智慧財產法院民事判決

上訴人

即被上訴人

中國砂輪企業股份有限公司

法定代理人

林陳滿麗

訴訟代理人

李彥群 律師

訴訟代理人

黃麗蓉 律師 兼送達代收人

訴訟代理人

馮達發 律師

被上訴人

即上訴人

宋健民

訴訟代理人

張澤平 律師

　　　　　　林曉晴　　律師

　　　　　　許樹欣　　律師

上列當事人間因確認專利權等事件，上訴人對於中華民國105 年11月11日本院102 年度民專訴字第112 號第一審判決提起上訴，本院於107 年2 月1 日言詞辯論終結，判決如下：

主文

事實及理由

壹、程序事項：按依專利法、商標法、著作權法、光碟管理條例、營業秘密法、積體電路電路布局保護法、植物品種及種苗法或公平交易法所保護之智慧財產權益所生之第一審及第二審民事訴訟事件，暨其他依法律規定或經司法院指定由智慧財產法院管轄之民事事件，均由智慧財產法院管轄。對於智慧財產事件之第一審裁判不服而上訴或抗告者，向管轄之智慧財產法院為之。智慧財產法院組織法第3 條第1 款、第4 款與智慧財產案件審理法第7 條、第19條分別定有明文。職是，智慧財產第一審民事事件固非由智慧財產法院專屬管轄，其屬優先管轄之性質，得由普通法院管轄。然為統一法律見解，其上訴或抗告自應由專業之智慧財產法院受理。查本件因上訴人即被上訴人中國砂輪企業股份有限公司（下稱中砂公司）主張其為如附表一編號2 至5 所示專利之專利權人，被上訴人即上訴人宋健民（下稱宋健民）應將系爭專利移轉登記予中砂公司，且中砂公司就系爭專利得行使防止侵害請求權，而宋健民違反競業禁止條款，應給付懲罰性違約金，核其事件性質，係專利法所生之第二審民事事件，揆諸前揭說明，本院依法自有專屬管轄權。

貳、實體事項：

一、中砂公司主張略以：

(一)中砂公司起訴部分：中砂公司起訴聲明：1.宋健民應將附表一編號2 至5 所示專利（下稱系爭專利）專利權移轉登記予中砂公司。2.禁止宋健民就系爭專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更。3.宋健民應給付中砂公司新臺幣（下同）1,068 萬3,966 元，並自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息。4.第1 項及前項聲明，中砂公司願以現金或等值之第一商業銀行股份有限公司總行營業部無記名可轉讓定期存單或銀行保證書供擔保，請准宣告假執行。

1.中砂公司為系爭專利之權利人：

⑴簽訂系爭產學合作契約：中砂公司是我國上市公司，為世界鑽石工具之領導廠商。因宋健民自稱其具有研發製造鑽石工具之能力，兩造前於民國85年10月28日簽訂英文版「Joint Venture Agreement 」（下稱英文版JVA ），延攬宋健民為中砂公司研發製造鑽石工具之相關技術（下稱他案合作案），中砂公司與宋健民簽訂工作契約與聘任合約書。為維持鑽石工具技術在全球之領導地位，除委聘宋健民外，中砂公司經年持續進行產學合作，資助或委託學界開發新技術。自96年起至98年止期間，中砂公司出資委託訴外人私立中華大學陳盈同教授開發相關鑽石工具新技術，其包括：①96年簽訂「化學機械拋光(CMP）延伸技術」研究案，經費74萬元。②97年度簽訂「次世代鑽石修整器研製及技術開發」研究案，經費76萬元。③98年度簽訂「鑽石碟新產品開發」研究案，經費76萬元（下合稱系爭產學合作契約）。

⑵委託研究案所生智慧財產歸屬中砂公司：系爭產學合作案產生之技術成果，採用機械力結合方式製作組合式鑽石碟(Brazed Organic Diamond Disk,BODD)，至少產生包含附表一所示5 件專利在內之7 件專利。因上開委託研究案屬鑽石工具製造技術，中砂公司委由宋健民代表中砂公司聯繫監督委託研究案。依系爭產學合作契約，委託研究案所生之智慧財產歸屬中砂公司。詎宋健民不僅未向中砂公司呈送系爭委託研究案之成果報告，竟利用職權勸誘○○○，將委託研究案所生專利，以宋健民自己名義申請登記為發明人或共同發明人，不法據為己有，宋健民再向中砂公司謊稱此等專利為「他案合作案」所生，藉此向中砂公司詐取專利申請維護費用與權利金。因系爭專利均係中砂公司與中華大學陳盈同教授間產學合作契約之研發成果，中砂公司為系爭專利之專利申請權及專利權之真正權利人。準此，中砂公司依民法第184 條第1 項、第544 條、第227 條、第213 條第1 項及第179 條規定，請求宋健民將系爭專利之專利權移轉登記予中砂公司。

2.中砂公司就系爭專利對宋健民有防止侵害請求權：系爭專利均係中砂公司與中華大學間產學合作契約之研發成果，中砂公司為系爭專利之專利申請權及專利權之真正權利人，在宋健民將系爭專利移轉登記予中砂公司前，中砂公司依民法第767 條、專利法第96條第1 項等規定，有權禁止宋健民就系爭專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更。宋健民雖辯稱系爭專利屬於「他案合作案」所生之專利云云。惟中砂公司基於他案合作案對宋健民之專利移轉請求權、契約上不作為請求權，暨由中砂公司就系爭專利2/3 所有權之防止侵害請求權等權利，亦有權禁止宋健民就系爭專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更。

3.宋健民應支付違反競業禁止之懲罰性違約金：

⑴競業禁止條款之約定：兩造間之聘任合約書第10條約定：機密資訊，本合約所稱之機密資訊，係指宋健民於聘任期間，所取得、創作、開發、收集或知悉不論是否與其職務有關中砂公司之資訊，且該資訊係指非一般涉及該類資訊之人所知悉，中砂公司並已對其採取合理之保密措施者。前述機密資訊包括但不限於商業上、技術或生產之概念、資料、文件、研究、機器裝置、模具或其他設備以及專門技術等。第11條約定：保密義務，宋健民同意對其聘任期間所知悉或持有之前條機密資訊負保密義務，且非經中砂公司書面同意，宋健民不得以任何方式將其洩漏、告知、交付或使他人得以知悉、轉移他人或對外發表。本條保密約定於本合約終止或解除後仍然有效。第15條約定：競業禁止，非經中砂公司書面同意，宋健民不得為下列行為：①宋健民以其自己或他人名義經營與中砂公司業務性質相類似之公司或商號等營業機構，或投資前述事業資本額或已發行股份總數5%以上；②為與中砂公司業務、或營業、研發目標相同或類似之公司之受僱人、受任人、代理人、承攬人或顧問。第19條第2 項約定：倘宋健民違反保密、禁止競業、禁止行索賄之規定，除依前項規定外，中砂公司並得另行請求相當於所給付宋健民報酬總數之懲罰性賠償金。

⑵宋健民違反競業禁止約款：宋健民自98年3 月2 日起成為中國深圳嵩洋微電子技術有限公司（下稱嵩洋公司）持股60% 之股東及董事長，而與中砂公司競業，已違反聘任合約書第15條之競業禁止約定。再者，宋健民將中砂公司BODD之設計、測試及結果等營業秘密不法洩漏給嵩洋公司、美國應用材料公司（Applied Materials Inc.，下稱美國應材公司）及其他第三人。嗣於101 年8月14日帶領美國應材公司人員進入中砂公司鑽石事業部，其為中砂公司高度機密之管制場所，洩漏中砂公司鑽石碟產線QC 檢 驗之營業秘密，違反聘任合約書第11條之保密義務約定。中砂公司得依聘任合約書第19條第2 項，請求宋健民給付自98年4 月起至102 年7 月止期間，所支付予宋健民之薪資、顧問費共10,683,966元之懲罰性違約金，並自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息。

(二)中砂公司上訴部分：原審為中砂公司部分敗訴之判決，中砂公司提起上訴與聲明：1.原判決不利中砂公司部分廢棄。2.宋健民應再給付中砂公司8,683,966 元，並自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息。3.前項聲明及原判決主文第1 項，中砂公司願以現金或等值之第一商業銀行股份有限公司總行營業部無記名可轉讓定期存單或銀行保證書供擔保，請准宣告假執行。就宋健民上訴部分，聲明駁回上訴。

1.宋健民違反保密義務而應給付8,683,966元：

⑴聘任合約書之保密義務：聘任合約書第10條約定：機密資訊，前述機密資訊包括但不限於商業上、技術上或生產上之概念、資料、文件、研究、機器裝置、模具或其他設備以及專門技術等。第11條約定：保密義務，宋健民同意對其聘任期間所知悉或持有之前條機密資訊負保密義務，且非經中砂公司書面同意，宋健民不得以任何方式將其洩漏、告知、交付或使他人得以知悉、轉移他人或對外發表。兩造聘任合約書第19條第2 項約定：宋健民如違反保密、禁止競業、禁止行索賄之規定，除依前項規定外，中砂公司得另行請求相當於所給付宋健民報酬總數之懲罰性賠償金，包含歷年薪資、請求當日市價計算之歷年紅利、獎金等。

⑵宋健民洩漏中砂公司之營業秘密：遭宋健民不法洩漏之中砂公司營業秘密至少包含下列數項：

①中砂公司員工○○○製作之CMP 專案週報，所載中砂公司BODD之研發、設計、組裝、改良、測試數據等營業秘密。②中砂公司鑽石事業部鑽石碟工廠管制區域內之潔淨室、研磨區及PVDD鍍膜區等關於鑽石碟產線之營業秘密。③中砂公司少量試做之BODD樣品及相關測試數據。④中砂公司鑽石碟之銷售資料、毛利及產能資訊等營業秘密。上列①與③之中砂公司營業秘密，均屬營業秘密法第2 條之方法、技術、配方、設計；而上列②之中砂公司營業秘密，屬營業秘密法第2條之方法、技術、配方、製程、設計。以上列①至③之中砂公司營業秘密均可用於生產、銷售BODD產品。上列④之中砂公司營業秘密，為可用於生產、銷售、經營BODD等鑽石碟產品之資訊。中砂公司為保持上列各項中砂公司營業秘密之秘密性，採取多項保密措施。職是，足證宋健民違反雙方聘任合約書之保密義務規定。

⑶中砂公司未同意宋健民洩漏營業秘密：宋健民所舉被證67、69、79、80等電子郵件，均係其已為洩密行為後，始告知有權代表中砂公司之董事長或執行長，應不得以宋健民單方面之先斬後奏，遽認中砂公司已默示同意。況上開電子郵件中除被證67外均無附件，亦無從推認中砂公司已默示同意宋健民之洩密行為。宋健民之相關電郵並不明確，亦未完全揭露其在密謀之相關行為，倘其係有意取得中砂公司同意，應不可能以電郵通知而未予中砂公司相關人員進行細部討論，甚至訂立合約處理相關議題。中砂公司相關人員耗費一定時間瞭解、調查後，提出諸多訴訟追究，其可證中砂公司事前不知、事後追究之意旨。再者，宋健民所舉被證62至66等電子郵件，均未知會有權代表中砂公司之董事長或執行長，不得遽認中砂公司默示同意宋健民之洩密行為。

⑷中砂公司之營業秘密應受保護：中砂公司之營業秘密係依法受保障，毋待與宋健民有所約定，況聘任合約書第10條、第11條明訂其保密義務，中砂公司前數度透過電子郵件提醒宋健民，依照JV增補條款與營業秘密法，未經中砂公司同意不得將中砂公司之BODD相關營業秘密外洩，亦不得私自利用此等營業秘密與他人洽談合作。詎宋健民於中砂公司提醒前後，仍持續洩漏中砂公司之營業秘密。

⑸中砂公司之受損金額：中砂公司因宋健民洩密行為所受之損害金額及宋健民因此所得之利益，均遠於10,683,966元，中砂公司僅先於10,683,966元之範圍內為請求。依宋健民於105 年間向大陸地區中芯集團提出之簡報所載，其於106 至110 年使用中砂公司BODD相關營業秘密之純利，將高達美金1 億90萬元。宋健民不法使用中砂公司BODD相關營業秘密在外招攬資金，至少已實際獲得2 千萬元資金之利益，用以設立鑽鈊科技有限公司（下稱鑽鈊公司），並產銷BODD產品，單以此計，中砂公司得請求至少2 千萬元之損害賠償。職是，宋健民係故意為上開洩密行為，中砂公司更得請求3 倍損害賠償，中砂公司於本案訴訟暫先部分請求1,068萬3,966元，洵屬有據。

⑹中砂公司之請求未罹於時效：中砂公司依聘任合約書第19條第2 項之請求權，並未罹於消滅時效，該請求權為懲罰性違約金之契約請求權，應適用民法第125 條規定之15年消滅時效。中砂公司執行長係於105年2月5 日始受原審秘密保持命令，而得以閱覽原審勘驗證據，並進而得知附表1 及原審更正比對表1 至7 所示宋健民洩密行為之具體事實，故營業秘密法第12條第2 項之2 年消滅時效應自該時起算。原審前於104 年9 月2 日通知中砂公司訴訟代理人閱覽原審勘驗證據，因內容甚多，中砂公司訴訟代理人係於104 年10月16日完成閱覽，係於該時始得知附表1 及原審更正比對表1 至7 所示宋健民洩密行為之具體事實。故縱自該時起算，至中砂公司於105 年12月12日上訴狀追加本項請求權基礎時，未逾營業秘密法第12條第2 項之2年消滅時效。宋健民所舉電子郵件均不得證明中砂公司知悉或同意其洩密行為，不得以該等電子郵件之時間起算消滅時效。

2.原審酌定之競業禁止賠償過低：

⑴聘任合約書之約定：聘任合約書第11條第2 項約定：本條保密約定於本合約終止或解除後仍然有效。聘任合約書第15條第3 項第3 款約定：於本合約終止或解除後2 年內，為前2 款競業之行為者。足認縱使聘任合約書終止，保密及競業禁止約定仍有契約之效力。申言之，宋健民之保密義務係永久有效，縱認兩造聘任合約書已於99年4 月30日因宋健民改任技術顧問而終止，仍不解免其保密義務，不因宋健民自行於99年4 月30日離職申請單「注意事項」欄畫「XX」及手寫註記而受影響，而聘任合約書第19條第2 項關於違反約定之懲罰性違約金，應隨之繼續有效，始符合契約之文義及目的。

⑵競業禁止條款未停止效力：

①聘任合約書因執行他案合作案而簽訂聘任合約書，以補充他案合作案相關合約內未規範之事項，自無可能於他案合作案期間內，驟然停止適用聘任合約書之相關約定，中砂公司亦無理由同意放棄保密與競業禁止約款之保護。聘任合約書並無終期或任一方得隨時終止之約定，顯見兩造不欲其提前終止，顯見聘任合約書並無於他案合作案屆期終止前，單獨終止之可能。聘任合約書第11條第2 項約定：本條保密約定於本合約終止或解除後仍然有效。聘任合約書第15條第3 項第3 款約定：於本合約終止或解除後2 年內，為前2 款競業之行為者。足認兩造保密與競業禁止約款就算在合約終止後仍有效，故宋健民之保密義務係永久有效，競業禁止義務於合約終止後2 年內仍有效。縱認兩造聘任合約書已於99年4 月30日因宋健民改任技術顧問而終止，仍不解免其保密密義務及2 年內之競業禁止義務。準此，聘任合約書第19條2 項關於違反上開約定之懲罰性違約金，應隨之繼續有效，。至宋健民自行於99年4 月30日離職申請單「注意事項」欄畫「XX」及手寫註記，並無終止聘任合約書或免除其保密與競業禁止義務之效力。

②兩造係因執行他案合作案而簽訂聘任合約書，以聘任合約書補充他案合作案相關合約內未規範之事項，故兩造間之權利義務應以上開合約之明文約定決之，不因宋健民於中砂公司之職稱係總工程師、鑽石科技中心總經理或技術顧問而有異。上開內部事件報告係中砂公司人資行政部經理所製作，所載係指顧問為受聘任之高階職位，與其他受雇用之員工有別，故中砂公司之員工獎懲管理辦法不適用於技術顧問。兩造間之他案合作案合約關係並非由人資部門執行，而係由中砂公司執行長以上之高階管理人與董事會執行，宋健民自不得任意以管理受僱員工事項，據以曲解。

⑶聘任合約書不因他案合作案屆期終止而停止適用：

①宋健民自承兩造聘任合約書係因執行他案合作案而簽訂，而兩造於85年10月28日簽訂英文版JVA ，開始他案合作案，由中砂公司出資聘請宋健民從事鑽石工具等相關技術之研究開發，英文版JVA 第7 條、第8 條分別約定：宋健民將被聘任為中砂公司之總工程師，宋健民為中砂公司及前述合作事業員工之薪水為每月25萬元。兩造隨即於85年10月29日簽訂工作契約，並於85年10月30日簽訂第1 份聘任合約書，聘任合約書第1 條記載之聘任日期為85年11月1 日，係為履行英文版JVA 第7 條、第8 條之約定所簽訂。況宋健民除領取英文版JVA 第8 條所載之25萬元月薪外，並未因簽訂聘任合約書而領取其他之薪資，足證聘任合約書及英文版JVA 所規範者為同一個法律關係。宋健民於85年10月30日簽訂之第1 份聘任合約書簽名頁以手寫註記：本聘任合約書只適用於附件正式合約書內未規範事項。嗣於96年12月13日簽訂之第2 份聘任合約書簽名頁，亦以手寫註記：正式合約見附件即英文版JVA ，其中未規範事項見此約。益證兩造係因執行他案合作案而簽訂聘任合約書，以補充他案合作案相關合約內未規範之事項，自無可能於他案合作案期間內，停止適用聘任合約書之相關約定。且宋健民之保密及競業禁止義務均為他案合作案合約所未規範之事項，係保護中砂公司權益之規定，中砂公司無理由停止適用聘任合約書而放棄保護。

②中砂公司前董事長○○○於91年5 月31日經營團隊會議，曾說明中砂公司係為執行他案合作案而聘請宋健民從事研究開發。嗣兩造合意以於中砂公司內部設立獨立單位之方式執行他案合作案，故英文版JVA 第8 條所提及「合作事業」及91年5 月31日經營團隊會議中提及「兩個身份」，已無適用之餘地。中砂公司前董事長○○○自始就不同意成立子公司執行他案合作案，故英文版JVA 第5 條載有權利金條款，藉以保留兩種不同執行方式之選項，並於英文版JVA 最後一段載明實際執行細節將另行約定。兩造嗣後於91年8 月21日簽訂中文版JVA （下稱中文版JVA ），中文版JVA 第7 條，就他案合作案之執行方式，仍載有「成立新公司」或「於中砂公司內設立獨立營運單位」兩種選項。

③因兩造合意不採「成立新公司」之合作模式，而確立「於中砂公司內設立獨立營運單位」之執行方式，中砂公司前於93年間設立鑽石科技中心，並委任宋健民任總經理，以執行他案合作案。宋健民於95年6 月27日之經營會議再次簽名確認：他案合作案採行支付權利金而不成立新公司之方式進行，暨中砂公司執行他案合作案並無違失。職是，英文版JVA 及中文版JVA 中關於成立新公司合作模式僅係選項之一，實際上已為兩造所合意不採而從未執行。準此，兩造嗣後關於他案合作案執行方式之合意與確認，不影響兩造於聘任合約書之保密及競業禁止義務。

⑷原判決認定之200 萬元懲罰性違約金顯屬過低：勘驗證據所示之宋健民之違約及不法行為甚多，中砂公司訴訟代理人於原審耗時數月，始完成閱覽「勘驗證據」，並整理出重要事件時序表。中砂公司於原審提出之更正比對表1至7 所示宋健民之洩密行為，雖僅係小部分，已嚴重侵害中砂公司之權利，其違約情節與惡性重大。職是，原審認定之違約金實屬過低，顯無法補償中砂公司之損失。

3.中砂公司未同意宋健民之競業行為：

⑴宋健民圖利嵩洋公司：宋健民與嵩洋公司之合作案為圖私利，以其自行在外產製之BODD與中砂公司之鑽石碟產品競業，中砂公司斷無可能同意，亦從未同意此等嚴重損害中砂公司權益之舉。且宋健民自承其與嵩洋公司之合作案為發展BODD，其與嵩洋公司之合作案未經中砂公司之同意。宋健民未經中砂公司同意，擅自將屬「他案合作案」大陸地區專利申請號第98803985.0號「以滲透法硬焊之鑽石研磨工具」專利，前於98年9 月29日讓與嵩洋公司。該專利為他案合作案「原始4 項專利」之一之大陸地區對應案，乃製造鑽石碟之基礎專利之一，宋健民移轉此項專利予嵩洋公司，係為產製BODD所需之鑽石小碟。宋健民移轉此項專利後，竟仍要求中砂公司支付專利維護費用，並威脅中砂公司如不付費，其將任由該專利失效。經中砂公司告知其法律責任後，宋健民始轉使嵩洋公司支付維護費用及滯納金。足證中砂公司未同意其競業及移轉專利等違約行為。宋健民並將中砂公司關於BODD之營業秘密不法洩漏予嵩洋公司，以與中砂公司競業。

⑵備忘錄二未同意宋健民之競業行為：中砂公司多次提醒宋健民，不得私自與嵩洋公司等第三人合作發展BODD。備忘錄二第2 條揭示：為不使宋健民與外部第三者之合作對中砂公司造成不利影響。足認中砂公司無論事前、事後，均不同意此等外部合作案。因宋健民上開外部合作案均係先斬後奏，中砂公司知悉時此等違約事實已發生，中砂公司雖不同意，僅能採取相關補救措施，以期防止損害擴大，不得僅因中砂公司事後要求採取相關補救措施，即認中砂公司未表示不同意甚或已默示同意。況宋健民自承其係為私利而逼迫中砂公司延長他案合作案支付權利金年限，始違約私自向外發展。宋健民投資嵩洋公司等外部合作案，係擅自以他案合作案專利及中砂公司之研發資源投入，且係以與中砂公司競業為目的，積極掠奪中砂公司鑽石碟產品之客戶與市場，宋健民並已將他案合作案相關專利擅自讓與包括嵩洋公司等外部合作對象，甚至在美國以其違約拒不移轉登記予中砂公司之他案合作案專利，對中砂公司及中砂公司之經銷商提起專利侵權訴訟。準此，足證宋健民之嵩洋公司等外部合作案已實際造成對中砂公司之不利影響，中砂公司不可能同意。

⑶備忘錄一與二均未同意宋健民之競業行為：

①備忘錄一第1條記載：宋健民目前合作之外部對象包括中國鄭州台鑽科技、南通晶鑽、江蘇鑫鑽及嵩洋公司等4 個。列出中砂公司所欲追究與處理之宋健民外部合作案，避免中砂公司所受之損害持續擴大，此由備忘錄一第2 條以下，均係在規範此等外部合作案之處理方式即明。而宋健民僅履行其中有關江蘇鑫鑽案部分，其餘均未履行。換言之，該約定乃宋健民自承其違約事實，由約定使用「目前」二字，可得知約定僅係描述當時之事實狀態，而無認可事實狀態之意思。

②99年1 月7 日簽訂之備忘錄一第2 條明示關於嵩洋公司之外部合作案另議：除嵩洋公司擇期另議外，宋健民應本誠信舉出上述其餘3 個合作案擬採用雙方共同之JV專利權。可證兩造從未就嵩洋公司案達成任何協議，自不得遽以推認中砂公司未表示不同意甚或已默示同意。縱認備忘錄一可認中砂公司有事後同意之意思，此同意係以宋健民依備忘錄一之相關約定履行為前提，宋健民就江蘇鑫鑽案以外之部分，均未依約履行，兩造就嵩洋公司係約定擇期另議，尚未合意具體之處理方式，自不得遽認中砂公司已事後同意。

⑷離職申請單未刪除聘任合約書之保密與競業禁止約款：

①離職申請單實係中砂公司追究宋健民違約進行外部合作案之證明，而非宋健民自中砂公司公司離職。依備忘錄二第2 條約定，宋健民自99年5 月1 日起不再擔任鑽石科技中心總經理，而轉任技術顧問，而該離職申請單僅係宋健民完成卸任鑽石科技中心總經理職位之手續，並非用以變更兩造間權利義務關係為目的，亦未停止適用聘任合約書中任何條款，故聘任合約書之相關條款均仍繼續適用。宋健民雖不再擔任鑽石科技中心總經理，然其職權與相對應之義務均未改變，並非自中砂公司公司離職。離職申請單注意事項欄所列者，均為離職時及離職後之注意事項，故宋健民片面加以畫「XX」，至多寓有「此注意事項不適用於宋健民當時之特殊情形」之意，並非兩造合意宋健民不受聘任合約書中關於保密及競業禁止等條款之適用。

②因聘任合約書可補充系爭合作案合約未規範事項，故宋健民於「注意事項」欄手寫註記「依JV規定辦理」，就系爭合作案合約所未約定之保密及競業禁止等事項，應回歸聘任合約書之約定，而非排除聘任合約書之適用。況該離職申請單「注意事項」所載事項，僅係將受中砂公司工作規則、聘任合約書等公司規章之部分內容摘要列出，提醒受聘僱人員遵守，故其內容僅係觀念之通知而非意思表示，不得取代此等公司規章之相關規定。準此，縱宋健民逕自於注意事項欄畫「XX」，然不等同於刪除此等公司規章之相關規定，自無免除其相關義務之效力。因該離職申請單僅係宋健民卸任「鑽石科技中心」總經理之一項書面手續，並非自中砂公司離職或用以變更兩造間權利義務關係，且所載「注意事項」係觀念之通知，並無免除宋健民相關義務之意思或效力，中砂公司董事長與執行長始於離職申請單簽名。

③宋健民99年4 月30日之離職申請單並非自中砂公司離職，依備忘錄二其仍繼續擔任中砂公司技術顧問，且其違約競業行為係發生於99年4 月30日前，故宋健民不得解免其違約責任。依JV增補條款第4 條第5 項約定，中砂公司就所使用之專利支付權利金期限終了後，即取得完整之專利權，宋健民應於1 週內無償移轉登記予中砂公司，且備忘錄三第8 條特別要求宋健民應確保中砂公司鑽石碟產品（DG）未來之營運，故宋健民於他案合作案屆期終止後，無權單獨使用該技術，其所負保密及競業禁止義務亦與上開約定之意旨相符。況宋健民於「他案合作案」之17年間所領取之薪資及顧問費總計超過5,500 萬元、權利金總計超過5 億5,000 萬元，遠超過宋健民未來生計之所需。縱認99年4 月30日之離職申請單合意刪除聘任合約書關於競業禁止約款之適用，僅係向後失效而無溯及效力。該注意事項中就競業禁止之說明僅限於「離職後2 年」，縱經刪除，亦不免除宋健民任職期間之競業禁止義務。

⑸備忘錄三第4條未免除宋健民之競業禁止：

①中砂公司於備忘錄三第8 條要求宋健民應確保中砂公司鑽石碟產品(DG)未來之營運，不得以專利權訴訟或惡意對他方授權侵犯中砂公司利益，並將於JV到期將相關專利無償移轉予中砂公司。可得知宋健民不得與中砂公司之鑽石碟業務競業，因鑽石碟為中砂公司最為重要之產品之一，須以競業禁止及保密約款等措施保護相關專利與技術，中砂公司不可能僅為提前清算少數不同業務之專利，而放棄欲以競業禁止及保密約款保護之全部利益，自不得認為中砂公司免除宋健民之相關義務。

②備忘錄三第4 條免除競業禁止之對象，僅限於宋健民以外之員工，條文記載：鑽石科技中心人員於100 年12月31日前隨宋健民加入錸鑽公司者，其在中砂公司所簽之競業禁止條款將不適用。中砂公司為該項同意，係因備忘錄三係為規範宋健民前往錸鑽公司任職後，不得從事鑽石碟業務、僅能從事備忘錄三第1 條所規範之鑽石金屬散熱片及鑽石鍍膜兩類業務所訂，除上述兩類業務相關專利清算後宋健民得以擁有或按雙方交互授權而使用外，原本在鑽石科技中心內從事該兩類業務之相關人員，倘欲跟隨宋健民前往任職，中砂公司可以同意，而該等從業人員之專長均非鑽石碟，故中砂公司並未免除宋健民之競業禁止義務，就其入股與任職於嵩洋公司係直接與中砂公司之鑽石碟競業，中砂公司不可能同意。

③宋健民至錸鑽公司任職後，不斷透過其於錸鑽公司之電子郵件帳號，管理、指揮中砂公司鑽石科技中心相關人員從事BODD等鑽石碟產品之研究開發，且宋健民為獲取其無權接觸中砂公司及中砂公司客戶之機密資訊，甚至以執行他案合作案為藉口，要求不屬他案合作案之中砂公司鑽石事業部人員提供相關機密資訊供其在外使用。況備忘錄三第10條約定：歷次修約不追溯既往。縱依宋健民之主張，仍不得解免其於98年3月2 日違約之責任。

4.宋健民應將系爭專利移轉登記予中砂公司：

⑴宋健民非系爭專利之發明人：

①宋健民私自以自己名義與陳盈同簽訂鑽石碟專利分享合約書（下稱專利分享合約書），為宋健民勸誘陳盈同移轉相關專利，其包含系爭專利，持之向中砂公司詐取權利金。宋健民意圖將陳盈同因系爭產學合作契約產出之系爭專利偽稱為其專屬技術，俾利其侵害中砂公司於系爭產學合作契約之專利權及專利申請權，再偽以該等專利權依他案合作案之相關合約，向中砂公司詐取權利金，並預備於他案合作案合約屆滿之際，以專利訴訟逼使中砂公司延長他案合作案給付權利金之年限，故宋健民以分享所詐取之他案合作案權利金為誘因，勸誘陳盈同與其簽署專利分享合約書。宋健民在97年10月15日簽訂「JV增補條款」，嗣於97年12月1 日與陳盈同簽訂「專利分享合約書」，係因應「JV增補條款」第2 條明文限於宋健民「專屬技術」新規定，乃將系爭專利偽稱為他案合作案專利而採取之行動。陳盈同因意圖牟取系爭產學合作契約報酬以外之不法利益，受宋健民勸誘而與其簽訂專利分享合約書，並隱匿系爭產學合作契約產出之系爭專利迄至中砂公司向其追查為止。

②專利分享合約書前言記載：緣陳盈同為機械工程學博士，因因從事鑽石碟研究而在過去、現在及未來有多項有關鑽石碟之發明，該等專利將以宋健民為所有權人或共同所有權人、陳盈同身為專利發明人。足證宋健民自承陳盈同始是系爭專利真正發明人，宋健民並無技術貢獻或技術指導。專利分享合約書第2 條第2 項及第3 條約定，宋健民將陳盈同移轉予其之專利偽稱為其「專屬技術」，向中砂公司詐取所得「他案合作案」權利金，應與陳盈同分享等事項。嗣陳盈同簽訂98年4 月22日「研發合約書」，將附表編號1 至3 所示，3件系爭產學合作契約專利之申請權讓與宋健民，並由宋健民取得專利權。準此，可知宋健民以分享「他案合作案」權利金為餌，勸誘陳盈同將系爭產學合作契約所生專利之申請權移轉予宋健民，藉以分得自中砂公司之權利金。

⑵他案合作案範圍不包含系爭專利與系爭產學合作契約：他案合作案與系爭產學合作契約為不同之兩案。鑽石工具技術為中砂公司固有之研發項目，他案合作案之相關合約未禁止中砂公司繼續既有之鑽石工具研發。他案合作案與系爭產學合作契約，不論契約當事人、執行單位、權利標的及權利歸屬等各方面均不同，故系爭專利之權利歸屬並非依他案合作案相關合約定之。JV增補條款第2 條明確限定僅有宋健民「專屬技術」始屬「他案合作案」範圍，系爭專利為系爭產學合作契約之研發成果而非宋健民之專屬技術，自非他案合作案之範圍。

⑶中砂公司為系爭專利之真正權利人：

①96年、98年之系爭產學合作契約第7 條明訂：本計畫所衍生之智慧財產及專利為中砂公司所有，專利權得由雙方主持人、共同主持人共同具名申請之。中砂公司擁有系爭專利之專利權及專利申請權，97年之系爭產學合作契約雖漏未記載，然系爭專利發明人及系爭產學合作契約實際執行人陳盈同，已確認3 年度計畫之專利權均為系爭產學合作契約之成果，且雙方合意其專利權及專利申請權應歸屬中砂公司，96、98年之系爭產學合作契約第7 條應為相同解釋。系爭產學合作契約係宋健民代表中砂公司所簽署，宋健民不得藉詞否認或曲解契約之約定，況宋健民並非契約當事人，自不得任意曲解實際執行人陳盈同與中砂公司立約之真意。再者，系爭專利均係於97、98年間申請，而系爭產學合作契約橫跨96年至98年，彼此間有延續性及相關性，故並無係先申請專利，再以之申請研究計畫之情形。

②中砂公司支付系爭產學合作契約報酬之轉帳傳票，所以將此費用歸在宋健民擔任總經理之他案合作案執行單位「鑽石科技中心」，係因宋健民將系爭產學合作契約專利偽稱為其「專屬技術」，俾向中砂公司詐取他案合作案權利金所致。系爭產學合作契約報酬之會計處理，不影響系爭專利之歸屬，宋健民不得執以否認或推翻系爭產學合作契約，關於專利權歸屬於中砂公司之明文約定。

⑷宋健民應將系爭專利移轉登記予中砂公司：宋健民明知中砂公司依系爭產學合作契約，擁有系爭專利之專利權及專利申請權，宋健民並無任何權利，竟利用職權勸誘陳盈同，將系爭專利不法據為己有，侵害中砂公司就系爭專利之專利權，致中砂公司受有無法取得該等權利之損害。宋健民所為構成「故意不法侵害中砂公司權利」及「故意以背於善良風俗之方法加損害於中砂公司」侵權行為。宋健民受中砂公司委任，兩造訂有工作契約及聘任合約書，詎宋健民明知中砂公司方為系爭專利之專利申請權人及專利權人，竟將系爭專利登記於宋健民自己名下，逾越其受委任權限，且屬不符債之本旨之不完全給付，致中砂公司受有損害。中砂公司為系爭專利之專利權人，宋健民自應將系爭專利之專利權移轉登記予中砂公司，以回復損害發生前之原狀。再者，宋健民明知中砂公司依系爭產學合作契約，擁有系爭專利之專利權及專利申請權，宋健民並無任何權利，竟利用職權勸誘陳盈同，將系爭專利不法據為己有，而受有系爭專利之專利權之利益，其受益並無法律上原因，致中砂公司喪失上開利益而受損害。

⑸依JV增補條款宋健民應移轉登記系爭專利：JV增補條款第3條第5項約定：本JV終止後，所有因執行本JV所產生由宋健民名義持有之專利權，除經雙方同意進行量產製造產品使用之專利權外，宋健民應返還中砂公司為該等專利權所支付之一切費用加計合理利息，此後該等專利權之權利及價值歸屬宋健民所有。屬宋健民未返還價款之專利權，宋健民同意1週內無償過戶予中砂公司。中砂公司並未商業化量產系爭專利所涉之BODD產品，宋健民亦未於102 年10月28日他案合作案屆期終止後1 週內償還系爭專利之相關費用予中砂公司，故宋健民應依上開約定，將系爭專利無償移轉登記予中砂公司。陳盈同已確認3 年度計畫之專利權均為系爭產學合作契約之成果，且雙方已合意其專利權及專利申請權應歸屬中砂公司，不因陳盈同教授與他人之其他研究計畫而有異。

5.中砂公司得就系爭專利行使防止侵害請求權：中砂公司為系爭專利之真正權利人，因系爭專利仍登記在宋健民名下，為防止其在系爭專利變更登記為中砂公司所有前，擅自就系爭專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更而侵害中砂公司之專利權，爰依專利法第96條第1 項請求防止侵害。再者，專利權為準物權，得適用或類推適用上開規定，具有類似民法第767 條所有權人排除侵害及防止侵害之權能。

二、宋健民上訴與主張：宋健民上訴聲明請求：㈠原判決不利宋健民部分廢棄。㈡上開廢棄部分，中砂公司在第一審之訴駁回。㈢倘受不利判決，願供擔保請准宣告免為假執行。就中砂公司上訴部分，駁回上訴。如受不利判決，請准提供現金或等值之有價證券為擔保，免為假執行。

(一)宋健民並無支付懲罰性違約金之義務：

1.宋健民並無競業禁止與保密義務：

⑴宋健民為中砂公司之股東而非受聘任：

①兩造於85年10月28日簽訂之英文版JVA ，由中砂公司提供所有資源支持系爭合資案，以生產製造鑽石之工具。91年8 月21日所簽之中文版JVA 前言，提及中砂公司提供技術以外必要資源，合作生產及銷售鑽石相關產品。英文版JVA 第2條明定系爭合資事業之權利2/3 由中砂公司所享有，1/3 歸宋健民。英文版JVA 第5 條規定系爭合資事業全年營收之7%歸宋健民。中文版JVA 第2 條約定系爭合資事業所成立之子公司，設立資本額2/3 由中砂公司出資，1/3 以宋健民之技術價值作為出資。中文版JVA 第5 條規定系爭合資事業可在中砂公司公司內設立獨立之營運單位執行，中砂公司須支付宋健民每年度營業收入淨額之7%，作為使用宋健民專利之授權金。中砂公司於93年設立鑽石科技中心，係以獨立於公司之營運單位執行系爭合資事業。而由英文版JVA 第6 點規定，系爭合資事業滿10年時，中砂公司有權購買宋健民之權利，且同意買賣價格為營收總額1/3 ，倘中砂公司未選擇購買，應依第5 條規定計付權利金，中文版JVA 第7 條第2 項有相同規定。

②系爭合資事業滿10年後，中砂公司未選擇購買宋健民之出資，兩造遂於97年10月15日簽訂JV增補條款，作為中、英文版JVA 二合約之延續，其中第3 條第2 項規定，倘中砂公司使用系爭合資事業之智慧財產權於產品或技術發展時，中砂公司擁有該智慧財產權2/3 權利及價值。第4 項規定，如雙方同意出讓或對外授權中砂公司已使用之智慧財產權，則所得對價經扣除成本後，2/3 歸中砂公司、1/3 歸宋健民。第5項第2 款規定，系爭合資事業終止後，歸中砂公司之專利權如未來出讓或對外授權時，所得對價經扣除成本後，仍應支付宋健民1/3 。再者，其中第4 條第2 項以英文版JVA 第5條所約定之銷額的7%，作為授權金計算之基準。職是，依兩造間契約之解釋，系爭合資事業關於合資生產及銷售鑽石相關產品部分屬合資契約，由宋健民以技術價值作為1/3 出資，中砂公司以技術以外之資源出資，而各取得系爭合資事業1 比2 之權利，且無論系爭合資事業之智慧財產權，倘對外授權或出讓而自第三人處取得對價時，均應扣除成本後，由宋健民、中砂公司各取得1 比2 之利益。職是，兩造依合資契約內容，係立於股東與股東之關係。

③倘兩造在前述之合資契約關係之外，另簽署聘任合約書，或另聘任宋健民擔任其他工作，因標的內容及權利義務完全不同，聘任合約自屬另一法律關係，聘任關係與合資契約之股東屬不同之法律關係。93年10月30日之聘任合約書最後頁載明：本聘任合約書僅適用於附件正式合約書內未規範事項，附件為有效之正式合約。96年12月13日之聘任合約註明：正式合約見附件，其中未規範事項見此約。上揭並非專利法律人士擬定之內容，其重點在於強調聘任合約書之規範，僅適用於聘任事項，兩造之合資關係應依基本之合資契約條款予以規範。

⑵保密條款及競業禁止條款自99年5月1日起失效：

①兩造在合資契約之外，另於85年10月29日簽訂工作契約，嗣於93年11月30日、96年12月13日簽訂聘任合約書，聘任宋健民管理中砂公司之鑽石科技中心總經理。第一份聘任合約書雖於93年10月30日簽訂，然聘任合約書所載宋健民受聘日係自85年11月1 日起，可知宋健民約自英文版JVA 簽訂後受聘於中砂公司。嗣宋健民於96年12月12日因年滿60歲強制退休而辦理離職，因宋健民旋於96年12月13日與中砂公司簽訂另份聘任合約書，契約內容與91年8 月21日簽訂之聘任合約書相同。復於99年4 月30日再申請離職，依兩造間備忘錄二第2 條約定，宋健民自99年5 月1 日起改任為中砂公司技術顧問，聘任日期止於雙方JV到期日。宋健民擔任技術顧問係於99年5 月1 日後，兩造未簽訂新聘任合約書。依此等締約過程可知，兩造簽訂相關JV合約後，中砂公司在內部設立鑽石科技中心作為JV合約之執行單位之一，並聘任宋健民擔任鑽石科技中心總經理，訂有聘任合約書，至99年5 月1 日後，因宋健民已改任中砂公司技術顧問，不再擔任鑽石科技中心總經理，已非中砂公司內部人員，兩造未另訂聘任合約書。兩造間之法律關係，即應回歸兩造間JV合約或民法一般之規定處理，並無繼續適用96年12月13日聘任合約書條款。

②99年4 月30日宋健民依備忘錄二第2 條約定，自鑽石科技中心總經理卸任，雙方就離職事項簽署離職申請書。其注意事項第2 點原本載明：依聘任合約書規定，員工不論於受雇期間或之後離開公司，對於攸關公司本身、公司之母公司、子公司或其它各附屬機構之各項智慧財產及商業機密，非經公司書面同意，不得對外公開或洩漏予第三者。離職後2 年內對本公司負有「競業禁止」之義務；不得於臺灣境內自行經營，或受僱於與中砂公司營業項目相同或近似之事業單位，從事與現職相關之工作；或受聘為前開事業單位之顧問。其後該等條款經畫X 改為「依JV規定辦理」，即該等注意事項由JV條款取而代之。而因JV條款無營業秘密及競業禁止條款，故該等保密及競業禁止注意事項內容等同於業經刪除。

③雙方刪除該等條款之背景，緣於宋健民本係將鑽石碟技術授權予合資事業之技術股東，故兩造合意刪除宋健民之保密及競業禁止義務。且聘任合約之保密及競業禁止條款係因宋健民擔任鑽石科技中心總經理而簽署，其不擔任該職位後，回歸合資契約之規範，保密及競業禁止義務自當予以刪除。兩造於100 年1 月簽署備忘錄三時，約定在100 年12月31日前隨宋健民前往錸鑽公司上班之鑽石科技中心人員，不受在中砂公司所簽之競業禁止條款所拘束，係在兩造合意刪除宋健民之競業禁止義務後，再進一步合意刪除鑽石科技中心人員在中砂公司所受之競業禁止義務，前後之發展可相互呼應。

⑶宋健民可轉赴錸鑽公司任職：兩造於100 年1 月簽署備忘錄三時，約定備忘錄三於錸鑽公司成立後生效，並約定在100 年12月31日前隨宋健民前往錸鑽公司上班之鑽石科技中心人員，不受在中砂公司所簽之競業禁止條款所拘束。可知兩造於100 年1 月間有認知宋健民將前往錸鑽公司任職，並得從事鑽石碟製造販賣之相競爭行業。錸鑽公司嗣於100 年2 月18日核准設立，宋健民於10 0年3 月間前往錸鑽公司上班，宋健民每週僅至中砂公司1 次，每次約2 個小時，均是處理專利管理及基本公文，中砂公司在宋健民轉任技術顧問後，未將其視同員工。職是，宋健民自100 年3 月後，其與合資事業關係漸行漸遠，中砂公司無要求原合資事業之技術股東宋健民應負有保密義務及競業禁止義務之正當理由。

2.中砂公司並無營業秘密主張：

⑴合資事業技術資料並非營業秘密：

①宋健民指導所作成之合資事業技術資料，從未經宋健民指定或雙方約定應以營業秘密處理，自未成為中砂公司單方擁有之營業秘密。JV增補條款第5 條第2 項約定：中砂公司對宋健民所開發之JV產品，得權衡效益後，安排其他事業部或專案生產製造，而宋健民對該類產品之技術指導有完全管理權，並得監督其成本之發生。備忘錄三第3 條約定：宋健民將為中砂公司聘任為顧問，月支領顧問費及年終獎金。關於宋健民擔任顧問之職責，備忘錄二第3 條約定：中砂公司自2010年5 月1 日起委託宋健民全權管理鑽石科技中心及所有JV之技術。宋健民擁有管理DTC 需要之所有職權，包括預算編列、人員之任用核薪及考核權DTC 內部組織調整，宋健民執行對鑽石科技中心之管理應從中砂公司制度規定，宋健民對於DTC 應訂定有利於雙方之研發計劃，經中砂公司同意後，配合計劃之預算，中砂公司應予充分支持。可知宋健民有完全之技術管理權，研發計劃均由宋健民制定。

②中砂公司所稱之BODD營業秘密資料，該等資料係在宋健民擔任技術指導者，指導合資事業人員所製作，該等資料是否屬營業秘密，是否應採取保密措施，本應依技術指導者宋健民指示編列，或依合資事業雙方協商議定，始符合營業秘密法之營業秘密要件。因過去宋健民從未指定，兩造未約定某特定資料應屬營業秘密，縱宋健民於99年4 月底前因擔任鑽石科技中心總經理簽訂競業禁止及營業秘密條款，然此等條款，經雙方以99年4 月30日離職申請單，合意刪除注意事項中關於保密義務及競業禁止之規定，並以文字書寫更正為「依JV規定辦理」。兩造未有任何競業禁止及保密條款之約定。宋健民指導所作成之合資事業資料，包含鑽石事業部銷售鑽石碟之資料，鑽石科技中心之研究成果或專案報告，從未經宋健民指定或雙方約定應以營業秘密處理，自不得僅以中砂公司單方之主張，使該等資料成為中砂公司單方擁有之營業秘密。況宋健民為合資事業之股東，亦為技術資料之技術指導者，本屬系爭資料之所有人之一，雙方本未曾約定此等資料應屬營業秘密。職是，本件中砂公司主張之系爭合資事業資料，均為99年4 月30日雙方合意刪除營業秘密及競業禁止條款後之產出資料，雙方並無營業秘密或競業禁止條款之約定，中砂公司主張其擁有營業秘密，為無理由。

⑵中砂公司未採取合理保密措施：中砂公司就製作之BODD報告，均未標示不准複印或轉發或為公司機密之字樣，倘印出紙本，亦未要求回收。而宋健民於99年4 月30日與中砂公司簽訂離職申請單後，注意事項中關於保密義務規定，經中砂公司公司董事長及執行長核准刪除。再者，宋健民於100 年簽訂備忘錄三後，中砂公司緊縮合資事業之資金投入，宋健民於100 年3 月後，前往錸鑽公司上班，每週僅至中砂公司公司1 次，每次約2 小時。中砂公司客觀上並無任何行為，使宋健民瞭解中砂公司有將該資訊作為營業秘密保護之意，亦未將該資訊以不易被任意接觸之方式予以控管，中砂公司就系爭資料未採取合理之保密措施。

⑶宋健民就中砂公司之營業秘密並無故意過失：

①宋健民99年4 月30日離職申請單，注意事項中關於保密義務規定，經中砂公司公司董事長及執行長核准刪除，並以文字書寫更正為「依JV規定辦理」。故兩造聘任合約書之保密條款，不適用於雙方合資事業。宋健民未受保密條款所拘束，自認為系爭合資事業中由宋健民指導完成之系爭資料，不可能成為中砂公司之營業秘密。2010年於Advanced MaterialsResearch Vols126-128，標題為「Mosaic Diamond Disks with Brazed Pallets for CMP」文章，公開有該等組合式鑽式碟之概念。該文章刊登時，宋健民於99年4 月27日告知中砂公司當時之董事長○○○，中砂公司並無異議，故宋健民認為BODD之技術乃可對大眾公開，並非營業秘密。宋健民於100 年8 月18日及8 月29日，告知中砂公司之主管，BODD之介紹已於7 月4 日在舊金山發表公開演說。當時中砂公司之主管均未有不同意之表示，甚且對此事表示贊同，可見中砂公司對此等BODD技術之公開，已有默示之同意。宋健民自會認為就此等已公開之資料，中砂公司並無可能主張營業秘密之相關權利。

②宋健民曾以「450 mm晶圓的超聲化學機械平坦化」為題，分上中下三期發表於2011年11月、12月、2012年1 月之工業材料雜誌。該文經雜誌社同意刊登後，宋健民於2011年11月3日發出電子郵件表示：附件為我發表18吋晶圓CMP 文章之前半部，下半部文章將在下月出刊。接獲郵件者包含中砂公司董事長○○○、高階主管○○○。中砂公司主管嗣後未曾表示不同意，且對此事表示贊同，可見中砂公司對此等BO DD技術之公開已有默示同意。宋健民自會認為就此等已公開之資料，中砂公司無可能主張營業秘密之相關權利。訴外人周呈祥在2012年3 月22日、2012年9 月17日分別安排將BODD之樣品寄給AMAT，中砂公司主管○○○均知情且無異議。宋健民領導之合資事業為尋得BODD樣品之銷售通路，前向台積電為簡報。2011年12月26日，宋健民致函予台積電魏國修經理，副本同時給中砂公司○○○等人，表示感謝安排會議時間，會議重點將簡報新一代鑽石碟BODD。準此，中砂公司均未向宋健民主張BODD技術為營業秘密，定中砂公司並無故意或過失之行為。

⑷中砂公司之請求消滅時效：宋健民於2011年8 月18日及8 月29日告知中砂公司之主管，BODD之介紹已於7 月4 日在舊金山發表公開演說，並將演說之內容寫成文章，寄給該郵件之收信者，繼而刊登文章。該等文章均公開有中砂公司所主張之○○○所製作圖表。中砂公司至其知悉該等資料業經宋健民使用，並公開於期刊後之2 年內，均未曾就該等相同之資料或相同之行為類型，主張宋健民有侵害其營業秘密，中砂公司之請求顯已罹於2 年之時效期間。

(二)宋健民不應支付200萬元之懲罰性違約金：原審雖認定宋健民擔任嵩洋公司董事長違反聘任合約，認定中砂公司以請求懲罰性賠償200 萬元為適當云云。然中砂公司已同意解除宋健民之競業禁止責任，且中砂公司於簽訂備忘錄時亦已同意宋健民與嵩洋公司合作。況所稱宋健民與嵩洋公司合作之BODD鑽石碟，本非中砂公司生產之產品，中砂公司本身亦無相關之BODD專利或技術，中砂公司與嵩洋公司合作，不致使中砂公司受到損害，由此亦可見原審判決宋健民應賠償200萬元，顯然過高。

(三)系爭專利非衍生自系爭產學合作契約：

1.衍生之智慧財產及專利範圍：本件訴訟之背景係宋健民與中砂公司簽訂他案合作案，由宋健民提供技術，中砂公司提供技術以外之資源共同生產販賣鑽石相關產品。宋健民將簽訂前即發明之鑽石碟專利授權合資事業，嗣於合資事業之外更發明BODD專利，並指導○○○鑽石碟之相關知識，繼而代表兩造合作之合資事業之一，其為鑽石科技中心，使用鑽石科技中心之預算，而與陳盈同之中華大學團隊簽訂系爭中華大學96至98年度之系爭產學合作契約。目的在藉由陳盈同教授之團隊研究各類鑽石碟之性能。系爭96及98年度產業學術合作委託合約書第7 條約定：本計畫所衍生之智慧財產及專利為宋健民所有，專利權得由雙方主持人、共同主持人共同具名申請之。明定限於計畫所衍生之專利始有適用該條專利權歸屬約定之可能。所謂衍生者，係指計畫研究人員於研究計畫過程中所產生，先進行計畫再產生專利，專利因計畫而產生。

2.系爭專利非由系爭產學合作契約產生：本件之爭點，在於系爭專利是否為系爭產學合作契約所衍生，而非系爭專利與系爭產學合作契約是否有關聯，系爭專利是否為系爭產學合作契約所衍生之爭點，涉及產學計畫與專利之前後因果關係。況陳盈同之意見未說明各產學計畫與各系爭專利之前後因果關係，其與本件爭點實無關聯。系爭專利係97年底開始寫國科會計畫時，查詢其餘組合式鑽石碟之技術文件撰寫而成，相關專利曾發表國際論文，並作為國科會計畫之結案報告。再者，宋健民長期指導陳盈同鑽石碟之相關知識，嗣宋健民與陳盈同簽訂「鑽石碟專利分享合約書」，係宋健民與陳盈同締結之合約，前言載明：宋健民曾介紹鑽石碟知識給陳盈同，並委託陳盈同從事鑽石碟之多種研究，包括試作多種產品。足見宋健民曾提供鑽石碟所需之知識技術予陳盈同，陳盈同以此等知識為基礎，先申請專利後，再寫成研究計畫，進行專利之測試及改進，系爭專利非自系爭產學合作契約計畫所衍生。職是，系爭專利源自於國科會計畫，並非衍生自本件98年產學計畫。

3.97年度產學計畫所生專利不應由中砂公司取得：97年度之委託合約書未規定所研發產出之專利權歸屬何人，故應屬發明人所有。系爭產學合作契約之3 個年度計畫分別為：⑴96年度計畫為「化學機械拋光(CMP) 技術之延伸」，計畫研究方向包含「滲石墨之導電Pad 」、「CVD 尖錐陣鑽石碟」。⑵97年度計畫為「次世代鑽石修整器研製及技術開發」，研究方向為「PCD 鑽石碟設計及研發」、「SEM 結構分析」。⑶98年度計畫為「鑽石碟新產品開發」，研究方向為「鑽石排列設計」、「膠合技術」。其研究內容標的各不相同，為3 份不同之合約。97年之委託合約可能因未預期有智慧財產權產出或其他因素，未約定智慧財產權之歸屬，不應認定智慧財產權屬中砂公司所有。縱3 個年度之委託研究計畫彼此之間具有延續性，然各計畫所研究者為不同之標的，各年度簽訂不同之合約，無法認定97年度之智慧財產權歸屬，應與96、98年度之約定相同，而增加契約所無之約定內容。

4.系爭專利不應由中砂公司取得：陳盈同表示其係先申請專利再計畫實施專利，檢測專利之內容及研究如何改進，專利技術之內容當然會在執行計畫之過程，出現在計畫研究報告，此等專利與研究計畫之關聯性，雖導因於陳盈同係以先產出之專利為計畫研究之標的對象，然不得認定專利是由計畫所衍生。再者，縱部分未揭露於系爭產學合作契約案之結案報告之技術內容為習知技術，惟中華大學計畫報告中未揭示有該等習知技術，自無從認定系爭專利係由計畫所衍生。專利之申請專利範圍，倘係習知技術特徵與非習知技術特徵相互組合建構而成，如組合發明、修飾、置換及省略技術特徵之發明、轉用發明等。則針對已獲准之專利，無論是其中之習知技術特徵、非習知技術特徵或特徵間之組合方式與排列順序，均因專利技術整體具有新穎性與進步性，均應視為重要技術之一部，不應獨立拆解認定。職是，不僅就習知技術特徵，甚而就習知技術與其他技術特徵間之組合方式，計畫報告自應敘明，始足以認定系爭專利係計畫所衍生。結案報告無論就習知技術或該習知技術與其他技術之組合概念，均無任何揭示，足徵系爭專利並非計畫所衍生。

(四)中砂公司排除侵害之請求為無理由：系爭專利並非自產學合作計畫所衍生，中砂公司並非系爭專利之真正權利人，自不得禁止宋健民就系爭專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更。

(五)宋健民未違反競業禁止約款：

1.中砂公司未反對宋健民之競業行為：

⑴備忘錄一、二可證中砂公司未反對宋健民之競業行為：宋健民自98年4 月1 日起，開始向中砂公司之前董事長○○○呈報對外合作事宜，除於98年4 月1 日呈報宋健民簽訂設立嵩洋公司之股東補充協議外，亦於98年12月29日呈報：DTC 成為JV之執行單位，DTC 現與大陸地區數家公司合作開發中砂公司未生產，亦未開發之多項專利產品，包括：①嵩洋公司開發BODD；②鄭州台鑽科技以六面頂生長立方晶鑽石，第1 、2 、3 項之合約之前，已呈報等語。再者，備忘錄一前言：本備忘錄為中砂公司與宋健民於97年10月15日所簽訂JV增補條款之一部，緣因宋健民擬與第三人採用中砂公司與宋健民共同之JV成果，作為未來業務之發展，因而雙方同意如下：宋健民目前合作之外部對象包括大陸地區鄭州台鑽科技、南通晶鑽、江蘇鑫鑽及嵩洋公司等4 個。足見中砂公司嗣後就宋健民與第三人之合作事宜，另與宋健民簽訂備忘錄

一、二，且就相關之權利義務於上揭備忘錄明訂，復未究責宋健民未事前告知之責任。準此，中砂公司不得再於事後就事前未告知中砂公司究責。

⑵備忘錄三可證中砂公司未反對宋健民之競業行為：中砂公司公司研發本部協理○○○前於99年11月17日寄電子郵件之副本予當時中砂公司董事長○○○、執行長謝榮哲、財務長許惠婷等管理階層報告執行情形，而費用分析表明載「18讓與- 台鑽公司，三個，已完成」、「20讓與- 嵩洋微電子，一個，已完成」，顯見中砂公司當時已知悉大陸地區專利申請號00000000.2、00000000.4、00 000000.7 已移轉予台鑽科技，大陸地區專利申請號00000000 .0 於98年9 月29日公告移轉予嵩洋公司，中砂公司嗣後未表示反對意見，續與宋健民簽訂備忘錄三，顯然中砂公司於知悉合資專利移轉予嵩洋公司後，未表示反對意見，且仍與宋健民繼續合作，足認中砂公司事後同意宋健民與嵩洋公司合作之事。

2.中砂公司未對宋健民競業行為究責：中砂公司已同意將合資事業專利移轉予嵩洋公司，亦從未對宋健民與嵩洋公司合作之事有所責難，當無理由認定中砂公司未同意與宋健民與嵩洋公司合作。衡諸常理，倘宋健民有經營其他事業損害中砂公司利益，豈有自始至終，均將相關細節向中砂公司報告、雙方並就此簽訂合約之理。準此，嵩洋公司合作案經中砂公司同意，宋健民擔任該公司董事長，自無違反聘任合約書第15條競業禁止約定。

參、本院得心證之理由：

一、整理與協議簡化爭點：按受命法官為闡明訴訟關係，得整理並協議簡化爭點，民事訴訟法第270 條之1 第1 項第3 款、第463 條分別定有明文。法院於言詞辯論期日，依據兩造主張之事實與證據，經簡化爭點協議，作為本件訴訟中攻擊與防禦之範圍。茲說明如後：

(一)當事人不爭執事項：

1.兩造於85年10月28日簽訂英文版JVA ，另於91年8 月21日簽訂中文版JVA 契約，嗣於97年10月15日簽訂JVA 增補條款，99年1 月7 日簽訂備忘錄一，99年5 月1 日簽訂備忘錄二，100 年1 月21日簽訂備忘錄三。

2.兩造於85年10月29日另簽署工作契約及聘任合約書，聘任宋健民為中砂公司人員。嗣宋健民於96年提出第一份離職申請單，旋即於隔日簽訂第二份聘任合約書，宋健民嗣於99年4月30日申請離職，提出第二份離職申請單，轉任為中砂公司技術顧問。

3.宋健民自98年3 月2 日擔任嵩洋公司之持股60% 之股東及董事長，並於98年4 月1 日以簽呈向中砂公司前董事長報告此事。宋健民擔任嵩洋公司董事長，其妻○○○及其子○○○分別擔任董事，該公司所經營之業務有：⑴研發、加工、生產CMP 鑽石修整碟；⑵銷售自產產品、相關之技術諮詢及技術服務；⑶貨物及技術進出口，而與中國砂輪公司競業。

4.宋健民於101 年8 月14日帶領一名美國應材公司人員進入中砂公司鑽石事業部工廠管制區域，嗣宋健民雖向鑽石事業部人員○○○表示已得中砂公司同意進入參觀。然趕赴現場之鑽石事業部總經理○○○，將宋健民及該名美國應材公司人員請離該管制區域。

5.附件15、15-1至15-4之CMP 專案週報，為中砂公司鑽石科技中心人員○○○所製作。而宋健民代表中砂公司與中華大學各於96年、97年、98年分別簽訂產業學術合作委託合約書。

6.除本案訴訟外，兩造間另有未決案件，包含臺灣士林地方法院檢察署105 年度調偵字第279 號刑事案件，本院102 年度民專訴字第104 號民事判決、103 年度民專訴字第11號民事判決、103 年度民專訴字第95號、105 年度民專上字第17號民事判決、臺灣臺北地方法院102 年重訴字第926 號民事判決，均提起上訴。

(二)當事人主要爭點：

1.中砂公司與中華大學間於96年、97年、98年度之系爭產學合作契約，因該等計畫所衍生之專利權，是否應歸中砂公司所有？

2.宋健民是否應將附表編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予中砂公司？本院僅就當事人有爭執之請求項，加以分析比較。再者，中砂公司就原審訴之聲明第1 項聲請假執行，有無理由？

3.中砂公司依專利法第96條第1 項規定，請求禁止宋健民就將附表編號2 至5 所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更，有無理由？

4.中砂公司是否已同意宋健民與嵩洋公司合作之事，而不得認定宋健民有違反競業禁止約定？中砂公司請求宋健民給付違反競業禁止義務及洩漏營業秘密之損害賠償及懲罰性違約金1,068 萬3,966 元，並自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息，有無理由？原判決酌定之200 萬元懲罰性違約金，是否妥適？

二、系爭產學合作契約所生專利應歸中砂公司所有：中砂公司主張自中華大學96年、97年、98年度之系爭產學合作契約之計畫，所衍生之專利權應歸中砂公司所有等語。宋健民抗辯稱系爭產學合作契約所衍生之專利權，非歸中砂公司所有云云。職是，本院自應審究系爭產學合作契約所衍生之專利，是否應歸中砂公司所有（參照本院整理當事人爭執事項1 ）。

(一)中砂公司委託中華大學依據系爭產學合作契約開發技術：按一方出資聘請他人從事研究開發者，其專利申請權及專利權之歸屬依雙方契約約定。但出資人得實施其發明、新型或新式樣。100 年12月21日修正前之專利法（下稱修正前專利法）第7 條第3 項定有明文，現行專利法第7 條第3 項亦有相同之規定。中砂公司分別自96年至98年之期間，出資委託中華大學開發相關鑽石工具新技術，其包含如後研究案：1.96年簽訂化學機械拋光(CMP) 延伸技術研究案，經費74萬元。2.97年度簽訂次世代鑽石修整器研製及技術開發研究案，經費76萬元。3.98年度簽訂鑽石碟新產品開發研究案，經費76萬元。上開簽訂系爭產學合作契約之事實，業據中砂公司提出96年度、97年度及98年度委託合約書及研究費轉帳傳票，暨該等研究計畫之主要負責人陳盈同教授各於101 年8 月31日與101 年9 月27日訪談記錄在卷可稽（見原審卷一第22至39、52至54頁之原證4 至6 、8 、9 ）。準此，本院應依據前揭專利法規定，作為判斷系爭產學合作契約所生專利，是否應歸中砂公司所有之基準。

(二)96年與98年系爭產學合作契約約定專利歸中砂公司：修正前專利法第7 條第3 項前段規定，專利法未規定出資聘請他人從事研究開發者，其專利申請權與專利權之歸屬約定，應以要式書面方式為之，故僅要出資人及受聘人雙方意思合致，系爭產學合作契約即可依法成立。參諸系爭產學合作契約之96年度、98年度委託合約書第7 條約定：本計畫所衍生之智慧財產權與專利為中砂公司所有，專利權得由中砂公司及陳盈同、共同主持人共同具名申請之。職是，依據96年度與98年度系爭產學合作契約可知，系爭產學合作契約所生之智慧財產權與專利均應歸中砂公司所有。

(三)97年系爭產學合作契約約定專利歸中砂公司：

1.97年系爭產學合作契約為96年系爭產學合作契約之延伸：按解釋意思表示，應探求當事人之真意，不得拘泥於所用之辭句，民法第98條定有明文。所謂探求當事人之真意，倘兩造就其真意有爭執時，應從意思表示所根基之原因事實、經濟目的、一般社會之理性客觀認知、經驗法則及當事人所欲使該意思表示發生之法律效果而為探求，並將誠信原則涵攝在內，藉以檢視其解釋結果對兩造之權利義務，是否符合公平正義（參照最高法院96年度台上字第286 號民事判決）。參諸系爭產學合作契約之97年度委託合約書雖未明載專利權歸屬，惟依陳盈同101 年8 月31日訪談記錄之陳述：96年度之部分成果，有申請I342248 及研發合約書之第二個專利I369270 ，如附表編號2 所示專利。97年度之研究成果申請I369271 ，如附表編號3 所示專利。公開號000000000 ，如附表編號1 所示專利，並將I369271 之概念，申請中砂公司之98年研究計畫，其認為宋健民代表中砂公司，學校與中砂公司訂約，委託合約書載明專利歸屬企業，雖先申請專利，次一年度再寫研究計畫申請經費，其個人認為專利是1 年計畫之延伸，3 年度之計畫彼此間，具有其延續性，依系爭產學合約書屬中砂公司所有等語（見原審卷一第52至53頁之原證8第2 至3 頁）。準此，可證97年度系爭產學合作契約為96年度系爭產學合作契約之延伸。

2.陳盈同證明97年度系爭產學合作契約約定專利歸中砂公司：陳盈同101 年9 月27日訪談記錄之陳述：其與宋健民共同申請之二件BODD專利，如附表編號4 、5 所示專利，其與中砂公司補助中華大學3 年研究計畫之關連性，在於自技術延伸觀點而言，確實具相關連性，無前面技術不會延伸出98年度之BODD。宋健民要其轉讓之4 個專利，依計畫之經費來源與簽約對象應歸屬中砂公司所有，且上述兩個BODD之專利屬於前項計畫技術之延伸發展，亦屬於中砂公司所有。自專利之概念、背景及圖式等事項，可與研究成果互相參考（見原審卷一第54頁之原證9 ）。準此，益徵陳盈同肯認97年度系爭產學合作契約為96年度系爭產學合作契約之延伸。經本院通觀系爭產學合作契約全文，並斟酌訂立契約當時及委託研發專利，，從契約之主要目的及經濟價值以觀，97年度系爭產學合作契約約定專利應歸中砂公司所有。

(四)系爭產學合作契約約定附表編號2 至5之專利歸中砂公司：1.證人陳盈同同意由中砂公司取得附表編號2至5專利：證人陳盈同於原審104 年8 月24日審理時到庭結證稱：就其101 年8 月31日訪談紀錄之第2 頁最上方段落，並與101 年9 月27日訪談紀錄第1 頁可知（見原審卷一第52頁背面、第54頁）。96年研究成果申請系爭專利2 、97年研究成果申請附表編號3 所示專利，附表編號所示專利4 、5 從技術延伸觀點，是與中華大學產學合作案相關，所有系爭專利均有因果關係，係為改善前一個產品之缺點，始會研究下一個產品之技術，附表編號所示2 至5 之技術內容，均源自於96年度、97年度及98年度中華大學產學合作計畫，已經存在或發想之技術，所有計畫均是向中砂公司申請後執行計畫，為改善產品缺點，會尋找各種專利或其他技術，申請新專利、系爭專利及系爭產學合作計畫內容，均有相關等語。職是，參諸證人陳盈同證言可知，如附表編號2 至5 所示專利應由中砂公司取得所有。

2.系爭產學合作契約之計畫具有延續性：本院互相勾稽證人陳盈上開證述內容及101 年8 月31日、101 年9 月27日訪談記錄，均大致相符，足認附表編號2 至5所示專利，係中砂公司委託中華大學系爭產學合作契約所產出之研發成果，研發成果之智慧財產權依96年度、98年度系爭產學合作契約之明文約定，應歸屬中砂公司所有。再者，97年度之委託合約書雖未載明，惟三個年度之委託研究計畫彼此之間具有延續性，且均由中砂公司出資委託中華大學開發CMP 鑽石工具之相關技術，足認委託合約書當事人間就97年度研究計劃書所生之智慧財產權及專利，亦應合意由中砂公司取得。

三、宋健民應將附表編號所示2至5專利移轉登記予中砂公司：雇用人或受雇人對第7條及第8條所定權利之歸屬有爭執而達成協議者，得附具證明文件，向專利專責機關申請變更權利人名義。專利專責機關認有必要時，得通知當事人附具依其他法令取得之調解、仲裁或判決文件，專利法第10條定有明文。因受雇人職務關係、出資關係或受雇人非職務關係而生專利申請權及專利權歸屬之爭執，可先向法院提起確認或移轉專利申請權及專利權之民事訴訟，嗣取得勝訴判決確定後，當事人可附具該確定判決，向專利專責機關申請變更權利人名義。揆諸前揭說明，中砂公司依系爭產學合作契約，請求宋健民應將附表編號所示2 至5 專利移轉登記予中砂公司，符合專利法第10條規定。

(一)宋健民提供專屬技術配合中砂公司提供之資源進行研發：宋健民雖辯稱：附表編號所示2 至5 專利請求項所載之技術特徵，其與中華大學產學合作計畫之技術不同，該等專利源自於宋健民之先前個人專利技術，宋健民就該等專利請求項所載之技術特徵，確有實質貢獻，自得列為共同發明人云云。然宋健民因具有研發鑽石工具技術之人，中砂公司始會與宋健民訂立JV合約，由中砂公司提供資金、人員及設備等資源，宋健民提供其專屬技術，共同開發鑽石工具，此為他案合作案之由來。因宋健民長年研究CMP 鑽石碟相關技術，故宋健民固可提出諸多其所申請之CMP 鑽石碟有關專利案，然中砂公司與宋健民之他案合作案，係在中砂公司內部成立鑽石科技中心(DTC) ，由宋健民提供其所有之專屬技術，配合中砂公司提供之資源進行研發。

(二)本院應比對系爭專利與系爭產學合作契約之技術內容：本件所爭執者，係中砂公司出資委託中華大學進行之產學合作案，依中砂公司與中華大學間系爭產學合作契約之法律關係，系爭產學合作計畫所衍生之智慧財產權歸中砂公司所有，倘系爭專利之技術內容，已揭露於系爭產學合作契約案之結案報告中，或雖未明白揭示，惟可由先前技術及結案報告所教示之內容所產生，即足以證明如附表編號2 至5 所示專利與系爭產學合作計畫之研發成果間之關連性，依系爭產學合作契約之約定，該等專利應由中砂公司取得，宋健民不得再主張該等專利源自於宋健民先前之專利技術。職是，本院應先就如附表編號2 至5 所示專利與系爭產學合作契約之技術內容，加以比對分析；繼而判斷該等專利是否自系爭產學合作契約所衍生，宋健民是否應將附表編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予中砂公司？最後認定中砂公司聲請就附表編號2 至5 所示專利之專利權移轉為假執行，有無理由（參照本院整理當事人爭執事項2 ）。

(三)附表編號2至5所示專利之技術內容：

1.附表編號2所示專利之技術內容：

⑴附表編號2所示專利之揭示技術：附表編號2 所示專利，請求項共計32項，請求項1 為獨立項，其餘為附屬項，主要圖式如附圖1 所示。其揭露一種研磨工具，包括多數個磨粒、一固定模具、一基板及一結合劑層所組成；固定模具之多數個孔，分別容置多數個磨粒；磨粒之第一端及第二端分別置於固定模具之下方及上方；基板之第一端面分別抵靠多數個磨粒之第二端；結合劑層結合多數個磨粒、固定模具及基板；磨粒之第二端為研磨端；結合劑層隱藏於固定模具內側，因此在研磨過程中較不會接觸液體而被腐蝕，利用固定模具結合磨粒，方便控制磨粒之排列圖案、間距及露出高度，並可更穩固之固定磨粒，使磨粒較不會在研磨加工中脫落（參照附表編號2 所示專利摘要）。

⑵附表編號2所示專利所欲解決之技術問題：附表編號2 所示專利所欲解決之技術問題，為利用孔洞容置磨料顆粒之技術，僅能使磨料顆粒被定位於特定位置，並不能使磨料顆粒之尖端朝上，且具有相同之突出量，其不能利用孔洞本身之形狀限制磨料顆粒，使磨料顆粒被定位後，即難以轉動。再者，附表編號2 所示專利所欲達成之主要目的，在提供一種研磨工具及其製法，使用固定模具固定磨粒，方便控制磨粒之排列圖案、間距及露出高度（參照附表編號2 所示專利說明書第5頁）。

⑶附表編號2所示專利之技術手段：系爭專利2 解決先前問題所使用之技術手段，包括如下步驟：①使多數個磨粒之第一端，分別穿過一固定模具之多數個孔，抵靠於一基準平台之多數個凹槽底端，多數個磨粒之第二端分別置於固定模具之上方，其中固定模具疊置於基準平台之上方。②使一基板之第一端面，分別抵靠多數個磨粒之第二端，基板與固定模具間有一間隙。③使結合劑流佈於間隙內形成一結合劑層，結合劑層結合多數個磨粒、固定模具之上端面及基板之第一端面，使多數個磨粒、固定模具、結合劑層及基板結合一體；其中使結合劑流佈於間隙內之技術包括如下步驟(c1)至(c3)：(c1)將組合好之多數個磨粒、固定模具、基準平台及基板放置於一密封模具內；(c2)使密封模具相對之一第一連通部及一第二連通部，分別抽出密封模具內之空氣及將結合劑輸入密封模具內，使結合劑流佈於間隙內形成一結合劑層；(c3)將多數個磨粒、固定模具、基板、結合劑層及基準平台與密封模具分離。④將結合一體之多數個磨粒、固定模具、結合劑層及基板與基準平台分離；多數個磨粒、固定模具及基板，形成本發明第一實施例之研磨工具，其為一修整刀具（參照附表編號2 所示專利說明書第5至6頁）。

⑷附表編號2 所示專利達成之功效：附表編號2 所示專利相較於先前技術所達成之功效，在於本發明之研磨工具及其製法，利用固定模具結合磨粒，方便控制磨粒之排列圖案、間距及露出高度，亦可更穩固之固定磨粒，使磨粒較不會在研磨加工中脫落。亦使磨粒之結合劑層有一層固定模具之保護，較不會在研磨過程中，接觸液體被腐蝕而失去固定磨粒之效果（參照附表編號2 所示專利說明書第10頁）。

⑸附表編號2 所示專利請求項內容：

①請求項1為一種研磨工具之製法，包括如下步驟：(A) 使多數個磨粒之一第一端，分別穿過一固定模具之多數個孔，抵靠於一基準平台之多數個凹槽底端；多數個磨粒之一第二端分別置於固定模具上方。(B) 使結合劑流佈於固定模具的上端面，且結合多數個磨粒之第二端形成一結合劑層，使多數個磨粒、固定模具及結合劑層結合一體；其中使結合劑流佈於間隙內之技術，包括如下步驟：(a) 將組合好之多數個磨粒、固定模具及基準平台放置於一密封模具內；(b) 使密封模具相對之一第一連通部及一第二連通部，分別抽出密封模具內之空氣及將結合劑輸入密封模具內，使結合劑流佈於固定模具之上端面，且結合多數個磨粒之第二端形成結合劑層；(c) 將多數個磨粒、固定模具、結合劑層及該基準平台與密封模具分離。(C) 分離基準平台與結合一體之多數個磨粒、固定模具及結合劑層；結合一體之多數個磨粒、固定模具及結合劑層，其形成一修整刀具。

②請求項2 如請求項1 所述之研磨工具製法，其中結合劑層之厚度高於多數個磨粒之第二端。再者，請求項7 如請求項1至6 項中任一項所述研磨工具之製法，進一步包括使固定模具脫離結合劑層。

③請求項8 如請求項1 所述之研磨工具製法，其中步驟(A)、(B)間進一步包括如下步驟：使一基板之第一端面，分別抵靠多數個磨粒之一第二端，基板與固定模具間有一間隙；其中步驟(a) 進一步包括使基板放置於密封模具內；步驟(b)進一步包括使結合劑流佈於間隙內形成結合劑層，結合劑層結合基板；步驟(c) 進一步包括該基板與密封模具分離。

④請求項9 如請求項8 所述研磨工具之製法，其中第一連通部及第二連通部，分別連接一真空泵及一裝有結合劑之容器，俾當真空泵啟動時，使結合劑填充滿整個間隙。再者，請求項10如請求項9 所述之研磨工具製法，其中容器內之結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性。

⑤請求項11如請求項10所述研磨工具之製法，其中密封模具內之結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性。再者，請求項12如請求項11所述之研磨工具製法，其中基板及固定模具係經潤濕處理，俾使基板及固定模具，更有效之結合結合劑。

⑥請求項13如請求項12所述研磨工具之製法，其中密封模具之第一連通部及第二連通部，分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及結合劑之流動速率。再者，請求項14如請求項13所述研磨工具之製法，其中第一連通部及第二連通部靠近間隙之一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止結合劑流入間隙內時產生紊流，避免造成結合劑不均勻之分佈於間隙內。

⑦請求項15如請求項8 至14項中任一項所述研磨工具之製法，其中磨粒之材料為選自人造鑽石、非人造鑽石、多晶鑽石、立方晶氮化硼、多晶立方氮化硼、最硬結晶體、多晶材料及上述材料之混合材料其中之一者。再者，請求項16如請求項15項所述研磨工具之製法，其中固定模具之材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料之混合物及焊接合金材料其中之一者。

⑧請求項17如請求項16所述研磨工具之製法，其中結合劑層之材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料之混合物及焊接合金材料其中之一者。再者，請求項18如請求項17所述研磨工具之製法，其中固定模具之材料為不銹鋼。

⑨請求項19如請求項18項所述研磨工具之製法，其中基板之材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料之混合物及焊接合金材料其中之一者。再者，請求項20如請求項19所述研磨工具之製法，進一步包括使固定模具脫離結合劑層。

⑩請求項21如請求項1 至6 項中任一項所述研磨工具之製法，其中第一連通部及第二連通部，分別連接一真空泵及一裝有結合劑之容器，俾當真空泵啟動時，使結合劑填充滿整個間隙。再者，請求項22如請求項21所述研磨工具之製法，其中容器內之結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性。

⑪請求項23如請求項22所述研磨工具的製法，其中密封模具內之結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性。再者，請求項24如請求項23所述研磨工具之製法，其中基板及固定模具經潤濕處理，俾使基板及固定模具更有效之結合該結合劑。

⑫請求項25如請求項24所述研磨工具之製法，其中密封模具之第一連通部及第二連通部，分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及結合劑之流動速率。再者，請求項26如請求項25所述研磨工具之製法，其中第一連通部及第二連通部，靠近間隙之一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止結合劑流入間隙內時產生紊流，避免造成結合劑不均勻之分佈於間隙內。

⑬請求項27如請求項7 所述研磨工具之製法，其中第一連通部及第二連通部，分別連接一真空泵及一裝有結合劑之容器，俾當真空泵啟動時，使結合劑填充滿整個間隙。再者，請求項28如請求項27所述研磨工具之製法，其中容器內之結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性。

⑭請求項29如請求項28所述研磨工具之製法，其中密封模具內之結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性。再者，請求項30如請求項29所述研磨工具之製法，其中基板及固定模具經潤濕處理，俾使基板及固定模具更有效之結合該結合劑。

⑮請求項31如請求項30所述研磨工具之製法，其中密封模具之第一連通部及第二連通部，分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及結合劑之流動速率。再者，請求項32如請求項31所述研磨工具之製法，其中第一連通部及第二連通部，靠近間隙之一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止結合劑流入間隙內時產生紊流，避免造成結合劑不均勻之分佈於間隙內。

2.附表編號3所示專利之技術內容：

⑴附表編號3所示專利之揭示技術：附表編號3 所示專利，請求項共計36項，其中請求項1 為獨立項，其餘為附屬項，主要圖式如附圖2 所示。其揭露一種拋光墊修整器，包括一基座、至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒；基座支撐及固定結合至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒；至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒之頂端，分別突出基座之頂端；利用超硬材料顆粒可切割拋光墊，利用CVD 鑽石刀片不僅可切割拋光墊，也可以掃除堆積在拋光墊上的拋光碎屑，可提升CMP 修整器的移除材料效率及節省CMP 修整器之製造成本（參照附表編號3 所示專利之摘要）。再者，其所欲達成之主要目的，為在提供一種拋光墊修整器，利用至少一片CVD 鑽石刀片或進一步與一般傳統之單晶鑽石等超硬材料顆粒(Grit)及PCD 鑽石刀片混合排列，以提升CMP 修整器之移除材料效率（參照附表編號3 所示專利說明書第6 頁）。

⑵附表編號3所示專利所欲解決之技術問題：附表編號3 所示專所欲解決之技術問題，為目前之CMP 修整器多為單晶鑽石之分佈排列，或是多晶之鑽石（Polycrystalline Diamond ，PCD 鑽石）切割排列，或是在基材上形成鑽石層，或是傳統之尼龍刷子。該等鑽石修整器各有利弊，傳統之單晶鑽石修整器之材料移除率低，雖無法迅速將CMP拋光墊上之堆積物移除，然是單晶鑽石之耐磨性佳，壽命長；而多晶鑽石（PCD 鑽石，CVD 鑽石）修整器因具有較多之切刃，切削軟材料（拋光墊）固速度較快，惟相對於單晶鑽石而言，不耐磨耗，壽命較短，且成本較高。PCD 鑽石之成本比CVD 鑽石之成本更高（參照附表編號3 所示專利說明書第5至6 頁）。

⑶附表編號3所示專利之技術手段：附表編號3所示專利解決先前問題所使用之技術手段，是將至少一片CVD 鑽石片或與單晶鑽石等超硬材料顆粒、PCD 鑽石片混合排列，並配合各種CMP 拋光墊之軟硬特性及所需切削速率、使用壽命及製造成本，分別調整CVD 鑽石片、單晶鑽石等超硬材料顆粒及PCD 鑽石片之數量及排列形狀。例如需要較長之使用壽命時，可使用較多之超硬材料顆粒；需要較快之切削速率時，可使用較多片之CVD 鑽石片，或是全部是CVD 鑽石片；需要更快之切削速率，且允許較高之製造成本時，可再增加PCD 鑽石片之數量（參照附表編號3 所示專利說明書第7頁）。

⑷附表編號3所示專利達成之功效：附表編號3 所示專利相較於先前技術所達成之功效，在於利用較少面積之整片CVD 鑽石片切割之CVD 鑽石刀片，並使CVD 鑽石刀片與一般傳統之單晶鑽石等超硬材料顆粒或PCD 鑽石刀片混合排列，除具有單晶鑽石等超硬材料顆粒耐磨性佳及使用壽命長之特性外，並利用CVD 鑽石刀片提升CMP 修整器之移除材料效率，同時因不需使用較貴之整片CVD 鑽石片，可節省CMP 修整器之製造成本（參照附表編號3 所示專利說明書第12頁）。

⑸附表編號3所示專利請求項內容：

①請求項1 為一種拋光墊修整器，用以修整CMP 拋光墊者，包括：一基座；至少一CVD 鑽石刀片；其中基座支撐及固定結合至少一CVD 鑽石刀片；至少一CVD 鑽石刀片突出基座；其中基座支撐及固定結合多個超硬材料顆粒；多個超硬材料顆粒分別突出基座；至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒分別突出基座之突出量相等。

②請求項3 如請求項1 所述之拋光墊修整器，其中基座包括一基板及一結合劑層；至少一CVD 鑽石刀片之一端分別接觸基板；基板、至少一CVD 鑽石刀片藉由結合劑層結合一體。再者，請求項4 如請求項3 所述之拋光墊修整器，其中基座包括一固定模具；固定模具具有至少一第一孔；至少一CVD 鑽石刀片之一端，分別穿過該至少一第一孔接觸基板；結合劑層置於基板及固定模具間；結合劑層固定結合固定模具。

③請求項6 如請求項1 所述之拋光墊修整器，其中基座包括一基板及一結合劑層；至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒之一端分別接觸基板；基板、至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒藉由結合劑層結合一體。再者，請求項7 如請求項6 所述之拋光墊修整器，其中基座包括一固定模具；固定模具有至少一第一孔及多個第二孔；至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒之一端分別穿過至少一第一孔、多個第二孔接觸基板；結合劑層置於基板及固定模具間；結合劑層固定結合固定模具。

④請求項9 如請求項1 所述之拋光墊修整器，其中基座支撐及固定結合至少一PCD 鑽石刀片；至少一PCD 鑽石刀片突出基座。再者，請求項10如請求項9 所述之拋光墊修整器，其中至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及至少一PCD 鑽石刀片，分別突出基座的突出量相等。

⑤請求項12如請求項9 所述之拋光墊修整器，其中基座包括一基板及一結合劑層；至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及至少一PCD 鑽石刀片之一端，分別接觸基板；基板、至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及至少一PCD 鑽石刀片藉由該結合劑層結合一體。再者，請求項13如請求項12所述之拋光墊修整器，其中基座包括一固定模具；固定模具有至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔；至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及至少一PCD 鑽石刀片之一端，分別穿過至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔接觸基板；結合劑層置於基板及固定模具間；結合劑層固定結合固定模具。

⑥請求項18如請求項1 所述之拋光墊修整器，其中基座包括一基板及一固定模具；固定模具具有至少一第一孔及多個第二孔；該至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒之一端分別穿過至少一第一孔、多個第二孔結合基板；基板固定結合固定模具。

⑦請求項20如請求項9 所述之拋光墊修整器，其中基座包括一基板及一固定模具；固定模具具有至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔；至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及至少一PCD 鑽石刀片之一端分別穿過至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔結合基板；基板固定結合固定模具。

⑧請求項27如請求項26所述之拋光墊修整器，其中固定模具之材料為選自金屬、金屬合金、有機聚合物、陶瓷材料、碳材料玻璃材料、上述材料之混合物其中之一者。再者，請求項28如請求項7 所述之拋光墊修整器，其中CVD 鑽石刀片是含硼之導電CVD 鑽石刀片。

⑨請求項29如請求項1 至5 與6 至27中任一項所述之拋光墊修整器，其中CVD 鑽石刀片是含硼之導電CVD 鑽石刀片。再者，請求項30如請求項1 至28中任一項所述之拋光墊修整器，其中多個超硬材料顆粒為選自人造鑽石顆粒、非人造鑽石顆粒、立方晶氮化硼顆粒、多晶立方氮化硼顆粒、最硬結晶體顆粒及上述顆粒之混合其中之一者。

⑩請求項33如請求項30所述之拋光墊修整器，包括多片CVD 鑽石刀片；多片CVD 鑽石刀片之形狀呈相同之長條形；多片CVD 鑽石刀片等間隔，且呈對稱性之排列成圓形，多片CVD 鑽石刀片之排列方向朝向圓心；多個超硬材料顆粒排列於多片CVD 鑽石刀片間。

⑪請求項34如請求項30項所述之拋光墊修整器，包括多片CVD鑽石刀片；多片CVD 鑽石刀片之形狀呈相同之長條形；多片CVD 鑽石刀片等間隔，且呈對稱性的排列成多邊形；多個超硬材料顆粒排列於多片CVD 鑽石刀片間。

⑫請求項35如請求項30所述之拋光墊修整器，包括多片CVD 鑽石刀片；多片CVD 鑽石刀片之形狀呈相同之長條形；多片CVD 鑽石刀片等間隔之排列成圓形，多片CVD 鑽石刀片之排列方向偏離圓心；多個超硬材料顆粒排列於多片CVD 鑽石刀片間。

⑬請求項36如請求項30所述之拋光墊修整器，包括多片CVD 鑽石刀片；多片CVD 鑽石刀片之形狀呈相同長條形；多片CVD鑽石刀片依序排列成鋸齒狀，且為成圓形；多個超硬材料顆粒排列於多片CVD 鑽石刀片間。

3.附表編號4所示專利之技術內容：

⑴附表編號4所示專利之揭示技術：附表編號4 所示專利請求項共計33項，其中請求項1 、20、22、25、27、30項為獨立項，主要圖式如附圖3 所示。附表編號4 所示專利提供一種組合式修整器，包括：一大基板、複數彈性單元及複數研磨單元；複數研磨單元分別包括複數磨粒；複數磨粒分別具有一切削端；複數研磨單元分別結合大基板；複數彈性單元分別置於複數研磨單元與大基板之間，以藉由複數彈性單元，分別彈性調整複數磨粒之切削端突出大基板之高度，然後使複數研磨單元分別固定結合大基板；較容易使大面積組合式修整器之多數磨粒的切削端在同一高度，可視需要變化不同之磨粒，且製作複數小之研磨單元在組合成一大面積修整器之成本較低（參照附表編號4 所示專利摘要）。

⑵附表編號4所示專利所欲解決之技術問題：附表編號4 所示專利所欲解決之技術問題，為一般修整器之直徑約是108mm 之大盤子，因面積大所以變形量亦大，較不容易結合各種不同大小、形狀、材料之磨粒，且使多數研磨顆粒之頂點在同一高度，且大面積修整器之價錢較高。其所欲達成之主要目的，為在提供一種組合式修整器及其製法，使一大基板之同一研磨端面結合多數具有磨粒之小基板，較易使多數磨粒之切削端在同一高度，且更容易結合各種不同大小、形狀、材料之磨粒。再者，附表編號4 所示專利所欲達成的主要目的，為在提供一種組合式修整器及其製法，使一大基板之同一研磨端面結合多數具有磨粒之小基板，較容易使多數磨粒之切削端在同一高度，且更容易結合各種不同大小、形狀、材料之磨粒（參照附表編號4 所示說明書第5頁）。

⑶附表編號4所示專利之技術手段：附表編號4 所示專利解決先前問題所使用之技術手段，組合式整修器包括一大基板、複數研磨單元及複數彈性單元所組成；大基板設有一結合面及突出結合面周圍之環壁；結合面設有對應於研磨單元之複數凹槽；複數研磨單元分別與複數彈性單元相疊，且分別置於複數凹槽內；每一研磨單元與大基板之間有一彈性單元；研磨單元可全部或一部分突出凹槽，並且使複數研磨單元所設複數磨粒之切削端，分別突出凹槽，且分別與一平面之高度差異在20微米內（參照附表編號4所示說明書第6 至7 頁）。

⑷附表編號4所示專利請求項內容：

①請求項1 為一種組合式修整器，是作為CMP 拋光墊之修整器者，包括：一大基板，設有一結合面；結合面設有複數凹槽；複數彈性單元分別置於複數凹槽內；複數研磨單元，複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；複數小基板之相對於設有複數磨粒之另一面，分別接觸複數彈性單元，以藉由複數彈性單元，彈性調整複數磨粒之切削端突出大基板之高度；藉由一結合劑層使大基板及複數研磨單元之小基板，分別固定結合；其中複數磨粒之切削端，分別與一平面之高度差異在20微米內。

②請求項9 如請求項1 所述之組合式修整器，其中小基板為圓盤狀，直徑為10至30厘米。再者，請求項10如請求項9 所述之組合式修整器，其中小基板之直徑為20厘米。而請求項11如請求項1 所述之組合式修整器，其中複數磨粒呈由中心向四周輻射狀之形狀。

③請求項12如請求項1 所述之組合式修整器，其中複數磨粒呈同心圓之排列形狀。再者，請求項13如請求項1 所述之組合式修整器，其中複數磨粒呈矩陣式之排列形狀。而請求項14如請求項1 所述之組合式修整器，其中複數磨粒呈對稱式之排列形狀。

④請求項15如請求項1 所述之組合式修整器，其中複數彈性單元分別是橡膠材料、彈簧、半凝固之塑膠、矽膠、半凝固之膠水或泡棉其中之一製成者。再者，請求項19如請求項1 至18中任一項所述之組合式修整器，其中複數研磨單元，呈具有一中心及圍繞中心之複數同心環排列之形狀、呈矩陣式排列之形狀或呈環狀排列之形狀其中之一者。

⑤請求項20為一種組合式修整器，包括：一大基板；複數研磨單元，複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；複數小基板之相對於設有複數磨粒之另一面，分別接觸複數彈性單元，以藉由複數彈性單元，彈性調整複數磨粒之切削端突出大基板之高度；其中大基板包括一第一支架及一結合劑層；第一支架設有容納複數彈性單元之複數穿透孔；結合劑層固定結合第一支架及複數小基板；複數磨粒之切削端分別與一平面之高度差異在20微米內。再者，請求項21如請求項20中所述之組合式修整器，其中複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心之複數同心環排列之形狀、呈矩陣式排列之形狀或呈環狀排列之形狀其中之一者。

⑥請求項22為一種組合式修整器，包括：一大基板；複數研磨單元，複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；其中複數研磨單元分別固定結合大基板；複數磨粒之切削端分別與一平面之高度差異在20微米內；其中大基板結合一固定模具；固定模具設有複數孔；複數磨粒之切削端分別穿過複數孔。

⑦請求項23如請求項22所述之組合式修整器，其中大基板包括一第二支架及一結合劑層；結合劑層固定結合第二支架及複數小基板。再者，請求項24如請求項22或23所述之組合式修整器，其中複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心之複數同心環排列之形狀、呈矩陣式排列之形狀或呈環狀排列之形狀其中之一者。

⑧請求項25為一種組合式修整器之製法，包括如下步驟：(A)使複數彈性單元，分別置於一大基板的一結合面之複數凹槽內。(B) 使複數研磨單元分別與複數彈性單元相疊；複數彈性單元分別施予複數研磨單元離開大基板之力量。(C) 使一平板同一水平方向之施予複數磨粒之切削端，靠向大基板之力量，藉由平板之施予複數研磨單元之壓力及複數彈性單元推頂複數研磨單元之彈力呈相等狀態，使複數切削分別與一平面之高度差異在20微米內。(D) 藉由結合劑層使大基板固定結合複數研磨單元，使複數切削端被固定形成組合式修整器。

⑨請求項26如請求項25所述組合式修整器之製法，其中複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；複數磨粒之切削端分別突出大基板。

⑩請求項27為一種組合式修整器之製法，包括如下步驟：(A)使複數彈性單元分別置於一第一模具之複數凹槽內。(B)使複數研磨單元分別與複數彈性單元相疊。複數彈性單元分別施予複數研磨單元離開第一模具之力量。(C) 使一平板同一水平方向之施予複數磨粒之切削端靠向第一模具之力量，藉由該平板分別施予複數研磨單元之壓力及複數彈性單元，分別推頂研磨單元的彈力呈相等之狀態，使複數切削端分別與一平面之高度差異在20微米內。(D) 使一大基板分別結合複數研磨單元，使複數切削端被固定形成組合式修整器。

⑪請求項28如請求項27所述之組合式修整器之製法，其中複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；複數磨粒之切削端分別突出大基板。再者，請求項29如請求項28所述組合式修整器之製法，其中大基板包括一第一支架及一結合劑層；第一支架設有容納複數彈性單元之複數穿透孔；第一支架置於第一模具內；結合劑層固定結合第一支架及複數小基板。

⑫請求項30為一種組合式修整器之製法，包括如下步驟：(A)使相疊之一固定模具及一可刺入單元置於一第二模具內。(B)使複數研磨單元之複數磨粒的切削端，分別穿過固定模具之複數孔接觸可刺入單元。(C) 使複數磨粒之切削端，分別刺入可刺入單元接觸第二模具之一底壁，而使複數切削端分別與一平面之高度差異在20微米內。(D) 使一大基板分別結合複數研磨單元及固定模具，使複數切削端被固定。(E) 使彈性單元分離複數切削端，形成組合式修整器。

⑬請求項31如請求項30所述組合式修整器之製法，其中複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；複數磨粒之切削端分別突出大基板。

⑭請求項32如請求項31所述組合式修整器之製法，其中大基板包括一第二支架及一結合劑層；藉由一平板同一水平方向之施予複數磨粒之切削端刺入可刺入單元；結合劑層固定結合第二支架及複數小基板。再者，請求項33如請求項32所述組合式修整器之製法，其中可刺入單元是雙面膠帶。

4.附表編號5所示專利之技術內容：

⑴附表編號5所示專利之揭示技術：附表編號5 所示專利，請求項共計22項，其中請求項1 為獨立項，其餘為附屬項，主要圖式如附圖4 所示。其揭露一種組合式修整器，包括一大基板，設有一結合面、一底面及複數穿透孔或複數容置槽；複數研磨單元，分別具有複數磨粒；複數磨粒分別具有複數切削端；複數穿透孔或複數容置槽分別容置複數研磨單元，複數切削端分別突出結合面；複數研磨單元與大基板間，藉由結合劑固定結合；複數磨粒之複數切削端，分別與一平面之高度差異在20微米內；較容易使大面積組合式修整器之多數磨粒之切削端在同一高度，可視需要變化不同之磨粒，且製作複數小之研磨單元，再組合成一大面積修整器之成本較低（參照附表編號5 專利摘要）。

⑵附表編號5所示專利所欲解決之技術問題：附表編號5 所示專利所欲解決之技術問題，為一般修整器之直徑約是108 mm之大盤子，因面積大所以變形量亦大，較不容易結合各種不同大小、形狀、材料之磨粒，且使多數研磨顆粒之頂點在同一高度，且大面積之修整器價錢較高（參照附表編號5 專利說明書第6 頁）。再者，附表編號5 專利所欲達成之主要目的，為在提供一種組合式修整器，使一大基板之同一研磨端面，結合多數具有磨粒之小基板，較容易使多數磨粒之切削端在同一高度，且更容易結合各種不同大小、形狀、材料之磨粒附表（參照編號5 專利說明書第5 頁）。

⑶附表編號5所示專利之技術手段：附表編號5所示專利解決先前問題所使用之技術手段，組合式整修器包括一大基板、複數研磨單元所組成；大基板設有一結合面底面及對應於複數研磨單元之複數穿透孔；複數穿透孔分別容置複數研磨單元，複數研磨單元突出結合面；複數研磨單元與大基板間，藉由結合劑固定結合。複數研磨單元分別包括一小基板及複數磨粒；小基板之一面結合複數磨粒；磨粒具有一可對一工件進行切削之切削端；小基板相對於設有複數磨粒之另一面與大基板之底面約在同一基準平面。大基板形成複數穿透孔之複數內壁與複數研磨單元之複數外壁，分別具有複數凹凸結構。當結合劑滲入複數凹凸結構內，分別固化結合複數內壁、複數外壁後，將使大基板與複數研磨單元之結合更穩固。且使複數切削端突出大基板之高度差異在20微米內，使複數切削端與一平面之高度差異在20微米內（參照編號5 專利說明書第5至6頁）。

⑷附表編號5所示專利達成之功效：附表編號5 所示專利相較於先前技術所達成之功效，在於本發明利用組合式之方法，先製作複數研磨單元，小之研磨單元較容易使多數磨粒之切削端在同一高度，再使一大基板結合複數研磨單元，成為一大面積之組合式修整器，較容易使大面積組合式修整器之多數磨粒之切削端，在同一高度。本發明優點是製作小之研磨單元成本較低，且組合式修整器可視需要變化不同之磨粒。例如組合式修整器之外圈可以用粒度較大之鑽石，內圈可以用粒度較小之鑽石；或是外圈雖可用切削能力差，然較耐磨，晶形完整之鑽石，內圈固可用切削能力好，然是不耐磨，晶形較不好之鑽石。同一小研磨單元之鑽石顆粒大小、形狀、材料相同，而組合式修整器內之複數研磨單元之鑽石顆粒大小、形狀、材料可相同或不相同。利用複數研磨單元組合成一較大之組合式修整器，可控制組合式修整器之切削速度及磨耗率（參照編號5 專利說明書第11至12頁）。

①請求項1 為一種組合式修整器，是作為CMP 拋光墊之修整器者，包括一大基板，設有一結合面、一底面及複數穿透孔或複數容置槽其中之一者；複數穿透孔呈錐狀，複數穿透孔之孔徑為上寬下窄之形狀；複數容置槽呈錐狀，複數容置槽之槽徑為上寬下窄的形狀；複數研磨單元，分別具有複數磨粒；複數磨粒分別具有複數切削端；複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面，分別設有複數磨粒；其中複數小基板相對於設有複數磨粒之另一面，分別卡固之嵌入複數穿透孔之孔徑較窄之下端，或分別卡固之嵌入複數容置槽之槽徑較窄之下端其中之一，使複數穿透孔或複數容置槽其中之一者，分別容置複數研磨單元，複數切削端分別突出結合面；複數研磨單元與大基板間，藉由結合劑結合或緊配結合其中之一者固定結合；複數磨粒之複數切削端分別與一平面之高度差異在20微米內。

②請求項2 如請求項1 所述之組合式修整器，其中大基板設有複數穿透孔；小基板相對於設有複數磨粒之另一面，分別與大基板之底面在同一基準平面。再者，請求項3 如請求項1所述之組合式修整器，其中大基板設有複數容置槽；小基板相對於設有複數磨粒之另一面，分別與大基板之形成複數容置槽底部之複數底壁在同一基準平面。

③請求項4 如請求項1 所述之組合式修整器，其中大基板形成複數穿透孔之複數內壁之傾斜角度為1 度至15度。再者，請求項5 如請求項1 所述之組合式修整器，其中大基板形成複數容置槽之複數內壁之傾斜角度為1度至15度。

④請求項6 如請求項1 至5 中任一項所述之組合式修整器，其中大基板形成複數穿透孔或複數容置槽其中之一者，複數內壁與複數研磨單元之複數外壁中，至少有一具有複數凹凸結構。再者，請求項7 如請求項6 所述之組合式修整器，其中大基板之材料包含金屬、金屬合金、塑膠材料、陶製品、碳製品及上述材料之混合其中之一者。

⑤請求項8 如請求項7 所述之組合式修整器，其中大基板之材料是316L不銹鋼材料。再者，請求項9如請求項8所述之組合式修整器，其中複數磨粒與小基板是藉由高溫高壓結合、硬焊、燒結、電鍍、塑膠膠合或陶瓷結合其中之一者固定結合。

⑥請求項10如請求項9 所述之組合式修整器，其中大基板為圓盤狀，直徑為90至120 毫米。再者，請求項11如請求項10所述之組合式修整器，其中小基板為圓盤狀，直徑為10至30毫米。

⑦請求項14如請求項6 所述之組合式修整器，其中複數穿透孔或複數容置槽其中之一者與複數研磨單元之剖面，為圓形或多邊形其中之一者。再者，請求項15如請求項14所述之組合式修整器，其中大基板周緣內側設有等間隔環狀排列之8個研磨單元。

⑧請求項16如請求項15所述之組合式修整器，其中8 個研磨單元之內側，設有等間隔排列之4 個研磨單元。再者，請求項17如請求項15所述之組合式修整器，其中複數磨粒與小基板是藉由高溫高壓結合、硬焊、燒結、電鍍、塑膠膠合或陶瓷結合其中之一者固定結合。

⑨請求項18如請求項17所述之組合式修整器，其中結合劑分別滲入複數凹凸結構內，分別固化結合複數內壁、複數外壁；結合劑之材料包含金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、及上述材料之混合物其中之一者。

(四)系爭產學合作計書結案報告之技術內容：

1.96年系爭產學合作計畫結案報告：

⑴化學機械拋光技術之延伸結案報告：原證23為96年度中砂公司產學合作計畫「化學機械拋光技術的延伸」結案報告節本，其附有完整結案報告之掃瞄檔。該合作計畫其執行日期自96年1 月1 日起至96年12月31日止，早於附表編號3 所示專利3 之申請日97年12月31日，其主要圖面，如附圖5 所示。

⑵原證23之計畫結案報告技術內容：96年度系爭產學合作計畫結案報告之技術內容有：①原證23第18頁至第27頁記載：CVD 鑽石陣列微結構製程研究，主要之製程是於4 吋P-type基板上，蝕刻出109.5 度之倒金字塔狀膜仁，再以HFCVD 方式於矽基板上沈積鑽石薄膜，隨後再利用電鑄技術將基底長厚，最後將矽基板蝕刻移除，可得到表面為金字塔之鑽石陣列薄膜微結構。其中HFCVD 沈積鑽石薄膜之步驟包括在膜仁上種植微米大小鑽石晶種，將試片放入HFCVD 爐中蒸鍍一層鑽石薄膜形成一CVD 鑽石膜仁，再於其上鍍一層鉻當作緩衝層、以物理氣相沈積一鎳層當作電鍍種子層，最後置於鎳- 鈷之電鍍浴槽中電鍍，完成電鑄鎳。

②原證23第19頁之圖4.1 ，為矽膜仁製程示意圖。③原證23第21頁之圖4.3 ，為在CVD 鑽石膜仁背後電鑄Ni-Co 金屬示意圖。③原證23第21頁之圖4.4 ，為脫去矽膜仁後之獨立鑽石針尖。④原證23第251 頁之圖4.14，為矽膜仁、鍍鑽石薄膜及獨立鑽石陣列SEM 照片。

2.97年系爭產學合作計畫結案報告：

⑴次世代鑽石修整器研製及技術開發：原證20為97年度中砂公司產學合作計畫「次世代鑽石修整器研製及技術開發」結案報告節本，其附有完整結案報告之掃瞄檔。合作計畫執行日期自97年1 月1 日起至97年12月31日止，涵蓋附表編號所示專利2 、3 之申請日，分為97年10月6日、97年12月31日，其主要圖面，如附圖6 所示。

⑵原證20之主要之研究實驗：97年度結案報告，可區分為兩個主要之研究實驗如後：①PDD 新式修整器製程之設計、製作及其修整磨耗。②探討刀片式聚晶鑽石修整器(UDD) 、傳統硬焊鑽石碟(BDD) 與先進鑽石碟(ADD) 修整特性異及對鑽石磨耗差異。使用多晶鑽石作為鑽石修整之切刃，因具有較多之切刃所以切削速度好及有效之切削，且利用環樹脂能於低溫結合固化之特點，可於一般之環境製作出新式多晶鑽石修整器。PDD 及UDD 均是以多齒型態之加工方式，未來可設計多齒、多刀之切削刀刃（參照97年度結案報告第78至79頁）。

⑶原證20之計畫結案報告技術內容：97年度系爭產學合作計畫結案報告之技術內容有：①原證20第15至19頁記載PDD 新式修整器製程實驗之材料，包括第16頁之圖3.3 所示不銹鋼模板，為直徑108mm 之圓板，在直徑104mm 之區域內開有特殊形狀之孔洞，呈矩陣排列，其目的在使SiC-PCD 鑽石尖點統一朝下。②原證20第18頁之圖3.6所示基準基板為直徑108mm 、厚度6.6mm 之圓形不銹鋼板，透過精密雙面研磨加工，使其平面度保持在5 至10μm 之內，主要目的在當作鑽石突出量之基準點，讓鑽石之等高度能維持一致。③原證20第19頁之圖3.8 所示基材金屬板，為直徑108mm 、厚度6.1mm 之圓形不銹鋼板，當環氧樹脂灌注完成後，將基材黏著其上，作為鑽石修整器。④原證第24頁記載實驗之方法及第25至27頁之圖3.13，說明PDD 新式鑽石修整器之製程。⑤原證20第28頁之圖3.15，為新式鑽石修整器成品。⑥原證20第35頁之圖4.1 ，為刀片式鑽石碟1(UDD1)及其刀刃形貌OM圖，如光學顯微鏡圖照。

3.98年系爭產學合作計畫結案報告：

⑴鑽石碟新產品開發：原證26為鑽石碟新產品開發結案報告節本，另附有完整結案報告之掃瞄檔。其執行日期為98年1 月1 日至98年12月31日，涵蓋附表編號4 、5 申請日，各為98年4 月21日與98年10月28日，其主要圖面，如附圖7 所示。

⑵原證26之主要階段：98年度結案報告，可區分為兩個主要階段如後：①以簡單之方法無須任何特殊機具或處於等殊環境條件，製造出PDD 。。②提出另一個改良式之組合式鑽石修整器之概念，將PDD鑽石碟之優點保留，將缺點改良。

⑶原證26之計畫結案報告技術內容：97年度系爭產學合作計畫結案報告之技術內容有：①原證26第16頁之3.7 圖為鑽石小碟，其使用直徑20mm之不銹鋼基材上方硬銲鑽石磨粒。②原證26第17頁之3.8 圖為不銹鋼底座為結合鑽石小碟，作為鑽石修整器之基座。③原證26第18頁之3.9 圖，為厚度模板，其直徑108mm 之不銹鋼圓板，配合不銹鋼底座在其上開有12個直徑20mm之孔洞，以利用模板之厚度控制鑽石小碟在不銹鋼底座上突出之量。④原證26第19頁之3.12圖，為基準金屬板，其直徑108mm 、厚度6.6mm 、平面度保持在5 至10μm 之內之不銹鋼圓板，讓鑽石小碟之等高度能維持一致。⑤原證26第64頁之5.1 圖，為組合式鑽石碟示意圖。⑥原證26第65頁之5.2 圖，為鑽石修整器製作示意圖。⑦原證26第65頁之5.3 圖，為不銹鋼底座盲孔側壁內有凸出之三角榫刺。⑧原證26第66頁之5.4 圖，為組合式修整器之等高度比較圖，圖中正方形圖例8+4_A 樣品之高度差約20um。

(五)中砂公司主張附表編號2所示專利之習知技術內容：

1.原證42之技術內容：

⑴適格之習知技術：原證42為2006年4 月21日,Tim Margqurdt發表在Recumbents.com網站上「Vacuum Infusion-101-VIP for dummies 」資料，網址：http://www.recumbents.com/wisil/marquardt/vip/cvacuum_in usion.htm）。其公開之日期早於附表編號2 所示專利之申請日97年10月6 日，原證42之VIP 設置及組成設備圖摘示，如附圖8所示 。

⑵揭露真空注入技術特徵：原證42揭露一種真空注入技術(Vacuum Infusion Process,VIP) ，係使用真空壓力將樹脂驅入層狀物。將材料置入於模具中，並在樹脂注入前，開始抽真空，在達到預設之真空度後，樹脂將經由設計過之管路被吸入層狀物中（參照原證42第1 頁Introduction項第2 文段）

2.原證43之技術內容：

⑴適格之習知技術：原證43為2003年3 月25日公告之US0000000 「PRESSURE EQUALIZED VACUUM RESIN INFUSION PROCESS」專利案，其公開之日期早於附表編號所示專利2 之申請日97年10月6 日，原證43第1 圖為其發明真空樹脂灌注製程步驟簡化示意圖，如附圖9 所示。

⑵揭露樹脂浸漬物之製造方法：原證43揭露一種樹脂浸漬物(resin impregnated article)製造方法，包括提供一其上可放置強化材料之模具，以不透氣之片材(impervious sheet)密封強化材料，且藉由液體接觸不透氣片材，以調節施加在強化材料上之壓力與強化材料及樹脂之溫度，並調節液體之壓力與溫度等步驟。

3.原證44-1之技術內容：

⑴適格之習知技術：原證44-1為2003年12月11日公開之WO 03/101708「CONTROLLED ATMOSPHEREIC PRESSURE RESIN INFUSION PROCESS 」專利案，其公開之日期早於附表編號所示專利2 之申請日97年10月6 日，原證44-1第1 圖，為其發明較佳製程步驟代表圖，如附圖10所示。

⑵揭露使用真空方式樹脂灌注：原證44-1係關於僅使用真空方式(vacuum-only) 樹脂灌注之方式，製造纖維強化樹脂複合材料(fiber-reinforcedresincomposites) ，包括對預造物(perform) 實施循環式緊密(cyclic compaction) 及控制淨緊密壓力(net compaction pressure) ，在淨緊密壓力維持在壓緊預造物之情況，將樹脂入口壓力控制在大氣壓以下，使得複合材料相較於熱高壓器(autoclave) 所製成之具有較高之纖維體積分量(fiber volume fractions)。

4.原證61之技術內容：

⑴適格之習知技術：原證62為1931年9 月15日公告之US0000000 「VACUUM HORNCONSTRUCTION FOR TAIL BLEEDING MACHINES 」專利案，其公開之日期早於附表編號2 所示專利之申請日97年10月6 日。原證62圖式，如附圖11所示。

⑵揭露用於連接於收集瓶之真空角狀物：原證62揭露一種用於連接於收集瓶之真空角狀物(vaccum horns)，其遠離收集瓶之一端連接於真空管線(vaccum hose)。

5.原證63之技術內容：

⑴適格之習知技術：原證63為1998年7 月28日公告之US0000000 「MULTI-COMPONENT FLOW PASSAGE ASSEMBLY WITH SNAP IN SEALING ADAPTOR」專利案，其公開之日期早於附表編號2 所示專利申請日97年10月6日，原證63圖式，如附圖12。

⑵揭露改善密封性之轉接結構：原證63揭露一種改善密封性之轉接結構，其為一大致圓柱形的轉接結構可配接於吸塵器渦輪泵的角狀第1 氣體通道，及連接於集塵袋第2 氣通道間。

(六)附表編號2所示專利與97年度結案報告之技術內容比對：1.附表編號2所示專利請求項1：

⑴揭示系爭專利請求項1 之一種研磨工具製法：原證20之97年度結案報告第24頁背面記載：新式鑽石修整器中鑽石之種類，屬於以燒結技術所製的SiC-PCD ，然後在其中一片不銹鋼模板黏上單面膠帶或雙面膠帶，在模板下置放一塊金屬基準板，當做基準點；將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板，在直徑104mm 之區域內，不銹鋼模板開有特殊形狀之孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔之設計讓鑽石尖點統一朝下，使鑽石之突出高度與模板厚度概等，然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石之半成品上；復以不銹鋼材之金屬板當做基材黏於環氧樹脂，而後移除金屬基準板及不銹鋼模板，鑽石碟即製作完成。再者，原證20第25頁圖示製作流程，其最下子圖即揭示SiC-PCD 鑽石之一端露出不銹鋼模板之上方，另一端位於下不銹鋼模板及金屬基準板。由上述內容「SiC-PCD 鑽石」、「上不銹鋼模板」、「下不銹鋼模板及金屬基準板」及「環氧樹脂」，可分對應於附表編號2 所示專利請求項1 所記載「磨粒」、「固定模具」、「基準平台」及「結合劑」。準此，揭示系爭專利請求項1 記載一種研磨工具之製法，包括如下步驟：①使多數個磨粒（SiC-PCD 鑽石）一第一端分別穿過一固定模具（上不銹鋼模板）多數個孔抵靠於一基準平台（下不銹鋼模板及金屬基準板）多數個凹槽之底端；多數個磨粒之一第二端分別置於固定模具之上方，如原證20第2 頁正面最下子圖所示。②使結合劑（環氧樹脂）流佈於固定模具之上端面，且結合多數個磨粒之第二端形成一結合劑層，使多數個磨粒、固定模具及結合劑層結合一體。

⑵未揭示其中使結合劑流佈於間隙內之技術：原證20第24頁記載：將環氧樹脂（接著劑）混合攪拌完成後，放入真空容器中，以減少雙液型環氧樹脂在攪拌時，所產生之氣泡，然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石之半成品；復以不銹鋼材之金屬板當做基材黏於環氧樹脂，並於其上施加壓力，靜置數小時後，送入烘箱烘烤消除水氣待其固化，而後移除金屬基準板及不銹鋼模板，鑽石碟即製作完成。可知其在環氧樹脂灌注鑽石之半成品後，再使不銹鋼材金屬黏著於環氧樹脂，即先灌注環氧樹脂於鑽石半成品而後，再施放不銹鋼材金屬板。職是，原證2 未揭示系爭專利請求項1 之其中使結合劑流佈於間隙內之技術，包括如下步驟：①將組合好之多數個磨粒、固定模具及基準平台放置於一密封模具內。②使密封模具相對之一第一連通部及一第二連通部，分別抽出密封模具內之空氣及將結合劑輸入密封模具內，使結合劑流佈於固定模具之上端面，且結合多數個磨粒之第二端形成結合劑層。③將多數個磨粒、固定模具、結合劑層及基準平台與密封模具分離。

⑶未揭露固定模具不存在於完成品中之技術：原證20第1 頁背面記載：復以不銹鋼材之金屬板當做基材黏於環氧樹脂上，待其固化，而後移除金屬基準板及不銹鋼模板，鑽石碟即製作完成。可知其係在環氧樹脂固化後移除金屬基準板及不銹鋼模板。職是，原證20未揭示系爭專利請求項1 「分離基準平台與結合一體之多數個磨粒、固定模具及結合劑層；結合一體之多數個磨粒、固定模具及結合劑層即形成一修整刀具」。

⑷97年結案報告與附表編號2所示專利請求項1之差異：綜上所述，97年結案報告與系爭專利2 請求項1 之差異在於：①使結合劑流佈於磨粒間隙內之技術；②固定模具不存在於完成品中之技術（下稱原證20未揭示技術特徵）。

⑸原證42、43或44-1揭示使結合劑流佈於磨粒間隙內技術：

①原證42第1 頁Introduction項第2 文段揭露一種真空注入技術(Vacuum Infusion Process, VIP)，係使用真空壓力將樹脂驅入層狀物。將材料置入於模具中並在樹脂注入前，開始抽真空，在達到預設之真空度後，樹脂經由設計過之管路被吸入層狀物中。第1 頁亦揭示VIP 組立及設備，包括以真空幫浦(Vacuum pump) 維持預定真空度，使樹脂(Resin) 由樹脂容器經由樹脂入口管路(Resin Inlet) 進入密封模具(Mold)後，再經由真空出口管路( Vacuum Outlet)流入樹脂回收罐(Resin Trap)。準此，原證42「密封模具」、「真空出口管路」及「樹脂入口管路」，可分對應於附表編號2 所示專利請求項1 「密封模具」、「第一連通部」及「第二連通部」。

②原證43說明書第4 欄第44行至第52行及第1 圖揭示，以樹脂浸漬纖維預成型物基材(fibrous preform substrate) 步驟，首先將預成型基材放置於模具(mold)，將樹脂管線(resinline) 及真空管線(vacuum line) 固定於預成型基材，再以不透氣真空袋( impervious vacuum bag)覆蓋於基材，並在預成型基材周圍與模具形成密封狀態，接著以真空控制器(vacuum controller) 抽真空，然後再開啟樹脂管線使樹脂浸漬於預成型物基材。職是，原證43「不透氣真空袋及模具」、「真空管線」及「樹脂管線」，可分對應於附表編號2所示專利求項1 「密封模具」、「第一連通部」及「第二連通部」。

③原證44-1說明書第[0036]文段及第1 圖，其揭示以真空方式，將樹脂灌注於纖維強化材料之步驟，在真空袋(bag) 出口(exit)端使用真空幫浦(vacuum pump) 抽真空以在樹脂入口端與出口端形成一驅動力，使樹脂自樹脂入口儲存罐(resininlet reservoir)中經由入口(inlet) 及樹脂分流裝置(distribution media)進入真空袋與模具表面(mold surface)間之預造物(preform) ，再由出口端流入樹脂出口側小真空儲存罐(exit side small vacuum reservoir)。準此，原證44「真空袋及模具表面」、「出口」及「入口」，可分對應於附表編號2 所示專利請求項1 「密封模具」、「第一連通部」及「第二連通部」。

⑹固定模具不存在於完成品中之技術不具進步性：關於原證20未揭示固定模具不存在於完成品中之技術特徵，原證20所揭示者係移除不銹鋼模板，雖不同於附表編號2 所示專利請求項1 之保留固定模具，然保留或移除鑽石磨粒定位之固定模具，係所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變，未產生無法預期之功效。

⑺附表編號2所示專利請求項1經揭露與不具進步性：

①綜上所述，附表編號2 所示專利請求項1 之技術徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等申請前之先前技術，而附表編號2 所示專利請求項1 之保留固定模具，亦為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變。

②宋健民雖辯稱：原證20缺少附表編號2 所示專利請求項1 「一基準平台」、「凹槽之底端」、「結合劑流佈於間隙內」等技術特徵；且原證20之新式鑽石修整器製程係移走不銹鋼模板，其與附表編號2 所示專利係保留固定模具，亦有不同云云。惟原證20之圖3.13及第24頁所載之新式鑽石修整器製程說明內容，可知新式鑽石修整器製作時，可在模板下置放一塊金屬基準板，當做基準點，透過不銹鋼模板之特殊開孔設計，使鑽石尖點統一朝下，且在鑽石上擺放一層緩衝墊，再施加壓力於鑽石上來調整突出高度之技術內容。顯見附表編號2 所示專利請求項1 「基準平台」技術特徵，相當於原證20「金屬基準板」。

③附表編號2 所示專利請求項1 利用磨粒一端，可抵靠基準平台之凹槽底端，依其先前技術所載可知凹槽之作用，係為控制磨料尖點突出之高度及限制磨料定位後，難以轉動之功效（參照說明書第4 頁段落[0006]及[0007]）。而原證20揭示可在鑽石上擺放一層緩衝墊，再施加壓力於鑽石上來調整突出高度，亦可達到控制磨料尖點高度及限制磨料轉動之功效。故附表編號2 所示專利請求項1 「基準平台之凹槽」技術特徵，相當於原證20之金屬基準板與緩衝墊結合之技術內容，且附表編號2 所示專利請求項1 基準平台之凹槽設計，僅為習知技術之運用。

④附表編號2 所示專利請求項1 「結合劑流佈於間隙內」技術，主要係為使容器內之結合劑藉由真空泵之動作，而使結合劑經管線流入密封模具填滿內整個間隙，並形成一結合劑層封裝結合磨粒、固定模具及基板。而原證20第24頁記載可將環氧樹脂（接著劑）放入真空容器後，經環氧樹脂灌注在排滿鑽石的半成品之技術。顯見原證20之新式鑽石修整器之製作，亦是利用真空方式，將環氧樹脂灌注到修整器之半成品，使環氧樹脂經管線流入修整器之間隙內，形成一環氧樹脂結合磨粒、不銹鋼模板及基板之結構；且利用真空設備導入環氧樹脂而填充密封模具之空間，係屬習知慣用之技術。故系爭專利2 請求項1 「結合劑流佈於間隙內」技術，相當於原證20之真空容器設備或習知環氧樹脂填充技術之運用。職是，宋健民之主張，並不足採。

2.附表編號2所示專利請求項2 ：附表編號2 所示專利請求項2 係直接依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中結合劑層之厚度高於多數個磨粒之第二端」。請求項1 之技術特徵見揭露於原證20及原證42、43或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證20之第26中間子圖，可見環氧樹脂層之厚度高於多數個鑽石顆粒之第二端。準此，附表編號2 所示專利請求項2 之技術特徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。

3.附表編號2所示專利請求項7 ：附表編號2 所示專利請求項7 依附請求項1 至6 中任一項之附屬項，進一步界定「進一步包括使固定模具脫離結合劑層。」經宋健民確認僅需比對請求項1 、2 、7 。附表編號2所示專利請求項1 、2 所記之技術徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證20之第27下方子圖，可見不銹鋼模板已自環氧樹脂移除。職是，附表編號2 所示專利請求項7 依附於請求項1、2之技術特徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。

4.附表編號2所示專利請求項8 ：附表編號2 所示專利請求項8 依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中步驟間進一步包括如下步驟：使一基板之第一端面分別抵靠多數個磨粒之一第二端，基板與固定模具之間有一間隙；其中步驟(a) 進一步包括使基板放置於密封模具內；步驟(b) 進一步包括使結合劑流佈於間隙內形成結合劑層，結合劑層結合基板；步驟(c) 進一步包括使基板與密封模具分離。」附表編號2 所示專利請求項1 之技術特徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等申請前之通常知識。再者，原證20第24頁記載及第26頁中下子圖內容，可知不銹鋼材金屬係於環氧樹脂灌注鑽石之半成品後，始黏著於環氧樹脂上，故原證20「不銹鋼材金屬」可對應於附表編號2 所示專利請求項8 「基板」。可知原證20之作業順序，係先將被灌注物放置於模具內、啟動真空幫浦灌注樹脂於被灌注物各連通之空隙，最後再將灌注成品自模具移除。準此，原證42、43 、 或44-1等真空灌注樹脂技術，可對應於附表編號2 所示專利請求項8 之步驟(a) 、(b) 、(c) 所進一步界定之技術，故附表編號2 所示專利請求項8 之技術特徵，揭露於原證20 及 原證42、43、或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。

5.附表編號2 所示專利請求項9 ：附表編號2 所示專利請求項9 依附請求項8 之附屬項，進一步界定「其中第一連通部及第二連通部分別連接一真空泵及一裝有該結合劑的容器，俾當該真空泵啟動時，使該結合劑填充滿整個該間隙」。附表編號2 所示專利請求項8 之技術徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證42VIP 組成設備圖所示，樹脂入口管路管路連接樹脂容器（圖左）真空出口管路，連接於真空幫浦（圖右）；原證43第1 圖所示，樹脂管線連接樹脂容器（圖下）真空管線連接於真空控制器（圖右）；原證44-1第1 圖所示入口處連接樹脂入口儲存罐（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。職是，附表編號2 所示專利請求項9 之技術特徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。

6.附表編號2所示專利請求項10與11：附表編號2 所示專利請求項10依附請求項9 之附屬項，進一步界定「其中容器之內結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性。」；附表編號2 所示專利請求項11依附請求項10之附屬項，進一步界定「其中密封模具內之結合劑被加熱，俾增加該結合劑之流動性」。附表編號2 所示專利請求項9 之技術徵，揭露於原證20及原證42,43 或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證44-1第[0038]文段揭示，在需要提高灌注速度或使用高於室溫粘滯係數之樹脂情況，預造物或預造物與樹脂可以被加熱，可知在容器內或模具內加熱樹脂已為一習知技術。準此，附表編號2 所示專利請求項10 、11 之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1附表編號2所示專利申請時通常知識。

7.附表編號2所示專利請求項12：附表編號2 所示專利請求項12依附請求項11之附屬項，進一步界定「其中基板及該固定模具係經潤濕處理，俾使基板及固定模具更有效之結合該結合劑」。附表編號2 所示專利請求項11所記之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。參酌附表編號2 所示專利說明書可知，潤濕處理係指鍍膜、電漿塗覆等技術增加材料之親水性。查原證61揭示使用電漿、鍍膜等方式改變材料之親水性或疏水性技術。職是，附表編號2 所示專利請求項12之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1及61附表編號2 所示專利申請時通常知識。

8.附表編號2所示專利請求項13：附表編號2 所示專利請求項13依附請求項12之附屬項，進一步界定「其中密封模具之第一連通部及第二連通部分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及結合劑之流動速率」。附表編號2 所示專利請求項12所記之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1及61等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證44-1第1 圖所示，入口處連接樹脂入口儲存罐（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。準此，附表編號2 所示專利請求項13之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1及61附表編號2 所示專利申請時通常知識。

9.附表編號2 所示專利請求項14：附表編號2 所示專利請求項14依附請求項13之附屬項，進一步界定「其中第一連通部及第二連通部靠近間隙之一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止結合劑流入間隙內時產生紊流，避免造成結合劑不均勻之分佈於間隙內」。附表編號2 所示專利請求項13所記之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1及61等申請時通常知識。再者，原證63第1 圖及說明書第2 欄第16至24行揭示，在真空清淨器(vacuum cleaner)通道中使用呈漸錐形(generally cylindrical shape)構件(adaptor body)，可對應於本項「喇叭口狀」。故附表編號2 所示專利請求項14之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1、61及63等附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒑附表編號2所示專利請求項19：

⑴比對附表編號2 所示專利請求項15至18：附表編號2 所示專利請求項19依附請求項18之附屬項，本院一併比對請求項15、16、17及18。依次比對如下：①附表編號2 所示專利請求項15依附請求項8 至14項中任一項之附屬項，進一步界定「其中磨粒之材料為選自人造鑽石、非人造鑽石、多晶鑽石、立方晶氮化硼、多晶立方氮化硼、最硬結晶體、多晶材料及上述材料之混合材料其中之一者」。原證20第24頁第3 行之SiC-PCD ，為多晶鑽石。②附表編號2 所示專利請求項16依附請求項15之附屬項，進一步界定「其中固定模具的材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料之混合物及焊接合金材料其中之一者」。③原證20第24頁第7 、8 行之不銹鋼模板，為金屬或金屬合金。④附表編號2 所示專利請求項17項依附請求項16之附屬項，進一步界定「其中結合劑層的材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料之混合物及焊接合金材料其中之一者」，原證20第24頁第11行之環氧樹脂（接著劑），為塑膠材料，如附表編號2 所示專利之專利說明書記載之塑膠材料(Polymer) 。⑤附表編號2 所示專利請求項18係依附請求項17之附屬項，進一步界定「其中固定模具的材料為不鏽鋼」。被揭露於原證20第24頁第7 、8行之不銹鋼模板其材料，其為不銹鋼。

⑵比對附表編號2 所示專利請求項19：附表編號2 所示專利請求項19依附請求項18之附屬項，進一步界定「其中基板之材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料之混合物及焊接合金材料其中之一者」，揭露於原證20第24頁第13、14行之不銹鋼材質之金屬板，其為金屬或金屬合金。故附表編號2 所示專利請求項19之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1、61及63附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒒附表編號2所示專利請求項20：附表編號2 所示專利請求項20依附請求項19之附屬項，進一步界定「進一步包括使固定模具脫離該結合劑層」。附表編號2 所示專利請求項19之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1、61及63等申請時通常知識。再者，原證20第27頁下方子圖，可見不銹鋼模板已自環氧樹脂移除。故附表編號2 所示專利請求項20之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1、61及63附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒓附表編號2所示專利請求項21：附表編號2 所示專利請求項21依附請求項1 至6 中任一項之附屬項，進一步界定「其中第一連通部及第二連通部分別連接一真空泵及一裝有結合劑之容器，俾當真空泵啟動時，使結合劑填充滿整個間隙」。附表編號2 所示專利請求項1 、2 所記之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證44-1第1 圖揭示，一出口(EXIT)管線連接至出口側小真空儲存罐、一入口(INLET)管線連接至樹脂入口儲存罐，以控制樹脂之流動。準此，附表編號2 所示專利請求項21依附於請求項1 、2 之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒔附表編號2所示專利請求項22與23：附表編號2 所示專利請求項22依附請求項21之附屬項，進一步界定「其中容器內之結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性」。附表編號2 所示專利請求項23係依附請求項22之附屬項，進一步界定「其中密封模具內之結合劑被加熱，俾增加結合劑的流動性」。附表編號2 所示專利請求項21之技術徵，揭露於原證20及原證44-1附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證44-1第[0038]文段揭示，在需要提高灌注速度或使用高於室溫粘滯係數之樹脂情況，預造物或預造物和樹脂可被加熱，可知在容器內或模具內加熱樹脂已為一習知技術。職是，附表編號2 所示專利請求項22、23之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒕附表編號2所示專利請求項24：附表編號2 所示專利請求項24依附請求項23之附屬項，進一步界定「其中基板及固定模具係經潤濕處理，俾使基板及固定模具更有效之結合該結合劑」。附表編號2 所示專利請求項23之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證61揭示使用電漿、鍍膜等方式，改變材料之親水性或疏水性之技術。準此，附表編號2 所示專利請求項24之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1及61附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒖附表編號2所示專利請求項25：附表編號2 所示專利請求項25依附請求項24之附屬項，進一步界定「其中密封模具之第一連通部及第二連通部分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及結合劑的流動速率」。附表編號2 所示專利請求項24所記之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1及61等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證44-1第1 圖所示，入口處連接樹脂入口儲存罐（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。職是，附表編號2 所示專利請求項25之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1及61附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒗附表編號2所示專利請求項26：附表編號2 所示專利2 請求項26依附請求項25之附屬項，進一步界定「其中第一連通部及第二連通部靠近間隙之一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止結合劑流入間隙內時產生紊流，避免造成結合劑不均勻之分佈於間隙內」。附表編號2 所示專利請求項25之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1及61等申請時通常知識。再者，原證63第1 圖及說明書第2 欄第16至24行揭示在真空清淨器之通道中，使用呈漸錐形之構件，可對應於本項「喇叭口狀」。準此，附表編號2 所示專利請求項26之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1 、61 及63等附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒘附表編號2所示專利請求項27：附表編號2 所示專利請求項27依附請求項7 之附屬項，進一步界定「其中第一連通部及第二連通部分別連接一真空泵及一裝有結合劑的容器，俾當真空泵啟動時，使結合劑填充滿整個該間隙」。附表編號2 所示專利請求項7 之技術特徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證42VIP 組成設備圖所示，樹脂入口管路管路連接樹脂容器（圖左）真空出口管路連接於真空幫浦（圖右）；原證43第1 圖所示，樹脂管線連接樹脂容器（圖下）真空管線連接於真空控制器（圖右）；原證44-1第1 圖所示，入口處連接樹脂入口儲存罐（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。職是，附表編號2 所示專利請求項27之技術特徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒙附表編號2所示專利請求項28與29：附表編號2 所示專利請求項28係依附請求項27之附屬項，進一步界定「其中容器內之結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性」。請求項29依附請求項28之附屬項，進一步界定「其中密封模具內之結合劑被加熱，俾增加結合劑之流動性」。附表編號2 所示專利請求項27之技術特徵，揭露於原證20及原證42、43或44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證44-1第[0038]文段揭示，在需要提高灌注速度或使用高於室溫粘滯係數之樹脂情況，預造物或預造物與樹脂可被加熱，可知在容器內或密封模具內加熱樹脂已為一習知技術。準此，附表編號2 所示專利請求項28、29之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒚附表編號2所示專利請求項30：附表編號2 所示專利請求項30依附請求項29之附屬項，進一步界定「其中基板及固定模具係經潤濕處理，俾使基板及該固定模具更有效之結合該結合劑」。附表編號2 所示專利請求項29之技術，揭露於原證20及原證44-1等附表編號2 所示專利申請時通常知識。再者，原證61揭示使用電漿、鍍膜等方式改變材料的親水性或疏水性之技術。職是，附表編號2所示專利請求項30之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1及61附表編號2 所示專利申請時通常知識。

⒛附表編號2所示專利請求項31：附表編號2 所示專利請求項31依附請求項30之附屬項，進一步界定「其中密封模具之第一連通部及第二連通部分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及結合劑之流動速率」。附表編號2 所示專利請求項30之技術特徵，揭露於原證20 及 原證44-1及61等附表編號2 所示專利申請時通常知識，。再者，原證44-1第1 圖所示，入口處連接樹脂入口儲存罐（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。準此，附表編號2 所示專利請求項31之技術特徵，揭露於原證20之97年結案報告及原證44-1及61附表編號2 所示專利申請時通常知識。附表編號2所示專利請求項32：附表編號2 所示專利請求項32依附請求項31之附屬項，進一步界定「其中第一連通部及該第二連通部靠近間隙之一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止結合劑流入間隙內時產生紊流，避免造成結合劑不均勻之分佈於間隙內」。附表編號2 所示專利請求項31所記之技術特徵，揭露於原證20 及 原證44-1及61等申請時通常知識。再者，原證63第1圖及說明書第2 欄第16至24行揭示，在真空清淨器之通道中，使用呈漸錐形之構件，可對應於本項「喇叭口狀」。職是，附表編號2 所示專利請求項32之技術特徵，揭露於原證20及原證44-1、61及63等附表編號2 所示專利申請時通常知識。

(七)附表編號3所示專利及96與97年結案報告之技術內容比對：1.附表編號3所示專利請求項1 ：

⑴原證20揭示之技術特徵：

①97年度結案報告之原證20第24頁背面記載新式鑽石修整器製程說明：新式鑽石修整器中鑽石之種類，屬於以燒結技術所製之SiC-PCD ，外型概似立方體，在模板下置放一塊金屬基準板，當做基準點；將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，在直徑104mm 之區域內，不銹鋼模板開有特殊形狀之孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔之設計讓鑽石尖點統一朝下，使鑽石之突出高度與模板厚度概等，在鑽石上擺放一層緩衝墊，再施加壓力於鑽石上來調整突出高度，然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石之半成品；復以不銹鋼材之金屬板，當做基材黏於環氧樹脂上，並於其上施加壓力，靜置數小時後，送入烘箱烘烤消除水氣待其固化，而後移除金屬基準板及不銹鋼模板，鑽石碟即製作完成。第28頁之圖3.15完成品所示，為一不銹鋼基材支撐及固定結合多個SiC-PCD 鑽石顆粒，分別突出不銹鋼基材。

②原證20第4 頁第11至14行記載：所提供刀片式鑽石碟(UDD,Ultimate Diamond Disk) ，因聚晶鑽石(PCD,Poly crystalline Diamond)其強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，且可利用線切割放電加工控制刀刃高度、間距，切割出每片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂(Epoxy Resin) 組裝成鑽石碟，並在第35頁圖4.1 揭示，刀片式鑽石碟UDD 成品，係將多片一體成形刀片組裝於一基材上而成為鑽石碟。再者，97年結案報告第51至77頁比較各種鑽石碟之切削特性及對拋光墊移除率，包括：傳統鑽石修整器(BDD) 為單晶鑽石，但鑽石方向、高度無法有效控制，故傳統鑽石修整器鑽石突出量為100+/-15um等高度不佳，經實驗觀察鑽石磨耗刀刃，從光學顯微鏡並無明顯發現磨耗或掉鑽現象，僅發現鑽石刀刃產生小破裂（參照97年度結案報告第70頁）；刀片式鑽石修整器經由實驗每隔10小時觀察磨耗結果，磨耗形態可區分為摩擦式磨耗及破裂式磨耗（參照97年度結案報告第72頁）。

③97年度結案報告第78頁結論：本實驗中在相同修整條件，比較三種不同之修整器，分別為ADD 、BDD 及PDD ，發現新式PDD 多晶鑽石修整器之拋光墊移除率是最高。UDD 聚晶鑽石修整器由PCD 放電加工製作刀刃形貌，能有效控制尖點高度、角度、間距等，且刀刃齒數少，4.5kg 荷重下移除量（率）以UDD1最大；其次為UDD2、BDD 與ADD 最小。再者，97年度結案報告第79頁建議：PDD 及UDD 均是以多齒型態之加工方式，實驗結果顯示有很好之加工效率，未來可設計多齒、多刃之切削刀刃，需要不會掉鑽石顆粒之設計。

④基上所述，參諸原證20內容可知：新式鑽石碟(PDD) 與刀片式鑽石碟(UDD) 均採用環氧樹脂組裝於基材上而成鑽石碟，兩者均有很好之加工效率。新式鑽石碟在製作之過程，可經由使用具有特定開孔之模具，使鑽石尖點統一朝下，並控制鑽石之突出高度。傳統鑽石修整器(BDD) 為單晶鑽石其刀刃，經實驗觀察並無明顯發現磨耗或掉鑽現象。由於PDD 及UDD 均係以環氧樹脂將研磨刀刃，其為SiC-PCD 顆粒及PCD 刀片，經固定與支撐於不銹鋼基材，僅要在原證20第24頁記載之新式鑽石碟(PDD) 製造過程，所使用之不銹鋼模板中，按照UDD 鑽石碟中PCD 鑽石刀片之位置，將原適用於SiC-PCD顆粒形狀之特殊開孔，稍加改變為適用於PCD 刀片形狀之開孔，可達到PCD 刀片及Si C-PCD顆粒突出基座之突出量相等目標，製造出混合PDD 及UDD 研磨刀刃型式之混合式鑽石碟：一種拋光墊修整器，用以修整CMP 拋光墊者，包括一基座；至少一PV D鑽石刀片；其中基座支撐及固定結合至少一PCD 鑽石刀片；至少一PCD 鑽石刀片突出基座；其中該基座支撐及固定結合多個SiC-PCD 顆粒；多個SiC-PCD 顆粒分別突出基座；至少一PCD 鑽石刀片及多個SiC- PCD顆粒分別突出基座之突出量相等。準此，原證20與附表編號3 所示專利請求項1 之發明間差異，僅在於構成刀片式的鑽石材質。97年結案報告為PCD 鑽石刀片，而附表編號3 所示專利3 請求項1之發明為CVD 鑽石刀片。

⑵原證23揭示之技術特徵：

①96年度結案報告之原證23第18頁記載：CVD 鑽石之修整器，鑽石具有高硬度及高抗化學腐蝕之特性，表面鑽石針尖之高度一致之金字塔微結構，可於CMP 拋光墊刻劃出規則之形貌，有利矽晶圓鏡面拋光，使得晶圓拋光平坦度均勻，達到最佳效果。再者，96年度結案報告第27頁結論：鑽石修整器之發展應朝向切刃高度一致、切刃外形為尖點之方向為較優。

②基於原證23之教示，將原證23所記載之CVD 鑽石薄膜，切割出一片片一體成形刀片，用以置換原證20製得之混合式鑽石碟中之PCD 鑽石刀片，可得到附表編號3 所示專利請求項1之發明。換言之，附表編號3 所示專利請求項1 之發明，僅是將97年結案報告之不銹鋼模板，按照UDD 鑽石碟中PCD 鑽石刀片之位置，將原來開設配合鑽合顆粒之孔洞，簡單改變為配合增設之CVD 刀片形狀，可達到CVD 刀片及SiC-PCD 顆粒突出基座之突出量相等之目標，並製造出混合PDD 研磨顆粒及CVD 鑽石刀刃型式之混合式鑽石碟。

⑶宋健民不得以系爭產學合作計畫之內容申請專利：

①宋健民雖辯稱：中砂公司僅稱結案報告內有與附表編號3所示專利之相同外觀之刀片式聚晶鑽石修整器，並未說明技術創作之發想；結案報告亦未揭示CVD 鑽石刀片與超硬材料顆粒一同設置於基座，而製作為修整器之技術。附表編號3 所示專利特徵，包含CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒、具備將複數個小尺寸研磨單元組設在一個大尺寸基板上之特徵，此組合在96、97年度之計畫書未提及。且所謂CVD 鑽石碟技術，為宋健民所擁有之我國專利第097137069 號「具有拼圖式研磨片斷之CMP 拋光墊修整器及其相關方法」申請案（下稱被證22），主要特徵包含PCD （燒結多晶鑽石）刀片、或多個其他超硬材料顆粒或小片包含CVD 刀片，故其計畫書之技術源自於宋健民云云。惟原證20第35頁之圖4.1 、圖4.2所揭露之不銹鋼金屬板、多晶鑽石(PCD) 放電加工刀片。第28頁之圖3.15所揭示之SiC-PCD 鑽石顆粒，相當附表編號3所示專利請求項1 之基座、CVD 鑽石刀片、超硬材料顆粒結構所組成之拋光墊修整器結構，且以26片多晶鑽石(PCD) 放電加工刀片組設在一個大基板。再者，原證20第18頁第1段說明基準金屬板主要目的，在當作鑽石突出量之基準點，使鑽石之等高度能維持一致。準此，97年結案報告內容揭露相當於附表編號3 所示專利請求項1 修整器之技術。

②原證20係以相同修整條件下比較PDD 、UDD 、BDD 等不同修整器產生之分析結果，由實驗結果可知傳統鑽石修整器(BDD) 鑽石顆粒等高度不佳，雖移除量較小，然壽命長；刀片式聚晶鑽石修整器(UDD) 之移除量固較大，惟易磨耗、壽命短。且結案報告之結論說明，合作計畫之目標是比較傳統修整器與PDD 及UDD 刀片式鑽石修整器修整拋光墊所得結果，提供CMP 製程選擇與判斷，並供後續改良刀具形貌之參考依據。再者，附表編號3 所示專利之先前技術，有傳統之單晶鑽石修整器與多晶鑽石（PCD 鑽石，CVD 鑽石）修整器之優缺點比較。顯見附表編號3 所示專利之創作技術，由97年結案報告之實驗分析結果延伸獲得，依原證20之成果進行簡單組合及實驗，並加以研究及開發來改良刀具結構及性能。

③宋健民雖抗辯稱由被證22可知，原證20之計畫書源自宋健民云云。惟被證22之專利申請案請求項1 記載「一種CMP 拋光墊修整器，包括複數研磨片段，各研磨片段具有一片段基質以及一附著於片段基質的研磨層，研磨層包括超硬研磨材料，其係為多晶鑽石(PCD) 刀片及獨立之研磨顆粒。另外提供一拋光墊修整器基材，且各研磨片段能永久以一方向附著在拋光墊修整器基材，以使得在該拋光墊修整器與CMP 拋光墊相對移動時，能夠藉由研磨層將材料自CMP 拋光墊移除」。職是，可知被證22之專利案以多晶鑽石(PCD) 刀片及獨立之研磨顆粒所組成之研磨層，附著於各研磨片段，各研磨片段再附著在拋光墊修整器基材，而形成拋光墊修整器。

④被證22之拋光墊修整器結構未揭露CVD 鑽石刀片及超硬材料顆粒結構，共同組成可同時拋除拋光墊厚度之修整器結構。被證22專利之申請日為97年9 月27日，早於附表編號3 所示專利申請日97年12月31日，原證20執行期間自97年1 月1日至97年12月31日。證人陳盈同於原審104 年8 月24日證稱：宋健民當時是中砂公司之總經理，對中砂公司而言，是計畫負責人，其所有計畫內容及計畫之結案均對宋健民負責。附表編號所示2 至5 專利內容，是由其提出構想，有將專利之內容email 予宋健民，請宋健民修改，告知其要申請專利，所有之申請專利之計畫書與專利內容均是其撰寫，其寫完請求項與說明書草稿後，請專利代理人完成（見原審卷六第211 頁）。足見中砂公司與中華大學之系爭產學合作計畫，均由宋健民代表中砂公司與陳盈同接洽連繫，陳盈同亦會就相關技術問題及所欲申請之專利內容與宋健民討論，宋健民因此得知97年產學合作研究計畫之詳細內容。準此，系爭產學合作計畫由中砂公司委託中華大學研發，宋健民代表中砂公司與陳盈同連繫，並參與計畫之執行，自不得以其因參與系爭產學合作計畫所知悉之內容，另行申請專利，並主張係其個人所發想及創作云云。足徵宋健民上開抗辯，不足採信。

⑤宋健民固抗辯稱，由附表編號3 至5 所示專利申請時，陳盈同與專利事務所間之被證37至39電子郵件內容，足證系爭專利3 至5 由宋健民提供相關技術研發而成云云。惟被證37之電子郵件，陳盈同表示本案原則是一個組合型之鑽石碟，就是將過去其申請之案子，加上宋健民之專利及目前傳統之方法，以解決目前拋光所遭遇之困難等語（見原審卷四第38頁）。可知附表編號3 所示專利之技術創作內容，係依據陳盈同及宋健民過去申請之專利及習知技術作改良，而產生附表編號3 所示專利之創作。因附表編號3 所示專利經我國專利專責機關審查後，認為具備專利要件而准予專利，自與該專利所組合之先前技術有所區別，難認附表編號3 所示專利係單純由宋健民提供技術所研發而成。再者，被證38電子郵件係陳盈同就附表編號4 所示專利之申請書內容，請宋健民提供意見，被證39係專利事務所寄予證人陳盈同及宋健民之電子郵件，載明附表編號5 所示專利之請求項內容，依指示增加請求項12、13之限制條件，其僅能證明宋健民有參與陳盈同申請附表編號4 、5 所示專利之過程，無法證明該等專利由宋健民提供技術所研發而成云云。職是，益徵宋健民抗辯，不足為憑。

2.附表編號3所示專利請求項3 ：附表編號3 所示專利請求項3 直接依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中基座包括一基板及一結合劑層；至少一CVD 鑽石刀片之一端分別接觸基板；基板、至少一CVD 鑽石刀片藉由結合劑層結合一體」。附表編號3 所示專利請求項1之技術徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第4 頁第11至14行記載：所提供刀片鑽石碟(UDD, Ultimate Diamond Disk)，因聚晶鑽石(PCD,Polycrys talline Diamond ) 強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，且可利用線切割放電加工控制刀刃高度、間距，切割出每片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂組裝成鑽石碟。再者，原證20第35頁之圖4.1 所示，多片一體成形刀片係組裝於一基材上而成為鑽石碟。可知「環氧樹脂」及「基材」分別對應，附表編號3 所示專利請求項3 「結合劑層」及「基板」。準此，附表編號3 所示專利請求項3 之技術特徵，揭露於原證20、23。

3.附表編號3所示專利請求項4：附表編號3 所示專利請求項4 直接依附請求項3 之附屬項，進一步界定「其中基座包括一固定模具；固定模具有至少一第一孔；至少一CVD 鑽石刀片的一端分別穿過至少一第一孔接觸基板；結合劑層置於基板及固定模具間；結合劑層固定結合固定模具」。附表編號3 所示專利請求項3 之技術特徵揭露於原證20、23。再者，原證20第24頁第7 至9 行記載：將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板，不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔之設計，使鑽石尖點統一朝下，其中不銹鋼模板可對應於請求項4 「固定模具」。本項僅是將不銹鋼模板開設配合鑽合顆粒之孔洞，簡單改變為配合增設之CVD 刀片形狀。職是，附表編號3 所示專利請求項4 之技術特徵，揭露於原證20、23。

4.附表編號3所示專利請求項6 ：附表編號3 所示專利請求項6 係直接依附第1 項之附屬項，進一步界定「其中基座包括一基板及一結合劑層；至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒之一端，分別接觸基板；基板、至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒藉由結合劑層結合一體」。附表編號3 所示專利請求項1 之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第4 頁第11至14行記載：所提供刀片鑽石碟，因聚晶鑽石之強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，且可利用線切割放電加工控制刀刃高度、間距，切割出每片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂組裝成鑽石碟。再者，由原證20第24頁第12至15行記載：然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石之半成品；復以不銹鋼材之金屬板當做基材黏於環氧樹脂，並於其上施加壓力，鑽石碟即製作完成。第35頁之圖4.1 所示，多片一體成形刀片，組裝於一基板上而成為鑽石碟。可知「環氧樹脂」及「不銹鋼基材」可分別對應，附表編號3 所示專利請求項6 「結合劑層」及「基板」。準此，故附表編號3 所示專利請求項6 所記之技術特徵，揭露於原證20、23。

5.附表編號3所示專利請求項7 ：附表編號3 所示專利請求項7 係直接依附請求項6 之附屬項，進一步界定「其中基座包括一固定模具；固定模具具有至少一第一孔及多個第二孔；至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒之一端分別穿過至少一第一孔、多個第二孔接觸基板；結合劑層置於基板及固定模具間；結合劑層固定結合固定模具」。附表編號3 所示專利請求項6 之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第24頁第7 至9 行記載：將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板，不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔之設計，使鑽石尖點統一朝下，其中「不銹鋼模板」及「孔洞」可分別對應，附表編號3 所示專利請求項7 「固定模具」及「第二孔」。本項僅是將不銹鋼模板開設配合鑽合顆粒之孔洞，簡單改變為配合增設之CVD 刀片形狀而為第一孔。職是，附表編號3 所示專利請求項7 之技術特徵，揭露於原證20、23。

6.附表編號3所示專利請求項9 ：附表編號3 所示專利請求項9 直接依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中基座支撐及固定結合至少一PCD 鑽石刀片；至少一PCD 鑽石刀片突出基座」。附表編號3 所示專利請求項1 之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第4頁第11至14行記載：所提供刀片鑽石碟，因聚晶鑽石其強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，切割出每片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂組裝成鑽石碟，其中「聚晶鑽石刀片」可對應，附表編號3 所示專利請求項9 「PCD 刀片」。準此，附表編號3 所示專利請求項9 之技術特徵，揭露於原證20、23。

7.附表編號3所示專利請求項10：附表編號3 所示專利請求項10直接依附請求項9 之附屬項，進一步界定「其中至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及至少一PCD 鑽石刀片分別突出基座之突出量相等」。附表編號3 所示專利請求項9 之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第24頁第7 至11行記載：將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，在直徑104mm 之區域內，不銹鋼模板開有特殊形狀之孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔之設計讓鑽石尖點統一朝下，使鑽石之突出高度與模板厚度概等，在鑽石上擺放一層緩衝墊，再施加壓力於鑽石上來調整突出高度。本項僅是將調整鑽石顆粒突出高度之技術，簡單改變為將增設之CVD 刀片及PCD 刀片突出高度。職是，附表編號3所示專利請求項10之技術特徵，揭露於原證20、23。

8.附表編號3所示專利請求項12：附表編號3 所示專利請求項12直接依附請求項9 之附屬項，進一步界定「其中基座包括一基板及一結合劑層；至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及至少一PCD 鑽石刀片之一端分別接觸該基板；基板、至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及至少一PCD 鑽石刀片藉由結合劑層結合一體。附表編號3 所示專利請求項9 之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第4 頁第11至14行記載：所提供刀片鑽石碟，因聚晶鑽石之強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，且可利用線切割放電加工控制刀刃高度、間距，切割出每片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂組裝成鑽石碟。再者，由原證20第24頁第12至15行記載：然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石之半成品；復以不銹鋼材之金屬板當做基材黏於環氧樹脂，並於其上施加壓力，鑽石碟即製作完成。第35頁之圖4.1所示，多片一體成形刀片，係組裝於一基板上而成為鑽石碟。可知「環氧樹脂」及「不銹鋼基材」可分別對應，附表編號3 所示專利請求項12「結合劑層」及「基板」，本項僅是將鑽石顆粒以環氧樹脂結合於基板之技術，簡單改變為將增設的CVD 刀片及PCD 刀片，併以環氧樹脂結合於基板。準此，附表編號3 所示專利請求項12之技術特徵，揭露於原證20、23。

9.附表編號3所示專利請求項13：附表編號3 所示專利請求項13直接依附請求項12之附屬項，進一步界定「其中基座包括一固定模具；固定模具有至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔；至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及至少一PCD 鑽石刀片之一端分別穿過至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔接觸基板；結合劑層置於基板及固定模具間；結合劑層固定結合固定模具」。附表編號3 所示專利請求項12之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第24頁第7 至9 行記載：將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板，不銹鋼模板開有特殊形狀之孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔之設計使鑽石尖點統一朝下，其中「不銹鋼模板」及「孔洞」可分別對應，附表編號3所示專利請求項13「固定模具」及「第二孔」。本項僅是將不銹鋼模板開設配合鑽石顆粒之孔洞，簡單改變為配合增設之CVD 刀片形狀而為第一孔，並配合增設之PCD 刀片形狀而為第三孔。職是，附表編號3 所示專利請求項13所之技術特徵，揭露於原證20、23。

⒑附表編號3所示專利請求項18：附表編號3 所示專利請求項18直接依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中基座包括一基板及一固定模具；固定模具具有至少一第一孔及多個第二孔；至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒之一端分別穿過至少一第一孔、多個第二孔結合基板；基板固定結合固定模具」。附表編號3 所示專利請求項1 之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第24頁第7 至9 行記載：將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板，不銹鋼模板開有特殊形狀之孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔之設計讓鑽石尖點統一朝下，其中原證20「不銹鋼模板」及「孔洞」可分別對應，附表編號3 所示專利請求項18「固定模具」及「第二孔」。本項僅是將不銹鋼模板開設配合鑽石顆粒之孔洞，簡單改變為配合增設之CVD 刀片形狀而為第一孔。準此，附表編號3 所示專利請求項18之技術特徵，揭露於原證20、23。

⒒附表編號3所示專利請求項20：附表編號3 所示專利請求項20直接依附請求項9 之附屬項，進一步界定「其中基座包括一基板及一固定模具；固定模具具有至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔；至少一CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片之一端分別穿過至少一第一孔、多個第二孔及該至少一第三孔結合基板；基板固定結合固定模具」。附表編號3 所示專利請求項9 之技術特徵，揭露於原證26。再者，原證20第24頁第7 至9 行記載：將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板，不銹鋼模板開有特殊形狀之孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔之設計讓鑽石尖點統一朝下，其中原證20「不銹鋼模板」及「孔洞」可分別對應，附表編號3 所示專利請求項20「固定模具」及「第二孔」。本項僅是將不銹鋼模板開設配合鑽合顆粒之孔洞，簡單改變為配合增設之CVD 刀片形狀而為第一孔，並配合增設之PCD 刀片形狀而為第三孔。職是，附表編號3 所示專利請求項20之技術特徵，揭露於原證20、23。

⒓附表編號3所示專利請求項27：附表編號3 所示專利請求項27直接依附請求項26之附屬項，進一步界定「其中固定模具之材料為選自金屬、金屬合金、有機聚合物、陶瓷材料、碳材料玻璃材料、上述材料之混合物其中之一者」。請求項26直接依附請求項25中任一項之附屬項，進一步界定「其中結合劑層之材料為選自金屬、金屬合金、有機聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料、上述材料之混合物及焊接合金材料其中之一者」。請求項25直接依附請求項7 中任一項之附屬項，進一步界定「其中基板的材料為選自金屬、金屬合金、有機聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料及上述材料之混合物其中之一者」。附表編號3所示專利請求項7 之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第24頁第7 至15行記載：將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板，不銹鋼模板開有特殊形狀之孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔之設計讓鑽石尖點統一朝下，然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石之半成品；復以不銹鋼材之金屬板當做基材黏於環氧樹脂，並於其上施加壓力，鑽石碟可製作完成，其中「不銹鋼材之金屬板當做基材」可分別對應附表編號3所示：⑴專利請求項25「基板為金屬或金屬合金」、「環氧樹脂」；⑵請求項26「結合劑層為有機聚合物」、「不銹鋼模板」；⑶請求項27「固定模具材料為金屬或金屬合金」。準此，附表編號3 所示專利請求項27之技術特徵，揭露於原證20、23。

⒔附表編號3所示專利請求項28：附表編號3 所示專利請求項28直接依附請求項7 之附屬項，進一步界定「其中CVD 鑽石刀片是含硼之導電CVD 鑽石刀片」。附表編號3 所示專利請求項7 之技術徵，揭露於原證20、23。再者，原證23第20頁第4.2.2 節記載：用HFCVD 方式蒸鍍鑽石薄膜，最後將處理好之試片放入HFCVD 爐中，並以鎢絲加熱之技術，乃相同於附表編號3 所示專利說明書第13頁第1 至9 行，所列舉之氣相沉積方法實例：本發明所稱之化學氣相沉積法或CVD ，是指任何以氣相狀態化學沉積鑽石於基材之方法，包括任何實例，因氣相沉積之方法實例包括熱燈絲氣相沉積法(Filament CVD)。且附表編號3 所示專利說明書第13頁第3 行記載「本發明之CVD 鑽石刀片可以是含硼的導電CVD 鑽石刀片」。附表編號3 所示專利說明書亦未記載使用含硼之導電CVD 鑽石刀片之特殊功效。準此，本項僅是將CVD 鑽石刀片之鑽石材質，由原證23之CVD 鑽石簡單改變為含硼的導電CVD 鑽石，是附表編號3 所示專利請求項28之技術特徵，揭露於原證20、23。

⒕附表編號3所示專利請求項29：附表編號3 所示專利請求項29直接依附請求項1 至5 及6 至27中任一項之附屬項，進一步界定「其中CVD 鑽石刀片是含硼之導電CVD 鑽石刀片」。附表編號3 所示專利請求項1至5 及6 至27中任一項所記之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證23記載與附表編號3 所示專利相同之HFCVD 技術，而附表編號3 所示專利之說明書未記載使用含硼之導電CVD 鑽石刀片之特殊功效。職是，本項僅是將CVD 鑽石刀片之鑽石材質，由96年結案報告之CVD 鑽石簡單改變為含硼之導電CVD 鑽石，是附表編號3 所示專利請求項29之技術特徵，揭露於原證20、23。

⒖附表編號3所示專利請求項33：附表編號3 所示專利請求項33直接依附請求項30之附屬項，進一步界定「包括多片CVD 鑽石刀片；多片CVD 鑽石刀片之形狀呈相同之長條形；多片CVD 鑽石刀片等間隔，且呈對稱性之排列成圓形，多片CVD 鑽石刀片之排列方向朝向圓心；多個超硬材料顆粒排列於多片CVD 鑽石刀片間」。附表編號3 所示專利請求項30依附請求項1 至28中任一項之附屬項，進一步界定「其中多個超硬材料顆粒為選自人造鑽石顆粒、非人造鑽石顆粒、立方晶氮化硼顆粒、多晶立方氮化硼顆粒、最硬結晶體顆粒及上述顆粒之混合其中之一者」。附表編號3 所示專利請求項1 、3 、4 、6 、7 、9 、10、12、13、18、20、27、28之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20第28頁之圖3.15，揭露將SiC-PCD 人造鑽顆粒排列固定於基板之技術，而第35頁之圖4.1 亦揭露將PCD 鑽石長條形刀片，呈等間隔且對稱性之朝向圓心排列成圓形之技術。準此，附表編號3 所示專利請求項30及33之技術特徵，揭露於原證20、23。

⒗附表編號3所示專利請求項34：附表編號3 所示專利請求項34直接依附請求項30之附屬項，進一步界定「包括多片CVD 鑽石刀片；多片CVD 鑽石刀片之形狀呈相同長條形；多片CVD 鑽石刀片等間隔，且呈對稱性之排列成多邊形；多個超硬材料顆粒排列於多片CVD 鑽石刀片間」。附表編號3 所示專利請求項30之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20揭露將SiC-PCD 人造鑽顆粒排列固定於基板的技術，並將PCD 鑽石長條形刀片，呈等間隔且對稱性之朝向圓心排列成圓形技術。且附表編號3 所示專利說明書第9 頁第14至16行記載「本發明拋光墊修整器之鑽石刀片形狀可為是圓形、環形、矩形、三角形、多邊形或無規則形狀等各種形狀，且多片鑽石刀片可有各種不同排列。附表編號3 所示專利之說明書亦未記載CVD 鑽石刀片排列成多邊形之特殊功效。職是，本項僅是將CVD 鑽石刀片之排列方式，由原證20之PCD 長條形鑽石刀片排列成圓形，簡單改變為排列成多邊形，是附表編號3 所示專利請求項34之技術特徵，揭露於原證20、23。

⒘附表編號3所示專利請求項35：附表編號3 所示專利請求項35直接依附請求項30之附屬項，進一步界定「包括多片CVD 鑽石刀片；多片CVD 鑽石刀片之形狀呈相同長條形；多片CVD 鑽石刀片等間隔之排列成圓形，該多片CVD 鑽石刀片之排列方向偏離圓心；多個超硬材料顆粒排列於多片CVD 鑽石刀片間」。附表編號3 所示專利請求項30之技術特徵，揭露於原證20、23。再者，原證20揭露將SiC-PCD 人造鑽顆粒排列固定於基板之技術，並將PCD 鑽石長條形刀片，呈等間隔且對稱性之朝向圓心排列成圓形技術。而附表編號3 所示專利之專利說明書第9 頁第14至16行亦記載「本發明拋光墊修整器之鑽石刀片的形狀可以是圓形、環形、矩形、三角形、多邊形或無規則形狀等各種形狀，且多片鑽石刀片可有各種不同之排列」。附表編號3 所示專利說明書亦未記載CVD 鑽石刀片排列方向偏離圓心之特殊功效。準此，本項僅是將CVD 鑽石刀片之排列方式，由原證20之PCD 長條形鑽石刀片排列成圓形，簡單改變為排列成偏離圓心，是附表編號3 所示專利請求項35之技術特徵，揭露於原證20、23。

⒙附表編號3所示專利請求項36：附表編號3 所示專利3 請求項36直接依附請求項30之附屬項，進一步界定「包括多片CVD 鑽石刀片；多片CVD 鑽石刀片之形狀呈相同長條形；多片CVD 鑽石刀片依序排列成鋸齒狀且為成圓形；多個超硬材料顆粒排列於多片CVD 鑽石刀片間」。附表編號3 所示專利請求項30之技術徵，揭露於原證20、23。再者，原證20揭露將SiC-PCD 人造鑽顆粒排列固定於基板之技術，並將PCD 鑽石長條形刀片，呈等間隔且對稱性之朝向圓心排列成圓形之技術。再者，附表編號3 所示專利之說明書第9 頁第14至16行亦記載「本發明拋光墊修整器之鑽石刀片形狀可為圓形、環形、矩形、三角形、多邊形或無規則形狀等各種形狀，且多片鑽石刀片可有各種不同之排列」。附表編號3 所示專利3 說明書未記載CVD 鑽石刀片排列為鋸齒狀，且為成圓形的特殊功效。職是，本項僅是將CVD鑽石刀片之排列方式，由原證20之PCD 長條形鑽石刀片排列成圓形，簡單改變為排列成鋸齒狀且為成圓形，是附表編號3所示專利請求項36之技術特徵，揭露於原證20、23。

(八)附表編號4 所示專利與98年結案報告之技術內容比對：1.原證26揭示附表編號4 所示專利請求項1技術特徵：

⑴98年度結案報告之揭示內容：

①原證26之98年度結案報告第63頁第9 至16行記載：新式組合式鑽石修整器可利用環氧樹脂作結合劑，將直徑20 mm 硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座結合。利用有黏膠功能之調整墊將鑽石小碟固定於底座，再利用環氧樹脂注入底座上膠化固定，最後利用基準板加壓控制等高度，待環氧樹脂固化即完成鑽石碟製作；其中最重要之技術，是如何在環氧樹脂固化前要保持鑽石小碟之平面度，最佳之方式可在鑽石小碟下放置一彈性體作為高度控制機構，此彈性機構可彈簧、橡膠、矽膠、雙面膠等具有微彈性之材料，俟環氧樹脂固化後，鑽石小碟之高度亦不會再改變。

②原證26之第64頁第2 至6 行記載：組合鑽石碟等高度比較圖，如圖5.4 ，由圖中組合式鑽石碟修整器鑽石磨粒之等高度差約75um；而另一組合式鑽石修整器8+4 鑽石磨粒之等高度差可達40um以下，有效改善磨粒等高度之問題；倘未來改善平板模具之平面度達5um 以上，便可以使壓入鑽石小碟之平行度達到20um以下。再者，第65頁之圖5-2(a)所示，鑽石小碟上之鑽石磨粒，係突出於小碟與底座及樹脂之結合面；第66頁之圖5-4 所示：樣品編號8+4_A 鑽石磨粒之等高度差在20微米內。

③綜上所述，原證26「組合式鑽石修整器」、「不銹鋼底座」、「調整墊或彈性機構」、「硬銲之鑽石小碟」、「鑽石磨粒」及「環氧樹脂」可分別對應，附表編號4 所示專利請求項1 「組合式修整器」、「大基板」、「彈性單元」、「研磨單元」、「磨粒」及「結合劑」。準此，原證26揭示附表編號4 所示專利請求項1 「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器），是作為CMP 拋光墊之修整器者，包括：一大基板（不銹鋼底座），設有一結合面；結合面設有複數凹槽，如第65頁圖5-3 所示圓形凹槽；複數彈性（調整墊或彈性機構）單元分別置於複數凹槽內；複數研磨單元（硬銲之鑽石小碟），複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板的一面分別設有複數磨粒（鑽石磨粒）；複數磨粒分別具有切削端；複數小基板之相對於設有複數磨粒另一面分別接觸該複數彈性單元，如第65頁圖5.2(a)所示，小碟底度與調整墊接觸，以藉由複數彈性單元彈性調整複數磨粒之切削端突出大基板之高度；藉由一結合劑層（環氧樹脂）使大基板及複數研磨單元之小基板分別固定結合；其中複數磨粒之切削端分別與一平面之高度差異在20微米內，如第66頁圖5.4 ：樣品編號8+4_A 所示，原證26完全揭露附表編號4 所示專利請求項1之所有之技術特徵。

⑵原證26完全揭露附表編號4所示專利請求項1之技術特徵：宋健民雖辯稱：中砂公司僅稱結案報告內有與附表編號4 所示專利之發明相同，並未說明技術創作之發想；所謂小鑽石碟底部使用橡膠、矽膠等彈性體或彈性單元，乃宋健民教導陳盈同之方法，而組合式鑽石修整器是源自於宋健民之我國專利第097137069 號申請案，該專利具有將複數個小尺寸研磨單元組，設在一個大尺寸基板上形成拼盤式等特徵；且附表編號4 所示專利請求項1 特徵包含「複數磨粒的切削端分別與一平面之高度差異在20微米內」，此特徵可參見我國專利第096143399 號申請案，其中請求項15有「少於大約20微米之切割深度」特徵，足見該特徵由宋健民傳授云云。惟原證26完全揭露系爭專利4 請求項1 ，參諸被證22僅揭露利用具有多晶鑽石(PCD) 刀片及研磨顆粒組成之研磨層，黏附於小尺寸之研磨片段，各研磨片段再附著於拋光墊修整器之大尺寸基材，而組成修整器，未揭露附表編號4 所示專利之小基板相對於設有複數磨粒之另一面，分別接觸複數彈性單元。再者，被證24請求項15雖有揭露超硬切割裝置被使用於研磨一工件時，預設高度少於大約20微米切割深度之技術特徵，惟被證24之超硬切割裝置，僅在限定各獨立聚晶切割元件之尖端對齊一共同平面後所須達到之切割深度，並未有附表編號4 所示專利之小基板與大基板結合間，設有彈性單元之技術特徵。準此，宋健民上開辯稱，不足為憑。

2.原證26揭示附表編號4所示專利請求項9與10技術特徵：附表編號4 所示專利請求項9 直接依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中該小基板為圓盤狀，直徑為10至30厘米」、請求項10直接依附請求項9 之附屬項，進一步界定「其中小基板之直徑為20厘米」。附表編號4 所示專利請求項1 之技術特徵，揭露於原證2 。再者，原證26第63頁第9 至10行揭示：將直徑20mm硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座結合。職是，附表編號4 所示專利請求項9 、10之技術特徵，揭露於原證26。

3.原證26揭示附表編號4所示專利請求項11至14：附表編號4 所示專利請求項11至14均係直接依附請求項1之附屬項，進一步界定複數磨粒之排列形狀分別為「呈同心圓」、「呈矩陣式」、「呈矩陣式」。附表編號4 所示專利請求項1 之技術特徵，揭露於原證26。再者，原證26第63頁第7 行揭示：鑽石磨粒可排列為輻射狀、同心圓、矩陣式及對稱式等排列組合。準此，附表編號4 所示專利請求項11至14之技術特徵，揭露於原證26。

4.原證26揭示附表編號4所示專利請求項15：附表編號4 所示專利請求項15係直接依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中複數彈性單元分別是橡膠材料、彈簧、半凝固之塑膠、矽膠、半凝固的膠水或泡棉其中之一製成者」。而附表編號4 所示專利請求項1 之技術特徵，揭露於原證26。再者，原證26第63頁第15行揭示：彈性機構可彈簧、橡膠、矽膠、雙面膠等具有微彈性之材料。職是，附表編號4 所示專利請求項15之技術特徵，揭露於原證26。

5.原證26揭示附表編號4所示專利請求項19：附表編號4 所示專利請求項19依請求項1 至18中任一項之附屬項，進一步界定「其中複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心之複數同心環排列之形狀、呈矩陣式排列的形狀或呈環狀排列之形狀其中之一者」。經宋健民確認請求項19僅需比對先前有比對勾選比對之項目。附表編號4 所示專利請求項1 、9 至15之技術特徵，揭露於原證26。再者，原證26第65頁之第5.3 圖揭示：外圍8 個凹槽可使鑽石小碟呈環狀排列之形狀。準此，附表編號4 所示專利請求項19之技術特徵，揭露於原證26。

6.原證26揭示附表編號4所示專利請求項20：附表編號4 所示專利請求項20「一種組合式修整器，包括一大基板；複數研磨單元，複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；複數小基板之相對於設有複數磨粒之另一面，分別接觸複數彈性單元，以藉由複數彈性單元彈性調整複數磨粒之切削端突出大基板之高度；其中大基板包括一第一支架及一結合劑層；第一支架設有容納複數彈性單元之複數穿透孔；結合劑層固定結合第一支架及複數小基板；複數磨粒之切削端分別與一平面之高度差異在20微米內」。請求項20相較於請求項1 ，主要係更加界定大基板包括一第一支架及一結合劑層，並以結合劑層固定結合第一支架及小基板。附表編號4 所示專利請求項1 之技術特徵，揭露於原證26。再者，原證26第65頁之圖5.2(b)揭示，在底座上使用一隔板設有露出鑽石小碟切削端之穿透孔，可對應於請求項20之第一支架。故附表編號4 所示專利請求項20之技術特徵，揭露於原證26。是原證26揭示附表編號4 所示專利請求項20「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器），包括一大基板（不銹鋼底座）；複數研磨單元（硬銲之鑽石小碟），複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒（鑽石磨粒）；複數磨粒分別具有切削端；複數小基板之相對於設有該複數磨粒之另一面，；分別接觸複數彈性單元（調整墊或彈性機構），以藉由複數彈性單元彈性調整複數磨粒之切削端突出大基板之高度；其中大基板包括一第一支架（隔板）及一結合劑層（環氧樹脂）；第一支架設有容納複數彈性單元之複數穿透孔；結合劑層固定結合第一支架及複數小基板；複數磨粒之切削端分別與一平面之高度差異在20微米內，如第66頁之圖5.4 ：樣品編號8+4_A 所示」。準此，原證26完全揭露附表編號4 所示專利請求項20所有之技術特徵。

7.原證26揭示附表編號4所示專利請求項21：附表編號4 所示專利請求項21直接依附第20項之附屬項，進一步界定「其中複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心之複數同心環排列之形狀、呈矩陣式排列之形狀或呈環狀排列之形狀其中之一者」。附表編號4 所示專利請求項20之技術徵，揭露於原證26。再者，原證26第65頁之第5.3 圖揭示：外圍之8 個凹槽可使鑽石小碟呈環狀排列之形狀。職是，附表編號4 所示專利請求項21之技術特徵，揭露於原證26。

8.原證26揭示附表編號4所示專利請求項22：附表編號4 所示專利請求項22「一種組合式修整器，包括一大基板；複數研磨單元，複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；其中複數研磨單元分別固定結合該大基板；複數磨粒之切削端分別與一平面之高度差異在20微米內；其中大基板結合一固定模具；固定模具設有複數孔；複數磨粒之切削端分別穿過複數孔」。請求項22相較於請求項1 ，主要係增加一設有複數孔固定模具。附表編號4 所示專利請求項1 之技術特徵，揭露於原證26。再者，原證26第65頁之圖5.2(b)揭示，在底座上使用一隔板設有露出鑽石小碟切削端之穿透孔，可對應於請求項22之固定模具。準此，附表編號4 所示專利請求項22所記之技術特徵揭露於原證26。是原證26揭示附表編號4 所示專利請求項22「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器），包括一大基板（不銹鋼底座）；複數研磨單元（硬銲之鑽石小碟），複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒（鑽石磨粒）；複數磨粒分別具有切削端；其中複數研磨單元分別固定結合大基板；複數磨粒之切削端分別與一平面之高度差異在20微米內，如第66頁之圖5.4 中：樣品編號8+4_A 所示；其中大基板結合一固定模具（隔板）；固定模具設有複數孔；複數磨粒之切削端分別穿過複數孔」。是原證26完全揭露附表編號4 所示專利請求項22所有之技術特徵。

9.原證26揭示附表編號4所示專利請求項23：附表編號4 所示專利請求項23直接依附請求項22之附屬項，進一步界定「其中大基板包括一第二支架及一結合劑層；結合劑層固定結合該第二支架及複數小基板」。附表編號4所示專利請求項22之技術特徵，揭露於原證26。再者，如原證26第65頁之圖5.2(a)所示：大基板包括一底座及一樹脂層，樹脂固定結合底座及鑽石小碟。職是，附表編號4 所示專利請求項23之技術特徵，揭露於原證26。

⒑原證26揭示附表編號4所示專利請求項24：附表編號4 所示專利請求項24直接依附請求項22或23之附屬項，進一步界定「其中複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心之複數同心環排列之形狀、呈矩陣式排列之形狀或呈環狀排列之形狀其中之一者」。附表編號4 所示專利請求項22或23之技術特徵揭露於原證26。再者，原證26第65頁之第5.3圖揭示：外圍之8 個凹槽可使鑽石小碟呈環狀排列之形狀。職是，附表編號4 所示專利請求項24之技術特徵，揭露於原證26。

⒒原證26揭示附表編號4所示專利請求項25：

⑴揭示組合式修整器之製法：附表編號4 所示專利請求項25「一種組合式修整器之製法，包括如下步驟：①使複數彈性單元分別置於一大基板之一結合面之複數凹槽內；②使複數研磨單元分別與複數彈性單元相疊；複數彈性單元分別施予複數研磨單元離開大基板之力量；③使一平板同一水平方向之施予複數磨粒之切削端靠向大基板之力量，藉由平板的施予複數研磨單元之壓力及複數彈性單元推頂複數研磨單元之彈力呈相等之狀態，使複數切削分別與一平面之高度差異在20微米內；④藉由結合劑層使大基板固定結合複數研磨單元，使複數切削端被固定形成該組合式修整器」。請求項25相較於請求項1 ，主要為請求項1 組合式修整器之製作方法。準此，附表編號4 所示專利請求項1 之技術特徵揭露於原證26。

⑵揭示組合式修整器製法之步驟：原證26第65頁之圖5.2(a)揭示，使用一基準板隔著保護片將多個鑽石小碟朝底座方向施加壓力，基準板可對應於請求項25之平板。故附表編號4 所示專利請求項25之技術特徵，揭露於原證26，原證26揭示附表編號4 所示專利請求項25「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器）製法，包括如後步驟：①使複數彈性單元（調整墊或彈性機構）分別置於一大基板（不銹鋼底座）一結合面之複數凹槽，如第65頁圖5-3 所示，圓形凹槽內；②使複數研磨單元（硬銲之鑽石小碟）分別與複數彈性單元相疊；複數彈性單元分別施予該複數研磨單元離開大基板之力量；③使一平板（基準板）同一水平方向之施予複數磨粒（鑽石磨粒）切削端靠向大基板之力量，藉由平板之施予複數研磨單元之壓力及複數彈性單元推頂複數研磨單元之彈力呈相等狀態，使複數切削分別與一平面之高度差異在20微米內，如第66頁之圖5.4 ：樣品編號8+4_ A所示；④藉由結合劑層（環氧樹脂）使大基板固定結合複數研磨單元，使複數切削端被固定形成組合式修整器」。職是，原證26揭露附表編號4 所示專利請求項25所有技術特徵。

⒓原證26揭示附表編號4所示專利請求項26：附表編號4 所示專利請求項26直接依附請求項25之附屬項，進一步界定「其中複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；複數磨粒之切削端分別突出大基板」。附表編號4 所示專利請求項25之技術特徵揭露於原證26。再者，如原證26第65頁之圖5.2(a)所示：鑽石小碟具有一小基板及多個鑽石磨粒，一端凸出於底座及樹脂層。職是，附表編號4 所示專利請求項26之技術特徵揭露於原證26。

⒔原證26揭示附表編號4所示專利請求項27：

⑴揭示組合式修整器之製法：附表編號4 所示專利請求項27「一種組合式修整器之製法，包括如下步驟：①使複數彈性單元分別置於一第一模具之複數凹槽內；②使複數研磨單元分別與複數彈性單元相疊；複數彈性單元分別施予複數研磨單元離開第一模具之力量；③使一平板同一水平方向之施予複數磨粒的切削端靠向第一模具之力量，藉由平板分別施予複數研磨單元之壓力及複數彈性單元分別推頂研磨單元之彈力呈相等狀態，使複數切削端分別與一平面之高度差異在20微米內；④使一大基板分別結合該複數研磨單元，使該複數切削端被固定形成組合式修整器」。請求項27相較於請求項25，主要差異係請求項27 使用一第一模具容置彈性單元及研磨單元，並使一大基板結合研磨單元。而請求項25使用大基板容置彈性單元及研磨單元，並藉由結合劑層使大基板固定結合複數研磨單元。準此，附表編號4 所示專利請求項25之技術特徵揭露於原證26。

⑵揭示組合式修整器製法之步驟：原證26之第65頁圖5.3 ，揭示在不銹鋼底座上設有多個圓形凹槽。第63頁第9 至10行記載：利用環氧樹脂做結合劑將硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座結合，可對應於請求項26之第一模具及大基板，請求項27僅是將原證26中之不銹鋼底座當成模具使用，在完成修整器後使其與環氧樹脂分離，為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變。故附表編號4 所示專利請求項27之技術特徵揭露於原證26，98年結案報告揭示附表編號4 所示專利請求項27「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器）製法，包括如下步驟：①使複數彈性單元（調整墊或彈性機構）分別置於一第一模具（不銹鋼底座）複數凹槽內，如第65頁圖5-3 所示圓形凹槽；②使複數研磨單元（硬銲的鑽石小碟）分別與複數彈性單元相疊；複數彈性單元分別施予複數研磨單元離開第一模具的力量；

③使一平板（基準板）同一水平方向之施予複數磨粒（鑽石磨粒）切削端，靠向第一模具之力量，藉由平板分別施予複數研磨單元之壓力及複數彈性單元，分別推頂研磨單元之彈力呈相等的狀態，使複數切削端分別與一平面之高度差異在20微米內，如第66頁圖5.4 ：樣品編號8+4_ A所示；④使一大基板（環氧樹脂）分別結合複數研磨單元，使複數切削端被固定形成組合式修整器。

⒕原證26揭示附表編號4所示專利請求項28：附表編號4 所示專利請求項28直接依附請求項27之附屬項，進一步界定「其中複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；該複數磨粒的切削端分別突出大基板」。附表編號4 所示專利請求項27之技術特徵揭露於原證26。再者，如原證26第65頁之圖5.2(a)所示：鑽石小碟具有一小基板及多個鑽石磨粒，一端凸出於樹脂層。職是，附表編號4 所示專利請求項28之技術特徵揭露於原證26。

⒖原證26揭示附表編號4所示專利請求項29：附表編號4 所示專利請求項29直接依附請求項28之附屬項，進一步界定「其中大基板包括一第一支架及一結合劑層；第一支架設有容納複數彈性單元之複數穿透孔；第一支架置於第一模具內；結合劑層固定結合第一支架及複數小基板」。附表編號4 所示專利請求項28之技術特徵揭露於原證26。再者，如原證26第65頁之圖5.2(b)所示，可設置一隔板於底座上並使鑽石小碟穿透隔板上之孔，其中「隔板（或模板）」可對應於本項「第一支架」，將其應用於第65頁之圖5.2(a)與樹脂結合，可固定結合鑽石小碟與「利用模板之厚度控制鑽石小碟在不銹鋼底座上的突出量」（參照原證26之第17頁第6 至7 行）。準此，附表編號4 所示專利請求項29之技術特徵揭露於原證26。

⒗原證26揭示附表編號4所示專利請求項30：

⑴原證26對應附表編號4所示專利請求項30之技術特徵：附表編號4 所示專利請求項30「一種組合式修整器之製法，包括如下步驟：①使相疊之一固定模具及一可刺入單元置於一第二模具內；②使複數研磨單元之複數磨粒之切削端，分別穿過固定模具之複數孔接觸可刺入單元；③使複數磨粒之切削端分別刺入可刺入單元接觸第二模具的一底壁，而使複數切削端分別與一平面之高度差異在20微米內；④使一大基板分別結合複數研磨單元及固定模具，使複數切削端被固定；⑤使彈性單元分離複數切削端，形成組合式修整器。原證26第63頁第17至19行記載：直接將硬銲之鑽石小碟置於不鏽鋼底座的盲孔上，如圖5.2b所示，其利用20噸之油壓壓床將鑽石小碟嵌入孔洞中，為使鑽石小碟可以與基座結合固定。再者，原證26之第64頁第1 行記載：倘為避免組合後之表面間隙，可加入結合劑作為補縫作用。由第65頁圖5.2(b)所示：一隔板及一保護片置於一下方基準板之範圍內，鑽石小碟之切削端穿過隔板而接觸保護片，當上方基準板向不銹鋼底座方向加壓時，鑽石小碟之切削端，可刺入保護片而接觸下方基準板之底壁，保護片可與複數切削端分離。原證26之第64頁第2 至5 行及第66頁之圖5-4 揭示：樣品編號8+4_A 鑽石磨粒之等高度差在20微米內。職是，原證26「組合式鑽石修整器」、「隔板」、「保護片」、「下方基準板」、「硬銲之鑽石小碟」、「鑽石磨粒」及「環氧樹脂」可分別對應，附表編號4 所示專利請求項30「組合式修整器」、「固定模具」、「可刺入單元」、「第二模具」、「研磨單元」、「磨粒」及「結合劑」。

⑵揭示組合式修整器製法之步驟：原證26揭示附表編號4 所示專利請求項30「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器）製法，包括如下步驟：①使相疊之一固定模具（隔板）及一可刺入單元（保護片）置於一第二模具，如第65頁之圖5.2(b)所示下方基準板內；②使複數研磨單元（硬銲之鑽石小碟）複數磨粒（鑽石磨粒）切削端分別穿過固定模具之複數孔接觸可刺入單元；③使複數磨粒之切削端分別刺入可刺入單元接觸第二模具之一底壁，而使複數切削端分別與一平面之高度差異在20微米內，如第66頁圖5.4 中：樣品編號8+4_A 所示；④使一大基板（結合劑）分別結合複數研磨單元及固定模具，使複數切削端被固定；⑤使彈性單元分離複數切削端，形成組合式修整器」。準此，附表編號4 所示專利請求項30之技術特徵揭露於原證26。

⒘原證26揭示附表編號4所示專利請求項31：附表編號4 所示專利請求項31直接依附請求項30之附屬項，進一步界定「其中複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；複數磨粒分別具有切削端；複數磨粒之切削端分別突出大基板」。附表編號4 所示專利請求項30之技術徵揭露於原證26。再者，如原證26第65頁之圖5.2(a)所示：鑽石小碟具有一小基板及多個鑽石磨粒，一端凸出於底座及樹脂層。職是，附表編號4 所示專利請求項31 之 技術特徵揭露於原證26。

⒙原證26揭示附表編號4所示專利請求項32：附表編號4 所示專利請求項32直接依附請求項31之附屬項，進一步界定「其中大基板包括一第二支架及一結合劑層；藉由一平板同一水平方向之施予複數磨粒之切削端刺入可刺入單元；結合劑層固定結合第二支架及複數小基板」。附表編號4 所示專利請求項31之技術特徵揭露於原證26。再者，原證26之第65頁圖5.2(b)所示：鑽石小碟可以藉由上方基準板施予加壓而與底座結合，並使鑽石磨粒之切削端刺入保護片。第64頁第1 行記載：為避免組合後之表面間隙，可加入結合劑作為補縫作用。其中「底座」及「結合劑」可分別對應於本項「第二支架」及「結合劑」。準此，附表編號4 所示專利請求項32之技術特徵揭露於原證26。

⒚原證26揭示附表編號4所示專利請求項33：附表編號4 所示專利請求項33直接依附請求項32之附屬項，進一步界定「其中可刺入單元是雙面膠帶」。附表編號4 所示專利請求項32之技術特徵揭露於原證26。再者，原證26第18 頁 第1 至3 行記載：保護膠片採用PE製作目的，在於保護鑽石磨粒。在第41頁第7 至9 行揭示：可刺穿膠帶是以紙為主要材質，鑽石可輕易刺穿，雙面膠帶則會黏在鑽石表面可防止環氧樹脂向下流動，使得可供切削之部位較大，其中「隔板（或模板）」可對應於本項「第一支架」，將其應用於第65頁圖5.2(b)之保護膠片，除保護鑽石磨粒外，亦可防止環氧樹脂向下流動，使得可供切削之部位較大。準此，附表編號4 所示專利請求項33之技術特徵揭露於原證26。

(九)附表編號5 所示專利與98年度結案報告之技術內容比對：1.原證26揭示附表編號5所示專利請求項1技術特徵：

⑴98年度結案報告之揭示內容：原證26第63頁第17至21行記載：另外一種組合式鑽石修整器之組裝過程可以無結合劑，直接將硬銲之鑽石小碟置於不鏽鋼底座的盲孔上，如圖5.2b，其利用20噸之油壓壓床將鑽石小碟崁入孔洞中，為使鑽石小碟可以與基座結合固定，必須使鑽石小碟與基座有材料變形結合，或是改變結合之角度（梯度），使其產生過盈結合。第64頁第1 至6 行記載：倘果為避免組合後之表面間隙，可加入結合劑作為補縫作用。在先期實驗中曾使用通孔之基座，組合鑽石碟等高度比較圖如圖5.4 ，由圖中組合式鑽石碟修整器鑽石磨粒之等高度差約75um。而另一組合式鑽石修整器8+4 鑽石磨粒之等高度差可達40um以下，有效改善磨粒等高度之問題。倘果改善平板模具之平面度達5um 以上，可使壓入鑽石小碟之平行度達到20um以下。再者，第65頁圖5-2(b)所示鑽石小碟係按照加壓方向（由上而下）而被壓入底座中，可知底座中之盲孔或通孔之孔徑為上寬下窄，且鑽石小碟上之鑽石磨粒係突出於小碟與底座的結合面。而第66頁圖5-4 所示：樣品編號8+ 4_A鑽石磨粒之等高度差在20微米內。準此，原證26「組合式鑽石修整器」、「不鏽鋼底座」、「盲孔或通孔」、「硬銲之鑽石小碟」、「鑽石磨粒」、「材料變形結合」及「結合劑作為補縫或過盈結合」可分別對應附表編號5 所示專利請求項1 「組合式修整器」、「大基板」、「複數穿透孔或複數容置槽」、「研磨單元」、「磨粒」、「卡固的嵌入」及「結合劑結合或緊配結合」。

⑵原證26完全揭露附表編號5所示專利請求項1之技術特徵：

①原證26揭示附表編號5 所示專利請求項1 「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器），是作為CMP 拋光墊之修整器者，包括一大基板（不銹鋼底座），設有一結合面、一底面及複數穿透孔或複數容置槽（盲孔或通孔）其中之一者；複數穿透孔呈錐狀，複數穿透孔之孔徑為上寬下窄之形狀；複數容置槽呈錐狀，複數容置槽之槽徑為上寬下窄之形狀；複數研磨單元（硬銲之鑽石小碟），分別具有複數磨粒（鑽石磨粒）；複數磨粒分別具有複數切削端；複數研磨單元分別具有一小基板；複數小基板之一面分別設有複數磨粒；其中複數小基板相對於設有複數磨粒之另一面，分別卡固之嵌入（材料變形結合）複數穿透孔之孔徑較窄之下端，或分別卡固的嵌入複數容置槽之槽徑較窄之下端其中之一，使複數穿透孔或複數容置槽其中之一者，分別容置複數研磨單元，複數切削端分別突出結合面；複數研磨單元與該大基板間，藉由結合劑結合或緊配結合（結合劑作為補縫或過盈結合）其中之一者固定結合；複數磨粒的複數切削端分別與一平面之高度差異在20微米內，如第66頁之圖5-4 中：樣品編號8+4_A 所示。職是，原證26完全揭露附表編號5 所示專利請求項1 之所有技術特徵。

②宋健民雖辯稱：中砂公司僅稱結案報告內有與附表編號5 所示專利之發明相同，並未說明技術創作之發想；而「組合式鑽石修整器」是源自於被證22，該專利具有將複數個小尺寸研磨單元組設在一個大尺寸基板上形成拼盤式等特徵；而附表編號5 所示專利請求項1 之特徵包含「複數磨粒之複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內」，此可參見被證24，其中請求項15有「少於大約20微米的切割深度」特徵，足見該特徵由其傳授云云。惟原證26揭露附表編號5 所示專利請求項1 之技術特徵，參諸被證22僅揭露利用具有多晶鑽石(PCD) 刀片及研磨顆粒組成之研磨層黏附於小尺寸之研磨片段，各研磨片段再附著於拋光墊修整器之大尺寸基材而組成修整器，並未揭示附表編號5 所示專利之大基板，所設有複數穿透孔呈錐狀，複數穿透孔之孔徑差為上寬下窄之形狀、複數容置槽呈錐狀，複數容置槽之槽徑為上寬下窄之形狀等技術內容。再者，被證24請求項15雖有揭露超硬切割裝置被使用於研磨一工件時，該預設高度少於大約20微米之切割深度之技術特徵，惟被證24之超硬切割裝置，僅在限定各獨立聚晶切割元件之尖端對齊一共同平面後，所須達到之切割深度，並未有附表編號5 所示專利小基板研磨單元與大基板複數穿透孔及複數容置槽呈錐狀，而相互卡固結合之技術特徵。

2.原證26可輕易完成附表編號5所示專利請求項2技術特徵：附表編號5 所示專利請求項2 直接依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中大基板設有複數穿透孔；小基板相對於設有複數磨粒之另一面分別與大基板之該底面在同一基準平面」。附表編號5 所示專利請求項1 之技術特徵揭露於原證26，。再者，原證26第64頁第12行揭示：使用通孔之基座。其中「通孔」可對應於本項「穿透孔」，而鑽石小碟底部與基座底部在同一基準平面，為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變。準此，附表編號5 所示專利請求項2 所記之技術特徵，可由原證26所揭露內容而輕易完成。

3.原證26可輕易完成附表編號5所示專利請求項3技術特徵：附表編號5 所示專利請求項3 直接依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中大基板設有複數容置槽；小基板相對於設有複數磨粒之另一面分別與大基板之形成複數容置槽底部之複數底壁在同一基準平面」。附表編號5 所示專利請求項1之技術特徵揭露於原證26。再者，原證26第63頁第17至18行揭示：將硬銲之鑽石小碟置於不銹鋼底座之盲孔。其中「盲孔」可對應於本項「容置槽」，而鑽石小碟底部與盲孔底壁在同一基準平面，為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變。職是，附表編號5 所示專利請求項3 之技術特徵，可由原證26所揭露之內容而輕易完成。

4.原證26輕易完成附表編號5 所示專利請求項4、5技術特徵：附表編號5 所示專利請求項4 直接依附請求項1 之附屬項，進一步界定「其中大基板形成該複數穿透孔之複數內壁之傾斜角度為1 度至15度」。附表編號5 所示專利請求項1 之技術特徵揭露於原證26。再者，原證26第63頁第19至21行揭示：為使鑽石小碟可與基座結合固定，必須使鑽石小碟與基座有材料變形結合，可改變結合之角度（梯度），使其產生過盈結合。而使鑽石小碟與盲孔或穿透孔間產生過盈結合的梯度（即傾斜角度）為1 度至15度，為所屬技術領域中具有通常知識者經由普通、例行之試驗，可輕易獲知之技術。準此，附表編號5 所示專利請求項4 、5 之技術特徵，可由原證26 所 揭露之內容而輕易完成。

5.可輕易完成或揭露附表編號5 所示專利請求項6 技術特徵：附表編號5 所示專利請求項6 依附請求項1 至5 中任一項之附屬項，進一步界定「其中大基板形成複數穿透孔或該複數容置槽其中之一者之複數內壁與複數研磨單元之複數外壁中至少有一具有複數凹凸結構」。附表編號5 所示專利請求項1 至5 所記之技術特徵揭露於原證26，或可由原證26揭露之內容而輕易完成。再者，原證26第63頁第20行揭示：在鑽石小碟或基側面製作凹凸結構。職是，附表編號5 所示專利請求項6 之技術特徵揭露於原證26，或可由原證26揭露之內容而輕易完成。

6.可輕易完成或揭露附表編號5 所示專利請求項11技術特徵：附表編號5 所示專利請求項11依附請求項10之附屬項，一併比對請求項1 至10，其中請求項6 依附於請求項1 至5 中任一項，附表編號5 所示專利請求項11所依附之各請求項中任一項所進一步界定之技術，揭露於原證26，附表編號5 所示請求項11之技術特徵揭露於原證26，或可由原證26揭露之內容而輕易完成。申言之，本院依次比對請求項7 至10如下：

⑴揭露附表編號5 所示專利請求項7之技術特徵：附表編號5 所示專利請求項7 依附請求項6 之附屬項，進一步界定「其中大基板之材料包含金屬、金屬合金、塑膠材料、陶製品、碳製品、及上述材料之混合其中之一者」。查原證26第63頁第9 、10行揭示：將直徑20mm硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座108mm結合。

⑵輕易完成附表編號5所示專利請求項8之技術特徵：附表編號5 所示專利請求項8 依附請求項7 之附屬項，進一步界定「其中大基板之材料是316L不銹鋼材料」。原證26雖未揭露金屬大盤底座之不銹鋼材料為316L，然不銹鋼材料其中之316L為具抗強酸、強鹼、堅硬不變形等特性，乃公知技術（參照原證55第1 文段）。由於CMP 拋光墊之修整器使用於CMP 具腐蝕之化學研磨液環境，故在不銹鋼材料中選用具抗強酸、強鹼、堅硬不變形之316L，作為組合式CMP 拋光墊修整器之大盤底座，此由原證26揭露之內容而輕易完成。

⑶揭露附表編號5所示專利請求項9之技術特徵：附表編號5 所示專利請求項9 依附第8 項之附屬項，進一步界定「其中複數磨粒與小基板是藉由高溫高壓結合、硬焊、燒結、電鍍、塑膠膠合或陶瓷結合其中之一者固定結合」。查原證26第63頁第9 行記載：直徑20mm硬銲鑽石小碟。第65頁圖5.2(b)所示之鑽石小碟，係將鑽石磨粒硬焊於基板。

⑷揭露附表編號5所示專利請求項9與10之技術特徵：附表編號5 所示專利請求項10依附請求項9 之附屬項，進一步界定「其中大基板為圓盤狀，直徑為90至120 毫米。請求項11依附請求項10之附屬項，進一步界定「其中小基板為圓盤狀，直徑為10至30毫米」。查原證26第63頁第9 、10行揭示：將直徑20mm硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座108mm 結合。

7.可輕易完成或揭露附表編號5所示專利請求項14至16：附表編號5 所示專利請求項14依附請求項6 之附屬項，進一步界定「中複數穿透孔或複數容置槽其中之一者與複數研磨單元之剖面為圓形或多邊形其中之一者」。請求項15依附第14項之附屬項，進一步界定「其中大基板周緣內側設有等間隔環狀排列之8 個研磨單元」。請求項16依附請求項15之附屬項，進一步界定「其中8 個研磨單元之內側，設有等間隔排列之4 個研磨單元」。附表編號5 所示專利請求項6 之技術特徵揭露於原證26，或可由原證26揭露之內容而輕易完成。再者，原證26第63頁第11行揭示：鑽石小碟之形狀可任設計為圓形、方形或是多邊之組合變化。第65頁第5.3 圖所示：不銹鋼底座外圍8 個之圓形凹槽呈等間隔環狀排列、不銹鋼底座之內側4 個圓形凹槽呈等間隔，排列可容置鑽石小碟。準此，附表編號5 所示專利請求項14至16之技術特徵，揭露於原證26，或可由原證26揭露之內容而輕易完成。

8.可輕易完成或揭露附表編號5所示專利請求項18：附表編號5 所示專利請求項18依附請求項17之附屬項，進一步界定「其中結合劑分別滲入複數凹凸結構內，分別固化結合複數內壁、複數外壁；結合劑之材料包含金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料及上述材料的混合物其中之一者」。請求項17依附請求項16之附屬項，進一步界定「其中複數磨粒與小基板是藉由高溫高壓結合、硬焊、燒結、電鍍、塑膠膠合或陶瓷結合其中之一者固定結合」。因附表編號5 所示專利請求項16之技術特徵揭露於原證26，或可由原證26揭露之內容而輕易完成。由原證26第64頁第1 行記載：為避免組合後之表面間隙，可加入結合劑作為補縫作用。第63頁第9、10行亦記載：可利用環氧樹脂做結合劑，將直徑20mm硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座結合等內容，第65頁之圖5.2(b)所示之鑽石小碟，將鑽石磨粒硬焊於基板，可採環氧樹脂為結合劑補縫於鑽石小碟與底座間隙。準此，附表編號5 所示專利請求項18之技術特徵揭露於原證26，或可由原證26揭露之內容而輕易完成。

(十)附表編號2 至5 所示專利為系爭產學合作計畫研究成果：按無法律上之原因而受利益，致他人受損害者，應返還其利益。因故意或過失，不法侵害他人之權利者，負損害賠償責任。負損害賠償責任者，除法律另有規定或契約另有訂定外，應回復他方損害發生前之原狀。因可歸責於債務人之事由，致為不完全給付者，債權人得依關於給付遲延或給付不能之規定行使其權利。因不完全給付而生前項以外之損害者，債權人並得請求賠償。受任人因處理委任事務有過失，或因逾越權限之行為所生之損害，對於委任人應負賠償之責。民法第179 條前段、第184 條第1 項前段、第213 條第1 項、第227 條及第544 條分別定有明文。綜上所述，附表編號2至5 所示專利之技術特徵均可見於每年度之系爭產學合作計畫結案報告，部分未見於該三年度結案報告之技術特徵，亦為中砂公司提出之習知技術所揭露，故附表編號2 至5 所示專利之技術來自系爭產學合作計畫之研究成果，依中砂公司與中華大學間系爭產學合作計畫契約之約定，附表編號2 至5 所示專利之專利權，應由中砂公司取得，宋健民並非附表編號2 至5 所示專利之專利申請權及專利權之真正權利人。準此，宋健民以自己之名義申請附表編號2 至3 所示專利及與陳盈同共同申請附表編號4 至5 所示專利，並取得專利權，自屬侵害中砂公司之專利申請權及專利權，且係無法律上之原因而受利益。參諸宋健民自96年至98年間擔任中砂公司鑽石科技中心總經理，其與中砂公司間應屬委任關係，其因執行職務得知系爭產學合作計畫之內容，竟以自己名義或勸誘陳盈同與其共同具名申請專利，顯違反兩造間之委任契約。準此，中砂公司依民法第184 條第1 項、第544 條、第227 條、第213 條第1 項及第179 條等規定，請求宋健民應將附表編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予中砂公司，自屬正當。執行意思表示請求權不得以假執行為之：

1.以確定判決現實已為意思表示之相同效果：按命債務人為一定之意思表示之判決確定或其他與確定判決有同一效力之執行名義成立者，視為自其確定或成立時，債務人已為意思表示，強制執行法第130 條定有明文。所謂判決確定者，係指判決業經確定，已用盡審級救濟途徑而不能上訴或抗告之謂，倘依法仍可上訴者，則非確定判決之執行名義。準此，命債務人為一定之意思表示之判決，係指執行名義所載債權人之請求權，以債務人為一定之意思表示為標的，而使其實現之執行，係以法律擬制之方法達成執行之目的，即無聲請強制執行程序之必要。故意思表示請求權之執行，應待判決確定時，視為已為意思表示，倘判決尚未確定，自無執行可言，嗣日後確定，以法律擬制之方法，發生與債務人現實已為意思表示具有相同之效果。

2.移轉專利權登記為意思表示請求權：因原判決主文第1 項部分，係命宋健民辦理附表編號2 至5所示專利之移轉登記，核其性質上係命為一定意思表示之判決。揆諸前揭說明，嗣中砂公司取得本案確定判決後，得持確定判決向智慧局辦理專利移轉登記，登記完畢後，始能發生移轉登記之效果。本案判決確定時，視為宋健民已為向智慧局為移轉之意思表示。本案訴請移轉專利權登記之訴訟，中砂公司需持確定判決向智慧局辦理權利移轉登記即可。倘許宣告假執行，使意思表示之效力提前發生，顯有違強制執行法第130 條第1 項規定，其性質上無從宣告假執行，原審認假執行之聲請，為無理由，洵屬正當，本院同此見解。

四、中砂公司就附表編號2 至5 所示專利請求排除與防止侵害：

(一)專利權人行使排除與防止侵害專利權之要件：按發明專利權人對於侵害其專利權者，得請求除去之。有侵害之虞者，得請求防止之；發明專利權人對於因故意或過失侵害其專利權者，得請求損害賠償。專利法第96條第1 項定有明文。參諸修訂立法理由，認專利侵權之民事救濟方式，依其性質可分為二大類型：1.損害賠償類型依據民法規定，主觀上應以行為人有故意或過失為必要。2.除去與防止侵害類型，被害人可行使侵害排除或防止請求權，性質上類似物上請求權之妨害除去與防止請求，故客觀上以有侵害事實或侵害之虞為已足，毋須再論行為人之主觀要件（參照最高法院104 年度台上字第1343號民事判決）。職是，發明專利權人對於侵害其專利權者，行使除去侵害專利與防止侵害專利請求權。中砂公司主張專利法第96條第1 項規定，請求禁止宋健民就將附表編號2 至5 所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更等語。宋健民否認中砂公司為該等專利之權利人。職是，本院自應審究是否為該等專利之專利權人（參照本院整理當事人爭執事項3 ）。

(二)中砂公司得就附表編號2至5所示專利之權利人：按發明專利權之核准、變更、延長、延展、讓與、信託、授權、強制授權、撤銷、消滅、設定質權、舉發審定及其他應公告事項，應於專利公報公告之，專利法第84條定有明文。專利權取得適用申請主義，發明專利權之核准，雖採登記生效主義。然變更、延長、延展、讓與、信託、授權、強制授權、撤銷、消滅或設定質權，則適用登記生效主義，應優先於民法第767 條規定而適用。依據系爭產學合作契約之約定，可知附表編號2 至5 所示專利權利應歸中砂公司所有，雖目前在智慧局登記之專利權人為宋健民，然中砂公司為該等專利之真正權利人，得請求宋健民將附表編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予中砂公司，該移轉登記僅為登記對抗主義，並非取得附表編號2 至5 所示專利權之生效要件。準此，在宋健民辦理移轉專利權登記前，維護該等專利權權能之完整性，因宋健民客觀上有侵害附表編號2 至5 所示專利，無論其是否有故意或過失之主觀要件，為免宋健民將該等專利移轉、設定負擔或為其他處分，致無法回復於中砂公司所有，其依專利法第96條第1 項規定，禁止宋健民就附表編號2 至5 所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更，原審認其有理由，洵屬正當，本院亦同此見解。

五、中砂公司請求競業禁止之懲罰性違約金為無理由：所謂競業禁止約款，係指事業單位為保護其商業機密、營業利益或維持其競爭優勢，要求特定人與其約定於在職期間或離職後之一定期間、區域內，不得受僱或經營與其相同或類似之業務工作。基於契約自由原則，此項約款倘具必要性，且所限制之範圍未逾越合理程度而非過當，當事人即應受該約定之拘束（參照最高法院103 年度台上字第793 號、第1984號民事判決）。中砂公司雖主張宋健民違反聘任合約書之競業禁止條款約定，計應賠償中砂公司懲罰性違約金10,683,966元云云。惟宋健民否認其有違反競業禁止條款約定，且當事人合意刪除競業禁止條款等語。準此，本院自應審酌兩造有無簽訂競業禁止約款？宋健民是否受競業禁止條款之拘束？懲罰性違約金請求權時效，是否罹於時效（參照本院整理當事人爭執事項4 ）。

(一)兩造前有簽訂聘任合約書：兩造前於85年10月29日簽訂原證2 之工作契約（見原審卷一第18頁）。嗣後兩造間合作開發鑽石工具產品，成立之他案合作案，分別於85年10月28日簽訂原證1 之英文版JV契約、91年8 月21日簽訂被證2 之中文版JV契約、97年10月15日簽訂被證3 之JV增補條款、99年1 月7 日簽訂被證4 之備忘錄、99年5 月1 日簽訂被證5 之備忘錄二、100 年1 月21日簽訂被證6 之備忘錄三被證6 。當事人亦各於93年11月30日、96年12月13日簽訂原證3 之聘任合約書，聘任宋建民管理中砂公司之鑽石科技中心，其JV合約之執行單位，其職務及職位視中砂公司發展需要或宋健民專長及其工作狀況而調整。第一份聘任合約書，雖於93年10月30日簽訂（見原審卷一第19頁正反面）。然聘任合約書所載宋健民受聘日，係自85年11月1 日起，為英文版JV契約簽訂後數日，足見宋健民自JV合約成立後即受聘於中砂公司，嗣宋健民於96年12月12日，因年滿60歲強制退休而辦理離職，當時職稱為鑽石科技中心總經理，離職申請單所載到職日為85年11月1 日，離職申請日為96年12月12日，宋健民旋於96年12月13日與中砂公司簽訂另份聘任合約書（見本院卷一第20頁反面至21頁），契約內容與91年8 月21日簽訂之聘任合約書相同。復於99年4月30日再申請離職，職稱仍為鑽石科技中心總經理，離職申請單所載到職日為96年12月13日，離職申請日為99年4 月30日。再者，依兩造間備忘錄二第2 條約定，被告自99年5 月1 日起改任為中砂公司技術顧問，聘任日期止於雙方JV到期日，而99年5 月1 日後，兩造未簽訂新的聘任合約書。

(二)兩造不繼續適用聘任合約書關係：

1.宋健民於99年5月1日後已非中砂公司內部人員：中砂公司雖主張宋健民於99年4 月30日離職申請單，僅係其完成卸任鑽石科技中心總經理職位之手續之一，並非用以變更當事人間權利義務關係為目的，宋健民自99年5 月1 日轉任中砂公司之技術顧問，並未停止適用聘任合約書中任何條款云云。本院參諸上開締約過程可知，兩造因他案合作案簽訂相關JV合約，中砂公司在內部設立鑽石科技中心(DTC) 作為JV合約之執行單位，並聘任宋健民擔任鑽石科技中心總經理，訂有聘任合約書。至於99年5 月1 日後，因宋健民已改任中砂公司技術顧問，不再擔任鑽石科技中心總經理，並非中砂公司內部人員，兩造未另訂聘任合約書，兩造間之法律關係，應回歸兩造間JV合約或民法一般之規定處理，並無繼續適用96年12月13日聘任合約書之餘地。

2.中砂公司與宋健民簽訂備忘錄二：依備忘錄二之約定可知，中砂公司為避免宋健民與外部第三者合作對中砂公司造成不利影響，而決定將宋健民之職務轉為技術顧問，不再擔任鑽石科技中心總經理一職，宋健民身分由中砂公司內部主管轉為外部顧問，兩造間之權利義務關係已發生變動，自應重新訂立聘任合約書加以規範，無從認為兩造96年12月13日所訂之聘任合約書，復於99年5 月1 日之後仍可繼續沿用。觀諸中砂公司提出公司內部有關宋健民於101 年8 月14日未經許可帶領美國應材公司人員進入中砂公司「鑽石事業部」參觀之檢討報告載明：宋顧問未依B2-00-08來賓參觀接待辦法辦理訪客參觀申請，違反公司規定，倘為員工違反本項規定，公司可依B1-00-16獎懲管理辦法懲處，因顧問非本公司員工，建議長官對於宋顧問本次違反公司管理規定之行為給予警告外，並將本項列入顧問合約的規範中。例如，顧問須遵守公司各項管理規定，倘有違反者，應負賠償之責，並解除顧問合約等情（見原審卷一第62頁之原證12）。準此，中砂公司內部在宋健民轉任技術顧問後，不將其與內部員工等同視之。

(三)宋健民不受競業禁止條款之拘束：

1.聘任合約書之競業禁止條款：參諸中砂公司提出之聘任合約書第15條第2 款與第19條第2項為競業禁止條款，可知宋健民非經中砂公司同意，不得為與中砂公司業務、或營業、研發目標相同或類似之公司、商號、機構、單位、財團法人或個人之受僱人、受任人、承攬人或顧問，倘宋健民違反保密、禁止競業之規定，中砂公司並得另行請求相當於所給付宋健民報酬之懲罰性賠償金，包含歷年薪資、以請求當日市價計算之歷年紅利、獎金等。此有聘任合約書在卷可證（見原審卷一第20頁反面至21頁）。

2.中砂公司事後同意宋健民擔任嵩洋公司之董事長：

⑴宋健民擔任嵩洋公司董事長：宋健民於98年4 月1 日致中砂公司時任董事長○○○「有容乃大的鑽石碟策略」簽呈及其附件「股東補充協議」可知，宋健民於98年3 月2 日與嵩洋公司簽訂股東補充協議書，宋健民取得嵩洋公司60% 之股權，並擔任嵩洋公司董事長，宋健民有獨家授權嵩洋公司使用宋健民之技術生產產品（見原審卷一第179 、182 頁）。參諸宋健民98年12月29日致○○○「DTC 在中國之合作案」簽呈，自承與嵩洋公司合作開發BODD（見原審卷一第154 頁）。依據嵩洋公司登記資料記載可知，宋健民擔任嵩洋公司董事長，其妻○○○及其子Michael Sung（○○○）分別擔任董事，嵩洋公司所經營之業務包含：①研發、加工、生產CMP 鑽石修整碟；②銷售自產產品及相關之技術諮詢及技術服務；③貨物與技術進出口（見原審卷八第56至59頁）。

⑵中砂公司與宋健民簽訂備忘錄一：宋健民雖先擔任嵩洋公司董事長，嗣後再簽呈予○○○裁示是否可行，惟中砂公司未向宋健民表示不同意，且於宋健民呈報上開簽呈後，復於99年1 月7日 與中砂公司簽署備忘錄一。參諸備忘錄一記載：本備忘錄為中砂公司與宋健民於97年10月15日所簽訂JV增補條款之一部，因宋健民擬與外部第三者採用雙方共同之JV成果，作為未來業務之發展，因而雙方同意宋健民目前合作之外部對象，包括台鑽公司、南通晶鑽、鑫鑽公司及嵩洋公司等4 個公司等情。準此，可知，中砂公司嗣後未追究宋健民擔任上揭公司股東或董事長之責任，足見宋健民與苑執中簽訂上開協議書前，雖未經中砂公司之同意，然中砂公司事後未表示不同意，復與宋健民簽訂備忘錄一。準此，堪認中砂公司事後同意宋健民擔任嵩洋公司之董事長。

3.兩造合意刪除競業禁止約款之適用：宋健民前於99年4 月30日，向中砂公司提出之離職申請單（見原審卷一第21頁背面）。其上就注意事項欄關於競業禁止之說明業經刪除，且另以手寫註記「依JV規定辦理」，其上有宋健民、中砂公司董事長及執行長之簽名，足認兩造已合意刪除聘任合約書關於競業禁止約款之適用。職是，中砂公司依聘任合約書第19條第2 項約定，請求宋健民賠償10,683,966元之懲罰性違約金，洵屬無據。

4.中砂公司未禁止宋健民擔任他公司股東：中砂公司雖主張稱備忘錄並未免除宋健民之競業禁止責任，而不應成為嵩洋公司之董事長，且事前未經中砂公司同意，其顯已違反聘任合約書第15條競業禁止之約定，應依聘任合約書第19條第2 項給付1,068 萬3,966 元之懲罰性違約金云云。然衡諸常情，倘中砂公司事前反對宋健民擔任嵩洋公司之董事長，其於訂定備忘錄一、備忘錄二及備忘錄三時，應訂定措辭明確之禁止規範。本院觀諸備忘錄一至三之規範，至多僅有避免與外部第三者合作造成不利影響之預防規範，未見禁止規範。職是，中砂公司未反對宋健民擔任合作對象公司之股東，益徵其請求競業禁止之懲罰性違約金，為無理由。

5.宋健民不適用聘任合約書第11條之保密義務規定：

⑴宋健民帶領美國應材公司人員進入中砂公司鑽石事業部：宋健民於99年4 月30日自鑽石科技中心總經理一職離職後，自99年5 月1 日起改任技術顧問，兩造間之法律關係並無繼續適用96年12月13日所訂聘任合約書之餘地。宋健民於101年8 月14日帶領美國應材公司人員進入中砂公司「鑽石事業部」時，其身分係中砂公司之技術顧問，並非其公司內部人員，中砂公司仍以宋健民違反聘任合約書第11條之保密義務為由，依聘任合約書第19條第2 項，請求宋健民給付懲罰性賠償金云云，洵非有據。至於宋健民於101 年8 月14日帶領美國應材公司人員進入中砂公司鑽石事業部之行為，是否違反JV合約之相關規定，因非本案審理範圍，本院不予審究之。

⑵宋健民使用○○○製作之專案週報內容：中砂公司主張宋健民將中砂公司之營業秘密資料洩漏予第三人之行為，業已限縮於原審102 年度民聲字第11號保全證據之勘驗資料，宋健民與中砂公司人員○○○所製作專案週報有關之部分（見原審卷八第110 至201 頁之105 年8 月19日民事陳報狀所附更正比對表1 至7 ）。查中砂公司雖主張宋健民將中砂公司人員○○○所製作之專案週報中，有關BODD之設計圖說、測試數據及結果等秘密資訊，使用於宋健民對第三人之簡報中，而洩露中砂公司之營業秘密，該更正比對表1 至7 之侵權期間，自100 年9 月8 日起至102 年2 月1日止（見更正比對表1 至7 、中砂公司105 年9 月1 日辯論意旨續狀）。然係宋健民99年5 月1 日轉任技術顧問後之行為，兩造已不受聘任合約書之拘束，中砂公司仍以宋健民違反聘任合約書第11條之保密義務為由，依聘任合約書第19條第2 項，請求宋健民給付懲罰性賠償金，顯非有據。至於宋健民將中砂公司人員○○○所製作之專案週報中，有關BODD之設計圖說、測試數據及結果等秘密資訊，使用於宋健民對第三人之簡報，是否洩露中砂公司之營業秘密而有違反JV合約之相關規定，因非本案審理範圍，本院不予審究之。

6.宋健民未違反競業禁止條款與保密條款：中砂公司雖主張宋健民違反聘任合約書之競業禁止條款約定，計應賠償中砂公司懲罰性違約金10,683,966元云云。惟宋健民已不適用聘任合約書之約定，自無違反競業禁止條款與保密條款可言，不負賠償中砂公司懲罰性違約金之義務，故本院亦無庸審酌中砂公司之請求權是否已罹於2 年或15年之消滅時效，併此敘明。準此，原審判決主文第3 項、命宋健民應給付中砂公司200 萬元，並自102 年8 月16日起至清償日止，按年息5%計算之利息，暨准其假執行部分，容有誤會。

六、本判決結論：

(一)中砂公司上訴無理由：綜上所論，本院審酌兩造前雖簽訂聘任合約書，惟嗣後已不適用。況兩造已合意刪除競業禁止約款，且就宋健民之競業行為，中砂公司亦未積極表示反對。可知宋健民未違反兩造約定之競業禁止與保密約款，未致中砂公司受有損害。準此，中砂公司請求違反競業禁止與保密約款之損害賠償，為無理由。是中砂公司上訴部分，其上訴意旨指摘原判決不當，求予廢棄改判為無理由，應予駁回。

(二)宋健民上訴一部有理由與一部無理由：

1.上訴有理由部分：宋健民就中砂公司請求競業禁止與保密約款之損害賠償部分，認無理由請求廢棄。揆諸前揭見解，經本院認定宋健民未違反競業禁止與保密約款，不負賠償中砂公司200 萬元與其法定遲延利息之義務，核認原審此部分見解有誤，暨其假執行之宣告，應予廢棄。宋健民此部分之上訴，為有理由，應予准許。

2.上訴無理由部分：附表編號2 至5 所示專利歸屬於中砂公司，中砂公司為專利權人，宋健民應將專利移轉登記予中砂公司部分。職是，宋健民就其應將附表編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予中砂公司，暨其就附表編號2 至5 所示專利不得為處分、設定負擔、授權或為任何變更。該等上訴部分均無理由，原審核無違誤，是宋健民請求無理由，應予駁回。

七、訴訟費用之計算：按各當事人一部勝訴、一部敗訴者，其訴訟費用，由法院酌量情形，命兩造以比例分擔或命一造負擔，或命兩造各自負擔其支出之訴訟費用。共同訴訟人因連帶或不可分之債敗訴者，應連帶負擔訴訟費用。民事訴訟法第79條與第85條第2項分別定有明文。查中砂公司上訴無理由，宋健民上訴一部有理由與一部無理由，本院茲計算當事人應負擔之訴訟費用如後：

(一)中砂公司第一審與第二審訴訟標的價額：本件第一審訴訟費用為中砂公司之財產上請求訴訟利益為21,731,470元（計算式：11,053,504元＋10,683,966元＝21,731,470元）。其包含：1.就附表編號1 至5 所示專利請求移轉登記與排除侵害，其受有損害之金額即訴訟標的價額為11,053,504元（見本院102 年度民全字第13號卷第152 頁；本院卷一第2 頁）；2.宋健民違反保密義務及競業禁止約定之懲罰性違約金即訴訟標的價額為10,683,966元。本件第二審訴訟費用係上訴人之財產上請求上訴利益為8,683,966 元。其包含宋健民違反保密義務及競業禁止約定之懲罰性違約金，其訴訟標的價額為8,683,966 元。

(二)宋健民第二審訴訟標的價額：被上訴人之財產上請求上訴利益為元（計算式：8,796,883元＋200 萬元＝10,796,883元）。其包含：1.中砂公司就系爭專利請求移轉登記與排除侵害，其受有損害之金額為訴訟標的價額為8,796,883 元；2.中砂公司起訴主張宋健民侵害上訴人違反競業禁止約定與營業秘密部分，其訴訟標的價額為200 萬元。

(三)第一審與第二審訴訟費用計算：本案訴訟當事人一部勝訴、一部敗訴者，第一審訴訟費用負擔而言，宋健民應負擔訴訟費用1/2 （計算式：11,053,504元/21,731,470元），其餘由中砂公司負擔。再者，就第二審訴訟費用負擔以觀，中砂公司上訴部分由中砂公司全額負擔。而宋健民上訴部分，中砂公司負擔訴訟費用之19% （計算式：200萬元/10,796,883元），其餘由宋健民負擔。

八、本院無庸審究之說明：本件為判決之基礎已臻明確，暨兩造其餘爭點、陳述及所提其他證據，經本院斟酌後，認為均於判決之結果無影響，自無庸逐一論述，併此敘明。

據上論結，本件上訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1 條，民事訴訟法第449 條第1 項、第78條，判決如主文。

智慧財產法院第一庭

附註：民事訴訟法第466條之1(第1項、第2項)對於第二審判決上訴，上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴人或其法定代理人具有律師資格者，不在此限。

上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或上訴人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格並經法院認為適當者，亦得為第三審訴訟代理人。