電子工程 92 年半導體製程考古題
民國 92 年（2003）電子工程「半導體製程」考試題目，共 5 題 | 資料來源：考選部
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在二氧化矽(SiO2)的熱氧化製程中，有濕氧化(Wet Oxidation)及乾氧化(Dry
Oxidation)兩種，其製程步驟與氧化層品質有何不同？（20 分）
光阻(Photoresistor)的好壞與製程的良率和精確度有非常密切的關係，試說
明好的光阻應具備的條件。又正負光阻之特性有何差異？（20 分）
在半導體的摻雜(Doping)製程中，試說明離子佈植法(Ion Implantation)與一
般高溫擴散製程(Thermal Diffusion)不同之處。（20 分）
執行光阻曝光(Exposure)的技術主要有三種，即接觸式(Contact)，近接式
(Proximity)與投影式(Projection)，試畫出各曝光法之概念圖，並說明其優缺
點。（20 分）
畫出金屬、半導體及絕緣體三種材料之能帶表示圖，並說明其與導電率之
關係。（20 分）
電子工程 92 年其他科目
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