電力工程 94 年電子學概要考古題

如下圖1 之BJT 電路，試求： 輸入阻抗Zi（ro=∞ Ω）（7 分） 輸出阻抗Zo（ro=∞ Ω）（7 分） 小訊號電壓增益Av=Vo/Vi（ro=∞ Ω）（6 分） 圖1

如圖一之電路， V VZ 10 = ，電流範圍為10mA 至50mA，則 L R 在那一範圍內，可使 工作電壓不致發生變化？（20 分） 圖一 12V

如下圖2，二極體均為理想，試求： 輸出電壓（vo）之波形（10 分） 輸出電壓（vo）之平均值（10 分） 圖2 12V 3kΩ Vo Zo 10μF β=100 ro=50k 10μF Zi Vi Ii 470kΩ Io vi 10V vi t T 2 T 2kΩ 2kΩ 2kΩ vO － ＋ － ＋ ０ 94 年第二次特種考試地方政府公務人員考試試題 代號： 科 別： 電力工程、電子工程 全一張 （背面） 47640 47740

一電晶體電路如圖二所示，其β=100，求IC及VCE。（20 分） 圖二

如下圖3 之OP 濾波器電路， 計算此電路之頻率響應A(jω) = vout / vin（5 分） 說明此電路為何種型態之濾波器（5 分） 計算共振頻率ωo（5 分） 圖3

已知圖三(a)OP.放大器為理想，求V0值？（10 分） 圖三(a) 已知圖三(b)OP.放大器為理想，求 s o V V =？（10 分） 圖三(b) 10kΩ V0 0 Vo Q1 2kΩ Vi 100kΩ Rb Rc 40kΩ Vs 94 年公務人員普通考試第二試試題 代號： 科 別： 電力工程、電子工程、報務 全一張 （背面） 43210 43310 44110

如下圖4 之電路，D1為理想二極體，Dz為zener 二極體，R1=0.1kΩ，RL=0.4kΩ， 若欲vo 固定為8V 且Dz 所消耗之能量小於 max zP ，試求vi 之範圍。（15 分） 若vi 如圖4 所示，試求vo 之波形。（10 分） 圖4

一增強型MOSFET電晶體電路如圖四所示，求本電路中ID、VGS、VDS及交流輸出電 壓各為多少？其中當VGS=10V時ID=5mA，又VGS(th)=5V，gm=5mS，Vi=50mV。 （ 20 分） 圖四

如下圖5 之Darlington 電路，求IE、IB1、IB2 與VCE1。（20 分） 圖5 vin L C vout + R1 R2 vi vo RL Z V = 8 V PZ max= 400mW (a) 12V -12V T/2 T t vi (b) R1 D1 Dz 100 Ω +10V β2 = 50 β1= 100 +5V IB1 IB2 VCE1 + - IE

試求圖五(a)和(b)電路的邏輯功能。（20 分） 圖五(a) +15V Y 0 Vo Vi 33kΩ 47kΩ 3.3kΩ + Vcc R B A 圖五(b) F B A