智慧財產法院行政判決

民國101年5月24日辯論終結

原告

聯勝光電股份有限公司

代表人

黃國書

訴訟代理人

林火泉 專利代理人

複代理人

卞宏邦 專利代理人

複代理人

陳威霖 律師

被告

經濟部智慧財產局

代表人

王美花

訴訟代理人

謝文元

參加人

潘怡瑾

訴訟代理人

陳翠華 專利師

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國100 年11月15日經訴字第10006105920 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下：

主文

事實及理由

壹、事實概要：原告前於民國81年9 月22日以「貼附式發光二極體晶粒製造過程及其產品」向中央標準局申請發明專利，經其編為第81107457號審查，准予專利，而於公告期滿後，核給發明第86340 號專利證書（下稱系爭專利），中央標準局並於88年1月26日改制為經濟部智慧財產局。參加人嗣於97年9 月19日以系爭專利違反核准時即83年1 月21日修正公布之專利法第20條第1 項第1 款及第2 項規定，對之提起舉發。原告為此分別於98年6 月19日、98年11月3 日、98年11月6 日、98年12月22日提出系爭專利申請專利範圍更正本。案經被告審查結果，認前揭98年12月22日申請專利範圍更正本，已超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，或已實質擴大、變更申請專利範圍，應不准更正，並以100 年3 月25日(100) 智專三（二）04118 字第10020250040 號函通知原告限期申復，惟原告逾期未提出申復或更正本。被告遂依系爭專利原公告本內容審查，認其有違前揭專利法第20條第2 項規定，復以100 年5 月30日(100) 智專三（二）04118 字第10020466930 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」處分。原告不服原處分，提起訴願，經濟部以100 年11月15日經訴字第10006105920 號訴願決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。本院認本件判決之結果，將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。

貳、原告主張：

一、原告有更正系爭專利第1 項至第4 項之原公告本專利申請範圍，均未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍，該等請求項之更正內容依序如後：

（一）更正之系爭專利第1 項為原公告本專利申請範圍第1 項、第3 項之結合，係原獨立項之記載限縮，乃下位概念或進一步限定，依審查基準第二篇第六章2-6-64頁之說明與本院98年度行專訴字第78號行政判決要旨可知，將原敘述性之附屬項併入獨立項，並未改變原申請專利範圍之結合關係，其更正並未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更之。更正之系爭專利第1 項是將敘述性之附屬項併入獨立項，屬申請專利範圍之減縮，應予核准。而更正之系爭專利第1 項有刪除原公告第3 項之「銀膠」、「金鍚合金」，其屬刪除擇一記載形式中所敘述之一個選項，為申請專利範圍之減縮。職是，最新更正之系爭專利第1 項未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍。

（二）更正之系爭專利第2 項為原公告本專利申請範圍第1 項、第2 項之結合，係下位概念或予以進一步限定，乃將敘述性之附屬項併入獨立項，屬申請專利範圍之減縮，應予核准。而更正之系爭專利第2 項有刪除原公告第2 項之「Si」、「或不同結構之磊晶片」，屬於刪除擇一記載形式中所敘述之一個選項，其屬申請專利範圍之減縮。故更正之系爭專利第2 項未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更。

（三）更正之系爭專利第3 項為原公告本專利申請範圍第1 項至第3 項之結合，係將多個附屬項分別與其所依附之獨立項合併以形成新獨立項，使原獨立項之記載限縮為下位概念或予以進一步限定，更正後專利申請範圍第3 項係將敘述性之附屬項併入獨立項，屬申請專利範圍之減縮，應予核准。而更正後專利申請範圍第3 項有刪除原公告第2 項之「III-V 族化合物半導體」、「或不同結構之磊晶片」，暨刪除原公告第3 項之「銀膠」、「金鍚合金」、「錫」、「錫鉛合金」，屬刪除擇一記載形式中所敘述之一個選項，為申請專利範圍之減縮。職是，更正之系爭專利第3項未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦未為實質擴大或變更。

（四）更正之系爭專利申請範圍第4 項先刪除原先公告本專利申請範圍第4 項，再與原先公告本專利第1 項及第2 項結合，屬原來獨立項之記載限縮，為下位概念或進一步限定，係將敘述性之附屬項併入獨立項而屬於申請專利範圍之減縮。而更正之系爭專利第4 項，另將上位概念「導電基材」，更正為下位概念「有歐姆接觸之導電基材」，此增加之限制，亦為原公告本之內容所明確界定，為請求項之技術特徵置換，創作說明中就該技術特徵本身之記載，已有整體詳細描述，且在原申請專利範圍所包含之技術範圍內，亦未變更原有元件、成分及步驟之結合關係。準此，未因更正而使本發明之創作性質或功能改變，應予准許。

二、原核准系爭專利之第2 項、第3 項已述明「導電基材，通常可為Si、111-V 族化合物半導體或不同結構之磊晶片」、「粘著材料，通常可為銀膠、銦、錫、金鍚合金、錫鉛合金」。另系爭專利申請說明書（五）發明說明第5 頁，已說明「適當粘著材料為銀膠、銦、錫、金錫合金、或錫鉛合金」、「導電基材，通常可為Si、III-V 族化合物半導體或不同結構之磊晶片」。是原告加入「其中適當粘著材料為銦、錫或錫鉛合金」、「導電基材為III-V 族化合物半導體」、「導電基材為Si」、「適當粘著材料為銦」及「導電基材為Si或III-V 族化合物半導體」，其為限縮專利範圍外，亦為原專利說明書所支持。

三、系爭專利之發明摘要、發明說明及圖示，均已明顯揭露發光二極體之物品結構。則將系爭專利第1 項至第4 項中，有關「一種貼附式發光二極體晶粒製造過程及其產品」，更正為「一種貼附式發光二極體晶粒產品」，完全為原專利說明書所支持。而本院98年度民專訴字第68號民事判決中，法院雖以未更正前之專利申請範圍進行解釋，然原告已將「製造過程及其產品」一詞刪減成「產品」，而成為一個範疇，其與上開判決之前提，專利申請範圍同時包含「製造過程及其產品」兩個範疇不同。且被告亦有核准申請範疇以產品為主者，而主文部分係以製造方式撰寫之專利申請範圍，如專利文號第I232505 號之申請專利範圍第10項。職是，被告不准原告為更正系爭專利請求項，即無理由。

四、參考美國聯邦巡迴法院前身美國關稅暨專利上訴法院之相關判決，縱使專利申請範圍內有包含「黏著過程」為「方法」或「製造」文字，仍屬物之發明，而非方法發明。而原告所更正之系爭專利請求項第1 項至第4 項中，有關「一種貼附式發光二極體晶粒製造過程及其產品」，更正為「一種貼附式發光二極體晶粒產品」，完全為原專利說明書之支持，且申請範圍清楚與明確，載明申請專利之構成及其實施之必要技術內容，完全符合申請時專利法與專利法施行細則之規定。況「Landis on Mechanics of Patent Claim Drafting」一書，亦支持原告更正系爭專利第1 項至第4 項之撰寫方式。

五、系爭專利說明書內未出現「點附」一詞，而係以「貼附」、「粘附」交互替代使用。而「點附」一詞僅於83年10月18日修正版本之申請專利範圍第1 項出現，原申請專利範圍第1項第2 行至第3 行，記載以適當黏著材料點附，應記載為「粘附」。此誤記事項之更正亦無實質擴大申請專利範圍，縱將「點附」一詞解釋成「部分黏貼」，然原申請專利範圍為「開放式」撰寫方式，並非撰寫成「僅點附」，有「部分黏貼」即落入系爭專利之申請專利範圍，故原先「點附」亦包含全部貼接，而與更正後「粘附」一詞之申請專利範圍無差異。倘被告僅因系爭專利之實施例圖示，而逕將「點附」一詞解釋為「部分黏附態樣」，則係將發明說明及圖示中之限制條件讀入申請專利範圍，自與本院97年度民專訴字第6 號民事判決之意旨相違。

六、證據2 為日本第昭000000000 號專利，固係利用紅外線雷射以30W 之溫度300 度至330 度，融合磊晶片之金錫黏著層(17)與Ｓi 基板之金錫黏著層(18)。然更正後系爭專利第1項藉由一適當粘著材料，將具有歐姆接觸之發光二極體(LED)磊晶片與一導電基板接合，適當之主要粘著材料為銦、錫或錫鉛合金，故更正後系爭專利第1 項之黏著材料，其熔點均遠低於250 度，即可將磊晶片與導電基板接合。反觀證據2之金錫黏著層需溫度300 度至330 度，遠高於銦、錫或錫鉛合金之熔點。故證據2 將導致磊晶片產生較大之應力而容易發生缺陷。而銦、錫或錫鉛合金屬於較軟質之材料，其黏著界面不需平整與大壓力，即可使導電基板與磊晶片結合。而金錫黏著層材質較硬，黏著時要施加較大之壓力，且黏著層之表面要求較平整，使能黏著成功。故更正後系爭專利第1項與證據2 不同，具有新穎性與進步性。更正後系爭專利第2 項藉由一適當粘著材料，將具有歐姆接觸之發光二極體磊晶片與一導電基板接合，其中導電基材為III-V 族化合物半導體，其對於一般發光二極體具有透光性，發光特性優於Si基板，且與一般發光二極體材料之熱膨脹係數較接近，不至因wa -fer bonding 進行或後續高溫處理時，產生較大之應力。而證據2 所利用之Si基板，其主要為IV族基板，其對一般發光二極體具有強烈吸光特性，且與一般發光二極體材料之熱膨脹係數，差距約1 倍，易於wafer bonding 進行或後續高溫處理時，產生較大之應力。更正後系爭專利第3 項利用以銦為主要之黏著劑，其熔點極低而不會使原先磊晶片在黏著時產生太大之應力，且Si基板具有較高之導熱係數，對發光二極體散熱有極大助益。證據2 其所需要之接合溫度大於銦之熔點，會產生較大應力。更正後系爭專利第4 項藉由一適當粘著材料，將具有歐姆接觸之發光二極體磊晶片與一具有歐姆接觸之導電基板接合，在導電基板上先形成歐姆電極，使導電基材與磊晶片均先有歐姆接觸，在黏著材料黏接後，仍可確保導電基材與磊晶片間之良好導電性，不致影響磊晶片之發光效率。證據2 之Si基板僅蒸鍍金錫黏著層(18)，而蒸鍍金錫黏著層於Si基板，並不會形成歐姆接觸，可致Ｓi基 板與金錫黏著層間不易導電流。職是，更正後系爭專利與證據2 不同，具有新穎性及進步性。

七、更正後系爭專利第1 項、第3 項使用銦、錫或錫鉛合金之低溫金屬，作為粘著材料，較不會因高溫而致原先LED 磊之晶圓，因熱膨脹差異而產生應力；而證據3 之日本第平4-29374 號專利揭露「在磊晶片上層形成金(Au)膜，再與矽(Si)基板利用加熱法形成金矽的合金」，係利用半導體與金屬共晶結合技術，而非額外利用其他粘著材料，兩者有極大不同。更正後系爭專利第2 項藉由一適當粘著材料，將具有歐姆接觸之發光二極體磊晶片與一導電基板接合，其中導電基材為III-V 族化合物半導體，其對於一般發光二極體具有透光性，發光特性優於Si基板，且與一般發光二極體材料之熱膨脹係數較接近，不致因wafer bonding 進行或後續高溫處理時，產生較大之應力。而證據3 所利用之Si基板，其主要為IV族基板，其對一般發光二極體具有強烈吸光特性，且與一般發光二極體材料之熱膨脹係數，約有1 倍差異，易於waferbonding 進行或後續高溫處理時，產生較大之應力。更正後系爭專利第3 項利用以銦為主要之黏著劑，其熔點極低，不致使原先磊晶片在黏著時，產生太大之應力，且Si基板具有較高之導熱係數，對於發光二極體散熱有極大助益。而證據3 其所需要之接合溫度大於銦之熔點，會產生較大應力。更正後系爭專利第4 項藉由一適當粘著材料，將具有歐姆接觸之發光二極體磊晶片與一具有歐姆接觸之導電基板接合，在導電基板上先形成歐姆電極，使導電基材與磊晶片兩者均先有歐姆接觸，在黏著材料黏接後，仍可確保導電基材與磊晶片間之良好導電性，而不致影響磊晶片之發光效率。證據3之Si基板於接合時，並無歐姆接觸。職是，更正後系爭專利與證據3 不同，具新穎性及進步性。

八、證據4 之日本第平00000000號專利，係將兩不同波長顏色，非晶圓之綠色LED 晶粒與紅色LED 晶粒在封裝入樹酯(44)時接合，達到混色之半導體元件，係晶粒與晶粒之結合，且兩者大小明顯不同，非晶圓結合技術，其與更正後系爭專利第1 項所述「粘著後之晶片可經切割成為晶粒」，強調晶圓結合後，切割成晶粒之技術，並不相同。證據4 說明書中雖有提及歐姆接觸與加入黏著劑方式，然證據4 第2 圖之GaAlAs發光二極體(10)，係將GaAlAs活性層(12)、p 型GaAlAs包覆層(13)，積層在n 型GaAlAs包覆層(11)後，得到發光半導體元件，第3 圖GaP 發光二極體(20)，係透過液相磊晶(LPE)結晶成長法，將N 型雜質添加至吸光程度小之GaP 基板結晶，作為n 型GaP 層後，再添加Zn得到pn接合面製成，最後再將GaP 發光二極體之n 型電極(23)，貼在GaAlAs發光二極體之p 型電極(15)，非屬電極反轉之結構。其與系爭專利所訴求之LED 電極反轉、提升亮度及調整晶粒厚度之功效，完全不相關。證據4 不足以證明系爭專利更正後不具新穎性或進步性。

九、更正前之系爭專利以「點附」方式黏貼，可使用較少粘著材料，達成與證據2 相同之粘著功效，藉由此種材料或元件省略，仍可達成相同功效，依專利審查基準1-2-23頁，系爭專利請求項1 具進步性。而被告固認系爭專利之「點附」相較於證據2 之「貼附」為全部黏貼，係熟習此技術者可輕易完成，不具進步性，然其對於申請人提出之理由、證據或調查證據之請求，漏未審酌，或不予採納，均未說明理由，非適法之處分。而更正前系爭專利第2 項所揭示「III-V 族化合物半導體」作為導電基材，確實有助於增加所製成晶粒之發光亮度。更正前系爭專利第3 項所揭示「銀膠、銦、錫、錫鉛合金」，確能使磊晶片得以更加牢固黏著在導電基材上而不易脫落。更正前系爭專利第4 項所揭示「電阻式鍍法」、「電子式鍍法」及「濺鍍法」，有助於增加所製成晶粒之發光亮度。上揭事實，被告均漏未斟酌，或不予採納，亦未說明理由，難謂為適法之處分。因更正前系爭專利第1 項具進步性，則其附屬第1 項之第2 至4 項亦具有進步性。準此，本案訴願機關及被告僅憑臆斷，逕認所屬技術領域之通常知識者，可輕易完成本案之技術特徵，而未說明所屬技術領域者可輕易完成之理由，顯屬不當。是原告起訴聲明請求撤銷原處分及原決定。

參、被告答辯：

一、系爭專利之98年12月22日申請專利範圍更正本，已逾申請時之原說明書或圖式所揭露範圍，且已實質擴大、變更申請專利範圍，故應不准更正。被告曾以100 年3 月25日(100) 智專三（二）04118 字第10020250040 號函通知原告限期申復，嗣專利審查基準有關更正之規定雖經修正，然本案所涉不准更正之結論及理由，並未因專利審查基準修正而有所不同。則被告依據申請更正時之專利法及現行專利審查基準相關規定，所為系爭專利之98年12月22日申請專利範圍更正本，應不准更正之處分，其實質理由已涵蓋於前開100 年3 月25日函中，原告亦得理解被告不准專利之理由，且可在處分前充分陳述意見，難謂作成本件處分前，未賦予原告補充、修正或申復之機會，並無違法不當處。原告於被告審理階段已知悉通知不准更正之理由，其逾期不為申復，在救濟階段始爭執之。

二、系爭專利公告本之申請專利範圍共4 項，其中第1 項為獨立項，其餘為附屬項。而系爭專利之98年12月22日更正本之申請專利範圍共4 項，分別對應於更正前第1 項至第4 項，均為獨立項。前揭更正本主要內容包括：將標的名稱「一種貼附式發光二極體晶粒製造過程及其產品」固更正為「一種貼附式發光二極體晶粒產品」。然本院98年度民專訴字第68號民事判決理由業已敘明，系爭專利公告本之申請專利範圍已記載產品製造過程及其順序，暨實施例之步驟說明，自應屬方法發明，不能以其中含有「及其產品」之記載，即認其屬物之發明。準此，原告應將系爭專利之標的名稱更正為「一種貼附式發光二極體晶粒製造過程」而非「一種貼附式發光二極體晶粒產品」。而原告提出被告其他核准案件或美國學者之見解，實際上與系爭專利是否准予更正無涉，不足以證明原舉發審定書中對於不准更正之認定有違法處。

三、系爭專利固將「以適當粘著材料點附於另一種導電基材上」更正為「粘附」，然粘附包括「部分粘附」及「全部粘附」，相較於「點附」之部分黏貼，其涵義較廣，故此部分已實質擴大申請專利範圍。而原告以其自行認定之產品，是否有侵害專利權之判斷準則，套用至本件申請專利範圍是否准予更正。因是否准予更正與有無侵害專利權之判斷，兩者並不相同，自與本案是否准予更正無涉，不足以證明被告於原舉發審定書中對於不准更正之認定有違法。

四、系爭專利將「導電基材」更正為「有歐姆接觸之導電基材」。參酌系爭專利公告本說明書第2 頁或第1D、1E、2 圖可知，「有歐姆接觸之導電基材」係在導電基材上形成有歐姆接觸層，而歐姆接觸具有低電阻特性，且為金屬與半導體間之接面，其與更正前單純「導電基材」特性並不相同，此部分之更正已構成實質變更申請專利範圍。而原告主張將上位概念「導電基材」更正為下位概念之「有歐姆接觸之導電基材」，並無實質變更申請專利範圍，其忽略歐姆接觸具有低電阻特性之實質電性特徵，其主張已實質變更申請專利範圍。

五、專利法第64條第2 項之申請時，對照同法第49條第4 項規定及專利審查基準第2 篇第6 章第1.3 點「超出原說明書或圖式所揭露之範圍的判斷」規定，係指申請專利日而非申請更正時。系爭專利更正本之內容，並未見於系爭專利之申請日即81年9 月22日之專利說明書或圖式所揭露範圍，即於82年6 月29日提送前中央標準局專利處之第一份發明說明書，共計6 頁與附表一、附表二或圖式中並未記載「銦、錫或錫鉛合金」，亦未提及「該導電基材為III-V 族化合物半導體」或「導電基材為Si或III-V 族化合物半導體」。縱使84年7月11日核准公告之系爭專利公告本之專利說明書第5 頁中，有所記載，該等更正仍已逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，自不符合專利法第64條第2 項規定。職是，系爭專利不准予更正之事實甚為明確，原處分並無違法，而經濟部訴願審議委員會對於前開爭點均已審酌。

六、系爭專利不准予更正之事實甚明，自無判斷更正後申請專利範圍之新穎性與進步性之可能。職是，系爭專利申請專利範圍是否具有新穎性與進步性，仍應以更正前申請專利範圍本為判斷。更正前系爭專利第1 項與證據2 之差異，僅在於系爭專利之磊晶片以點附方式粘著於導電基材上，而證據2 將磊晶片一面全部貼附於導電基材上。因粘著面積之變化僅為一般通常知識，而粘著材料隨面積變化而增減，亦為可預期之功效，故更正前系爭專利第1 項應為熟習該項技術者，運用申請前既有證據2 之技術或知識，所能輕易完成者，不具進步性。而原審定書第3 頁最末段已明白指出自一面全部施以黏著材料，轉為一面僅部分施以黏著材料，其為該領域中之一般通常知識。

七、更正前系爭專利第2 項至第4 項為直接依附於第1 項之附屬項，其中第2 項進一步界定「其中另一種導電基材，通常可為Si、III-V 族化合物半導體或不同結構之磊晶片」，而證據2 第2 頁左下欄已揭示導電基材為矽晶圓，揭露相同之Si材料，其他材料之置換並無產生無法預期之功效，故第2 項為熟習該項技術者，運用申請前既有證據2 之技術或知識所能輕易完成者，不具進步性。第3 項進一步界定「其中適當粘著材料，通常可為銀膠、銦、錫、金錫合金、錫鉛合金」。然證據2 第2 頁左下欄已揭示粘著材料可為相同之金錫合金，其他材料之置換亦未產生無法預期之功效，故第3 項為熟習該項技術者，運用申請前既有證據2 之技術或知識所能輕易完成者，不具進步性。第4 項進一步界定「其中歐姆接觸通常可用電阻式鍍法、電子式鍍法、濺鍍法等製作」。然證據2 第2 頁左下欄已就歐姆接觸電極部分，揭示有利用蒸鍍方式形成之技術特徵，而利用蒸鍍、濺鍍等方式形成金屬層，其為系爭專利申請時之通常知識，故熟習該項技術者由證據2 所揭示之蒸鍍方式，可推知將歐姆接觸用系爭專利所載之方式加以完成，故第4 項不具進步性。而原審定書第5頁最末段已明白就各附屬項額外增加之技術特徵與功效加以論述。嗣訴願決定書決定理由第（三）點已載明「綜上所述，原處分機關以舉發證據2 足以證明系爭專利違反核准時專利法第20條第2 項規定，所為舉發成立，應撤銷專利權之處分，洵無違誤，應予維持。本件案情已臻明確，業如前述，是訴願人請求實地履勘及進行言詞辯論，核無必要，併予指明」。故原告爭執訴願審議委員會未給予言詞辯論機會，並無所據。準此，被告所為原處分並無違法，是聲明請求駁回原告之訴。

肆、參加人答辯：

一、系爭專利之專利申請人於取得系爭專利之過程中，先主動將「貼附」修改為「點附」。相較於「貼附」之不限粘附範圍，而「點附」代表非全面性、部分性粘附之態樣。係將不限粘附範圍之上位概念「貼附」，限縮為非全面性、部分性粘附之下位概念「點附」。原告既已於專利申請過程中，刪除、放棄部分範圍，自不應准予原告經由更正程序，復將下位概念用語「點附」修正為與「貼附」相當之用語「粘附」，重新主張專利核准前已刪除或放棄之範圍。原告所申請之更正，已涉及實質擴大申請專利範圍，違反專利法第64條第2項規定。至原告所引本院97年度民專訴字第6 號民事判決，係針對所涉專利之申請專利範圍內容所無，而存在於發明說明或圖式所例示態樣之限定條件之說明，指出「不可將發明說明及圖式中之限制條件讀入申請專利範圍」，此與原告重新主張專利核准前已放棄之範圍之情形不同。

二、原告所為更正，係於原申請專利範圍第1 項中，增加「其中適當粘著材料為銦、錫或錫鉛合金等」限制條件，進一步界定所涉「適當粘著材料」為「銦、錫或錫鉛合金」之選用，並進而主張選用者，可避免缺陷產生，且不需要平整或大壓力，即有使導電基板與磊晶片結合之優點。因「可避免缺陷產生」及「不需要平整或大壓力即可使導電基板與磊晶片結合」等優點，非原核准公告之申請專利範圍第1 項、第3 項所界定之發明所可提供者。上開更正已引入非屬更正前申請專利範圍所載之技術特徵，且使發明所欲解決之問題與更正前不同，實質變更申請專利範圍。原告針對原申請專利範圍第1 項所為之更正，亦於申請專利範圍第2 項、第4 項引入非屬更正前申請專利範圍所載之技術特徵，實質變更該等依附項之申請專利範圍。

三、原核准公告之系爭專利第2 項中，係界定「另一導電基板」可為「Si、III-V 族化合物半導體或不同結構之磊晶片」，此即將「III-V 族化合物半導體」與證據2 所採用之「Si」、「不同結構之磊晶片」，均並列為「另一導電基板」之選項。而更正後之申請專利範圍第2 項，則界定所涉「導電基板」僅為「III-V 族化合物半導體」之選用，原告並據此主張該選用可提供較佳發光特性、避免於wafer bonding 進行或後續高溫處理時，產生較大之應力，優於證據2 使用之「Si」。而於原核准公告之申請專利範圍第2 項中，「Si」亦為「另一導電基板」之選項，並不具原告宣稱之上開優點。原告所為更正，已使發明所欲解決之問題與更正前不同，實質變更申請專利範圍。

四、原核准公告之系爭專利第3 項係依附於第1 項，並未界定所涉「另一導電基材」之材質，且界定所涉之「粘著材料」為「銀膠、銦、錫、金錫合金、錫鉛合金」，此將「銦」與證據2 所採用之「金錫粘著材料」、甚至「銀膠、錫、錫鉛合金」，均並列為「粘著材料」之選項。而更正後系爭專利第3 項，則界定所涉「粘著材料」至僅為「銦」之特定選用，原告並據此主張該選用者，可提供不會使磊晶片於黏著時，產生太大應力之優點，優於證據2 之使用金錫粘著材料。在原核准公告之系爭專利第3 項中，「金錫粘著材料」亦為「粘著材料」之選項，並不具原告宣稱之上開優點。原告所為更正，已使發明所欲解決之問題與更正前不同，實質變更申請專利範圍。

五、原告結合原核准公告之申請專利第1 項、第2 項之內容，且針對「另一種導電基材」進一步增加「有歐姆接觸」之技術特徵，成為更正後之系爭專利第4 項，已實質擴大或變更核准公告之申請專利範圍。相較於原核准公告之系爭專利第4項，更正後之系爭專利第4 項已刪除原請求項「其中歐姆接觸通常可用電阻式鍍法、電子式鍍法、濺鍍法等製作」限制條件，擴大申請專利範圍。更正後之系爭專利第4 項雖進一步界定「另一種導電基材」為「有歐姆接觸」者，然原核准公告之系爭專利第4 項未見該技術特徵，原告所為更正，已引進非屬更正前專利範圍所載技術特徵之下位概念或進一步界定之技術特徵，實質變更申請專利範圍。

六、原告所引用之臺北高等行政法院94年度訴字第3453號判決，係針對原請求發明必然具備之技術特徵之記載。本院98年度行專訴字第45號行政判決，則針對原請求發明已具有之構成元件之相對位置之說明。系爭專利原核准公告第4 項所涉之「另一種導電基材」未必具有歐姆接觸，原告引用判決所涉事實與本案不同。準此，原告於98年12月22日針對系爭專利所提出申請之更正，已違反專利法第64條規定，依法不應准予更正。則原告針對更正後申請專利範圍之可專利性所作之相關論述，本院毋須考量之。

七、證據2 已揭露系爭專利原核准公告第1 項之所有技術特徵，並可證明系爭專利原核准公告請求項第1 項至第4 項，均無新穎性或進步性，茲說明如後：

（一）證據2 已依序進行「在一磊晶片上完成歐姆接觸」與「以粘著材料將該磊晶片貼附於另一種導電基材上」之操作，並依序具有「磊晶片」、「粘著材料」、「另一種導電基材」，且於「磊晶片」上具有「歐姆接觸」之結構，而磊晶片與該另一種導電基材係以局部電導通區域之方式進行貼附，即「點附」。系爭專利原核准公告之第1 項中，「產品」結構特徵在於依序為具有「歐姆接觸」之「磊晶片」、「粘著材料」、「另一種導電基材」，且「磊晶片」經由「粘著材料」，透過其「歐姆接觸」點附至「另一種導電基材」；「製造過程」之操作特徵為依序進行「在一磊晶片上完成歐姆接觸」及「以粘著材料將磊晶片點附於另一種導電基材」。準此，證據2 已揭露系爭專利原核准公告第1 項之所有技術特徵。

（二）系爭專利原核准公告第2 項依附於第1 項，進一步界定另一種導電基材通常可為Si、III-V 族化合物半導體或不同結構之磊晶片。證據2 已揭露以矽（Si）晶圓作為另一種導電基材。此外，系爭專利說明書中將「Si」、「III- V族化合物半導體」及「不同結構之磊晶片」，並列為「另一種導電基材」之選項，未加以區隔。對系爭專利而言，「Si」與「III- V族化合物半導體、不同結構之磊晶片」為等效替換物。相較於證據2 ，系爭專利原核准公告第2項，縱使未經證據2 所揭露，亦為不具增進效益之簡單替換，不具新穎性或進步性。

（三）系爭專利原核准公告第3 項依附於第1 項，進一步界定適當粘著材料通常可為銀膠、銦、錫、金錫合金、鉛錫合金。而證據2 已揭露使用焊錫層作為粘著材料。另於系爭專利說明書中，將「銀膠、銦、錫、鉛錫合金」與「金錫合金」，並列為「粘著材料」之選項，未加以區隔，對系爭專利而言，「金錫合金」與「銀膠、銦、錫、鉛錫合金」僅為簡單替換。相較於證據2 ，系爭專利原核准公告第3項，縱使未經證據2 所揭露，亦為不具增進效益之簡單替換，不具新穎性或進步性。

（四）系爭專利原核准公告第4 項係依附於第1 項，進一步界定該歐姆接觸通常可用電阻式電鍍法、電子式電鍍法、濺鍍法等製作。證據2 已揭露以「蒸鍍」手段於一基板上製作歐姆電極，且系爭專利說明書並未區隔「蒸鍍法」與「濺鍍法」，未揭露兩者所達效益之差異。對系爭專利而言，「蒸鍍法」與「濺鍍法」僅為簡單替換，相較於證據2 ，系爭專利原核准公告第4 項，縱使未經證據2 所揭露，亦為不具增進效益之簡單替換，不具新穎性或進步性。

八、綜上所陳，系爭專利原核准公告之申請專利範圍，業經證據2 所揭露或為所屬領域具通常知識者可基於證據2 教導而輕易完成，不具新穎性或進步性。原審定處分及原訴願決定並無違法。嗣依訴願法第74條第1 項規定，訴願機關基於個案情況，有判斷是否進行實地勘驗之裁量權，非依訴願人之申請，即應進行實地勘驗。因本案事實證據已相當明確，訴願機關亦無進行實地勘驗之必要。準此，聲明請求駁回原告之訴。

伍、本院判斷：

一、原處分與原決定：原告前於81年9 月22日以「貼附式發光二極體晶粒製造過程及其產品」向被告前身即中央標準局申請發明專利，經被告審查結果，作成准予專利處分。參加人嗣於97年9 月19日以系爭專利違反核准時即83年1 月21日修正公布之專利法第20條第1 項第1 款及第2 項規定，對之提起舉發。原告則分別於98年6 月19日、98年11月3 日、98年11月6 日及98年12月22日提出系爭專利申請專利範圍更正本。案經被告審查結果，認前揭98年12月22日申請專利範圍更正本已逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，或已實質擴大、變更申請專利範圍，應不准更正，並以100 年3 月25日(100) 智專三（二）04118 字第10020250040 號函通知原告限期申復，而原告逾期未提出申復或更正本。被告依系爭專利原公告本內容審查，認其有違前揭專利法第20條第2 項規定，以100 年5 月30日(100) 智專三（二）04118 字第10020466930 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」處分。原告不服該行政處分，向經濟部提起訴願，經濟部訴願委員會以相同理由駁回原告之訴願（見本院卷第25至29頁）。原告不服訴願決定，向本院提起行政訴訟。

二、本件專利舉發爭點：按利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依法申請取得發明專利。然發明係申請前已見於刊物或已公開使用者；或運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，則不得依法申請取得發明專利。發明專利權人對於請准專利之說明書及圖式，認有下列情事之一時，得向專利專責機關申請更正，但不得變更發明之實質：（一）申請專利範圍過廣。（二）誤記之事項。

（三）不明瞭之記載。83年1 月21日修正公布之專利法第19條、第20條第1 項前段、第20條第1 項第1 款、第2 項及第67條第1 項分別定有明文。本院茲說明本件應適用之實體法與兩造之爭點如後：

（一）本件適用83年1 月21日修正公布之專利法：系爭專利之申請日為81年9 月22日，核准公告日為84年7月11日，故本件關於系爭專利有無具備新穎性或進步性之判斷，應依核准系爭專利審定時，有效之83年1 月21日修正公布之專利法為審認依據。

（二）本院審理爭點順序：舉發程序採當事人進行主義，故發明專利不具新穎性或進步性要件時，應由舉發人附具證據證明之，倘其證據足以證明發明專利有違前揭專利法之規定，自應為舉發成立之處分。原告主張系爭專利更正前、後之申請專利範圍均具新穎性與進步性要件等情。被告則抗辯稱系爭專利不應准予更正，且依據其所提出之證據，足以證明更正前之系爭專利不具新穎性與進步性，系爭專利應撤銷等語。準此，因系爭專利98年12月22日之更正本之申請專利範圍共4 項，全部均為獨立項，是本院首應審究系爭專利是否符合准予更正之要件，倘未符更正要件，即以更正前之申請專利範圍，作為判斷系爭專利是否具新穎性與進步性之依據。反之，符合准予更正者，因涉及被告第一次行政裁量決定，自應命被告依本判決見解另為處分。

三、系爭專利及引證技術分析：

（一）系爭專利技術分析：系爭專利為一種貼附式發光二極體晶粒之製造過程及其產品，其係由一發光二極體(LED) 磊晶片與單晶基板(substrate) 構成。磊晶片經研磨加工後，製作歐姆接觸而後貼附固定於具有歐姆接觸(ohmic Contact) 之單晶基板，再予以切割製作成貼附式發光二極體晶粒(Dice)，系爭專利圖式如本判決附圖1 所示。系爭專利之申請專利範圍依原核准審定公告本之記載，系爭專利之申請專利範圍共4 項，其中第1 項為獨立項，其餘請求項為直接依附於第1 項之附屬項（見本院卷第21至22頁）。茲說明如後：

1.系爭專利申請專利範圍之獨立項：請求項1 為一種貼附式發光二極體晶粒製造過程與其產品，其特徵為一種磊晶片在完成歐姆接觸後，以適當粘著材料點附於另一種導電基材，達到電極逆轉增加亮度或調整晶粒厚度之功效者，粘著後之晶片可經切割成為晶粒。

2.系爭專利申請專利範圍之附屬項：請求項2 如申請專利範圍第1 項所述，一種貼附式發光二極體晶粒製造過程與其產品，其中另一種導電基材，通常可為Si、111-V 族化合物半導體或不同結構之磊晶片。請求項3 如申請專利範圍第1 項所述，一種貼附式發光二極體晶粒製造過程與其產品，其中適當粘著材料，通常可為銀膠、銦、錫、金錫合金、錫鉛合金等。請求項4 如申請專利範圍第1 項所述，一種貼附式發光二極體晶粒製造過程與其產品，其中歐姆接觸通常可用電阻式鍍法、電子式鍍法、濺鍍法等製作。

（二）引證案技術分析：證據2 為1985年9 月21日公開之日本000000000 號專利公開案，其公開日早於系爭案申請日1992年9 月22日，得為系爭專利之先前技術。證據2 第2(a)至2(c)圖與其相關說明，揭示有一種發光二極體晶粒製造方法，其係於一磊晶片(13/14) 在完成歐姆接觸(16)後即第2(a)圖，以適當粘著材料(17)貼附於另一種導電基材(12)上即第2(b)、2(c)圖，證據2 之圖式如本判決附圖2 所示（見本院卷第23至24頁）。

四、更正後系爭專利請求項第1 至4 項屬申請專利範圍減縮：

（一）更正後系爭專利請求項第1 項屬申請專利範圍減縮：1.系爭專利申請專利範圍第1項之更正後內容：更正後之系爭專利申請專利範圍第1 項為一種貼附式發光二極體晶粒產品，其特徵為一種磊晶片在完成歐姆接觸後，以適當粘著材料附於另一種導電基材，以達到電極逆轉增加亮度或調整晶粒厚度之功效者，粘著後之晶片可經切割成為晶粒，其中適當粘著材料為銦、錫或錫鉛合金等。

2.方法與物品專利減縮為物品專利：更正後之系爭專利申請專利範圍第1 項係將標的名稱「一種貼附式發光二極體晶粒製造過程與其產品」，更正為「一種貼附式發光二極體晶粒產品」，可得原先專利說明書之支持，且可使標的更為明確，未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，並未實質擴大或變更申請專利範圍。

3.點附更正為粘附屬誤記事項之訂正：更正後之系爭專利申請專利範圍第1 項係將以適當粘著材料「點附」於另一種導電基材上，更正為「粘附」。查系爭專利說明書發明說明未出現「點附」一詞，而係以「貼附」、「粘著」兩者在說明書內交互替代使用。況「點」字之注音符號「ㄉ一ㄢ」與「粘」字之注音符號「ㄋ一ㄢ」僅於第一個符號有些微差異，故可認「點附」一詞為「粘附」一詞之誤植。職是，「點附」更正為「粘附」屬誤記事項之訂正，未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更申請專利範圍。

4.更正後之第1項限縮為下位概念或進一步限定：更正後之系爭專利申請專利範圍第1 項加入「適當粘著材料為銦、錫或錫鉛合金等」技術特徵，對應至更正前之公告本申請專利範圍第3 項所載「適當粘著材料，通常可為銀膠、銦、錫、金錫合金、錫鉛合金」技術特徵。可認更正之專利申請範圍第1 項係原先公告本專利申請範圍第1項與第3 項結合，屬於原獨立項之記載限縮為下位概念或進一步限定。再者，更正後之專利申請範圍第1 項有刪除原公告第3 項之「銀膠」、「金鍚合金」，其屬於刪除擇一記載形式或馬庫西形式中所敘述之一個選項。參諸審查基準第二篇第六章2-6-64頁之說明，該更正屬申請專利範圍之減縮。準此，更正後之專利申請範圍第1 項未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更申請專利範圍。

（二）更正後系爭專利請求項第2 項屬申請專利範圍減縮：1.系爭專利申請專利範圍第2項之更正後內容：更正後之系爭專利申請專利範圍第2 項為一種貼附式發光二極體晶粒產品，其特徵為一種磊晶片在完成歐姆接觸後，以適當粘著材點附於另一種導電基材，以達到電極逆轉增加亮度或調整晶粒厚度之功效者，粘著後之晶片可經切割成為晶粒，其中導電基材為III-V 族化合物半導體。

2.更正後之第2項限縮為下位概念或進一步限定：更正後之系爭專利申請專利範圍第2 項係加入「導電基材為III-V 族化合物半導體」技術特徵，對應至更正前之公告本申請專利範圍第2 項所載「另一種導電基材，通常可為Si、III-V 族化合物或不同結構之磊晶片」技術特徵。查更正之專利申請範圍第2 項係原公告本專利申請範圍第1 項與第2項結合，屬於原來獨立項之記載限縮為下位概念或進一步限定。再者，更正後之專利申請範圍第2 項刪除原公告第2 項之「Si」、「或不同結構之磊晶片」，屬於刪除擇一記載形式或馬庫西形式中所敘述之一個選項。參諸審查基準第二篇第六章2-6-64頁之說明，係屬於申請專利範圍之減縮。且原說明書發明說明第4 頁所揭之砷化鎵，其屬III-V 族化合物半導體。職是，更正後之專利申請範圍第2 項未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更申請專利範圍。

（三）更正後系爭專利請求項第3項屬申請專利範圍減縮：

1.系爭專利申請專利範圍第3項之更正後內容：更正後之系爭專利申請專利範圍第3 項為一種貼附式發光二極體晶粒產品，其特徵為一種磊晶片在完成歐姆接觸後，以適當粘著材料附於另一種導電基材，以達到電極逆轉增加亮度或調整晶粒厚度之功效者，粘著後之晶片可經切割成為晶粒，其中適當粘著材料為銦，而導電基材為Si。

2.更正後之第3項限縮為下位概念或進一步限定：更正後之系爭專利申請專利範圍第3 項係加入「適當粘著材料為銦，而導電基材為Si」技術特徵，分別對應至更正前之公告本申請專利範圍第2 項所載「另一種導電基材，通常可為Si、III-V 族化合物或不同結構之磊晶片」技術特徵，暨更正前之公告本申請專利範圍第3 項所載「其中適當粘著材料，通常可為銀膠、銦、錫、金錫合金、錫鉛合金等」技術特徵。查更正後專利申請範圍第3 項係原公告本專利申請範圍第1 項至第3 項結合，屬於將多個附屬項分別與其所依附之獨立項合併，以形成新獨立項，而使原獨立項之記載限縮為下位概念或進一步限定。再者，更正後專利申請範圍第3 項有刪除原公告第2 項之「III- V族化合物半導體」、「或不同結構之磊晶片」，亦刪除原先公告第3 項之「銀膠」、「金鍚合金」、「錫」、「錫鉛合金」，屬於刪除擇一記載形式或馬庫西形式中所敘述之一個選項。參諸審查基準第二篇第六章2-6-64頁之說明，係屬於申請專利範圍之減縮。準此，更正後之專利申請範圍第3 項未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更申請專利範圍。

（四）更正後系爭專利請求項第4 項屬申請專利範圍減縮：1.系爭專利申請專利範圍第4項之更正後內容：更正後之系爭專利申請專利範圍第4 項為一種貼附式發光二極體晶粒與其產品，其特徵為一種磊晶片在完成歐姆接觸後，以適當粘著材料附於另一種有歐姆接觸之導電基材，達到電極逆轉增加亮度或調整晶粒厚度之功效者，粘著後之晶片可經切割成為晶粒，其中導電基材為可Si或III-V 族化合物半導體。

2.更正後之第4項限縮為下位概念或進一步限定：更正後專利申請範圍第4 項係將上位概念「導電基材」，更正為下位概念「有歐姆接觸之導電基材」，此增加之限制亦為原說明書內容所明確界定（見原說明書發明說明圖2 及其相關說明），為請求項之技術特徵置換創作說明中，就技術特徵本身所記載之整體詳細描述，且屬於在原申請專利範圍所包含之技術範圍內，亦未變更原有元件、成分、步驟之結合關係，且未使本發明之創作性質或功能改變。故未實質變更申請專利範圍，並未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍。

3.申請專利範圍之減縮：更正後之系爭專利申請專利範圍第4 項係加入「導電基材為可Si或III-V 族化合物半導體」技術特徵，對應至更正前之公告本申請專利範圍第2 項所載「另一種導電基材，通常可為Si、III-V 族化合物或不同結構之磊晶片」技術特徵。查原核准系爭專利之請求項第2 項已述明「導電基材，通常可為Si、III-V 族化合物半導體或不同結構之磊晶片」。而原說明書發明說明第4 頁所揭之砷化鎵，其屬III-V 族化合物半導體，具通常知識者依據原說明書發明說明第5 頁第二實施例內容可得知，另一半導體即為Si半導體，故該更正係屬申請專利範圍之減縮。準此，更正後之專利申請範圍第4 項未逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更申請專利範圍。

五、綜上所述，更正後之系爭專利申請專利範圍第1 項至第4項係屬申請專利範圍之減縮，原處分認更正後之各請求項已逾申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，並實質擴大或變更申請專利範圍，不准予更正，即有未合，訴願決定未予糾正，亦非妥適。原告申請更正系爭專利申請專利範圍，其有無符合申請專利範圍之減縮，事涉系爭專利是否具新穎性或進步性之認定。因被告係以更正前之系爭專利申請專利範圍，認定系爭專利申請專利範圍第1 項至第4 項不具進步性。故被告未以更正後之系爭專利申請專利範圍，判斷系爭專利有無進步性，即為舉發成立之行政處分，顯有未洽，訴願決定予以維持，亦有違誤，原告執之指摘，洵屬正當。準此，原告請求撤銷訴願決定及原處分，為有理由。是本件有待發回，由被告依本院上述法律見解再為審查處分。

六、本件事證已明，兩造其餘攻擊防禦方法，均與本件判決結果不生影響，爰不逐一論述，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為有理由，爰依行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。

智慧財產法院第二庭

本判決之附圖：