電力工程 98 年電子學大意考古題

今對純矽（Si）晶體材料均勻摻雜磷（P）元素，則此矽半導體應屬於那一類的半導體？ (A)外質（Extrinsic）半導體 (B)P 型半導體 (C)本質（Intrinsic）半導體 (D)二元化合物（Binary compound）半導體

電荷耦合元件（Charge Couple Device, CCD）由何種基本結構所組成？ (A)金屬－氧化物－半導體（Metal-Oxide-Semiconductor） (B)pn 接面 (C)pnp 結構 (D)pnpn 結構

對於雙極性接面電晶體工作在截止時，下列有關其接面偏壓狀況之敘述，何者正確？ (A)集基極接面順向偏壓而且射基極接面順向偏壓 (B)集基極接面逆向偏壓而且射基極接面順向偏壓 (C)集基極接面逆向偏壓而且射基極接面逆向偏壓 (D)集基極接面順向偏壓而且射基極接面逆向偏壓

運算放大器電路之串並負回授（Series-Shunt Negative Feedback）對輸入阻抗Ri及輸出阻抗Ro之影響為何？ (A)Ri減少，Ro減少 (B)Ri減少，Ro增加 (C)Ri增加，Ro減少 (D)Ri增加，Ro增加

如圖示之電路，當輸出電流為零時，下列敘述何者正確？（二極體導通時之電壓降為0.7 V）3 VVIVOR－+－+ (A)當VI < 3.7 V, VO＝VI，當VI ≥ 3.7 V, VO＝3.7 V (B)當VI < 3.7 V, VO＝VI，當VI ≥ 3.7 V, VO＝0 V (C)當VI < 3.7 V, VO＝3.7 V，當VI ≥ 3.7 V, VO＝VI (D)當-3.7 V < VI < 3.7 V, VO＝VI，當| VI | ≥ 3.7 V, VO＝3.7 VVDDAY

下列關於下圖反相器電路中，電晶體操作區之敘述何者正確？ (A)A＝0 時，PMOS 在飽和區 (B)A＝1 時，PMOS 在截止區（Cut-off Region）或三極區（Triode Region） (C)A＝1 時，NMOS 關閉 (D)A＝0 時，NMOS 在線性區 > 答案：?

一般的雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor），其射極（Emitter），基極（Base），集極（Collector）之雜質摻雜濃度以何者最高？ (A)射極 (B)基極 (C)集極 (D)都一樣高

下圖所示之電路，pnp 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor）係工作於何種區域（Region）？RC＝1 kΩRE＝2 kΩV+＝+10 VV－＝－10 V (A)截止區（Cut-off Region） (B)順向作用區（Forward Active Region） (C)逆向作用區（Reverse Active Region） (D)飽和區（Saturation Region）

有一放大器的-3 dB 頻率為100 Hz 和18 kHz，若其工作於標準測試頻率2 kHz 且為0 dB 時的輸出功率為60 W，則其工作於100 Hz 和18 kHz 時的輸出功率為： (A)30 W (B)15 W (C)42.42 W (D)60 W

下圖所示為一個n通道增強型（Enhancement Mode）MOSFET共源極電路，其參數值為：VDD＝5 V，ID＝0.1 mA，R1＝30 kΩ，R2＝20 kΩ，RD＝20 kΩ，VTn（臨限電壓）＝1.5 V，此電晶體被偏壓在下列何種工作區？－+VGSVDSR2VGR1IDRDVDD+－ (A)截止區 (B)飽和區 (C)三極區（Triode Region） (D)次臨限區（Sub-threshold Region）

關於液晶顯示（LCD）的敘述，下列何者錯誤？ (A)相同解析度之LCD 電視機所需功率較LED 電視機為低 (B)LCD 係靠液晶配向性來控制顯示 (C)LCD 需要一個外加或內部的光源 (D)LCD 不會因化學作用而退化

下列何者非主動濾波器之優點？ (A)輸入阻抗高 (B)輸出阻抗低 (C)不需要消耗電力 (D)對抗外界干擾能力佳

下列何種振盪器，可以產生正弦波的振盪輸出電壓？ (A)柯匹子振盪器（Colpitts Oscillator） (B)電壓控制振盪器（Voltage-Controlled Oscillator） (C)不穩複振器（Astable Multivibrator） (D)雙穩複振器（Bistable Multivibrator）

如圖所示的電路方塊圖若是理想振盪器，則其必須符合的條件為何？（註：| A(s)β(s) |及∠ A(s)β(s)分別為A(s)β(s)的大小及相角）A(s)++β(s) (A)| A(s)β(s) |＝1，∠ A(s)β(s)＝90 度 (B)| A(s)β(s) | < 1，∠ A(s)β(s)＝0 度 (C)| A(s)β(s) |＝1 及∠ A(s)β(s)＝0 度 (D)| A(s)β(s) |＝1 及∠ A(s)β(s)＝180 度可用下列何閘完成？

邏輯函數BA +=F (A)及（AND） (B)反及（NAND） (C)或（OR） (D)反或（NOR）

變容二極體（Varactor）主要是藉由下列何者來改變其電容的大小？ (A)電壓 (B)電流 (C)溫度 (D)頻率

如圖所示之頻率響應的放大器，則此放大器為何種濾波器？增益頻率 (A)低通 (B)高通 (C)帶通 (D)帶拒

如圖所示電路，若C＝100 µF，R＝10 kΩ，Vi＝5 costV，當電路已達到穩態後，則輸出電壓Vo為：RCVi－OPAVo+ (A)5 sintV (B)5 costV (C)-5 sintV (D)-5 costV

一放大器低頻響應的轉移函數為)25)(100()10()(+++=sssssF，則此放大器低頻3 dB 頻率近似於多少rad/s？L (A)0 (B)10 (C)25 (D)100

下圖中A為理想運算放大器，若R1＝1 kΩ，R2＝R4＝10 kΩ，R3＝200 Ω，則Vo/Vi為：－+R3AR1R4R2ViVo (A)-520 (B)-620 (C)-720 (D)-820

下列何種元件可將光能轉變為電能？ (A)發光二極體（Light Emitting Diode） (B)雷射二極體（Laser Diode） (C)變容二極體（Varactor） (D)太陽能電池（Solar Cell）

如圖所示，利用二極體及電阻組成數位正邏輯電路，則此為何種邏輯閘？+5 VVAVBVCVDRVO (A)NAND 閘 (B)AND 閘 (C)NOR 閘 (D)OR 閘

當雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor）工作於順向作用區（Forward Active Region）時，集極電流仍會隨著集-射電壓VCE的增加而稍微的增加，其原因為何？ (A)射-基接面空乏區（Depletion Region）寬度增加，造成基極有效寬度變窄 (B)射-基接面空乏區（Depletion Region）寬度減少，造成基極有效寬度變窄 (C)集-基接面空乏區（Depletion Region）寬度增加，造成基極有效寬度變窄 (D)集-基接面空乏區（Depletion Region）寬度減少，造成基極有效寬度變窄

某一型態之正反器的特性函數（Characteristic Function）為Q (t＋1)＝A⊕ Q(t)，其中A 為輸入端信號，則此正反器為下述何種型態？ (A)R-S (B)D (C)J-K (D)T

當一個放大器要用來放大一個輸入電壓訊號，則該放大器宜具有下列何種特性？ (A)大的輸入電阻 (B)小的輸入電阻 (C)大的輸出電阻 (D)小的輸出電阻

下列有關雙極性接面電晶體（BJT）的敘述，何者錯誤？ (A)電晶體作為開關時，是在它的截止（Cut-off）與飽和（Saturation）兩個區工作 (B)電晶體在飽和區時，B-E 和B-C 兩個接面都是逆偏（Reverse-bias） (C)電晶體在作用（Active）區時，B-E 接面順偏（Forward-bias），B-C 接面逆偏 (D)電晶體作為放大器使用時，是在作用（Active）區

如圖所示電路，電晶體Q1與Q2有相同特性，若VCC＝15 V，VEE＝-20 V，電阻R1＝R2＝6 kΩ，R3＝R4＝8 kΩ，R5＝5 kΩ，當電晶體Q1與Q2皆為導通時，則輸出之電壓Vo約為何值？VCCV1R1R5VOQ1Q2Q3R4R2V2R3VEE (A)12.42 V (B)9.42 V (C)6.42 V (D)3.42 V

下圖所示為一主動濾波器，若Ri＝20 kΩ，Rf＝200 kΩ，R1＝1.5 kΩ，C1＝0.02 µF，則其半功率點的頻率為：－－++R1ViC1RfRiVo (A)5.3 kHz (B)10 kHz (C)15.1 kHz (D)20.3 kHz

如圖所示電路，假設R1＝5 kΩ，R2＝20 kΩ，Vo＝0.2 V，則其輸入抵補電壓（Input Offset Voltage）為多少mV？－+OPAR2R1Vo (A)50 (B)20 (C)30 (D)40

理想運算放大電路如下圖所示，其輸出電壓Vo應為：－+1 kΩ1 kΩ4 kΩ1 kΩ+Vo10 V－ (A)-6 V (B)-8 V (C)-10 V (D)-12 V

在IB保持固定情況下，∆VBE/∆VCE代表雙極性接面電晶體之： (A)hie (B)hfe (C)hre (D)hoe

當五個反相器（Inverters）接成一個環振盪器（Ring Oscillator），若各反相器具有相同之傳播延遲（Propagation Delay）tp，則該環振盪器之振盪頻率為： (A)5 tp (B)10 tp (C)1/(5 tp) (D)1/(10 tp)

下列對理想放大器特性之敘述，何者錯誤？ (A)無限大的輸出阻抗 (B)無限大的電壓增益 (C)無限大的頻寬 (D)無限大的輸入阻抗

在不影響正常的電路運作下，輸出所能連接之相似電路的最多值，稱之為： (A)最大輸出 (B)最大扇出 (C)最小輸出 (D)最小扇出

某一電晶體有200 MHz 的單位增益頻寬（unity gain bandwidth），當此電晶體被設計成電壓增益為100 的放大器時，其頻寬約為多少MHz？ (A)200 (B)10 (C)5 (D)2

下圖關於功率（Power）電晶體電路的最大集極電壓為何？Vo24 V8 ΩVi (A)0 伏特（V） (B)3 伏特（V） (C)8 伏特（V） (D)24 伏特（V）

齊納二極體（Zener Diode）在整流操作時，最主要是利用何種物理機制？ (A)厄利效應（Early Effect） (B)短通道效應（Short-channel Effect） (C)崩潰效應 (D)光伏打效應 > 答案：?

一個MOSFET完整的小信號等效電路模型可以如下之等效電路表示，其中gmb是基體調變效應（BodyEffect）所產生的互導（Transconductance）。－+GSvgsCgsCgdDCdbrogmbvbsgmvgsCsbBSDBG今若將接腳S（Source）與接腳B（Body）二者短路，則最正確的等效電路模型為： (A)gmvgsgmbvbsroCdbDCgdCgsvgsSG+－ (B)gmvgsroCdbDCgdCgsvgsSG+－ (C)gmvgsgmbvgsroCdbDCgdCgsvgsG+－S (D)gmvgsroDCgdCgsvgsSG+－

某一放大器的電壓增益與電流增益皆為10，則此放大器功率增益為多少分貝（dB）？ (A)10 (B)20 (C)40 (D)50

下圖之反相加法電路中，輸出電壓Vo等於： (A)15 V (B)20 V (C)25 V (D)30 V20 kΩ5 kΩ5 kΩ3 V2 V－+Vo