緣物外側，而接地罩既電氣接地於高頻電漿處理裝置內，則接地罩延長部與接地罩垂直部，係為電氣相接並形成一與接地罩垂直部相交之平面，且接地罩延長部內藏於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構內，故系爭專利請求項14「其包含以導電屏蔽之管形部分包圍環形介電體之一部，管形部係安置於環形介電體之外，並將導電屏蔽之向內突出凸緣部內藏於環形介電體內，向內突出凸緣係與管形部電氣接觸，凸緣部形成一平面，其與管形部相交」技術特徵，為證據3所揭露。再者，證據3之圖4顯示接地罩延長部與接地罩垂直部所相交之平面，係相交於接地罩垂直部之上邊緣，故系爭專利請求項14「其中平面管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵，為證據3所揭露。是證據3之絕緣物既為接地罩之垂直部及延長部所包覆，且接地罩延長部之表面係覆蓋有SiO2或SiN，則接地罩之垂直部之上邊緣，定位於絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構之上表面及下表面間，故系爭專利請求項14「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據3所揭露。職是，證據3可證明系爭專利請求項14不具新穎性。14.證據3可證明系爭專利請求項15不具新穎性：系爭專利請求項15具有與請求項14相同之技術特徵，而由系爭專利請求項14與證據3比對可知，技術特徵已為證據3所揭露，故系爭專利請求項15之技術特徵亦為證據3所揭露。證據3之圖4顯示接地罩延長部(10a)與接地罩垂直部所相交之平面與接地罩垂直部之縱軸形成一90度角，故系爭專利請求項15「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵，為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項15不具新穎性。15.證據3可證明系爭專利請求項16不具新穎性：系爭專利請求項16具有與請求項14相同之技術特徵，而由系爭專利請求項14與證據3比對可知，技術特徵已為證據3所揭露，故系爭專利請求項16之技術特徵，亦為證據3所揭露。證據3之絕緣物及覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構，等同系爭專利請求項16之環形介電體，而由證據3圖4可知絕緣物(9)之一，係被接地罩(10)之垂直部所包圍，是覆蓋接地罩延長部表面之材料為SiO2或SiN等材料形成，而絕緣物(9)係由不同於SiO2或SiN等材料之鐵弗龍形成。鐵弗龍、SiO2及SiN等材料均為介電材料，屬系爭專利申請時既有之知識，故系爭專利請求項16「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵，為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項16不具新穎性。16.證據3可證明系爭專利請求項17不具新穎性：覆蓋接地罩延長部表面之材料係為SiO2或SiN等介電材料形成，而絕緣物由鐵弗龍形成，鐵弗龍、SiO2及SiN等材料均為介電材料，並有一介電常數，屬系爭專利申請時既有之知識，且鐵弗龍具有較SiO2及SiN等材料之介電常數接近真空之介電常數，乃為鐵弗龍之材料本身特性，故系爭專利請求項17之附屬技術特徵為證據3所揭露，而系爭專利請求項17所依附之請求項16所有技術特徵為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項17不具新穎性。17.證據3可證明系爭專利請求項18不具新穎性：SiO2或SiN等材料均屬可形成陶瓷之材料，故系爭專利請求項18之附屬技術特徵為證據3所揭露，系爭專利請求項18所依附之請求項17所有技術特徵，為證據3所揭露。職是，證據3可證明系爭專利請求項18不具新穎性。18.證據3可證明系爭專利請求項19不具新穎性：證據3之絕緣物由鐵弗龍形成，故系爭專利請求項19之附屬技術特徵為證據3所揭露。而系爭專利請求項19所依附之請求項17所有技術特徵為證據3所揭露，是證據3可證明系爭專利請求項19不具新穎性。19.證據3揭示系爭專利「聚焦環」技術特徵：解釋系爭專利申請專利範圍時，不得將系爭專利圖式揭露之內容加入請求項1至19所界定「聚焦環」技術特徵中，而限縮系爭專利之申請專利範圍，且參加人於系爭專利舉發階段補充之附件2至5、6及8等美國專利案，已足可佐證系爭專利申請日即88年6月23日時，就熟習系爭專利技術者所具有之既有知識或技術而言，並不會認為「聚焦環」與「晶圓或基材」間不存在有「階差」幾何關係。在證據3之高頻電漿處理裝置中，由絕緣物(9)、接地罩(10)、接地罩延長部(10a)及SiO2或SiN等來覆蓋接地罩延長部表面所形成之結構，其可提供被處理部材(4)均勻而有效率地進行處理，故證據3具有與系爭專利之「聚焦環」同為用以於整個基材或晶圓表面上均勻地進行電漿蝕刻處理之結構。職是，系爭專利請求項1至19並無任何界定「聚焦環」與「晶圓或基材」間之相對位置與幾何關係，且證據3具有與系爭專利之「聚焦環」同為用以於全部基材表面上均勻地進行電漿蝕刻處理之結構，故證據3揭示系爭專利請求項1至19「聚焦環」技術特徵。20.證據3揭露系爭專利「內藏凸緣」技術特徵：證據3係為避免鋁等金屬露出而使製程發生不妥當之情形，而利用SiO2或SiN等材料覆蓋於接地罩延長部之表面，故熟習系爭專利技術者，顯可直接得知SiO2或SiN等材料係完全覆蓋於接地罩延長部之表面，使接地罩延長部內藏於絕緣物，暨覆蓋接地罩延長部表面之SiO2或SiN所形成之結構內，否則將無法達到避免接地罩延長部露出的目的，是證據3揭露系爭專利「內藏凸緣」技術特徵。21.證據3揭露系爭專利「第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵：證據3之絕緣物(9)等同於系爭專利請求項3、9及16「第二環形部」，是證據3之絕緣物由鐵弗龍之介電材料所形成，故證據3揭露系爭專利請求項3、9及16「第一環形部係由一第一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術特徵。22.證據3揭露系爭專利「第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數」技術特徵：證據3之絕緣物由鐵弗龍之介電材料所形成，而鐵弗龍之介電材料具有較SiO2之介電材料接近真空之介電常數，為系爭專利申請時既有之知識，故證據3揭露系爭專利請求項4、10及17「第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數」技術特徵。23.證據3揭露系爭專利「第一介電材料是陶瓷」技術特徵：系爭專利請求項5、11及18「陶瓷」係一上位概念，而證據3揭示之SiO2或SiN等材料為下位概念，均屬可形成陶瓷之材料，故證據3揭露系爭專利請求項5、11及18「第一介電材料是陶瓷」技術特徵。（四）證據2與3之組合可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性：1.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項1不具進步性：系爭專利請求項1與證據2比對可知，系爭專利係藉由導電屏蔽之管形部包圍環形介電體之一部，導電屏蔽之凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽之管形部與電漿處理室的室壁間之功效，而結構為證據2之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室的室壁間之功效，且管形部與凸緣部相交於管形部之上邊緣，為系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項1相較於證據2未有突出的功效，故證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性。又系爭專利請求項1與證據3比對可知，系爭專利請求項1界定之所有技術特徵，均為證據3所揭露。故證據3具有與系爭專利請求項1之聚焦環組件相同之結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室室壁間之功效。職是，系爭專利請求項1相較於證據3未有突出的功效，故證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項1不具進步性，可認證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項1不具進步性。2.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項2不具進步性：系爭專利請求項2與證據2比對可知，系爭專利係藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室之室壁間功效，且管形部與凸緣部相交之平面與管形部之縱軸形成一90度角，為乃系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項2相較於證據2未有突出之功效，故證據2可證明系爭專利請求項2不具進步性。又系爭專利請求項2與證據3比對可知，系爭專利請求項2界定之所有技術特徵，均為證據3所揭露，故證據3具有與系爭專利請求項2之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項2相較於證據3未有突出之功效，故證據3可證明系爭專利請求項2不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項2不具進步性，故證據2與3之組合自亦可證明系爭專利請求項2不具進步性。3.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項3不具進步性：系爭專利請求項3界定之所有技術特徵，均為證據2及3所揭露，故證據2及3均具有與系爭專利請求項3之聚焦環組件相同之結構，亦均具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項3相較於證據2及3未有突出之功效，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2及3均可證明系爭專利請求項3不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項3不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項3不具進步性。4.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項4不具進步性：系爭專利請求項4界定之附屬技術特徵已為證據2及3所揭露。而系爭專利請求項4相較於請求項3增加降低聚焦環配置內之電氣壓力功效，而證據2之絕緣構件(11)及證據3之絕緣物(9)均由鐵弗龍之介電材料形成，且鐵弗龍之介電材料具有接近真空之介電常數，故證據2及3均可產生與系爭專利請求項4相同之降低聚焦環配置內之電氣壓力功效。系爭專利請求項4所依附之請求項3不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2及3所揭露，且系爭專利請求項4的功效見於證據2及3。職是，系爭專利請求項4相較於證據2及3未有突出之功效，故證據2及3均可證明系爭專利請求項4不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項4不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項4不具進步性。

5.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項5不具進步性：系爭專利請求項5相較於請求項4增加以陶瓷形成第一環形部之功效，證據2之環狀覆蓋環(13)及證據3之覆蓋接地罩延長部(10a)表面之材料均由陶瓷材料形成，是證據2及3均具有與系爭專利請求項5相同之以陶瓷形成第一環形部功效。而系爭專利請求項5所依附之請求項4不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2及3所揭露，且系爭專利請求項5的功效見於證據2及3。職是，系爭專利請求項5相較於證據2及3未有突出的功效，故證據2及3均可證明系爭專利請求項5不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項5不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項5不具進步性。6.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項6不具進步性：系爭專利請求項6相較於請求項4增加以鐵弗龍形成第二環形部之功效，證據2之絕緣構件(11)及證據3之絕緣物(9)均由鐵弗龍形成，故證據2及3均具有與系爭專利請求項6相同之以鐵弗龍形成第二環形部的功效。而系爭專利請求項6所依附之請求項4不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2及3所揭露，且系爭專利請求項6之功效見於證據2及3。職是，系爭專利請求項6相較於證據2及3未有突出的功效，故證據2及3均可證明系爭專利請求項6不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項6不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項6不具進步性。7.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項7不具進步性：系爭專利請求項7與證據2比對可知，系爭專利係藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，故證據2同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室的室壁間之功效，且管形部與凸緣部相交於管形部之上邊緣，為系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項7相較於證據2未有突出之功效，故證據2可證明系爭專利請求項7不具進步性。又系爭專利請求項7界定之所有技術特徵，均為證據3所揭露，故證據3具有與系爭專利請求項7之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項7相較於證據3未有突出之功效，故證據3可證明系爭專利請求項7不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項7不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項7不具進步性。8.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項8不具進步性：系爭專利請求項8與證據2比對可知，系爭專利藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室的室壁間之功效，且管形部與凸緣部相交之平面與管形部之縱軸形成一90度角，乃系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項8相較於證據2未有突出的功效，故證據2可證明系爭專利請求項8不具進步性。又系爭專利請求項8界定之所有技術特徵，已均為證據3所揭露，故證據3具有與系爭專利請求項8之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。準此，系爭專利請求項8相較於證據3未有突出之功效，故證據3可證明系爭專利請求項8不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項8不具進步性，是證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項8不具進步性。9.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項9不具進步性：系爭專利請求項9界定之所有技術特徵，已均為證據2及3所揭露，故證據2及3均具有與系爭專利請求項9之聚焦環組件相同結構，亦均具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項9相較於證據2及3未有突出之功效，故證據2及3均可證明系爭專利請求項9不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項9不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項9不具進步性。10.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項10不具進步性：系爭專利請求項10界定之附屬技術特徵已為證據2及3所揭露。而系爭專利請求項10相較於請求項9增加降低聚焦環配置內之電氣壓力功效，而證據2之絕緣構件(11)及證據3之絕緣物(9)均由鐵弗龍之介電材料形成，且鐵弗龍之介電材料具有接近真空之介電常數，故證據2及3均可產生與系爭專利請求項10相同之降低聚焦環配置內之電氣壓力功效。而系爭專利請求項10所依附之請求項9不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2及3所揭露，且系爭專利請求項10的功效見於證據2及3。準此，系爭專利請求項10相較於證據2及3未有突出的功效，是證據2及3均可證明系爭專利請求項10不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項10不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項10不具進步性。11.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項11不具進步性：系爭專利請求項11界定之附屬技術特徵，已為證據2及3所揭露。而系爭專利請求項(11)相較於請求項10增加以陶瓷形成第一環形部之功效，證據2之環狀覆蓋環(13)及證據3之覆蓋接地罩延長部(10a)表面材料均由陶瓷材料形成，故證據2及3均具有與系爭專利請求項11相同之以陶瓷形成第一環形部功效。而系爭專利請求項11所依附之請求項10不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2及3所揭露，且系爭專利請求項11的功效見於證據2及3。準此，系爭專利請求項11相較於證據2及3未有突出之功效，故證據2及3均可證明系爭專利請求項11不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項11不具進步性，是證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項11不具進步性。12.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項12不具進步性：系爭專利請求項12界定之附屬技術特徵已為證據2及3所揭露。而系爭專利請求項12相較於請求項10增加以鐵弗龍形成第二環形部之功效，而證據2之絕緣構件(11)及證據3之絕緣物(9)，均由鐵弗龍形成，是證據2及3均具有與系爭專利請求項12相同之以鐵弗龍形成第二環形部功效。系爭專利請求項12所依附之請求項10不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2及3所揭露，且系爭專利請求項12之功效見於證據2及3。職是，系爭專利請求項12相較於證據2及3未有突出之功效，故證據2及3均可證明系爭專利請求項12不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項12不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項12不具進步性。13.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項14不具進步性：系爭專利請求項14與證據2比對可知，系爭專利係藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室之室壁間功效，且管形部與凸緣部相交於管形部之上邊緣，乃系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項14相較於證據2未有突出之功效，故證據2可證明系爭專利請求項14不具進步性。又系爭專利請求項14界定之所有技術特徵，已均為證據3所揭露，是證據3具有與系爭專利請求項14之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽的管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項14相較於證據3未有突出之功效，故證據3可證明系爭專利請求項14不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項14不具進步性，則證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項14不具進步性。14.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項15不具進步性：系爭專利請求項15與證據2比對可知，系爭專利係藉由導電屏蔽管形部包圍環形介電體之一部，暨導電屏蔽凸緣部內藏於環形介電體所形成之結構，達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，而結構為證據2之圓柱部及環狀延伸部形成之結構所揭露，則證據2同樣可達到降低等電位場線出現於圓柱部與真空處理腔室的室壁間之功效，且管形部與凸緣部相交之平面與管形部之縱軸形成一90度角，乃系爭專利申請時既有之技術。職是，系爭專利請求項15相較於證據2未有突出之功效，故證據2可證明系爭專利請求項15不具進步性。又系爭專利請求項15界定之所有技術特徵，已均為證據3所揭露，故證據3具有與系爭專利請求項15之聚焦環組件相同結構，亦具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項15相較於證據3未有突出之功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據3可證明系爭專利請求項15不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項15不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項15不具進步性。15.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項16不具進步性：系爭專利請求項16界定之所有技術特徵，已均為證據2及3所揭露，故證據2及3均具有與系爭專利請求項16之聚焦環組件相同結構，均具有相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效。職是，系爭專利請求項16相較於證據2及3未有突出的功效，其運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故證據2及3均可證明系爭專利請求項16不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項16不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項16不具進步性。16.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項17不具進步性：系爭專利請求項17界定之附屬技術特徵，已為證據2及3所揭露。而系爭專利請求項17相較於請求項16增加降低聚焦環配置內之電氣壓力功效，而證據2之絕緣構件(11)及證據3之絕緣物(9)均由鐵弗龍之介電材料形成，且鐵弗龍之介電材料具有接近真空之介電常數，故證據2及3均可產生與系爭專利請求項17相同之降低聚焦環配置內之電氣壓力功效。而系爭專利請求項17所依附之請求項16不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2及3所揭露，且系爭專利請求項17功效見於證據2及3。職是，系爭專利請求項17相較於證據2及3未有突出之功效，故證據2及3均可證明系爭專利請求項17不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項17不具進步性，是證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項17不具進步性。17.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項18不具進步性：系爭專利請求項18界定之附屬技術特徵已為證據2及3所揭露。而系爭專利請求項18相較於請求項17增加以陶瓷形成第一環形部功效，證據2之環狀覆蓋環(13)及證據3之覆蓋接地罩延長部(10a)表面材料均由陶瓷材料形成，證據2及3均具有與系爭專利請求項18相同之以陶瓷形成第一環形部功效。而系爭專利請求項18所依附之請求項17不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2及3所揭露，且系爭專利請求項18之功效見於證據2及3。職是，系爭專利請求項18相較於證據2及3未有突出之功效，故證據2及3均可證明系爭專利請求項18不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項18不具進步性，是證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項18不具進步性。18.證據2與3之組合可證明系爭專利請求項19不具進步性：系爭專利請求項19界定之附屬技術特徵，已為證據2及3所揭露。而系爭專利請求項19相較於請求項17增加以鐵弗龍形成第二環形部之功效，而證據2之絕緣構件(11)及證據3之絕緣物(9)均由鐵弗龍形成，故證據2及3均具有與系爭專利請求項19相同之以鐵弗龍形成第二環形部之功效；而系爭專利請求項19所依附之請求項17不具進步性，其進一步界定之附屬技術特徵為證據2及3所揭露，且系爭專利請求項19之功效見於證據2及3。職是，系爭專利請求項19相較於證據2及3未有突出之功效，故證據2及3均可證明系爭專利請求項19不具進步性。因以單一證據之證據2及3均可證明系爭專利請求項19不具進步性，故證據2與3之組合亦可證明系爭專利請求項19不具進步性。（五）證據3與4之組合、證據3與5之組合、證據3與6之組合均可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性：1.因證據3可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性，是證據3與4之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。2.因證據3可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性，是證據3與5之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。3.因證據3可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性，故證據3與6之組合自亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。（六）證據2、3與4之組合；證據2、3與5之組合；證據2、3與6均可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性：1.因證據2、3或其組合均可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性，故證據2、3與4之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。2.因證據2、3或其組合均可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性，故證據2、3與5之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。3.因證據2、3或其組合均可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性，故證據2、3與6之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。（七）證據2、5與7之組合；證據3、5與7之組合均可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性：1.因證據2可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性，是證據2、5與7之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。2.因證據3可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性，是證據3、5與7之組合亦可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。3.又僅以單一證據之證據2或證據3即可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性，故證據3與4之組合；證據3與5之組合；證據3與6之組合；證據2、5及7之組合；暨證據3、5及7之組合，均可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性。（八）證據2與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性：系爭專利請求項13具有與請求項7相同之技術特徵，而由系爭專利請求項7與證據2比對可知，技術特徵已為證據2所揭露，故系爭專利請求項13「一種電漿處理室，架構以處理一基材，包含一吸盤，架構以於電漿處理時，支撐基材及一聚焦環組件實際包圍吸盤，聚焦環組件包含一環形介電體及一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，導電屏蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內」技術特徵，亦為證據2所揭露。又證據2之環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，協助降低電漿形成於晶圓之區域外，而系爭專利請求項13「侷限環」同樣係為協助降低電漿形成於基材之區域外，且由系爭專利第1圖及說明書第4至6頁記載之先前技術等內容可知，系爭專利請求項13「其中一侷限環係安置於聚焦環組件上」技術特徵，為系爭專利所載先前技術所揭露，熟習系爭專利技術者即能輕易將證據2之環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構置換為侷限環。就系爭專利請求項13之電漿處理室功效而言，其藉由聚焦環組件達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，並藉由侷限環降低電漿形成於基板區域外而改善電漿處理控制之功效。而證據2既具有與系爭專利請求項13之聚焦環組件相同結構，亦具有與系爭專利請求項13相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室的室壁間之功效。證據2之環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，係協助降低電漿形成於晶圓之區域外，以產生改善電漿處理控制之功效，且藉由侷限環降低電漿形成於基板區域外，而改善電漿處理控制之功效為系爭專利申請時既有之習知功效，故系爭專利請求項13的功效已見於證據2與習知功效，系爭專利請求項13之技術特徵為證據2及系爭專利所載先前技術所揭露，且系爭專利請求項13之功效見於證據2與習知功效。準此，系爭專利請求項13相較於證據2及先前技術未有突出之功效，是證據2與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性。另證據2藉由環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構，使得電漿僅能由窄間隙部分洩漏出晶圓之區域外，是證據2之環狀接地罩及環狀覆蓋環構成之結構，係協助降低電漿形成於晶圓之區域外，而系爭專利說明書記載之侷限環先前技術，亦協助降低電漿洩漏出基板區域外，則熟習系爭專利技術者具有將證據2之環狀接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構置換為侷限環之動機。（九）證據3與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性：系爭專利請求項13具有與請求項7相同之技術特徵，而由系爭專利請求項7與證據3比對可知，技術特徵已為證據3所揭露，故系爭專利請求項13之技術特徵，亦為證據3所揭露。證據3雖不具有等同系爭專利請求項13「侷限環」構件，然在聚焦環組件上安置一侷限環，乃為系爭專利申請時既有之技術，系爭專利第1圖及說明書第4至6頁記載之先前技術即已揭示聚焦環(108)上安置一侷限環(102)，故系爭專利請求項13「其中一侷限環係安置於聚焦環組件上」技術特徵，為系爭專利所載先前技術所揭露。且就系爭專利請求項13之電漿處理室功效而言，其藉由聚焦環組件達到降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室之室壁間功效，並藉由侷限環降低電漿形成於基板區域外而改善電漿處理控制之功效；而證據3與系爭專利請求項13之聚焦環組件為相同結構，亦具有與系爭專利請求項13相同之降低等電位場線出現於導電屏蔽管形部與電漿處理室的室壁間之功效。而藉由侷限環降低電漿形成於基板區域外而改善電漿處理控制之功效，為系爭專利申請時既有之習知功效，系爭專利請求項13之技術特徵為證據3及系爭專利所載先前技術所揭露，且系爭專利請求項13之功效見於證據3與習知功效。職是，系爭專利請求項13相較於證據3及先前技術未有突出之功效，故證據3與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性。另藉由侷限環可具有協助降低電漿洩漏出基板區域外之功效，而證據3並非使得電漿無洩漏出被處理部材(4)區域外，故熟習系爭專利技術者具有在證據3之高頻電漿處理裝置中加入習知之侷限環構件動機，以使得更有效協助降低電漿洩漏出被處理部材區域外。在系爭專利之聚焦環配置下，藉由侷限環可更有效協助降低電漿形成於基板之區域外，而系爭專利請求項13「聚焦環組件」技術特徵，已為證據3所揭露，故可在證據3之高頻電漿處理裝置中加入侷限環，以更有效協助將低電漿形成於被處理部材之區域外，難謂熟習系爭專利技術者無動機將侷限環加入證據3之高頻電漿處理裝置中。職是，上訴人上開主張，即非可採。綜上所述，證據2雖無法證明系爭專利請求項1、2、7、8、14及15不具新穎性，然可證明系爭專利請求項3至6、9至12及16至19不具新穎性。而證據3可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具新穎性；證據2與3之組合、證據3與4之組合、證據3與5之組合、證據3與6之組合、證據2、3與4之組合、證據2、3與5之組合、證據2、3與6之組合、證據2、5與7之組合、證據3、5與7之組合，均可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性；證據2與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性；暨證據3與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性。準此，原處分於法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤等由，乃判決駁回上訴人在原審之訴。

六、上訴人上訴意旨及補充理由略謂：（一）系爭專利涉及半導體製程中應用之電漿處理技術與電學原理，須仰賴專家證人向法院作出進一步說明，熟悉相關技術領域專家的說明對於法院理解系爭專利技術及比對相關技術極為重要，此絕非僅參考專利說明書中之簡略圖式結構及文字敘述所能取代。國立臺灣大學電機系暨電子研究所呂學士教授僅針對參加人所提之證據2是否具備「均勻場線」之技術特徵表示意見，並未就證據3及證據2至7之各類組合表示意見，顯見其在被上訴人處舉發程序中所為之說明僅屬片斷。系爭專利既為一精深複雜之專利技術，則法院欲判斷其是否具備新穎性、進步性時，自有傳喚相關專家證人到庭說明之必要。然原審法院未於庭訊時說明不予傳喚之理由，亦未於原判決理由中說明，顯有不適用行政訴訟法第176條準用民事訴訟法第268條及行政訴訟法第162條第1項規定之違法。又原審法院疏未斟酌上訴人提出之訴願審查意見書及專家意見書之整體內容，又未表明不足採取之所得心證理由，即有判決不備理由之違法。（二）原判決依據參加人片斷誤導翻譯之原審證據3日本專利部分內容之中文譯文，率予認定證據3足以揭露系爭專利請求項中「聚焦環組件」之「環形介電體內藏凸緣部」之技術特徵，顯與原審證據3之客觀卷證內容不符，實有違行政訴訟法第189條第1項之規定。另證據3係以日本文字記載各請求項及技術特徵之日本專利，內容涵括半導體製程技術、專利及法律等相關文字，顯有命參加人提出證據3與待證事實有關部分中文譯本之必要。然原判決未命參加人提出相關中文譯本，致錯誤解讀證據3揭露系爭專利請求項中「聚焦環組件」之「環形介電體內藏凸緣部」之技術特徵，顯有違行政訴訟法第121條第1項第2款及專利法施行細則第3條第2項之規定。（三）在解釋申請專利範圍時，應先審酌與系爭專利直接相關之書證，倘相關書證仍無法確認請求項文字之文義及範圍時，則得援引外部證據。查系爭專利請求項之第1項至第3項、第7項至第9項及第13項至第16項均有「環形介電體」之記載，而「環形介電體」之「環形」部分應解釋為外圓而中空之圓環形；另原審證據2之絕緣構件11與覆蓋環13所構成之結構則為盤狀構件，並非外圓而中空之形狀，且具有一連續塊狀、無法穿透之底部，是系爭專利請求項技術特徵之「環形」介電體與證據2之絕緣構件11與覆蓋環13所構成之「盤狀構件」顯不相同。然原判決卻論斷證據2之絕緣構件11與覆蓋環13所構成之結構等同系爭專利請求項1，顯然對「環形」介電體之技術特徵解釋錯誤，違背專利法第56條第3項規定，影響系爭專利新穎性及進步性之判斷，足以影響判決結果。又系爭專利請求項之第3項、第9項及第16項均有「相鄰」之記載，而「相鄰」應解釋為具有一共同之邊界；另原審證據3之絕緣構件9並未與覆蓋接地罩延長部10a表面之SiO2或SiN具有一共同的邊界而未「相鄰」。惟原判決卻論斷證據3之絕緣構件9與於覆蓋接地罩延長部10a表面之SiO2或SiN之結構等同系爭專利請求項3之環形介電體云云，顯然對於「相鄰」之技術特徵解釋錯誤，違背專利法第56條第3項規定，而有判決違背法令之違誤。（四）關於原審證據3是否已揭露系爭專利凸緣部「內藏」於環形介電體內之技術特徵：查證據3揭露在接地罩延長部10a表面覆蓋Si02或SiN的目的是避免在電漿處理過程中曝露由金屬製成的接地罩延長部10a，然證據3之Si02或SiN並無「完全」覆蓋於接地罩延長部10a，是證據3並未揭露系爭專利的「內藏」之技術特徵，原判決關於此部分之判決理由顯有不備。且若非上開判決不備理由之違法，原判決不至認定系爭專利已為證據3所揭露而不具新穎性或相對於證據3及原審證據2、4至7之組合不具進步性，上開違法足以影響判決結果至為明確。（五）關於證據3是否已揭露系爭專利管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面「之間」之技術特徵：此與證據3之Si02或SiN等材料是否「完全」覆蓋於接地罩延長部之表面有密切關係，然熟習系爭專利技術領域者，並不能如原判決所述從原審證據3直接得知接地罩10之垂直部之上邊緣定位於絕緣物9及覆蓋接地罩延長部表面10a之Si02或SiN所形成結構之上表面及下表面之「兩者之中」。是原審證據3並未揭露系爭專利的「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面之間」之技術特徵，原判決此部分之論斷顯有判決不備理由之違法。且若非上開判決不備理由之違法，原判決不至認定系爭專利已為證據3所揭露而不具新穎性或相對於證據3及原審證據2、4至7之組合不具進步性，上開違法足以影響判決結果至為明確。（六）關於原審證據3是否揭露系爭專利「環形」介電體之技術特徵：原審證據3所有圖式中均未顯示接地罩延長部10a之表面有任何覆蓋物。退一步言，即使接地罩延長部10a之表面有覆蓋Si02或SiN，證據3並未說明在接地罩延長部表面是否全部或部分覆蓋Si02或SiN，此外，證據3亦未說明覆蓋於接地罩延長部表面之Si02或SiN的形狀為何。故原判決如何能憑空想像覆蓋於接地罩延長部10a表面之Si02或SiN與絕緣物9組成之結構呈圓環形?因此，原審證據3並未揭露系爭專利的「環形」之技術特徵，原判決此部分之論斷顯有判決理由不備之違法。且若非上開判決不備理由之違法，原判決不至認定系爭專利已為證據3所揭露而不具新穎性或相對於證據3及原審證據2、4至7之組合不具進步性，上開違法足以影響判決結果至為明確。（七）關於原審證據3是否已揭露系爭專利環形介電「體」之技術特徵：系爭專利之環形介電「體」應為一連續實體或由互相連接且具有共同邊界之多個實體所構成之連續實體，惟原審證據3所有圖式中均未顯示接地罩延長部10a之表面有任何覆蓋物。退一步言，即使接地罩延長部10a之表面有覆蓋Si02或SiN，證據3並未說明在接地罩延長部表面是否全部或部分覆蓋Si02或SiN，此外，證據3亦未說明覆蓋於接地罩延長部表面之Si02或SiN是否與絕緣物9接觸。原判決如何能憑空想像覆蓋於接地罩延長部10a表面之Si02或SiN與絕緣物9互相連接而成一體？是原審證據3顯未揭露系爭專利關於「體」之技術特徵，原判決此部分之論斷顯有判決理由不備之違法。且若非上開判決不備理由之違法，原判決不至認定系爭專利已為證據3所揭露而不具新穎性或相對於證據3及原審證據2、4至7之組合不具進步性，上開違法足以影響判決結果至為明確等語。

七、本院查：

㈠、按利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依法申請取得發明專利。然發明係申請前已見於刊物或已公開使用者；或運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，則不得依法申請取得發明專利。83年1月21日修正公布之專利法第19條、第20條第1項前段、第20條第1項第1款及第2項分別定有明文。因系爭專利之申請日為88年6月23日，核准公告日為90年1月21日，故本件關於系爭專利有無應不准專利之事由，應依核准審定時有效之83年1月21日修正公布之專利法為斷。

㈡、本件關於證據2雖無法證明系爭專利請求項1、2、7、8、14及15不具新穎性，然可證明系爭專利請求項3至6、9至12及16至19不具新穎性。而證據3可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具新穎性；證據2與3之組合、證據3與4之組合、證據3與5之組合、證據3與6之組合、證據2、3與4之組合、證據2、3與5之組合、證據2、3與6之組合、證據2、5與7之組合、證據3、5與7之組合，均可證明系爭專利請求項1至12及14至19不具進步性；證據2與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性；暨證據3與系爭專利所載先前技術之組合可證明系爭專利請求項13不具進步性等情，業據原審依調查證據之辯論結果，敘明其得心證之理由(原判決事實及理由四-六參照)，經核其認事用法並無違經驗或論理法則，亦無判決不適用法規或適用不當之違背法令之情形。

㈢、次查，上訴人101年3月23日所提行政上訴理由(二)狀所附上證七即審證據3之中文翻譯第7頁已載明：「當電漿處理過程中金屬例如鋁的暴露致問題時，接地罩延長部10a表面可覆蓋例如SiO2或SiN等。」與原審認定：由證據3之圖4、說明書第1頁之目的段記載：有關於一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，目的在於能使平行平板之間隔充分大，且能均勻而有效率地進行處理，能防止污染物質之產生。說明書第1頁之構成段記載：一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，係RF電極即高頻施加電極(1)與對向電極(2)以形成平行平板之方式面對面，將RF電極之周圍用接地罩(10)隔著絕緣物(9)包圍。此外，在接地罩設置有比形成RF電極之平行平板之面(12)朝對向電極側更突出之延長部(10a)。說明書第4頁第0026段記載：圖4及圖3之絕緣物延長部(9a)上方所設置之接地罩延長部或圖2之接地罩延長部等係高純度之鋁板，倘因鋁等金屬露出而使製程發生不妥當之情形時，亦可用SiO2或SiN等以覆蓋接地罩延長部之表面之事實，經核並無不合，亦無衝突或矛盾之處。原審執此審認證據3之高頻電漿處理裝置，等同系爭專利請求項1之電漿處理室，由絕緣物、接地罩、接地罩延長部及SiO2或SiN等，以覆蓋接地罩延長部之表面所形成之結構，等同系爭專利請求項1之聚焦環組件，係包圍其高頻電漿處理裝置之靜電吸盤(3)，等同系爭專利請求項1之吸盤，且結構係可提供被處理部材(4)均勻而有效率地進行電漿處理，即提供處理部材表面均勻之電位場線以進行電漿蝕刻處理，故系爭專利請求項1「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤」技術特徵，已為證據3所揭露，核屬有據。上訴人指原判決依據參加人片斷誤導翻譯之原審證據3日本專利部分內容之中文譯文，率予認定證據3足以揭露系爭專利請求項中「聚焦環組件」之「環形介電體內藏凸緣部」之技術特徵，顯與原審證據3之客觀卷證內容不符，有違行政訴訟法第189條第1項之規定一節，非為可採。又證據3係以日本文字記載各請求項及技術特徵之日本專利，參加人於專利舉發理由書已就證據3所揭露系爭專利技術特徵部分，以中文加以記載說明(原處分卷1第189頁至第195頁參照)。且上訴人行政上訴理由(二)狀所附上證七即原審證據3之中文翻譯與參加人翻譯及原審之認定並無不相符合之處。上訴人指參加人未提出證據3與待證事實有關部分中文譯本，致錯誤解讀證據3揭露系爭專利請求項中「聚焦環組件」之「環形介電體內藏凸緣部」之技術特徵，於法有違部分，亦非可採。

㈣、復按，行政訴訟法第162條雖規定：「（第1項）行政法院認有必要時，得就訴訟事件之專業法律問題徵詢從事該項學術研究之人，以書面或於審判期日到場陳述其法律上意見」「（第2項）前項意見，於裁判前應告知當事人使為辯論。」行政法院固得就訴訟事件之專業法律問題徵詢從事該學術研究之人陳述其法律意見，但依該法文規定，仍以認有必要時為前提要件。行政法院就當事人爭議之事項，若依有關卷證及兩造攻防資料即可逕行判斷認定者，自無徵詢從事學術研究之人陳述法律上意見之必要。本件原審固未就專業法律問題徵詢從事該學術研究之人，但是否徵詢從事該學術研究之人陳述專業法律意見，仍屬法院職權之行使。本件原審業已論明系爭專利為一種聚焦環組件(300)，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤(104)。聚焦環組件包含一環形介電體(302)，暨一導電屏蔽(304)包圍環形介電體。導電屏蔽係架構以電氣接地於電漿處理室內，暨包含一管形部(304a)安置於環形介電體外側，並包圍至少環形介電體之一部。導電屏蔽更包含一向內突出凸緣部(304b)，其係與管形部電氣相接。凸緣部形成一與管形部相交之平面，凸緣部內藏於環形介電體內。並就系爭專利申請專利範圍各請求項與舉發證據2至舉發證據7之不同組合之技術內容加以比較分析(原判決事實及理由四-六參照)。且專利說明書除應載明申請專利範圍外，並應載明有關之先前技術、發明之目的、技術內容、特點及功效，使熟習該項技術者能瞭解其內容並可據以實施(系爭專利核准審定時專利法第22條第3項參照，現行專利法第26條第2項亦有類似規定)。本件原審已就系爭專利與舉發證據之技術內容詳予論斷說明，其認定並無違經驗或論理法則。原審依卷內卷證及兩造攻防資料已可逕行判斷認定，原審並已說明上訴人雖聲請傳訊專家證人到庭就系爭專利與引證案之實質重大差異陳述意見等語，但因其已就系爭專利與引證案之技術特徵，就兩造爭執逐一詳究，故認已無傳訊該專家證人之必要性等情(原判決事實及理由八參照)。則上訴人未以原審所為上開技術內容之比較分析究有何違誤加以具體指摘，僅以系爭專利涉及半導體製程中應用之電漿處理技術與電學原理，須仰賴專家證人向法院作出進一步說明，非僅參考專利說明書中之簡略圖式結構及文字敘述所能取代，系爭專利既為一精深複雜之專利技術，則法院欲判斷其是否具備新穎性、進步性時，有傳喚相關專家證人到庭說明之必要，原審法院未於庭訊時說明不予傳喚之理由，亦未於原判決理由中說明，顯有不適用行政訴訟法第176條準用民事訴訟法第268條及行政訴訟法第162條第1項規定之違法等等，依上說明，自非可採。

㈤、至於上訴人指原審法院疏未斟酌上訴人提出之訴願審查意見書及專家意見書之整體內容，又未表明不足採取之所得心證理由；系爭專利請求項技術特徵之「環形」介電體與證據2之絕緣構件11與覆蓋環13所構成之「盤狀構件」顯不相同，原判決卻論斷證據2之絕緣構件11與覆蓋環13所構成之結構等同系爭專利請求項1，顯然對「環形」介電體之技術特徵解釋錯誤；原判決論斷證據3之絕緣構件9與於覆蓋接地罩延長部10a表面之SiO2或SiN之結構等同系爭專利請求項3之環形介電體云云，顯然對於「相鄰」之技術特徵解釋錯誤；證據3揭露在接地罩延長部10a表面覆蓋Si02或SiN的目的是避免在電漿處理過程中曝露由金屬製成的接地罩延長部10a，然證據3之Si02或SiN並無「完全」覆蓋於接地罩延長部10a，是證據3並未揭露系爭專利的「內藏」之技術特徵，原判決關於此部分之判決理由顯有不備；證據3並未揭露系爭專利的「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面之間」之技術特徵，原判決此部分之論斷顯有判決不備理由之違法；原審證據3所有圖式中均未顯示接地罩延長部10a之表面有任何覆蓋物，證據3並未揭露系爭專利的「環形」之技術特徵，原判決此部分之論斷顯有判決理由不備之違法；證據3亦未說明覆蓋於接地罩延長部表面之Si02或SlN是否與絕緣物9接觸，證據3顯未揭露系爭專利關於「體」之技術特徵，原判決此部分之論斷顯有判決理由不備之違法等等。經核無非係就原審取捨證據、認定事實之職權行使事項，或係就原審所已為論斷或駁斥其主張之理由再為爭執，指其論斷違誤或理由不備，核屬法律上見解之歧異。且所謂判決不備理由係指判決全然未記載理由，或雖有判決理由，但其理由不明瞭或不完備，不足使人知其主文所由成立之依據，上訴人所指原審法院疏未斟酌上訴人提出之訴願審查意見書及專家意見書之整體內容，又未表明不足採取之所得心證理由，以及其餘上述未採上訴人主張而未予論明，即有判決不備理由部分，係就原審證據取捨與當事人所希冀者不同，致其事實之認定異於該當事人之主張部分予以爭執，縱令有就上訴人主張未加以論述者，惟尚不影響前揭原審依其得心證理由所為結論之判斷，仍與判決不備理由之違法情形並不相當，亦不能執此指為原判決有違背法令之情形。

㈥、從而原審以被上訴人所為舉發成立，應撤銷專利權之處分，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合，而駁回上訴人原審之訴，依上說明，應屬合法。上訴論旨，指摘原判決違背法令，求予廢棄，為無理由，應予駁回。

八、據上論結，本件上訴為無理由。依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第255條第1項、第98條第1項前段，判決如主文。

最高行政法院第三庭

以 上 正 本 證 明 與 原 本 無 異