刑事警察人員 100 年電子學考古題

如下圖所示為一CMOS 邏輯閘。 寫出Y 與A、B、C 的邏輯表示式。（10 分） 假若A與C的電位均接地，而B的電位接VDD，寫出六個電晶體的ON/OFF狀態。（ 10 分） VDD A QPA QPC C B QPB Y C QNC QNA A B QNB

如下圖所示為一由理想OP放大器所構成之差動放大器電路。輸入的信號源包括對稱的 差模（differential mode）信號源vid與共模（common mode）信號源vcm。假設δ << r。分 別求共模信號與差模信號的放大增益，以R、r、δ表之，但在求差模增益時把δ 略 去。（20 分） +- +- +- R vo vcm r r+δ R 2 vid 2 vid － ＋ 100年公務人員特種考試一般警察人員考試、 100年公務人員特種考試警察人員考試及 100年特種考試交通事業鐵路人員考試試題 類 科： 刑事警察人員電子監察組 全一張 （背面）

如下圖所示為一由雙極性電晶體構成的低電壓差動放大器。三個電晶體的VEBactive＝0.7 V， 且均在VEC＝0.3 V時到達飽和區的邊緣。Q3的基極偏壓使得I＝20 μA，而RC＝20 kΩ。VT ＝25 mV。 求差動放大器的共模（common mode）輸入範圍的上限與下限。（10 分） 在不考慮電晶體輸出電阻的條件下，求差模（differential mode）的小信號增益 vo/(v+ - v-)。若β＝40，求差模輸入電阻。（10 分）

如下圖所示為一MOS放大器。P-MOSFET電晶體的|Vt|＝1.5 V，μpCox(W/L)＝0.5 mA/V2， VA＝75 V。 忽略電晶體輸出電阻的效應，求R 值使P-MOSFET 電晶體的汲極偏壓電流為1 mA。 （10 分） 考慮電晶體輸出電阻的效應，求小信號電壓增益vo/vi，以及輸入電阻Rin。（10 分） R Rin vo vi +12V C＝∞ C＝∞ 10MΩ +3V +2.3V Q3 I Q1 Q2 RC RC v+ v- vo ＋ －

簡答題： 簡要說明密勒效應（Miller effect）對共源極MOS 放大器高頻特性的影響。（10 分） 畫出雙極性電晶體構成的Class B 推挽式（push pull）輸出級的基本電路。簡要說 明其操作的原理。（10 分）