智慧財產法院行政判決

原告

楊秋忠

訴訟代理人

林明璇專利師

被告

經濟部智慧財產局

代表人

洪淑敏（局長）住同上

訴訟代理人

黃本立

參加人

田志偉

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國108年1月28日經訴字第10706314170 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定命參加人獨立參加被告之訴訟。本院判決如下：

主文

事實及理由

壹、程序方面：按言詞辯論期日，當事人之一造不到場者，倘無民事訴訟法第386 條規定之不得一造辯論判決之事由，得依到場當事人之聲請，由其一造辯論而為判決，行政訴訟法第218 條準用民事訴訟法第385條第1 項前段、第386條定有明文。本件參加人受合法通知，無正當理由未於言詞辯論期日到場，有其個人基本資料及本院送達證書可稽（本院卷第192頁、第197之1頁、第204 頁），核無民事訴訟法第386條各款所列情形，爰依原告及被告之聲請，由到場當事人辯論而為判決（本院卷第210頁）。

貳、實體方面：

一、爭訟概要：原告前於民國93年12月1 日以「具高效率散熱及亮度之晶片」向被告申請發明專利，申請專利範圍共2項（後修正為1項），經被告編為第93136992號審查，准予專利，公告並經經濟部以107年發給發明第I2858968 號專利證書（下稱系爭專利）。之後參加人以該專利違反核准時專利法第22條第4 項規定，不符發明專利要件，提起舉發，案經被告審查，以107年10日15日（107）智專三㈡04066字第10720959660號專利舉發審定書為「請求項1 舉發成立，應予撤銷」之處分（下稱原處分）。原告不服，提起訴願，經經濟部以108年1月28日經訴字第10706314170 號決定駁回（下稱訴願決定），原告不服，遂向本院提起行政訴訟。又本院認本件判決之結果，倘認訴願決定及原處分均應予撤銷，將影響參加人之權利或法律上之利益，爰依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。

二、原告之主張要旨及聲明：

㈠系爭專利並無違反核准審定時專利法第22條第4項規定：

⒈系爭專利請求項1具有進步性：

⑴以系爭專利申請時的先前技術狀態，無論是封裝成SMD 形式或以覆晶方式封裝，均顯示LED 晶粒須先與至少一個封裝基板做結合，再透過於P、N電極上打線或植金、銀、錫球的方式與封裝基板或支架做電性連接，連同整個封裝結構一同接合至電路板（PCB ）。對照之下，系爭專利請求項1僅藉由錫膏便可直接接合至PCB節省下相當多之製程步驟與機器及用料成本，此為系爭專利之進步性。依2014年11月5日台灣區電機電子工業同業公會第351期電子報「倒裝晶片來臨加速LED 封裝革命」一文（本院卷第60頁），亦發表「最新出現的錫膏焊接工藝，較好的解決了倒裝晶片工藝上的一些難點，極大提升了產品的可靠性與穩定性，這也引起了業界的高度關注」等內容，可知系爭專利於申請時係突破性的技術，並領先於所屬技術領域同業，具有極高的進步性。

⑵系爭專利請求項1 的主要特徵在於以相對程度用語「大面積」界定出該導電導熱層與申請時先前技術之特徵差異。依系爭專利說明書第7 頁第18至25行（本院卷第73頁），可知系爭專利請求項1 由說明書及圖式揭露之內容，可明確支持對於LED 技術領域內之通常知識者，參酌當時之先前技術狀態與系爭專利之說明書及圖式的教示，即可明白該「大面積導電導熱層」係指：導電導熱層的面積佔晶粒表面的比例夠大，大到足以可直接透過錫膏將未做任何封裝之LED晶片（晶粒）連接至印刷電路板（PCB），從而免去使用封裝基板及打線或植金、銀、錫球等製程，達成所述之無須封裝即具有SMD 及覆晶功能之效果。據此，系爭專利請求項1為一明確之結構特徵，LED技術領域內之通常知識者當無不明瞭系爭專利請求項1 含意之理。「無須封裝就具有SMD之功能」對請求項1具有明確的限定效果，故原處分認為系爭專利請求項1未明確界定該晶片為SMD晶片，實為不當解釋專利權範圍。

⒉證據2、3之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性：

⑴證據2 （如附圖二）具有封裝製程，且其所揭露可焊金屬層（導電介面41）目的為在確保焊料能均勻濕化，使晶粒不會傾斜，與系爭專利請求項1 所明確界定出的無須封裝就具有SMD及覆晶LED功能的結構特徵完全不同。

⑵證據3（如附圖三）係具有封裝製程的LED技術，其所述之不須封裝，係指不須經過「樹脂封裝」，與系爭專利所指之無須封裝，係無須經過「封裝基板及打線或植金、銀、錫球等製程」完全不同。亦即僅排除樹脂封裝，仍具有其他封裝製程，且其並無揭露大面積導電導熱層。退步言，縱已揭露不須封裝，惟其係利用晶片的P電極8與N電極7金屬凸塊與電路板電極接點15連接，與系爭專利不同。

⑶如上，證據2、3 之發明均係應用於需進行封裝製程之LED。因此，通常知識者無法超出證據2、3之的教示進行組合或簡單改變而完成系爭專利請求項1 的發明，證據2、3之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性。

⒊證據3、4之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性：

⑴系爭專利之大面積導電導熱層40、50是用以放大電極20、30並大面積導熱（如附圖一），而證據4 （如附圖四）之電極308a、308b係直接透過焊接材料312 連接至散熱承座310之導電跡線314，且兩個電極308a、308b並無設置任何大面積導電導熱層。

⑵證據4之發光二極體晶粒300需要封裝才可使用，而系爭專利請求項1 所界定之具高效率散熱及亮度之晶片（相當於證據4 之發光二極體晶粒300）無須封裝就具有SMD之功能，故可知證據4與系爭專利為完全不同之技術手段。

⑶證據4之反射層306相對於電極308a所設置之位置，與系爭專利之大面積導電導熱層（40, 50）完全不同，並無法使其具有系爭專利之「無須封裝就具有SMD 功能」之特徵，再者，在電極308b 處未有該反射層306，原處分認為反射層306相當於系爭專利之大面積導電導熱層，顯然有誤。

⑷如上，證據3、4皆無如同系爭專利之設置於P、N電極的大面積導電導熱層，且皆須經過封裝才可於印刷電路板使用。因此，通常知識者既無動機亦無法結合證據3、4之教示而完成系爭專利之發明，故證據3、4之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性。

⒋證據3、5之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性：

⑴證據5 （如附圖五）的覆晶型發光二極體晶粒16並無設置導電導熱層，金屬層12、13為底座基板11的一部分而非晶片的一部分，且該覆晶型發光二極體晶粒16需先與該底座基板11相連接，再透過金屬層14及金屬層15與外部電路作連結，可見該底座基板11為系爭專利所定義之封裝基板。又證據5須經過封裝製程之後才具有SMD之功能，以及由於額外的底座基板存在，其熱阻定較系爭專利為大，而系爭專利之LED晶片無須封裝就具有SMD之功能，不需再與底座基板連接而可直接連接至印刷電路板，其結構更利於散熱。

⑵如上，證據3、5皆無如同系爭專利之大面積導電導熱層，且皆須經過封裝才可於印刷電路板使用。因此，通常知識者既無動機亦無法結合或簡單改變證據3、5之教示而完成系爭專利之發明，故證據3、5之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性。

⒌證據2、3、4、5之組合無法證明系爭專利請求項1 不具進步性：證據2、3、4、5固皆屬LED 技術領域，然證據2、3、4、5皆需封裝，以散熱之角度而言，其熱阻必定較系爭專利為高，通常知識者自無從結合證據2、3、4、5之教示而完成系爭專利請求項1 之無須封裝就有SMD及覆晶LED功能之特徵，系爭專利請求項1 相較證據2、3、4、5具有節省封裝製程及高效率散熱之進步性。故證據2、3、4、5之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性。

㈡聲明：訴願決定、原處分均撤銷（本院卷第13、170、210頁）。

三、被告之答辯要旨及聲明：

㈠系爭專利請求項1 記載「無需封裝就具有SMD及覆晶LED之功能」，僅為進一步描述具有SMD及覆晶LED功能，未有其他文字記載限定系爭專利請求項1該晶片為SMD晶片，而限縮專利範圍。又系爭專利申請時之技術文件或相關網頁資訊，僅證明系爭專利於申請時存在技術，至於申請時審查人員採認申復理由，為審查人員同意申復理由所稱系爭專利與引證案間「結構不同」，不能藉此做為解釋系爭專利請求項1 之範圍。

㈡證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性：

⒈證據2說明書第26頁第4至6行揭示「可焊金屬41係在該p電極20及n 電極22金屬化上來圖樣化」；由圖6b顯示，導電介面41與p電極20及n電極22相連接，由圖6a顯示導電介面41具有大面積，故證據2 之「可焊金屬（導電介面）41」已揭示系爭專利請求項1 之「該晶片P、N電極處各增設一層與其連結之大面積導電導熱層」之技術特徵。

⒉證據3為一種裸晶式發光二極體，依說明書第7頁第2 行至第12行記載「本創作發明裸晶式發光二極體，就是直接將LED晶粒製作成SMD元件，不須經封裝製程即可使用，…即覆晶型LED 晶粒變成SMD、LED元件，不須再經封裝製程，即可以裸晶之SMD、LED型態可直接與其他線路板組合」，以及第11頁第6行至第8行記載「本案發明屏棄了傳統觀念，LED 晶粒需經封裝才能使用，因本發明不須封裝，故製程縮短、良率提高、成本也比較低，尤其採用金屬凸塊接點所以散熱性較佳」，相當於系爭專利請求項1 中「藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果，無須封裝就具有SMD及覆晶LED之功能，並減少封裝成本者」之技術特徵。

⒊因證據2、3之結合已揭示系爭專利請求項1 全部技術特徵，證據2、3均屬「發光二極體」技術領域，且均具提升發光效率及覆晶晶片散熱能力，具有技術領域關聯性及所欲解決問題共通性，是以，證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

㈢證據3、4之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性：

⒈證據4為一種高功率白色發光二極體，說明書第8頁第7至8行記載「第一接觸電極308a和第二接觸電極308b則是分別配置在反射層306與發光二極體晶粒300的外側」，說明書第9頁倒數第2行至第10頁第2行記載「反射層306，其材料可以選用金屬鍍層或非金屬材料組合等。在本實施例中，反射層306 之材料包括且有高反射率之金屬鍍層」，可知證據4發光二極體結構，包括第一接觸電極30 8a配置在反射層306；第二接觸層308b配置在發光二極體晶粒300的外側；反射層306 之材料包括具有高反射率之金屬鍍層，且證據4 結構，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果，相當於系爭專利請求項1 「該晶片P、N電極處各增設一層與其連結之大面積導電導熱層；藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果」之技術特徵。

⒉證據3、4之結合已揭示系爭專利請求項1 全部技術特徵，而證據3、4均屬「發光二極體」技術領域，且均具提升發光效率及覆晶晶片散熱能力，具有技術領域關聯性及所欲解決問題共通性，是以，證據3、4之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

㈣證據3、5之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性：

⒈證據5 為一種具有透明基板覆晶型發光二極體晶粒的高度發光二極體，說明書第7頁第3行至第8 行記載「金屬層12及金屬層13分別與透明基板覆晶型發光二極體晶粒的P 極與n 極接觸，而金屬層14及金屬層15則與外部電路相連結。底座基板11除固定覆晶型發光二極體晶粒16外，尚具有導通電流及協助覆晶型發光二極體晶粒16散熱的功能。因此，底座基板11採用的材料必須具有尚導電率及尚導熱率」，可知證據5 結構，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果，相當於系爭專利請求項1 「該晶片P、N電極處各增設一層與其連結之大面積導電導熱層；藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果」之技術特徵。

⒉證據3、5之結合已揭示系爭專利請求項1 全部技術特徵，證據3、5均屬「發光二極體」技術領域，且均具提升發光效率及覆晶晶片散熱能力，具有技術領域關聯性及所欲解決問題共通性，是以，證據3、5之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

㈤證據2、3、4、5之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：原處分已詳載證據2、3、4、5已揭示系爭專利請求項1 全部技術特徵之理由，且證據2、3、4、5均屬「發光二極體」技術領域，且均具提升發光效率及覆晶晶片散熱能力，具有技術領域關聯性及所欲解決問題共通性，是以，證據 2、3、4、5之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

㈥聲明：駁回原告之訴（本院卷第112、170、212頁）。

四、參加人未於言詞辯論期日到場，亦未提出書狀作何聲明或陳述。

五、本件爭點（本院卷第176至178頁）：

㈠證據2、3之組合是否足以證明系爭專利請求項1 不具進步性？

㈡證據3、4之組合是否足以證明系爭專利請求項1 不具進步性？

㈢證據3、5之組合是否足以證明系爭專利請求項1 不具進步性？

㈣證據2、3、4、5之組合是否足以證明系爭專利請求項1 不具進步性？

六、本院判斷：

㈠應適用的法令：按發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定，專利法第71條第3 項本文有明文規定。本件系爭專利之申請日為93年12月1日，核准審定日為96年6月22日，是系爭專利應否撤銷，自應以審定時所適用之92年2月6日修正公布、93年7月1日施行之專利法為斷。

㈡系爭專利技術分析：

⒈系爭專利技術內容：

⑴習用之晶片製成時，在N極、P極提供打線處之電極面積（A）皆較大，明顯減少發光面積，且因散熱路徑長（L），散熱導熱面積（S ）小，所以導熱不易，有高溫問題。

⑵系爭專利乃提供一種LED 晶片，其係在P極（20）、N極（30）處分別設有大面積導電材（40、50），並得以藉由一般焊接錫膏（70）焊接於PCB 線路板（60）上，減少蝕刻發光層，並藉由前述之大面積導電材（40、50）可以增大散熱面積並具有反光面功能。

⒉系爭專利主要圖式：如附圖一所示。

⒊系爭專利申請專利範圍分析：系爭專利申請專利範圍僅1項，內容如下：一種具高效率散熱及亮度之晶片，其特徵在於：該晶片P、N電極處各增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層；藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果，無須封裝就具有SMD及覆晶LED之功能，並減少封裝成本者。

㈢舉發證據技術分析：

⒈證據2：

⑴證據2為2003年9月21日公告之我國第554549號「鋁鎵銦氮覆晶發光二極體之高反射性歐姆接點」專利案，其公告日早於系爭專利申請日（2004年12月1 日，下同），可為系爭專利之先前技術。

⑵證據2技術內容：證據2 主要揭露一種具有高反射性歐姆接點的反向Ⅲ族氮化物發光裝置（LED ），其包含有為不透明且高反射性的N型及P 型電極，並提供良好的電流散佈。每個N型及P型電極於該LED活性區域的尖峰放射波長下每次通過係吸收小於25%的入射光線。

⑶證據2圖示如附圖二所示。

⒉證據3：

⑴證據3為2004年6月21日公告之我國第595015號「裸晶式發光二極體」專利案，其公告日早於系爭專利申請日可為系爭專利之相關先前技術。

⑵證據3技術內容：證據3係將發光二極體（LED）晶粒直接製作成表面黏著型（SMD）之結構，不須再經封裝製程即可使用，證據3第6 圖揭露將裸晶式發光二極體（14）之電極（7、8）利用迴焊爐加熱方式直接與PCB線路板（3）之電極接點（15）相互接合。

⑶證據3圖示如附圖三所示。

⒊證據4：

⑴證據4 為2001年11月21日公告之我國第465123號「高功率白色發光二極體」專利案，其公告日早於系爭專利申請日，可為系爭專利之相關先前技術。

⑵證據4 技術內容：證據4 揭露一種高功率白色發光二極體，具有發光二極體晶粒（300）、透明基板（302）、透明歐姆電極（304）、反射層（306）、接觸電極（308a、308b），以及覆有導電跡線（314）之散熱承座（310）等。晶粒（300）表面還覆有螢光膠體（320），用以吸收發光二極體晶粒（300 ）產生之部份光線，並發出互補色之光線，使觀察者所見為白色光。

⑶證據4圖示如附圖四所示。

⒋證據5：

⑴證據5 為2002年10月11日公告之我國第506145號「具有透明基板覆晶式發光二極體晶粒的高亮度發光二極體」專利案，其公告日早於系爭專利申請日，可為系爭專利之相關先前技術。

⑵證據5技術內容：證據5 揭露一種高亮度發光二極體，包括：一底座基板（11）、一具有透明基板的覆晶型發光二極體晶粒（16）以及一覆蓋基板（17）。該覆蓋基板（17）中央區域具有一孔，其係以傾斜側壁圍成。該覆晶型發光二極體晶粒（16）容置於該中央區域的孔中。該底座基板（11）以一中置絕緣區域（19）分隔為兩部分，其係分別與該覆晶型發光二極體晶粒（16）的兩電極連結。

⑶證據5圖示如附圖五所示。

㈣技術爭點分析：

⒈按利用自然法則之技術思想之高度創作可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，為系爭專利核准時之專利法第21條、第22條第1 項前段所明定。又發明專利如「為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時」，仍不得取得發明專利，為系爭專利核准時之專利法第22條第2 項所明定。對於獲准專利權之發明，任何人認有違反前揭專利法之規定者，依同法第72條第 1項規定，得附具證據，向專利專責機關舉發之。從而，系爭專利有無違反前揭專利法之情事而應撤銷其專利權，依法應由舉發人附具證據證明之，倘其證據足以證明系爭專利請求項有違前揭專利法之規定，自應為舉發成立之處分。又審查進步性時，應以引證文件中所揭露之技術內容為準，包含形式上明確記載的內容及形式上雖然未記載但實質上隱含的內容。所稱實質上隱含的內容，指該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時之通常知識，能直接且無歧異得知的內容。引證文件中包含圖式者，圖式已明確揭露之技術內容，亦屬引證文件有揭露者（最高行政法院108年度判字第329號判決意旨參照）。

⒉證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性：

⑴比對系爭專利請求項1與證據2之技術內容：

①證據2圖6a、6b揭露一連接於次黏著基板（50）上之LED晶片，該LED晶片包含P 型電極（20）與N型電極（22），且P型、N型電極（20、22）上設有一層導電介面（41），又依證據2說明書第21頁末行至22頁第1行記載「該內連線係經由導電介面41、54來附著到該LED 及次黏著。當焊料做為內連線時，該導電介面為可濕化金屬」（乙證1 卷第60頁），可知覆蓋於P型、N型電極（20、22）之導電介面（41）係金屬材質，且證據2 圖6a顯示導電介面（41）具有大面積，故前述證據2 之技術內容已揭示系爭專利請求項1 之「該晶片P、N電極處各增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層」之技術特徵。

②至於系爭專利請求項1 之「藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果，無須封裝就具有SMD及覆晶LED之功能，並減少封裝成本者」之技術特徵，僅為功能性描述，並未界定除了大面積導電層以外之結構特徵，況且依證據2說明書第20頁第17至22行（乙證1卷第64頁背面）業已說明圖6a、6b之LED 晶片係「…具有光線產生能力的大面積的高功率LED…藉由降低由該p-n接面到該燈具封裝的熱阻抗，而藉由使用高反射性歐姆接點來增加光線擷取…」，可見證據2所揭露之LED亦具有增加亮度及增加散熱效率等功效。

③是以，系爭專利請求項1之技術特徵既為證據2所揭露，則所屬技術領域中具有通常知識者依證據2 之內容自可輕易完成系爭專利請求項1 之發明，故證據2、3之組合當足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

⑵原告雖主張由證據2說明書內容，可知證據2之LED 晶粒所連接之次黏著基板（50）即係封裝基板，並非如系爭專利無須封裝就具有SMD（表面黏著）及覆晶LED功能，且證據2所教示之內容是增大內連線（60）對P電極的覆蓋率，並未揭露增加導電介面（41）面積等等（本院卷第21至25頁）。惟查：

①進步性之判斷，係以申請專利範圍所載之發明為準，而系爭專利請求項1 所界定之晶片，僅有「晶片P、N電極處各增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層」為結構特徵，其餘則記載「達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果」、「無須封裝就具有SMD及覆晶LED」等功能性用語或目的，並無任何關於該晶片是否直接與PCB 線路板相連接（無需封裝基板），或如何與基板相連接（例如採用打線接合、SMD 或覆晶）等限定條件，自難以之認定系爭專利請求項1與證據2有何結構上之差異。

②況且，證據2圖6a、6b揭示之LED晶粒即係以表面黏著方式連結於黏著基板（50）上；又證據2 說明書第21頁第15至20行「該電極金屬化20、22經由內連線60連接到在一次黏著基板50上的次黏著電極52。該內連線構成該LED與該次黏著之間的電性連接，並提供了在運作期間由該LED移除熱量的一熱性路徑」（乙證1卷第60頁）、同頁末行至22頁第7 行「該內連線係經由導電介面41、54來附著到該LED 及次黏著…最終的內連線厚度及面積係由該焊料體積以及在該LED 上的可濕化金屬41及該次黏著上的54來決定」，由上可知，證據2 之內連線（60）係提供LED 移除熱量之路徑，而內連線厚度及面積則與可濕化金屬（即導電介面41）相關，意即所屬技術領域中具有通常知識者依證據2所教示之內容，如要提高LED之散熱效果，當可調整或增加導電介面（41）或焊墊（54）之面積以達成其目的。

③此外，由證據3說明書第7頁第2至3行「本案創作發明裸晶式發光二極體，就是直接將LED晶粒製作形成SMD元件，不須經封裝製程即可使用…」（乙證1 卷第34頁），及第6圖揭示裸晶LED（14）以覆晶及表面黏著方式直接連接於PCB線路板（3），亦可知將LED 以覆晶及表面黏著方式直接連接於PCB 線路板（無需封裝基板）均為系爭專利申請前之習知技術，故尚難依此認定系爭專利請求項1具進步性。

⑶原告固主張依其專利申請過程中之申復理由（甲證4第3、4頁，本院卷第65、66頁），應將系爭專利請求項1之「大面積導電（導熱）層」解釋為「較P、N電極面積為大之導電（導熱）層」等等。惟按發明專利權範圍，以申請專利範圍為準，而於解釋申請專利範圍時，並得審酌說明書及圖式，專利法第56條第3 項定有明文。亦即解釋申請專利範圍時，應以申請專利範圍內容為準，雖得參酌說明書、圖式解釋其用語，惟不得將申請專利範圍中未界定但說明書中已載明之限制條件予以不當讀入。而系爭專利說明書第6 頁末行及前述申復理由中固然說明大面積導電材（40）、（50）具有「放大電極」之功效或目的，但申請專利範圍中並未記載導電（導熱）層之「大面積」係指相對於P、N電極為大，自不得逕自將之讀入系爭專利之範圍。故原告主張系爭專利之大面積導電導熱層，應較P、N電極為大，自屬無據。

⑷原告雖主張證據3 係不需「樹脂封裝」即可直接與其他線路板接合，與系爭專利所指之「無需封裝」，係無須經過「封裝基板及打線或植金、銀、錫球等製程」完全不同（本院卷第26至28頁）。惟查，系爭專利請求項1 並無任何關於是否需「經過封裝基板及打線或植金、銀、錫球等製程」之限定條件，而證據2已揭露系爭專利請求項1之結構特徵，俱如前述，證據2即足以證明系爭專利請求項1不具進步性。又縱使將原告所稱之「無須封裝」係指無須經過「封裝基板及打線或植金、銀、錫球等製程」條件考慮在內，依證據3第6 圖及說明書內容業已揭露將裸晶LED（14）連接於PCB線路板（3）上，且由證據3第6圖所示結構，清楚可見LED 晶片（14）與PCB線路板（3）間並無任何封裝基板存在，亦無打線或植金、銀、錫球，可見證據3第6圖所揭露之LED 晶片結構即滿足原告所稱之「無須封裝」技術特徵。

⑸原告另執甲證3之「倒裝晶片來臨加速LED封裝革命」報導（本院卷第60頁）指出「錫膏焊接」解決了倒裝晶片工藝上的一些難點，極大提升產品的可靠性與穩定性，可知系爭專利於申請時係為突破性之技術，具有極高之進步性（本院卷第16頁）。然甲證3 通篇係在介紹倒裝晶片技術於LED 晶片之趨勢與應用，並未提及系爭專利案號，亦未見有任何關於系爭專利主要訴求之「大面積導電導熱層」技術內容，且系爭專利請求項1 並無「錫膏」相關技術特徵，當無法逕予認定系爭專利請求項1 之發明係突破性之技術或已獲得商業上成功而具有進步性。

⒊證據3、4之組合並不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：

⑴比對系爭專利請求項1與證據4之技術內容：證據4第3圖及說明書第7、8頁揭露一種高功率白色發光二極體晶粒（300 ），其具有接觸電極（308a）與接觸電極（308b），並於接觸電極（308a）上設有一反射層（306 ）。被告雖認定前述證據4所揭露之接觸電極（308a）上設有反射層（306），即對應系爭專利請求項1 之「晶片P、N電極處各增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層」技術特徵（原處分第6頁末段至第7頁第1段），訴願決定則以證據4之接觸電極（308a/308b）相連接於焊接材料（312）認定對應於系爭專利請求項1之前述技術特徵（見訴願決定書第7頁第13至18行）。

⑵惟證據4 僅於接觸電極（308a）上設有反射層，並未在另一接觸電極（308b ）上設有反射層，與系爭專利請求項1之「晶片P、N電極處『各』增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層」技術特徵不符。再者，證據4說明書第8頁第8 至10行記載「…其中透明歐姆電極304、反射層306與第一接觸電極308a合稱為p 型電極，而第二接觸電極308b則為n型電極」（乙證1 卷第24頁背面），可見證據4之反射層（306）實為p型電極之一部分，自不等同於系爭專利設於P、N電極上之大面積導電（導熱）層。又系爭專利請求項1 之請求標的係「晶片」，則其P、N電極處所增設之「大面積導電（導熱）層」，自應為晶片本身結構一部分始足當之。然證據4所揭露之焊接材料（312）係用於連接發光二極體晶粒（300）與散熱承座（310），此觀諸證據4說明書第8頁第11至13行「位於晶粒上之接觸電極308a、308b經由焊接材料312分別與散熱承座310上的導電跡線314電性連接…」內容甚明（乙證1卷第24頁背面），是以證據4之焊接材料（312 ）並非發光二極體晶粒（300）結構的一部分，而是用來電性連接發光二極體晶粒（300 ）與散熱承座（310 ）之中介材料，並不等同於系爭專利請求項1之「大面積導電（導熱）層」技術特徵。

⑶證據3 係揭露將發光二極體晶粒直接製作成表面黏著型（SMD）之結構，不須再經封裝製程即可使用，仍未揭露在P或N電極上增設大面積導電（導熱）層之技術特徵。

⑷是以，證據3 及證據4均未揭露系爭專利請求項1之大面積導電（導熱）層技術特徵，且證據3、4之技術內容亦無相關之建議或教示，所屬技術領域中具有通常知識者縱使組合證據3、4之技術內容，尚難思及在證據3 或證據4之LED晶粒P、N電極上設有大面積導電（導熱）層，故證據3、4之組合並不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

⒋證據3、5之組合並不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：

⑴比對系爭專利請求項1與證據5之技術內容：證據5第1圖揭露覆晶型發光二極體晶粒（16）設於底座基板（11），證據5說明書第7頁第1至4行記載「底座基板11的上方及下方分別有複數個金屬層覆蓋之，其係分別標示為金屬層12、金屬層13、…。其中，金屬層12及金屬層13分別與透明基板覆晶型發光二極體晶粒的p極與n極接觸…」（乙證1 卷第7頁），是以證據5雖對應揭露系爭專利請求項1 之發光二極體晶粒具有p極與n極，但並未揭露在p極與n極上設有大面積導電（導熱）層之技術特徵。

⑵被告雖認證據5 之金屬層（12、13）即相當於系爭專利請求項1 之大面積導電（導熱）層（見原處分第8頁第2段）。惟如前述，系爭專利請求項1 之請求標的係「晶片」，並具有在P、N電極處增設大面積導電（導熱）層之技術特徵，可見該大面積導電（導熱）層係晶片本身結構之一，而由前述證據5 說明書內容可知，金屬層（12、13）係底座基板（11）之結構，用以供發光二極體晶粒的p極與n極進行覆晶接合，是以證據5 之金屬層（12、13）並不等同於系爭專利請求項1 之「大面積導電（導熱）層」技術特徵。

⑶是以，證據3、5均未揭露系爭專利請求項1 之大面積導電（導熱）層技術特徵，且證據3、5之技術內容亦無相關之建議或教示，縱令所屬技術領域中具有通常知識者組合證據3、5之技術內容，尚難思及在證據3或5之LED 晶粒P、N電極上設有大面積導電（導熱）層，故證據3、5之組合不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

⒌證據2、3、4、5之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性之理由，已如前述。故證據2、3、4、5之組合自亦足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

㈤綜上所述，依證據3、4之組合，及證據3、5之組合，雖不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。惟依證據2、3之組合，及證據2、3、4、5 之組合，均足以證明系爭專利請求項1不具進步性。從而，被告以系爭專利請求項1 違反核准時專利法第22條第4 項之規定而不具進步性，而為舉發成立並為撤銷之處分，符合法律規定，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告仍執前詞，請求撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應予駁回。

㈥本件判決基礎已經明確，當事人其餘攻擊防禦方法及訴訟資料經本院斟酌後，認與判決結果沒有影響，無逐一論述的必要，併此說明。

七、結論：原處分合法，訴願決定予以維持，核無不合，本件原告之訴為無理由，應予駁回。爰依行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第三庭