NMOS 之汲極電流ID 式如下:
三極體區(Triode region)時:
]
V
)V
V
)[(V
(
k
I
2
DS
2
1
DS
t
GS
L
W
n
D
−
−
′
=
飽和區(Saturation region)時:
2
t
GS
L
W
n
2
1
D
)
V
)(V
(
k
I
−
′
=
如圖二所示為一兩輸入之NMOS NOR 閘,設各電晶體具有相同的
n
k′ 值50 μA/V2,
而
4
)
(
)
(
2
L
W
1
L
W
=
=
,
V
0.8
V
V
t2
t1
=
=
,
V
1
Vt3
−
=
,
V
5
VDD =
。
當兩輸入A、B 均為5 V 時,若要輸出vo 之值為
0.1 V,求
L
W)
(
應多大?此時iD3 有多大?(8 分)
若
)
(
3
L
W
=
,則當輸入A 為5 V,輸入B 為0 V
時,其輸出vo 之值為多大?iD3 有多大?(8 分)
當兩輸入A、B 均為0 V 時,此時輸出vo 之值為
多大?iD3 有多大?(4 分)
+
-
+VDD
VG2
Rsig
vsig
Cin
RD
vo
v01
Q1
Q2
圖一
圖二
Q3
VDD
↓iD3
vo
Q1
Q2
A
B
102年公務人員特種考試警察人員考試、
102年公務人員特種考試一般警察人員考試及
102年特種考試交通事業鐵路人員考試試題
類 科: 刑事警察人員電子監察組
全一張
(背面)
三、如圖三所示為一CMOS 共源(CS)放大器,設各電晶體均偏壓於飽和區。電晶體
Q1 之汲極飽和電流可示為
(mA)
)
V
(V
1
I
2
tn
GS1
D
−
×
=
,式中
tn
V 為Q1 之臨界電壓,其
值為
V
0.6
Vtn =
;電晶體
Q2 與
Q3 具相同特性,其飽和
D
I
式為
A)
(μ
)|
V
|
(V
400
I
2
tp
SG3
D
−
×
=
,其
V
0.6
Vtp
−
=
為
Q2 、Q3 之臨界電壓。又
μA
100
IREF =
,
求
SG3
V
之值;(4 分)
若各電晶體之厄列電壓(Early voltage)
V
20
V
V
AP
An
=
=
,求此CS 放大器之輸入電
阻Rin 及輸出電阻Rout 之值;(8 分)
求此CS 放大器之電壓增益AV = vo/vi 之值。
(8 分)
四、如圖四所示電路,電晶體Q1、Q2 具相同特性,其gm1 = 4 mA/V,gm2 = 8 mA/V,
r01→∞,r02→∞;RD1 = RD2 = 10 kΩ,R1 = 1 kΩ,R2 = 9 kΩ。求此放大器電路的:
輸入電阻Rif =?(4 分)
輸出電阻Rof =?(8 分)
電壓增益vo/vi =?(8 分)
(提示:此電路為一串-並之負回授放大器)
如圖五所示的差動放大器,電晶體Q1、Q2 具相同特性,其β = 100,ro→∞;
RC = 10 kΩ,RL = 20 kΩ,RE = 200 Ω,I = 1 mA;熱電壓VT = 25 mV。
求差動增益Ad = vod/vid 及差動輸入電阻
Rid 之值。(10 分)
若電流源I 之輸出電阻為250 kΩ,試繪此
差動放大器的共模半電路,並求此共模半
電路的共模增益。(10 分)
圖三
Rin
IREF
Q3
Q2
+VDD
vi
Rout
Q1
+VSG3
-
vo
圖四
+VDD
vi
vo
Q1
Rif
Rof
Q2
RD1
RD2
R2
R1
圖五
VCC
RC
RE
RC
-VEE
RL
Q1
Q2
-
+
vod
VCM---
vid
2
VCM+---
vid
2
I
I