智慧財產法院行政判決

原告羅門哈斯研磨材料控股公司（RohmandHaasElec

tronicMaterialsCMPHoldings,Inc.）

代表人BlakeT.Biederman

訴訟代理人馮達發律師（兼送達代收人）

黃麗蓉律師

被告經濟部智慧財產局

代表人洪淑敏（局長）住同上

訴訟代理人薛惠澤

參加人美商奈平科技股份有限公司

代表人H.CarolBernstein

訴訟代理人王仁君律師

徐瑞毅律師

上列當事人因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國106年4月6日經訴字第10606301250號訴願決定，提起行政訴訟，

1經本院依職權命參加人獨立參加被告訴訟，本院判決如下：

主文

事實及理由

一、程序事項：原告起訴時訴之聲明第2項為：「請命被告為舉發不成立之處分」，嗣於民國106年10月30日準備程序期日當庭以言詞撤回此部分起訴，且據被告同意在卷（見本院卷3第780頁）；又原告起訴時訴之聲明第1項為：「原處分關於『請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷』之決定及原訴願決定均撤銷」。嗣於民國106年10月30日準備程序期日，當庭更正訴之聲明第1項「訴願決定及原處分關於『請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷』部分均撤銷」，核原告所為，僅屬訴之聲明用語明確化之更正，與訴之聲明之變更或追加無涉，且經被告同意在卷（見本院卷3第780頁），則上開訴之一部撤回及更正應受判決事項之聲明，均無不合，應予准許。

二、事實概要：原告前於90年5月25日以「化學機械平面化之拋光襯墊」向被告申請發明專利，並以89年5月27日及89年7月28日向美國申請之案號第60/207,938及60/222,099號專利案主張優先權，經被告編為第90112660號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第528646號專利證書（下稱：系爭專利）。

嗣參加人以該專利違反核准時專利法第20條第1項第1款、第2項及第71條第3款之規定，對之提起舉發，案經被告審查，以105年10月28日（105）智專三（三）05048字第10521337420號專利舉發審定書為「103年2月14日之更正事項2，准予更正。請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷。請求項3至4舉發不成立」之處分。原告不服前揭舉發審定書中關於舉發成立部分即「請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷」之處分，提起訴願，經經濟部106年4月6日經訴字第10606301250號訴願決定書為「訴願駁回」之決定。原告不服訴願決定及舉發成立部分之處分，遂向本院提起行政訴訟（關於系爭專利請求項1-7之審定、訴願、裁判結果，另如附表所示）。惟本件判決結果，倘認定原處分及訴願決定應予撤銷，參加人之權利或法律上之利益將受損害，爰依職權命參加人獨立參加被告之訴訟。

三、原告主張：

（一）證據3為非適格之證據：證據3（西元1999年公開發行之Rodel公司型號「RodelICl000CMPPad」拋光墊之產品型錄影本）清楚註明「RodelIC1000V4.18/02」，此即代表係西元2002年8月公開之RodelIC1000之第4.1版型錄。換言之，證據3公開日實為西元2002年8月，晚於系爭專利優先權日，並非適格證據。

（二）系爭專利舉發案有專利法第81條第1款規定之適用：原告103年2月14日申請更正系爭專利請求項1，被告認定「系爭專利103年2月14日更正本係將請求項1進一步限定『在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之』…屬於對『該層具有一在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比』之進一步限縮，並未擴大申請專利範圍，更正後未超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍，且未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍，符合現行專利法第67條第1、2、4項之規定，應准予更正」，是以，系爭專利請求項1雖經更正，但更正後之專利權範圍實為原請求項31之一部分，屬於專利法第81條規定之「同一專利權」。

（三）參加人主張系爭專利請求項1、2不具新穎性，於法不合：依原告訴之聲明，本件審理範圍即應僅限於「系爭專利請求項1至2、5至7欠缺進步性，是否違反90年專利法第20條第2項規定？」。至於參加人主張系爭專利請求項1、2不具新穎性，亦即主張系爭專利請求項1、2違反90年專利法第20條第1項規定云云，已超出原告本案訴之聲明及其原因事實，自不在本案審理範圍。

（四）參加人在本案主張系爭專利請求項1、2、5、6、7違反核准時專利法第71條第1項第3款規定，於法不合：依原告訴之聲明，本件審理範圍即應僅於「系爭專利請求項1至2、5至7欠缺進步性，是否違反90年專利法第20條第2項規定？」。至於參加人本案主張系爭專利請求項1、2、5、6、7違反90年專利法第71條第1項第3款云云，已超出原告本案訴之聲明及其原因事實，自不在本案審理範圍。

（五）系爭專利更正後之請求項1具新穎性：

1.證據3與輔助證據5、6、7、12，無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性：依本院98年度行專訴字第67號行政判決及最高行政法院100年度判字第2223號判決認證據3、輔助證據5、6無法否定系爭專利請求項1之新穎性，且本院98年度行專訴字第67號行政判決亦認定輔助證據5、6之證據不適格，故依專利法第81條第1款規定，自不得再用以否定系爭專利請求項1之新穎性。又輔助證據7係在西元2012年1月10日之測試報告，晚於系爭專利優先權日西元2000年5月27日，故輔助證據7自非適格證據。再者，4依舉發證據3所示，IC1000拋光墊厚度為1270μm（亦即，1.27mm），惟輔助證據7卻記載，其測試樣品厚度分別是1.28mm、1.30mm、1.79mm、1.79mm、2.07mm、2.08mm，均厚於1.27mm。可知，輔助證據7之測試樣品並非IC1000拋光墊，亦未揭示所測試之樣品為何。

故輔助證據7實無從與證據3與輔助證據5、6相互勾稽。另輔助證據12係在西元2012年2月16日之測試報告，晚於系爭專利優先權日西元2000年5月27日，故輔助證據12自亦非適格證據，且輔助證據12未記載其測試樣品厚度，亦未揭示其所測試之樣品為何。依上，輔助證據7、12之測試樣品並非IC1000拋光墊。從而，輔助證據7、12實無從與舉發證據3與輔助證據5、6相互勾稽。

2.證據4與輔助證據5、6、8，無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性：證據4（Rodel公司於西元1992年公開發行之型號「SubaIV」拋光墊之產品）依本院98年度行專訴字第67號行政判決及最高行政法院100年度判字第2223號判決意旨「僅簡要記載SUBAIV拋光墊之規格及內容，並未具體揭露其E'(30℃)/E'(90℃)之比值」，亦不足以與輔助證據5、6相互勾稽而否定系爭專利請求項1之新穎性。又輔助證據8係在西元2012年1月參加人自行檢測報告，晚於系爭專利優先權日西元2000年5月27日。故輔助證據8本非適格證據。又若輔助證據8受測試樣品確實是SUBAIV拋光墊，惟其非在受測試樣品有效期間內之測試結果，該測試結果自不足採信，參加人從未提出任何客觀證據證明該受測樣品之性質與舉發證據4即SUBAIV拋光墊之性質相同，則無論輔助證據8測試結果為何，均非適格5證據。是以，證據4與輔助證據5、6、8，無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性。

3.證據2（西元2000年2月8日公告之美國第6022268號「POLISHINGPADSANDMETHODSRELATINGTHERETO」專利案），無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性：證據2僅揭示「在30℃及60℃時的張力模數比為1.0到2.5」，依本院98年行專訴字第67號行政判決及最高行政法院100年度判字第2223號確定判決，證據2自無從否定系爭專利更正後請求項1之新穎性，且依行政訴訟法第216條第1項及第2項規定，被告即受該判決意旨之拘束，不得為相反之認定。

4.證據5，無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性：本院98年行專訴字第67號行政判決意旨已肯認證據5「僅載有發行之年度，而無發行之月日，僅能證明係於2000年完成」、「無從認定已於2000年4月26日至27日公開發行，而無法證明其公開日早於系爭專利之優先權日（同年5月27日），自不得作為證明系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性之證據」。是以，證據5既然證據不適格，自無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性。

5.證據6，無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性：本院98年行專訴字第67號行政判決意旨認定證據6證據不適格，自無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性。

（六）系爭專利更正後之請求項2具新穎性：

1.系爭專利更正後之請求項2為系爭專利更正後請求項1之附屬項，則系爭專利更正後請求項2，自亦有新穎性。62.證據3與輔助證據5、6、7、12；證據4與輔助證據5、6、8；證據2；證據5；證據6，均無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，而系爭專利更正後請求項2為請求項1之附屬項，前揭證據自亦無法證明系爭專利更正後請求項2不具新穎性。

（七）系爭專利更正後請求項1具進步性：

1.證據2，揭示一種應用於半導體之拋光墊，於實施例揭示將polyether-basedurethaneprepolymer與4,4-methylene-bis-chloroaniline混合後進行反應所產生之單一高分子材料，再經烘烤等數步驟加工，以製備成該拋光墊。惟證據2全然未記載該拋光層之E'在30℃與90℃時之比例數值，遑論未揭示係「在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所量測」之E'比。

2.證據9（西元1997年4月22日公告之美國第5622535號「ABRASIVEARTICLECOMPRISINGPOLYMERICCOMPOSITIONSANDABRASIVEGRAIN」專利案），揭示一種材料，並非一種拋光墊，則其須進一步加工，方得成為拋光墊，未揭示其發明之所有材料之彈性儲存模數「在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」。

3.證據2及證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性：證據2實施例所載用之基本材料是由polyether-basedurethaneprepolymer與4,4-methylene-bis-chloroaniline混合後進行反應所產生之單一高分子材料，惟證據9第1圖至第4圖之實施例，則採用兩種高分子材料即VCARVROH玻璃樹酯與Estane5706橡膠高分子混合製成該材料。準此，7兩證據所用之材料，本質上顯然不同。又證據2、9中，曾揭示「在30℃到90℃時之E'比」者，惟此所揭示者僅為一種材料，並非拋光墊。縱將舉發證據9之第1圖至第4圖所揭示之材料，進一步以舉發證據2所揭示之加工步驟即「在200℉下進行五個小時烘烤，再於70℉下進行射出以形成拋光墊」後，此等拋光墊之「在30℃到90℃時之E'比」，是否仍在1至3.6之範圍內？實屬未知。是以熟悉該技術者無法由證據2及證據9之教示而進一步結合。因此，證據2及證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。

4.證據10（1995年刊載於ThinSolidFilms000(0000)WeidanLi.等人之論文「Theeffectofthepolishingpadtreatmentsonthechemical-mechanicalpolishingofSiO2films」）僅揭示其測試之IC1000與SUBAIV拋光墊之「G'(30℃)/G'(90℃)之比值，而非E'(30℃)/E'(90℃)之比值」，而IC1000與SUBAIV拋光墊亦未被證明為等向性材料。（本院卷3第959頁）

5.證據11（西元1983年出版之JohnAklonis.et.al,「IntroductiontoPolymerViscoelasticity」,SecondEdition,封面、版權頁及內頁）所涉公式限應用於等向性材料。

6.證據10及證據11之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性：依最高法院103年度台上字第2409號判決意旨認「舉發證據11僅適用於等向性材料，舉發證據10並未揭示IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊為等向性材料，無從適用舉發證據11之公式」，又本院98年度行專訴字第67號行政判決認「引證十九（即：本案證據10）所揭示之G'值8為『剪應力模數（shearstoragemodulus）』，而非『張力模數（tensilestoragemodulus）』，且所揭示者為IC1000或SUBAIV研磨墊之G'(30℃)/G'(90℃)之比值，而非E'(30℃)/E'(90℃)之比值，亦未揭示研磨墊材質於30℃及90℃之蒲松比值」，此復為最高行政法院100年度判字第2223號判決所肯認證據10測試之IC1000拋光墊並非等向性材料。是以，證據10所測IC1000拋光墊與SUBAIV拋光墊均屬於複合材料，系爭專利優先權日前之科學文獻清楚記載：對於複合材料，其蒲松比值計算將更為複雜，而須使用到含有K（容積彈性模數）與G（剪力模數）等參數之一系列微分方程式，且該蒲松比值可能隨著該複合材料成分比例而變化，則系爭專利所屬技術領域具有通常知識者必有此等知識，則依其致能要件，即「執行例行工作、實驗之普通能力」，並不會將舉發證據10之數據，應用舉發證據11之之公式，而會改適用複合材料之複雜公式，況證據10根本未揭示容積彈性模數等數據，故系爭專利所屬技術領域者，根本無從將舉發證據10之G'(30℃)/G'(90℃)之比值，轉成E'(30℃)/E'(90℃)之比值，故證據10及證據11之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。

（八）系爭專利更正後請求項2具進步性：

1.證據2、證據9、證據3之組合，無法證明系爭專利更正後請求項2不具進步性：證據3為不適格證據及證據2、9所揭示之內容，已如前述，則證據9並未揭示拋光墊製作方法，而證據3僅是一型錄，僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，單憑證據2所揭9示之拋光墊製作方法，實「難以輕易完成」系爭專利更正後請求項2之發明。

2.證據2、證據9、證據13之組合，無法證明系爭專利更正後請求項2不具進步性：證據13（西元1997年發行之AppliedSurfaceScience第108卷第39至44頁論文）是關於IC1000拋光墊之性質研究報告，並未揭示該拋光墊本體之製作方法。而證據3證據不適格。又證據9既未揭示拋光墊製作方法，而舉發證據13僅是關於IC1000拋光墊之性質研究報告，亦未揭示IC1000拋光墊之製作方法，僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，單憑舉發證據2所揭示之拋光墊製作方法，實「難以輕易完成」系爭專利更正後請求項2之發明。

3.證據2、證據9、證據14之組合，無法證明系爭專利更正後請求項2不具進步性：證據14（西元2000年3月14日公告之美國第6036579號「Polymericpolishingpadhavingphotolithographicallyinducedsurfacepatterns(s)andmethodsrelatingthereto」專利案）是一種具有特殊溝槽之拋光墊，但未揭示該拋光墊本體之製作方法（僅揭示該溝槽製作方法）；證據9未揭示拋光墊製作方法；而證據14亦未揭示其拋光墊本體之製作方法，僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，單憑證據2所揭示之拋光墊製作方法，實「難以輕易完成」系爭專利更正後請求項2之發明。

4.證據10、證據11、證據2之組合，無法證明系爭專利更正後請求項2不具進步性：10證據10及證據11均未揭示拋光墊製作方法，而證據2僅揭示一種特殊拋光墊之製作方法，以僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，單憑舉發證據2所揭示之拋光墊製作方法，無法「輕易完成」系爭專利更正後請求項2之發明。

5.證據10、證據11、證據3之組合，無法證明系爭專利更正後請求項2不具進步性：證據3證據不適格及證據10係關於原告前身Rodel公司約在1994年製作之一種IC1000拋光墊之性質研究報告，兩者差距8年，並無證據證明兩者屬於同一種IC1000拋光墊，致無從相互勾稽。從而，證據3、10、11均未揭示拋光墊製作方法之情形下，可知，僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，無法「輕易完成」系爭專利更正後請求項2之發明。

6.證據10、證據11、證據13之組合，無法證明系爭專利更正後請求項2不具進步性：證據13是關於IC1000拋光墊之性質研究報告，並未揭示該拋光墊本體之製作方法；證據10係關於原告前身Rodel公司約在1994年製作之一種IC1000與SUBAIV拋光墊之性質研究報告，證據11則揭示僅適用於等向性材料之一公式。前揭證據未揭示其拋光墊製作方法之情形下，並未揭示何以僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，得以此3文獻之組合而輕易完成系爭專利更正後請求項2之發明。

7.證據10、證據11、證據14之組合，無法證明系爭專利更後請求項2不具進步性：11證據14是一種具有特殊溝槽之拋光墊，但未揭示該拋光墊本體之製作方法（僅揭示該溝槽製作方法）；證據10係關於原告前身Rodel公司約在1994年製作之一種IC1000與SUBAIV拋光墊之性質研究報告，證據11則揭示僅適用於等向性材料之一公式。然證據10與11並未揭示拋光墊製作方法，而證據14亦未揭示其拋光墊本體之製作方法，僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，自無法「輕易完成」系爭專利更正後請求項2之發明。

8.證據10、證據11、證據15之組合，無法證明系爭專利更正後請求項2不具進步性：證據15（西元2000年5月16日公告之美國第6062968號「Polishingpadforasemiconductorsubstrate」專利案）是一種特殊拋光墊製作方法。證據10、證據11並未揭示拋光墊製作方法，僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，單憑證據15所揭示之拋光墊製作方法，無法「輕易完成」系爭專利更正後請求項2之發明。

（九）系爭專利更正後請求項5具進步性：

1.證據2、證據9、證據14之組合，無法證明系爭專利更正後請求項5不具進步性：證據2、證據9所揭示之內容，業如前述。又系爭專利更正後請求項5限定於「在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後」，技術特徵為「根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之每一線性尺寸變化少於約1%」係要求每一線性尺寸變化須小於1%。惟舉發證12據14則是該拋光墊整體膨脹小於2%即可，此不同於系爭專利更正後請求項5之每一線性尺寸變化，而證據14則是揭示該拋光墊整體膨脹小於2％，但未要求個別方向線性尺寸變化。換言之，在證據14之拋光墊浸於20℃水中24小時後，雖然整體膨脹小於2%，但可能在某方向線性尺寸變化大於1%。是以，證據2僅揭示一種特殊拋光墊，證據9係揭示一種用於「彈性磁性記錄媒材與研磨工具上」之材料，而非拋光墊，證據14亦未揭示其拋光墊本體之製作方法之情形下，僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，實無從由舉發證據14前開揭示而能輕易完成系爭專利更正後請求項5之發明。

2.證據10、證據11、證據14之組合，無法證明系爭專利更正後請求項5不具進步性：證據10、證據11所揭示之內容業如前述。證據14是一種具有特殊溝槽之拋光墊，但未揭示該拋光墊本體之製作方法（僅揭示該溝槽製作方法）。證據10、證據11均未揭示拋光墊之製作方法，僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，實無從單憑前揭3舉發證據之組合而「能輕易完成」系爭專利更正後請求項5之發明。

（十）系爭專利更正後請求項6具進步性：

1.證據2、證據9分別與證據34、證據35之組合，無法證明系爭專利更正後請求項6不具進步性：原處分及訴願決定業已認定證據2及證據9分別與證據34、證據35之組合，無法證明系爭專利更正後請求項6不具進步性。又證據2、證據9已無法證明系爭專利更正後13請求項1不具進步性，縱認證據34、證據35已揭示系爭專利更正後請求項6之限定技術特徵，證據2與9分別與證據34、35之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項6不具進步性。

2.證據10、證據11分別與證據34、證據35之組合，無法證明系爭專利更正後請求項6不具進步性：證據10、證據11已無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。證據34與35僅是一般性說明拋光墊之性質，且根本未提及如何防止碟化作用。系爭專利更正後請求項5藉此「該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之硬度減少約30%」之進一步限定技術特徵，以達成「賦予金屬線小於500A的碟化作用」之功效，此實非僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者而「能輕易完成」。縱認證據34、35已揭示系爭專利更正後請求項6之限定技術特徵，證據10、證據11，分別與證據34、35之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項6不具進步性。

（十一）系爭專利更正後請求項7具進步性：

1.證據2、證據9之組合，或證據2、證據9分別與證據10、證據15之組合，無法證明系爭專利請求項7不具進步性：原處分及訴願決定業已認定證據2、證據9之組合，或證據2、證據9分別與證據10、證據15之組合，皆無法證明系爭專利更正後請求項7不具進步性。是以，縱認證據2、證據10、證據15已揭示系爭專利更正後請求項7之限定技術特徵，證據2與9之組合，或證據214與9分別與證據10、證據15之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項7不具進步性。

2.證據10、證據11之組合，或證據10、證據11分別與證據2、證據15之組合，無法證明系爭專利更正後請求項7不具進步性：證據10與證據11無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。縱認證據2、證據10、證據15已揭示系爭專利更正後請求項7之限定技術特徵，證據10與證據11之組合，或證據10與證據11分別與證據2、證據15之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項7不具進步性。

（十二）系爭專利更正後請求項1、2、5、6、7未違反修正前90年專利法第71條第1項第3款規定：系爭專利更正後請求項1「該拋光層在30℃到90℃時之E'比約為1到3.6」之「在30℃到90℃時之E'比」，意指「E'(30℃)/E'(90℃)」，且業經本院98年行專訴字第67號行政判決及最高行政法院100年度判字第2223號判決認定在案，被告及參加人應即受此拘束。又系爭專利更正後請求項1之發明，系爭專利說明書已清楚揭示其目的、技術內容、特點及功效，更於系爭專利說明書第17頁實例3及第18頁實例4清楚載明製備更正後請求項1拋光墊之方法。故系爭專利所屬技術領域具有通常知識者均得據以實施系爭專利更正後請求項1之發明，而可製備該項之拋光墊，並無困難。是以，系爭專利說明書實已充分支持系爭專利更正後請求項1甚明。

（十三）聲明：訴願決定及原處分關於「請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷」部分均撤銷。15四、被告抗辯：

（一）系爭專利舉發案有專利法第81條第1款規定之適用：按專利法第81條規定「同一證據」，指證據實質內容相同，而不論其形式是否相同；「同一事實」，指待證事實之實質內容相同，不論其形式是否相同；所謂「事實」，係指舉發理由所主張涉案專利有應撤銷專利權之舉發事由，例如主張系爭專利違反新穎性、進步性等。查本件舉發審定書係以：「專利權人主張舉發人依法不得以同一事實及證據再為主張云云，忽略本件請求項及舉發理由已為不同之事實及證據，自屬無據」，除了系爭專利請求項已經更正外，舉發理由亦與系爭專利舉發N01號案不相同，本件舉發事件自無適用專利法第81條之規定。

（二）原處分並無悖離本院98年行專訴字第67號判決及最高行政法院100年判字第2223號判決意旨，亦無理由不備之違誤：

1.本院98年行專訴字第67號判決及最高行政法院100年判字第2223號判決係系爭專利舉發N01案之確定判決，認定引證十九（即本件證據10）其補強證據為引證19-1（即本件證據11)所載之技術內容並未揭示系爭專利請求項1之技術特徵，而無法證明該請求項不具新穎性，與本件有關進步性之爭點並不相同。又本件重點在於，即使證據10未明白揭露E'的比值，且無法認定蒲松比即為定值，則熟習該項技術者依據證據10揭示之G值於30°C及90°C之變化量、證據11揭示之換算公式，以及系爭專利申請（優先權日：2000年5月27日）前既有之相關技術或知識，經邏輯分析、推理或試驗後是否能預期到系爭專利請求項1界定E'比之數值範圍（1至3.6）內？由於系爭16專利亦適用於聚合物黏彈性力學領域，而蒲松比仍應介於一定的數值範圍內始能適用線性黏彈性的理論，故依據證據10所揭示之剪力能量儲存模數G'的比值，熟習該項技術者仍可預期能獲得系爭專利請求項1之E'的比值範圍。

2.系爭專利請求項1所請該拋光襯墊為「一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30°C到90°C時約為1到3.6的E'比」，僅限定在30°C及90°C時所測得之E'比值，並未界定該研磨墊測試時之狀態究為「乾燥」、抑或「浸水24小時」等限制條件，易言之，無論該測試之拋光墊為「乾燥」，或「浸水24小時」之狀態，均屬系爭專利請求項1所請之拋光襯墊，自不能以此排除證據10所揭示之測試條件。又系爭專利說明書第22頁第10行至第23頁第10行記載：「有關水解穩定度...在室溫（25）下浸泡於去離子水中24小時後，性質落在上述範圍內」，且依第23頁之表「參數」欄最末列所示，該襯墊在室溫25°C浸泡於去離子水中24小時後，「在30°C和90°C時之E'比」最佳範圍為「1.0-3.5」，與系爭專利請求項1所記之數值範圍相當，足證系爭專利請求項1之E'比值包含浸泡於去離子水中24小時後之數值。又證據10第4圖既已在攝氏30度至90度的溫度範圍中求得一系列G'值，即隱含其係適用證據11所教示的小變形量情形，在小變形量情形推導出之蒲松比（μ）換算公式自亦在適用之範圍內，亦即在攝氏30度及90度時均應適用黏彈性力學之假設。可知，證據11已教示G(G'）、E(E'）、E二2(1+u)G均定義在小變形量情形，且證據10已揭示G'，因證據10係適用小變形量情形，即可得知E=2(1+μ)G亦會適用於17證據10。

3.原證5、6及原證7之專家意見，固指出拋光墊應非為等向性材料，證據11之公式僅適用於等向性材料，不可能在系爭專利情形下決定是否適用蒲松比值，對於複合材料，其蒲松比值計算將更為複雜，證據10所研究之拋光墊均是孔洞性複合材料，對於具有孔洞性之等向性聚氨酯發泡材料其蒲松比值可為負值，測試頻率確實會影響樣品之張力模數E'與剪力模數G'，除非額外進行在1.6Hz頻率下之DMA測試，及熟悉此項技術者無動機組合證據10、11，及將證據10教示之G'數值轉換成系爭專利之E'值時，仍需進行大量實驗，始能確定相關溫度下之E'比值之結果云云。然在審定書理由（五）、4之(5)、（6)、（7)及（8)之內容即在說明對上開專家意見之具體理由，例如第（7)段所述之「證據11為聚合物黏彈性導論之教科書，其確屬於熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知之一般知識，……，又證據10亦明確記載所測者為黏彈性材料，其機械性質可藉由頻率函數之G'來描述，……，故專利權人稱證據10、11無從或毫無理由結合，並不可採。」，實難稱審定有不備理由之違法。

（三）聲明：原告之訴駁回。

五、參加人答辯：

（一）本件舉發案無一事不再理原則之適用，且原處分並無悖離本院98年度行專訴字第67號行政判決與最高行政法院100年度判字第2223號判決之意旨：

1.依系爭專利舉發審定時之專利舉發審查基準，專利法第81條所謂「事實」係指舉發理由所主張系爭專利有應撤銷專利權之舉發事由，且該審查基準指出「…前舉發案以某證18據主張系爭專利不具新穎性，後舉發案以同一證據主張不具進步性，應認定係基於不同事實所提起之舉發，而無一事不再理之適用」。

2.本院98年度行專訴字第67號行政判決與最高行政法院100年度判字第2223號判決僅針對系爭專利申請專利範圍第1項是否具有新穎性予以判斷，並未針對該請求項之進步性予以審酌，而原處分係以該請求項欠缺進步性為由認定舉發成立，與該行政判決理由非屬同一事實與同一證據，本不受該另案行政確定判決之拘束，亦無一事不再理原則之適用。

（二）系爭專利請求項1相較於證據10、證據11之組合，不具進步性：

1.熟習拋光襯墊技術知識者，基於證據10及證據11之教示，運用系爭專利申請前既有之技術或知識，能輕易完成系爭專利請求項1拋光襯墊之技術特徵：﹙1﹚證據10係揭示ㄧ種用於製造積體電路之拋光襯墊，其使用美國RodelProductsIncorporated公司所生產之SUBAIV及IC1000二種拋光襯墊做為測試標的。根據該證據第604頁圖4所示之剪力模數對溫度之曲線圖，SUBAIV拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數分別為43及28MPa，而IC1000拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數則分別為90及32MPa，且該證據亦明確揭露「當溫度由30℃提高到90℃時，然而IC1000拋光墊的G'會下降約3倍，SUBAIV拋光墊則僅會下降約1.5倍。(Whenthetemperatureincreasesfrom30℃to90℃,G'decreasesbyalmostafactorof3fortheIC1000pad,whiletheonlydecreasesbyafactorofabout1.5fortheSUBAIVpad.)」。19此外，該證據第2.1節已揭露「蒲松氏比(Poisson'sratio)為0.5」之假設。

﹙2﹚證據11揭示ㄧ材料之拉伸模數E與剪力模數G間之關係式為「E=2(1+μ)G」，其中μ為蒲松氏比；易言之，倘一材料之拉伸模數、剪力模數及蒲松氏比三者已知其二，則剩餘之第三者可輕易藉由該關係式計算而得。

﹙3﹚證據10及證據11，熟習該項技術之人士可輕易計算出IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊之E'(30℃)/E'(90℃)比值分別為2.2及1.65，已揭露系爭專利請求項1所請之E'(30℃)/E'(90℃)比值。由前述舉發證據10揭露之拋光墊G'由30℃提高到90℃時下降的倍數計算亦然。

此亦為最高法院及本院認定系爭專利與另案第490號專利欠缺進步性之理由。是以原處分判定系爭專利更正後之請求項1相較於證據10及證據11之組合不具進步性，並無任何違誤。

﹙4﹚證據10之學術論文係揭露以聚胺酯等聚合物為主要材料之SUBAIV及IC1000二種拋光襯墊之性質，證據11為關於聚合物黏彈性之書籍，二者俱揭露聚合物之張力模數及剪力模數之技術內容。是以熟習該項技術者只要使用一般技術性手段，即有完全之動機基於證據10及證據11之教示，運用系爭專利申請前既有之技術或知識，而輕易完成系爭專利之發明。因此，熟習化學機械研磨拋光墊技術者如欲解決拋光襯墊之問題時，有合理動機參考並組合證據10、證據11所揭露之技術內容。

（三）證據3及輔助證據5、6、7、12，可以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性：

1.由證據5圖1之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖，20可知，該IC1000拋光墊在30℃的E'約為370MPa、在90℃時的E'約為130MPa，從而其30℃到90℃時的E'比約為2.84，顯然落於1到3.6之間；由證據6第7頁之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖，可知，該IC1000拋光墊在30℃的E'約為370MPa、在90℃時的E'約為130MPa，從而其30℃到90℃時的E'比約為2.84，顯然落於1到3.6之間；由證據7試驗報告，可知，其30℃到90℃時的E'比約為2.55，顯然落於1到3.6之間。是以，由證據5、6、7等輔助證據可知，「IC1000拋光墊」已經揭露系爭專利請求項1之全部技術特徵。

2.更正後之系爭專利請求項1相較於原公告之請求項範圍係加入「在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量」。惟依系爭專利核准審定時之專利審查基準，「判斷有無新穎性時，應以發明之技術內容比對是否相同（含能由熟習該項技術者直接推導）為準。不相同即具有新穎性；相同即不具新穎性。」如前述，依動態機械分析法的通常知識，測試頻率之改變僅為試驗條件之簡單變化，故該更正之內容能由熟習該項技術者所直接推導，更正後之系爭專利請求項1仍不具新穎性。

（四）證據4及輔助證據5、6、8，可以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性：

1.由證據5圖1之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該SUBAIV拋光墊在30℃的E'約為170MPa、在90℃時的E'約為100MPa，從而，其30℃到90℃時的E'比約為1.7，顯然落於1到3.6之間；由證據6第7頁之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該IC1000拋光墊在30℃的E'約為170MPa、在90℃時的E'約為100MPa21，從而其30℃到90℃時的E'比約為1.7，顯然落於1到3.6之間；由證據8針對SUBAIV拋光墊進行之試驗可知，其30℃到90℃時的E'比約為1.65、1.60，顯然落於1到3.6之間。是以，由證據5、6、8等輔助證據可知，「SUBAIV拋光墊」已經揭露系爭專利請求項1之全部技術特徵。

2.由於系爭專利請求項1更正加入之內容「在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量」能由熟習該項技術者所直接推導，故更正後之系爭專利請求項1仍不具新穎性。

（五）證據5或證據6，皆可以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性：證據28、證據37、參證12等諸多客觀證據足證先前技術之證據5、證據6已於系爭專利優先權日前公開，由於其已各自揭露系爭專利更正後請求項1之全部技術特徵，因此，系爭專利更正後請求項1不具新穎性。

（六）證據2、證據9之組合，可以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性：

1.證據2揭露可用於製造半導體元件或類似物件之拋光襯墊具有「在30℃及60℃時的張力模數比(aratiooftensilemodulus)為1.0到2.5」之技術特徵；證據9揭露一特別適合應用在製造彈性磁性記錄媒材與研磨工具之組成物，具有在30℃及90℃時之E'比為2.73、2.53、及2.87之特徵；證據2及證據9共同揭露了系爭專利申請專利範圍第1項之「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊」、「該襯墊具有一用來平面化該表面之拋光層」、及「該拋光層具有一在30℃到90℃時約為1到3.6的E'22比」等全部技術特徵。

2.證據2與證據9之美國專利分類號均包含「51/298」，且證據2、證據9、與系爭專利之國際專利分類號均屬「B24」類。可見，證據2、證據9、與系爭專利係屬一般認同之同一技術領域，而熟習該項技術者只要使用一般技術性手段及發揮一般創造能力，即有完全之動機結合屬於同一技術領域之證據2與證據9，具有共同性質及技術特徵，而輕易完成系爭專利發明。又本院100年度民專訴字第134號判決已肯認系爭專利原公告之請求項1相較於證據2及證據9之組合不具進步性。是以，證據2與證據9之組合，可證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。

（七）證據3及輔助證據5、6、7、12，可以證明系爭專利更正後請求項2不具新穎性：系爭專利請求項2相較於請求項1附加之技術特徵為「一約為40到70ShoreD之硬度」，此外，系爭專利優先權日前已公開販售、使用之IC1000拋光墊已經揭露系爭專利更正後請求項1之全部技術特徵，是以系爭專利優先權日前已公開販售、使用之IC1000拋光墊已經揭露系爭專利請求項2之全部技術特徵，因此，系爭專利請求項2不具新穎性。

（八）聲明：原告之訴駁回。

六、法律適用：按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定。」為專利法第71條第3項本文所明定，其立法理由載稱：「核准發明專利權之要件係依核准審定時之規定辦理，其有無得提起舉發之情事，自應依審定時之規定辦理，始為一致，爰予明定」。查系爭專利申請日為90年5月25日（優先權日為2000年5月27日），經被告審查後於92年3月523日准予專利，並於同年4月21日公告，故系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時所適用之90年10月24日修正公布、90年10月26日施行之專利法（下稱：90年專利法）規定為斷。

七、本件審理之爭點：參加人以系爭專利有違90年專利法第20條第1項第1款、第2項及第71條第3款之規定，對之提起舉發，原告於103年2月14日提出更正本，此與原公告本比對，係將請求項1進一步限定「在10在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之」，屬於對「該層具有一在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」，案經被告審查，認為更正符合90年專利法第67條規定，准予更正，並依更正本予以審查。準此，本件原告於103年2月14日提出系爭專利請求項更正本，既經被告機關審查核准更正並公告，是其更正即自申請日生效，且參加人陳明並不爭執系爭專利更正的合法性（見本院卷3第897頁），是以，本件應以系爭專利核准審定時即90年專利法，據為系爭專利更正後請求項1至2、5至7有無撤銷原因之判斷。又本件經當事人同意整理並協議簡化爭點如下（見本院卷3第897-900頁）：

（一）證據3是否為適格之證據？

（二）系爭專利舉發案是否有專利法第81條第1款規定之適用？

（三）參加人在本案主張系爭專利請求項1、2不具新穎性，是否合法？

（四）參加人在本案主張系爭專利請求項1、2、5、6、7違反90年10月26日施行專利法第71條第1項第3款（說明書記載明確性），是否合法？

（五）系爭專利更正後之請求項1是否具新穎性？241.證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12，是否可證明更正後請求項1不具新穎性？

2.證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8，是否可證明更正後請求項1不具新穎性？

3.證據2是否可證明更正後請求項1不具新穎性？

4.證據5是否可證明更正後請求項1不具新穎性？

5.證據6是否可證明更正後請求項1不具新穎性？

（六）系爭專利更正後請求項2是否具新穎性？

1.證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12，是否可證明更正後請求項2不具新穎性？

2.證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8，是否可證明更正後請求項2不具新穎性？

3.證據2是否可證明更正後請求項2不具新穎性？

4.證據5是否可證明更正後請求項2不具新穎性？

5.證據6是否可證明更正後請求項2不具新穎性？

（七）系爭專利更正後請求項1是否具進步性?

1.證據2與證據9之組合，是否可以證明更正後請求項1不具進步性？

2.證據10與證據11之組合，是否可以證明更正後請求項1不具進步性？

（八）系爭專利更正後請求項2是否具進步性？

1.證據2、證據9與證據3之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？

2.證據2、證據9與證據13之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？

3.證據2、證據9與證據14之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？254.證據2、證據9與證據15之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？

5.證據10、證據11與證據2之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？

6.證據10、證據11與證據3之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？

7.證據10、證據11與證據13之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？

8.證據10、證據11與證據14之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？

9.證據10、證據11與證據15之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？

10.證據2與證據9之組合，是否可以證明更正後請求項2不具進步性？

（九）系爭專利更正後請求項5是否具進步性？

1.證據2、證據9與證據14之組合，是否可以證明更正後請求項5不具進步性？

2.證據10、證據11與證據14之組合，是否可以證明更正後請求項5不具進步性？

（十）系爭專利更正後請求項6是否具進步性？

1.證據2、證據9與證據34之組合，是否可以證明更正後請求項6不具進步性？

2.證據2、證據9與證據35之組合，是否可以證明更正後請求項6不具進步性？

3.證據10、證據11與證據34之組合，是否可以證明更正後請求項6不具進步性？

4.證據10、證據11與證據35之組合，是否可以證明更正後26請求項6不具進步性？

（十一）系爭專利更正後請求項7是否具進步性？

1.證據2與證據9之組合，是否可以證明更正後請求項7不具進步性？

2.證據2、證據9與證據10之組合，是否可以證明更正後請求項7不具進步性？

3.證據2、證據9與證據15之組合，是否可以證明更正後請求項7不具進步性？

4.證據10與證據11之組合，是否可以證明更正後請求項7不具進步性？

5.證據10、證據11與證據2之組合，是否可以證明更正後請求項7不具進步性？

6.證據10、證據11與證據15之組合，是否可以證明更正後請求項7不具進步性？

（十二）系爭專利請求項1、2、5、6、7是否違反90年10月26日施行專利法第71條第1項第3款（說明書記載明確性）？

八、得心證理由：

（一）按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用，且無申請前已見於刊物或已公開使用等情形者，得依法申請取得發明專利。但發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，仍不得依法申請取得發明專利，核准時即90年專利法第19條、第20條第1項、第2項定有明文。而對於獲准專利權之發明，任何人認有違反前揭專利法之規定者，得檢附證據，向專利專責機關提起舉發。從而，系爭專利更正後請求項1至2、5至7有無違反前揭專利法之情事而應撤銷其發明專利權27，依法應由舉發人附具證據證明之，倘其證據足以證明系爭專利更正後請求項1至2、5至7有違前揭專利法之規定，自應為舉發成立之處分。

（二）次按關於申請專利之發明是否具有進步性，實務上係依下列步驟進行判斷：1.確定申請專利之發明的範圍；2.確定相關先前技術所揭露之內容；3.確定該發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準；4.確認該發明與相關先前技術所揭露之內容間的差異；5.該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明。一般而言，與發明相關之先前技術內容，包括：發明所記載之先前技術或舉發證據資料等，均得作為確定上開技術水準之客觀證據。至於如何在個案中客觀確定該發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準，必須依據個案之具體證據作為基礎進行論證。此外，由於判斷專利有無進步性之相關事實，往往涉及專門知識，而專利權人、舉發人或其等訴訟代理人、專利專責機關之代理人等，多係具有發明所屬技術領域之相關知識或技能者，是以當事人就「具有通常知識者」

及其於申請日之技術水準之認定加以爭執時，自應提出證據加以證明，並具體指明該事實涵攝於個案之先前技術組合後，對於進步性之決定究有何影響。如當事人已於事實審就系爭專利與舉發證據所揭露之內容間有何差異，參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明加以辯論，應認當事人已就該發明所屬技術領域中具有通常知識者及其於申請日之技術水準進行辯論（最高行政法院106年度判字第651號判決意旨參照）。28（三）系爭專利技術內容：

1.系爭專利申請日為2001年5月25日，最早優先權日為2000年5月27日。

2.系爭專利揭露一種用來拋光半導體元件或其先質之表面，以及平面化半導體晶圓上之金屬波紋結構的襯墊和方法，該襯墊之拋光層具有一在30℃到90℃為約1到3.6的E'比。（參中文發明摘要，見本院卷1第30頁）

3.系爭專利所欲解決的技術問題為：行波紋式拋光時在理想狀況下，於拋光後導電性插頭和線路為完全平坦且在所有情況下均為相等截面厚度，但實際上，橫跨金屬結構寬度各處的厚度會發生明顯的差異，且表面中央通常較邊緣具有較小厚度，此種效應，普通稱之為「凹化作用」，通常是吾人所不要的，因為導電性結構之截面積的變化會導致電阻的變化。凹化作用係因較硬之絕緣層（環繞較軟之金屬導體表面）以一較金屬物件為慢之速率進行拋光而發生，因此，當絕緣區域被拋光成平坦時，拋光襯墊易於磨蝕導體材料，主要從金屬物件的中心，這反過來會損傷最終半導體元件的功能。（參系爭專利說明書第5、6頁，見本院卷1第32-33頁）

4.系爭專利所欲達成的目的為：在一示範性具體實施例中，本發明之襯墊具有一種或一種以上之下列特質：1.諸如導線和插頭之類之導電性表面物件的碟化作用為最小；2.達成橫跨整個晶圓表面的晶粒水平平坦度；和／或3.諸如抓痕和光點瑕疵之類的瑕疵度為最小，且不會對半導體元件之電氣功能產生負面影響。（參系爭專利說明書第8頁，見本院卷1第35頁）

5.系爭專利的參數範圍（參系爭專利說明書第14頁，見本29院卷1第41頁）6.系爭專利申請專利範圍：系爭專利2016年11月21日公告更正後申請專利範圍共計10項請求項，其中請求項1、8為獨立項，其餘為附屬項。本件訟爭請求項1至2、5至7之內容如下：請求項1：一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比。

請求項2：根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一約為40到70ShoreD之硬度。

請求項5：根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之每一線性尺寸變化少於約1%。

請求項6：根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之硬度減少約30%。30請求項7：根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該襯墊具有一從約一到約九微米Ra的表面粗糙度。

（四）參加人主張系爭專利更正後請求項1、2不具新穎性及請求項1、5、6、7不具進步性，其引用之舉發證據組合為前述七、（五）至（十二）之證據及其組合。又參加人提出證據2-15、34、35之中文節譯本各1份（見本院卷3第791-818頁），兩造並未爭執真正，本院自予援用。茲就上開證據之技術內容，分析如下：

1.證據2：2為2000年2月8日公告之美國第6022268號「POLISHINGPADSANDMETHODSRELATINGTHERETO」專利案，其公告日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。

2揭示可用於製造半導體元件或類似物之經改良之研磨墊（Thisinventiondescribesimprovedpolishingpadsusefulinthemanufactureofsemiconductordevicesorthelike.）、具一親水性拋光層（ahydrophilicpolishinglayer）、30℃張力模數對60℃張力模數之比值為1.0至2.5（aratiooftensilemodulusat30℃totensilemodulusat60℃of1.0to2.5）等特徵。（見摘要第1-2行、說明書第11欄第17行、說明書第11欄第25-26行，見本院卷3第793-794頁）

2.證據3（相關圖示：附圖1）：證據3為Rodel公司於1999年公開發行之型號「RodelICl000CMPPad」拋光墊之產品型錄影本，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。313.證據4（相關圖示：附圖2）：證據4為Rodel公司於西元1992年公開發行型號「SubaIV」拋光墊之產品型錄影本，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。

4.證據5（相關圖示：附圖3）：證據5為IreneLi等人於西元2000年IreneLi發表在MaterialResearchSocietySymp.Vol.613之論文影本，其第E7.3.2頁揭示其測試件為:tensionat1Hz，第7.3.3頁揭示有ICl000及SUBAIV研磨墊的能量儲存模數與溫度關係圖。

5.證據6（相關圖示：附圖4）：證據6為IreneLi等人西元2000年4月26-27日在MaterialResearchSociety於美國舊金山所舉辦之研討會簡報資料影本，包括ICl000及SUBAIV之動態機械特性的研究，其第6頁揭示其測試件為:Tension:1Hz(張力測試，頻率1Hz)，第7頁揭示有上述兩研磨墊的能量儲存模數(Storagemodulus)與溫度關係圖。

6.證據7：證據7為西元2012年1月10日美國Exova-OCM試驗實驗室公司(Exova-OCMTestLaboratory，Inc.)針對NexPlanarCorporation所送拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本，包括各溫度之能量儲存模數數值。

7.證據8：證據8為西元2012年2月17日SUBAIV拋光墊進行動態機械分析所得結果之簡報資料影本。其第2頁揭示E'30/E'90=1.65、第3頁揭示E'30/E'90=1.60。

8.證據9（相關圖示：附圖5）：9為西元1997年4月22日公告之美國第562253532號「ABRASIVEARTICLECOMPRISINGPOLYMERICCOMPOSITIONSANDABRASIVEGRAIN」專利案，其公告日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。

9揭示特別適合應用在製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具上(Thecompositionsareespeciallyusefulinthefabricationofflexiblemagneticrecordingmediaandabrasivearticles.)；第1圖顯示實施例2(玻璃狀樹脂GLASSYRESIN)之E'(30℃)約為2500MPa，E'(90℃)約為925MPa，E'(30℃)/E'(90℃)之比值為2.70。（參證據9中譯本摘要，見本院卷3第806頁）

9.證據10（相關圖示：附圖6）：證據10為1995年刊載於ThinSolidFilms000(0000)WeidanLi.等人之論文「Theeffectofthepolishingpadtreatmentsonthechemical-mechanicalpolishingofSiO2films」，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。其第604頁第4圖揭示有ICl000及SUBAIV研磨墊的剪能量儲存模數G'與溫度關係圖。

10.證據11（相關圖示：附圖7）：證據11為西元1983年出版之JohnAklonis.et.al,「IntroductiontoPolymerViscoelasticity」,SecondEdition,封面、版權頁及內頁第7-9頁影本，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。其第9頁記載張力模數E(tensilemodulus)、剪力模數G(shearmodulus)及蒲松比μ(Poisson'sratio)之關係為E=2(1+μ)G(式子(2-7))。

11.證據12：證據12為西元2012年2月16日加拿大Exova試驗實驗33室公司(ExovaTestLaboratory，Inc.)針對拋光墊IC1000進行聚胺酯材料之動態機械試驗之試驗報告影本，包括三種半硬質之聚胺酯材料樣本供測試其於張力模式下之動態機械性質。

12.證據13：證據13為西元1997年發行之AppliedSurfaceScience第108卷第39至44頁論文影本，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。其第41頁Table1揭露IC1000拋光襯墊之硬度為52至62ShoreD。

13.證據14：證據14為西元2000年3月14日公告之美國第6036579號「Polymericpolishingpadhavingphotolithographicallyinducedsurfacepatterns(s)andmethodsrelatingthereto」專利，其公告日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。證據14說明書第6欄第1行揭露一硬度為44ShoreD之拋光襯墊。

14.證據15：證據15為西元2000年5月16日公告之美國第6062968號「Polishingpadforasemiconductorsubstrate」專利，其公告日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。證據15說明書第13欄Table2揭露一硬度為50或70ShoreD之拋光襯墊。

15.證據34：證據34係JosephM.Steigerwald、ShyamP.Murarka及RonaldJ.Gutmann所著，由JohnWiley＆Sons公司於1997年所出版之「微電子材料之化學機械平面化」第78及127頁影本及其中文節譯，其公開日早於系爭專利案優先權34日，可為系爭專利之先前技術。

16.證據35：證據35係J.M.Hogan、C.J.Pearson、T.H.Rogers及J.R.White於1973年所發表之文章「HumiditycharacteristicsofHRandHotUrethaneFoams」（即「高彈性及熱胺基甲酸酯泡沫之濕度性質」）影本及其中文節譯，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。

（五）證據3應為適格之證據：

1.經查，證據3產品型錄第二頁右下角揭示「Rodel1999AllRightsReserved.」，該產品型錄內容最早於1999年即有發行之版權及公開記錄。另該產品型錄第二頁右下角又揭示「RodelIC1000V4.18/02」，可進一步得知該IC1000拋光墊型錄於2002年8月有進行印刷改版，其版次內容為4.1版，依據一般型錄印刷品之後續改版規則，僅微幅修正部分文字或標示內容，並未對原始內容作大幅度之更動；惟證據3印刷版改版時是否修正所揭示之實質內容，而進一步認定印刷改版日期為最早公開日，尚須由原告提具更多輔助證據進行認定。

2.經由發行版權公開內容進一步推定，應可認定「RodelICl000CMPPadBENEFITS」拋光墊產品型錄之最早公開日應早於系爭專利之優先權日，為適格之證據，可為系爭專利之先前技術。

（六）系爭專利舉發案並未違反專利法第81條第1款之規定：1.原告認被告以相同證據組合，重新審究系爭專利更正後請求項1之進步性，違反專利法第81條第1款之規定云云（見本院卷3第741-742頁）。經查，系爭專利舉發N01案係主張以證據20（即本案證據10），加上補強證據20-351（即本案證據11）來主張更正前請求項1不具「新穎性」，先予敘明。又系爭專利請求項1業經智慧局於2016年11月21日公告更正，應符合專利法第67條第4項所規定：「更正，不得實質擴大或變更公告時之申請專利範圍」，係主要原本專利權範圍之限縮並更為明確，並未實質改變原本請求項1之發明目的，故更正後與更正前請求項1仍應屬同一專利權。

2.參加人以證據10與證據11之組合，證明更正後請求項1不具進步性，系爭專利N01案之引用證據及舉發事由部分，係以證據20（即本案證據10）為主要證據來主張系爭專利請求項1不具新穎性，關於補強證據20-1（即本案證據11）部分，僅證明證據20該發明所屬技術領域之技術水準，作為佐證證據20之新穎性主張，非屬相異之證據組合；準此，N01案與系爭專利相較應屬不同證據或其組合，且關於兩者所主張之舉發事實，亦有新穎性及進步性之明顯差異。

3.據上，系爭專利與N01案於請求項1應非屬同一證據或其證據組合，以及相同事實理由再為舉發，系爭專利舉發案並未違反專利法第81條第1款之規定，原告此部分主張，並不可採。

（七）參加人主張系爭專利請求項1、2不具新穎性，及系爭專利請求項1至2、5至7違反修正前90年專利法第71條第1項第3款規定部分，應屬合法：

1.按行政訴訟法第4條第1項規定：「人民因中央或地方機關之違法行政處分，認為損害其權利或法律上之利益，經依訴願法提起訴願而不服其決定，或提起訴願逾三個月不為決定，或延長訴願決定期間逾二個月不為決定者，得36向行政法院提起撤銷訴訟。」故撤銷訴訟之訴訟標的應為「行政處分之違法性致損及原告權利或法律上利益之主張」。（最高行政法院104年度判字第454號判決意旨參照）。

2.參加人（即舉發人）於舉發程序即主張系爭專利請求項1-2、5-7違反90年專利法第20條第1項第1款、第2項及第71條第3款之規定，此等舉發理由，均為主張系爭專利請求項1-2、5-7無效之爭點，嗣經被告審查，以系爭專利請求項1-2並未違反90年專利法第20條第1項第1款規定，系爭專利請求項1-2、5-7並未違反第71條第3款之規定，但因系爭專利請求項1-2、5-7已違反90年專利法第20條第2項之規定，不具進步性為由，而為「請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷。」部分之處分。嗣原告就該舉發成立部分提起訴願，經訴願決定駁回，遂提起本件撤銷行政訴訟。可知，參加人前揭主張系爭專利請求項1-2不具新穎性，及系爭專利請求項1-2、5-7之說明書記載欠缺明確性等舉發理由，業經智慧局審酌不成立，並載明於審定書中（下稱：不利部分之舉發理由審定），而參加人未就被告所為不利部分之舉發理由審定結果提起訴願程序，乃因被告認定系爭專利請求項1-2、5-7不具進步性而為舉發成立之審定結果，屬對於參加人有利之認定（下稱：有利部分之舉發理由審定），已達參加人提起舉發之目的，參加人倘就不利部分之舉發理由審定提起訴願，將因欠缺訴願利益而遭訴願機關決定駁回，是參加人客觀上已無從再就不利部分之舉發理由審定提起訴願救濟，惟不能因此即謂參加人對於不利部分之舉發理由審定未為爭執；又基於三權分立之憲法原理及對行政機關之37第一次判斷權之尊重，法院審理撤銷訴訟時，應以原處分之事實理由及法律適用有無違誤為審理對象，準此，被告於本件專利舉發審定書，業就不利部分之舉發理由為判斷，則在專利權人所提之撤銷行政訴訟中，允許參加人針對被告認定前揭不利部分之舉發理由再為爭執，並無違反權力分立原則、侵害行政機關第一次判斷權或剝奪專利權人更正治癒瑕疵之程序利益的違法情事甚明；再者，從實務面向考量，在本件專利權人所提之撤銷行政訴訟中，如否定參加人針對不利部分之舉發理由再為爭執，一旦本院審理後認定被告前揭所為有利部分之舉發理由審定有所違誤，而依原告即專利權人之請求，判決撤銷原處分此部分舉發成立之審定及訴願決定時，則參加人為達系爭專利請求項1-2、5-7舉發成立之審定結果，勢必得就前開不利部分之舉發理由，再次向被告提出舉發案，倘當事人對事後舉發案之審定結果不服者，勢將又開啟訴願及行政訴訟等程序，如此一來，不僅造成系爭專利請求項1-2、5-7之權利有效性長期處於不安定狀態，且亦違背訴訟紛爭一次解決之訴訟經濟原則；此外，參加人就系爭專利請求項1-2、5-7提出之舉發理由，僅因被告審查後分別為前揭部分有利、部分不利參加人之舉發理由審定結果，卻造成部分有利參加人之舉發理由審定結果，因專利權人不服提起行政救濟而得獲得司法訴訟程序檢視其適法性，反之，部分不利參加人之舉發理由審定結果，卻因專利權人未聲明不服而無提起行政救濟，因而無法獲得司法訴訟程序檢視其適法性，則參加人就系爭專利請求項1-2、5-7提出之舉發理由，將因被告所為部分有利、部分不利參加人之舉發理由審定結果，而異其是否可獲得司法訴訟程序審查被告38審定適法性之相異結果，亦顯不符合事理之平。

3.本院綜合考量參加人對於被告所為不利部分之舉發理由審定無從提起訴願救濟之非可歸責客觀情狀，及在專利權人所提之撤銷行政訴訟中，允許參加人於行政訴訟程序針對被告認定前揭不利部分之舉發理由再為爭執，並無違反權力分立原則、侵害行政機關第一次判斷權或剝奪專利權人更正治癒瑕疵之程序利益的違法情事，且亦符合紛爭一次解決之訴訟經濟原則，及訴訟救濟之衡平理念等一切情狀，自應肯認參加人於本件訴訟程序就前於舉發程序業已提出且經被告審查之系爭專利請求項1-2是否違反90年專利法第20條第1項第1款規定而不具新穎性，及系爭專利請求項1-2、5-7有無違反90年專利法第71條第1項第3款規定等舉發理由再為爭執。是原告主張參加人不得於訴訟程序中再就被告對參加人所為不利部分之舉發理由之判斷再為爭執，即無可採。

（八）系爭專利更正後請求項1具新穎性：

1.證據3及輔助證據5、6、7、12，無法證明更正後請求項1不具新穎性：﹙1﹚證據3僅簡要記載IC1000拋光墊之規格及內容，並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從認定證據3已公開使用致系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態；準此，證據3實無法證明更正後請求項1不具新穎性。

﹙2﹚按系爭專利新穎性之審查，依現行專利審查基準（2017年版7月）第2-3-7頁所示：「審查新穎性時，應就申請專利之發明與單一先前技術單獨比對，不得就該發明與多39份引證文件中之全部或部分技術內容的結合，或一份引證文件中之部分技術內容的結合，或引證文件中之技術內容與其他公開形式（已公開實施或已為公眾所知悉）之先前技術的結合進行比對。」。系爭專利以證據3及輔助證據5、6、7、12之組合是否可證明更正後請求項1不具新穎性為爭點，明顯不符新穎性以單一先前技術單獨比對之審查基準，本院自無從判斷不同證據間之技術關連性及其組合效果。

﹙3﹚輔助證據6係西元2000年IreneLi等人在MaterialResearchSocietySymp.Vol.613之論文影本，輔助證據5係IreneLi等人之簡報資料影本，而證據6與證據5業經系爭專利舉發N01案確定判決認定無法與其餘證據相互勾稽，無從證明證據6或證據5之公開日早於系爭專利之優先權日，自不得作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術，自亦無從以證據3與證據5、證據6相互勾稽成關聯證據或為輔助證據，而認系爭專利請求項1之技術內容均因IC1000拋光墊之公開使用而喪失新穎性。

﹙4﹚輔助證據7為2012年1月10日美國Exova-OCM試驗實驗室公司（Exova-OCMTestLaboratory，Inc.）針對IC1000拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本，另輔助證據12為2012年2月16日Exova加拿大公司針對IC1000拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本，兩者公開日皆晚於系爭專利之優先權日，且輔助證據7或證據12僅有樣本編號，無從認定是否確為IC1000拋光墊，無法認定輔助證據7或證據12是否於系爭專利優先權日前即已製造存在之公開產品，自不得以後見之明作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術。40﹙5﹚綜上，證據3及輔助證據5、6、7、12並未揭示系爭專利請求項1之全部技術特徵，是以，證據3及輔助證據5、6、7、12，不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性。

2.證據4及輔助證據5、6、8，無法證明更正後請求項1不具新穎性：﹙1﹚證據4並未具體揭露SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從認定證據4已公開使用致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態，自亦無從以證據4與輔助證據5、6相互勾稽成關聯證據或為輔助證據，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容均因SUBAIV拋光墊之公開使用而喪失新穎性。

﹙2﹚輔助證據8為2012年2月17日SUBAIV拋光墊進行動態機械分析之簡報資料影本，其公開日晚於系爭專利之優先權日，無法認定輔助證據8是否於系爭專利優先權日前即已製造存在之公開產品，自不得以後見之明作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術。

﹙3﹚證據4及輔助證據5、6、8並未揭示系爭專利請求項1之全部技術特徵，是以證據4及輔助證據5、6、8亦不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性。

3.證據2，無法證明更正後請求項1不具新穎性：系爭專利更正後請求項1之內容已如前所述，經查證據2請求項1揭示：「iv.在30℃及60℃時的張力模數比（aratiooftensilemodulus）為1.0到2.5」。惟未揭露系爭專利更正後請求項1之「該層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之30℃與90℃張力模數比值41數值範圍」技術特徵，且該數值範圍非為熟習該項技術者參酌證據2所揭露之前開技術內容與當時既有之技術知識，即可直接推導其E'（30℃）/E'（90℃）之比值落於系爭專利更正後請求項1所界定E'比之數值範圍（1至3.6）內，是以，證據2不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性。

4.證據5，無法證明更正後請求項1不具新穎性：﹙1﹚系爭專利更正後請求項1之內容已如前所述，經查證據5為IreneLi等人發表在MaterialResearchSociety之論文影本，其揭示測試件為:tensionat1Hz，並揭示有ICl000及SUBAIV研磨墊的能量儲存模數（StorageModulus）與溫度關係圖。

﹙2﹚證據5所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據5之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容因證據5ICl000及SUBAIV拋光墊之公開使用而喪失新穎性，是以，證據5不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性。

5.證據6，無法證明更正後請求項1不具新穎性：﹙1﹚系爭專利更正後請求項1之內容已如前所述，經查證據6為IreneLi等人發表在MaterialResearchSociety之簡報影本，其揭示測試件為:tensionat1Hz，並揭示有ICl000及SUBAIV研磨墊的能量儲存模數（StorageModulus）與溫度關係圖。

﹙2﹚證據6所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解42其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據6之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容因證據6ICl000及SUBAIV拋光墊之公開使用而喪失新穎性，是以，證據6不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性。

（九）系爭專利更正後請求項2具新穎性：

1.證據3及輔助證據5、6、7、12，無法證明更正後請求項2不具新穎性：系爭專利請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據3及輔助證據5、6、7、12既不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項2不具新穎性。

2.證據4及輔助證據5、6、8，無法證明更正後請求項2不具新穎性：系爭專利請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據4及輔助證據5、6、8既不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項2不具新穎性。

3.證據2，無法證明更正後請求項2不具新穎性：系爭專利請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2既不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項2不具新穎性43。

4.證據5，無法證明更正後請求項2不具新穎性：系爭專利請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據5既不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性，亦不足以證明依附於請求項1之請求項2不具新穎性。

5.證據6，無法證明更正後請求項2不具新穎性：系爭專利請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據6既不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性，亦不足以證明依附於請求項1之請求項2不具新穎性。

（十）系爭專利更正後請求項1不具進步性：

1.證據2與證據9之組合，無法證明更正後請求項1不具進步性：證據2之請求項1揭露拋光襯墊其中一特徵「iv.在30℃及60℃時的拉伸模數比（aratiooftensilemodulus）為1.0到2.5」，惟證據2未記載該拋光層之E'在30℃與90℃時之比例數值，未進一步揭示系爭專利更正後請求項1之「該層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」；證據9揭示特別適合應用在製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具上，其第1圖顯示實施例2（玻璃狀樹脂GLASSYRESIN）之E'（30℃）約為2500Mpa，E'（90℃）約為925Mpa，E'（30℃）/E'（90℃）之比值為2.70；其第3圖中顯示使用甲苯（TOL）為溶劑所製造之實施例3，E'（30℃）約為3100Mpa，E'（90℃）約為1225Mpa，E'（30℃）/E'（90℃）之比值約為2.53；另44第3圖中使用甲基異丁基酮（MIBK）為溶劑所製造之實施例3，E'（30℃）約為2800Mpa，E'（90℃）約為975Mpa，E'（30℃）/E'（90℃）之比值約為2.87。惟證據9是一種「特別適合應用於製造彈性磁性記錄媒材與研磨工具上」之材料，此種適用於「彈性磁性記錄媒材與研磨工具上」，與系爭專利、證據2等適用「平面化半導體元件及其先質表面」而須具備一定剛性之研磨墊，兩者技術領域之需求及物理參數特性顯然迥異，使得熟悉該技術者無法由證據2及證據9之教示而進一步結合。因此，證據2及證據9之組合無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。

2.證據10與證據11之組合，可以證明更正後請求項1不具進步性：﹙1﹚系爭專利更正後請求項1之內容已如前所述，證據10揭露聚氨酯之動態模數為溫度之函數，可預期溫度之變化會影響CMP之效能，於不同溫度下描繪IC1000與SUBAIV拋光墊之動態模數特徵，圖4顯示IC1000與SUBAIV拋光墊對溫度之動態剪力模數G'，於實驗前將拋光墊浸泡於水中24小時並於測量過程中保持濕潤，當溫度自30℃升高至90℃時，IC1000拋光墊之G'降低約3倍，SUBAIV拋光墊則僅降低約1.5倍。因此，證據10圖4揭露IC1000與SUBAIV拋光墊對溫度之G'，並可得IC1000與SUBAIV拋光墊，無論是於0.5Hz或1Hz下進行量測，其G'在30℃和90℃時的比例分別約為3及約為1.5。此外，證據10揭露聚氨酯為一黏彈性材料，其機械性質可藉由動態及複合剪切模數G'及G''來描述，在此G'及G"為頻率之函數，模數係藉由T45A儀器公司之DMA983動態機械分析儀（DMA）所測得，該DMA983決定G'及G"，其係藉由結合描述物理工具之方程式的結果與黏彈性柱彎曲原理而導出之參數；在此研究中，拋光墊之蒲松氏比假設為0.5，其適用於大部分之聚合物。

﹙2﹚證據11係一聚合物黏彈性導論之教科書，其第9頁揭露根據一等向性固體（isotropicsolids）之彈性理論，張力模數E、剪力模數G及蒲松氏比μ之關係式為：E＝2（1+μ）G。又證據11揭露在特殊情況下之不可壓縮材料，（dV/dε）＝0，而μ＝0.5，可得以下結果：E＝3G。又證據11揭露實驗上對於橡膠，μ是相當接近0.5，但對某些塑膠是較低，為0.2至0.3，而對某些非均質（heterogeneous）材料則更低。

﹙3﹚因此，熟悉該項技術者經參酌證據10及11可以理解，由於證據10明確揭露可利用黏彈性材料之原理進行量測及估算，並假設μ為0.5，而證據11明確揭露當μ＝0.5時，E＝3G，故IC1000或SUBAIV拋光墊於頻率1Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例應亦分別為約3及約1.5，即無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1至3.6間，又由證據10圖4可以看出，於0.5Hz或1Hz之頻率下進行量測，對於SUBAIV拋光墊之G'完全沒有影響，而對於IC1000拋光墊僅有些微影響，但經換算為G'在30℃和90℃時的比例後皆無實質影響，且由於頻率1.6Hz與1Hz之差異極小，可以當然推測當於頻率1.6Hz下進行量測，無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，在30℃和90℃時的E'比例亦必然46落於1至3.6間。

﹙4﹚由上，於熟悉該項技術者經參酌證據10、證據11之申請前既有之技術或知識可以理解，無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1.6Hz下進行量測E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1至3.6間。又經參酌證據10、證據11後，可以得知IC1000或SUBAIV拋光墊，為熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知選用之拋光墊材料，且證據10所揭露之內容，均屬於研磨墊相關之研究文獻，故證據10及11之組合對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處。因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，可以輕易依據證據10及證據11之內容，因而能輕易完成系爭專利請求項1之發明。綜上，證據10、11之組合足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。

﹙5﹚原告主張：證據10並未揭示IC1000及SUBAIV拋光墊為等向性材料，證據11僅適用於等向性材料，證據10無從適用證據11之公式云云（見本院卷1第19-25頁）。經查，證據10係使用TA公司之動態機械分析儀DMA983儀器，依據最高法院103年度台上字第2409號判決指出：原告所提上證一、上證一之一第2頁所載之DMA983儀器計算獲得E'及G'數值，為使用動態機械分析儀（如DMA983儀器）量測聚合物之E'或G'值，乃系爭專利申請前的通常知識，因此，被證10使用DMA983儀器分別對IC1000拋光墊、SUBAⅣ拋光墊量測G'，並將其蒲松比假設為0.5，故熟習該項技術者就被證10所揭示之G'值，參酌上述該領域申請前的通常知識，可以換算出得到E'值。另證據11係關於介47紹聚合物黏彈性力學教科書，並未教示特別用於研磨墊，惟系爭專利之研磨墊說明書第21頁第1至4行記載：「儘管熱塑性聚胺基甲酸酯（TPU'S）實例被用來舉例說明本發明，但本發明並不限於TPU'S，其他熱塑性或熱固性聚合物，亦即熱塑性聚胺基甲酸酯、聚酯等材料均為聚合物，可認系爭專利適用於證據11所教示之聚合物黏彈性力學領域，是以熟悉化學機械研磨拋光墊技術領域者欲解決拋光襯墊之問題時，有合理動機參考並組合證據10、11所揭露之技術內容。關於IC1000拋光墊材料為微孔狀結構之聚胺酯（microporouspolyurethane），雖原告指稱其表面為硬質結構，下層材料接附聚胺酯微孔狀之兩層狀結構，惟其IC1000拋光墊所接觸研磨晶圓之下層聚胺酯微孔狀材料結構間，依通常知識者均認定其材料對於待磨晶圓應屬於無方向性之均質表面，以將半導體晶圓表面進行均勻研磨，故仍可沿用證據11之教科書所假設材料力學之等向性及均值性來進一步推導，以換算出得到E'值；準此，如原告所稱所有材料都要是均質性及等向性才能適用證據11所揭示之公式（E'=2(1+μ)G'，μ為其材料之蒲松比)，證據11所載即沒有任何可參酌運用之餘地，且在世界上可能很難找到一個材料可以適用上開公式，原告所指稱尚無可採。

﹙6﹚原告主張：由1.0Hz與0.5Hz所量測之G'(30℃)/G'(90℃)比值推測1.6Hz之G'(30℃)/G'(90℃)比值，是採用外差法並非可信之科學方法云云（見本院卷3第962-963頁）。經查原告所提教科書材料之應力(σ)與應變(ε)曲線圖式所載，其區分為線性區及非線性區部48分，當材料繼續拉伸至非線性區之後，該材料即變成疲乏斷裂狀態；惟查系爭專利所採用之1.6Hz來量測之G'(30℃)/G(90℃)及換算成E'(30℃)/E'(90℃)，該量測所採用之頻率，並非與材料之應力-應變曲線呈現等比之關係，應屬材料測量參數之一，是以系爭專利分別以IC1000或SUBAIV拋光墊於頻率1Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例應亦分別為約3及約1.5，即無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例已落於1至3.6間，又由證據10圖4所揭示於0.5Hz或1Hz之頻率下進行量測，對於SUBAIV拋光墊之G'完全沒有影響，是以測量參數由頻率1Hz繼續提高至1.6Hz，應屬客觀量測之參數微調，並非原告所指經由應力-應變曲線之線性區域外差法推算而來，其所得到之G'值或經換算得出E'值之差異應相當細微，故當然可以得知於頻率1.6Hz下進行量測之E'在30℃和90℃時的比例，當然亦已落於系爭專利所界定之1至3.6間，原告此部分主張，亦無可取。

（十一）系爭專利更正後請求項2不具進步性：

1.證據2、證據9與證據3之組合，無法證明更正後請求項2不具進步性：﹙1﹚證據2及證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，又證據3並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值已如前所述，無從進一步認定證據3已公開使用致使系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據3(IC1000拋光墊)之組合無法證明更正後請求項149不具進步性。

﹙2﹚系爭專利請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據3之組合既不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項2不具進步性。

2.證據2、證據9與證據13之組合，無法證明更正後請求項2不具進步性：﹙1﹚證據2及證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，經查證據13銅的化學機械拋光之特性：拋光襯墊之比較揭示IC1000/SUBAIV之硬度、重量密度與可壓縮性等數值，雖揭露IC1000拋光襯墊之硬度為52至62ShoreD，惟並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從進一步認定證據13之公開致使系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據13之組合亦無法證明更正後請求項1不具進步性。

﹙2﹚系爭專利請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據13之組合既不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項2不具進步性。

3.證據2、證據9與證據14之組合，無法證明更正後請求項2不具進步性：﹙1﹚證據2及證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，經查證據14具有光蝕刻誘發之表面圖案的聚合物拋光墊與相關方法說明書第650欄第1行揭露一硬度為44ShoreD之拋光襯墊，惟並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從進一步認定證據14之公開致使系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據14之組合無法證明更正後請求項1不具進步性。

﹙2﹚系爭專利請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據14之組合既不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項2不具進步性。

4.證據2、證據9與證據15之組合，無法證明更正後請求項2不具進步性：﹙1﹚證據2及證據9之組合無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，經查證據15用於半導體基材之拋光墊說明書第13欄Table2揭露一硬度為50或70ShoreD之拋光襯墊，惟並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從進一步認定證據15之公開致使系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據15之組合亦無法證明更正後請求項1不具進步性。

﹙2﹚系爭專利請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據15之組合既不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項2不具進步性。

5.證據10、證據11與證據2，或證據10、證據11與證據3，或證據10、證據11與證據13，或證據10、證據1151與證據14，或證據10、證據11與證據15之組合，皆可以證明更正後請求項2不具進步性：﹙1﹚證據10及證據11之組合足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據10及證據11未揭示系爭專利更正後請求項2進一步限定之「其中該拋光層具有一約為40到70ShoreD之硬度」特徵。

﹙2﹚證據2拋光墊及其相關之方法說明書第2、5、11、12欄分別揭示於不同條件下其拋光墊硬度皆為25至80ShoreD，證據3揭示IC1000拋光墊硬度為57ShoreD，證據13、14、15皆已揭示拋光層具有約為44到70ShoreD之硬度已如前所述；證據2、3、13至15已揭示系爭專利請求項2之技術特徵。

﹙3﹚證據2、3、13至15皆為半導體化學機械拋光墊之相關技術領域，證據10、11皆屬於研磨墊相關之研究文獻，為該發明所屬技術領域者組合上述相關領域之技術係屬明顯；準此，證據10、證據11與證據2，或證據

10、證據11與證據3，或證據10、證據11與證據13，或證據10、證據11與證據14，或證據10、證據11與證據15之組合皆可以證明更正後請求項2不具進步性。

（十二）系爭專利更正後請求項5不具進步性：

1.證據2、證據9與證據14之組合，無法證明更正後請求項5不具進步性：﹙1﹚證據2及證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據14說明書第4欄第45行至49行揭示拋光襯墊於以20℃之水浸泡24小時後，其具有小於2%之膨脹量，證據14拋光襯墊於2052℃與系爭專利之25℃均屬通常室溫範圍，該溫度差異並未有無法預期之功效。

﹙2﹚惟證據14並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從進一步認定證據14已公開使用致使系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據14之組合無法證明更正後請求項1不具進步性。

﹙3﹚綜上，系爭專利請求項5為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據14之組合既不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項5不具進步性。

2.證據10、證據11與證據14之組合，可以證明更正後請求項5不具進步性：﹙1﹚證據10及證據11之組合足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據10及證據11未揭示系爭專利更正後請求項5進一步限定之「當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之每一線性尺寸變化少於約1%」特徵。

﹙2﹚證據14說明書揭示拋光襯墊於以20℃之水浸泡24小時後，其具有小於2%之膨脹量，已對應揭示系爭專利請求項5之當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之每一線性尺寸變化少於約1%特徵。證據10、11及14皆為半導體化學機械拋光墊之相關技術領域，為該發明所屬技術領域者組合上述相關領域之技術係屬明顯；準此，證據10、證據11與證據14之組合可以證明更正後請求項5不具進步性。53﹙3﹚原告主張：系爭專利請求項5所界定在約25℃浸泡去離子水後襯墊每一線性尺寸少於約1%，實與證據14所揭示拋光襯墊在20℃之水浸泡後其具有小於2%之膨脹量有所不同云云（見本院卷4第1322頁）。經查系爭專利請求項5界定在約25℃浸泡去離子水，其溫度部分僅為約略溫度數值，按一般科學知識所稱常溫狀態，其溫度範圍通常界定為20至25℃，其範圍間之起迄溫度並不具有明顯之物理性質差異，故為常溫狀態。關於系爭專利之研磨襯墊在去離子水中以25℃浸泡與證據14在溫度20℃之水浸泡後，皆屬常溫溫度範圍內，惟不影響拋光襯墊浸泡之實質特性。另查系爭專利所界定在浸泡去離子水後襯墊每一線性尺寸少於約1%，若由平面化之拋光襯墊特性來看，其表面積之尺寸將縮小為：1-0.99×0.99=0.02(2%)，圓形襯墊表面積為π×r2，準此，其浸泡過去離子水後之線性尺寸減少1%，若換算成原告所稱拋光襯墊之整體膨脹量，其平面面積將減少2%，與證據14拋光襯墊於浸泡24小時後具有小於2%之膨脹量數值相當，原告前揭所指，即無可採。

（十三）系爭專利更正後請求項6不具進步性：

1.證據2、證據9與證據34之組合，無法證明更正後請求項6不具進步性：﹙1﹚證據2及證據9之組合無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據34為JosephM.Steigerwald、ShyamP.Murarka及RonaldJ.Gutmann所著，於1997年所出版之「微電子材料之化學機械平面化」，第78及127頁影本，證據34圖4.22揭示水破壞了交聯胺基甲酸酯結構之氫鍵，拋光墊材料因而變軟，使54得泡水之研磨墊較乾燥之研磨墊為軟，為所屬技術領域中之通常知識可以預期之結果，系爭專利說明書亦未說明選用該「減少約30%」之數值特徵相較於習知技術有何不可預期之功效。

﹙2﹚惟證據34並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從進一步認定證據34已公開使用致使系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據34之組合無法證明更正後請求項1不具進步性。

﹙3﹚綜上，系爭專利請求項6為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據34之組合既不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項6不具進步性。

2.證據2、證據9與證據35之組合，無法證明更正後請求項6不具進步性：﹙1﹚證據2及證據9之組合無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據35為J.M.Hogan、C.J.Pearson、T.H.Rogers及J.R.White於1973年所發表之文章「HumiditycharacteristicsofHRandHotUrethaneFoams」（「高彈性及熱胺基甲酸酯泡沫之濕度性質」）影本及其中文節譯，揭示由於泡沫吸收水使二集氫鍵斷裂而成為高濕度或高水分狀態(如圖11)，在此後之狀態使得泡沫軟化，使得泡水之研磨墊較乾燥之研磨墊為軟，為所屬技術領域中之通常知識可以預期之結果，系爭專利說明書亦未說明選用該「減少約30%」之數值特徵相較於習知技術有何不可預期之功效55。

﹙2﹚惟證據35並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從進一步認定證據34已公開使用致使系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據35之組合無法證明更正後請求項1不具進步性。

﹙3﹚綜上，系爭專利請求項6為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據35之組合既不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項6不具進步性。

3.證據10、證據11與證據34之組合，可以證明更正後請求項6不具進步性：﹙1﹚證據10及證據11之組合，足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據10及證據11未揭示系爭專利更正後請求項6進一步限定之「當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之硬度減少約30%」特徵。

﹙2﹚證據34揭示水破壞了交聯胺基甲酸酯結構之氫鍵，拋光墊材料因而變軟，使得泡水之研磨墊較乾燥之研磨墊為軟，已對應揭示系爭專利請求項6之當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之硬度減少約30%特徵。證據10、11皆為半導體化學機械拋光墊之相關技術領域，證據34為微電子材料之化學機械平化領域，為該發明所屬技術領域者組合上述相關領域之技術係屬明顯；準此，證據10、證據11與證據34之組合可以證明更正後請求項6不具進步性。56﹙3﹚原告主張：系爭專利請求項6所界定當該襯墊在一約25℃室溫下浸泡於去離子水中24小時後該襯墊硬度減少約30%，具有防止碟化作用，實與證據34、35所揭示泡水之研磨襯墊硬度減少無法進行化學機械研磨目的不同云云（見本院卷4第1323頁）。經查，系爭專利所界定當該襯墊在25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後該襯墊之硬度減少約30%，說明書記載使得該襯墊為水解穩定且含有一聚合物系統的堅硬拋光層，以提供足夠的能量消散與低彈性回復力以減少碟化作用；關於泡水之研磨墊較乾燥之研磨墊為軟應屬通常知識，惟證據34明確揭示微電子材料因水破壞了交聯胺基甲酸酯結構之氫鍵，使得水解作用因而改變拋光墊材料之表面硬度特性，使得泡水之研磨墊較乾燥之研磨墊為軟，其減少研磨墊之碟化作用應屬其可預期之功效；至於系爭專利所界定其表面硬度減少約30%之數值部分，屬於初略估算之硬度減少程度，其實際數值亦不具有特殊之代表意義，是原告前揭主張，即無可取。

4.證據10、證據11與證據35之組合，可以證明更正後請求項6不具進步性：﹙1﹚證據10及證據11之組合足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據10及證據11未揭示系爭專利更正後請求項6進一步限定之「當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之硬度減少約30%」特徵。

﹙2﹚證據35揭示由於泡沫吸收水使二集氫鍵斷裂而成為高濕度或高水分狀態，在此後之狀態使得泡沫軟化，使得泡水之研磨墊較乾燥之研磨墊為軟，已對應揭示系爭專57利請求項6之當該襯墊在一約25℃之室溫下浸泡於去離子水中24小時後，該襯墊之硬度減少約30%特徵。

證據10、11皆為半導體化學機械拋光墊之相關技術領域，證據35之高彈性及熱胺基甲酸酯泡沫之濕度性質為拋光墊化學材料之相關領域，為該發明所屬技術領域者組合上述相關領域之技術係屬明顯；準此，證據10、證據11與證據35之組合亦可以證明更正後請求項6不具進步性。

（十四）系爭專利更正後請求項7不具進步性：

1.證據2與證據9之組合，無法證明更正後請求項7不具進步性：證據2及證據9之組合無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，系爭專利請求項7為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2與證據9之組合既不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項7不具進步性。

2.證據2、證據9與證據10之組合，可以證明更正後請求項7不具進步性：﹙1﹚經查證據2說明書第7欄第24行揭露一拋光襯墊之表面粗糙度為小於10微米，而證據10第604頁Fig3亦揭露一表面粗糙度為5.7及7.355微米之IC1000拋光襯墊，均揭示系爭專利請求項7所界定該襯墊具有一從約一到約九微米Ra的表面粗糙度之技術特徵，並未有無法預期之功效。

﹙2﹚證據2及證據9之組合雖無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，惟證據10揭示IC1000與58SUBAIV溫度自30℃升高至90℃時IC1000拋光墊G'降低約3倍，SUBAIV拋光墊G'降低約1.5倍，經由拋光墊之蒲松式比假設為0.5，以進一步推算張力模數E'，可以得知該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值約為1，落入系爭專利請求項1之「在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」特徵範圍內，可進一步認定證據2、9、10之公開使用致使系爭專利請求項1技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據10之組合可以證明更正後請求項1不具進步性。

﹙3﹚系爭專利請求項7為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據10之組合既足以證明系爭專利請求項1不具進步性，證據2或證據10均揭示系爭專利請求項7所界定之技術特徵，當然亦足以證明依附於請求項1之請求項7不具進步性。

3.證據2、證據9與證據15之組合，無法證明更正後請求項7不具進步性：﹙1﹚證據2及證據9之組合無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據15說明書第16欄Table8揭露表面粗糙度為11.3±1.3604、7.8±0.9381、11.05±1.473及7.05±0.8062微米之拋光襯墊，揭示系爭專利請求項7所界定該襯墊具有一從約一到約九微米Ra的表面粗糙度之技術特徵，並未有無法預期之功效。

﹙2﹚惟證據15並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從進一步認定證據15之公開使用致使系爭專利請求項1技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據15之組合無法證明更正後請求項159不具進步性。

﹙3﹚綜上，系爭專利請求項7為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據15之組合既不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項7不具進步性。

4.證據10與證據11之組合，可以證明更正後請求項7不具進步性：﹙1﹚證據10及證據11之組合足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據10揭露一表面粗糙度為5.7及7.355微米之IC1000拋光襯墊等內容已如前所述，已揭示系爭專利更正後請求項7進一步限定該襯墊具有一從約一到約九微米Ra的表面粗糙度之技術特徵，並未有無法預期之功效。

﹙2﹚綜上，系爭專利請求項7為直接依附於請求項1之附項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據10與證據11之組合既足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦足以證明依附於請求項1之請求項7不具進步性。

5.證據10、證據11與證據2之組合，可以證明更正後請求項7不具進步性：﹙1﹚證據10及證據11之組合足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據2揭露一拋光襯墊之表面粗糙度為小於10微米等內容已如前所述，已揭示系爭專利更正後請求項7進一步限定該襯墊具有一從約一到約九微米Ra的表面粗糙度之技術特徵，並未有無法預期之功效。60﹙2﹚綜上，證據2為半導體化學機械拋光墊之技術領域，證據10、11皆屬於研磨墊相關之研究文獻，為該發明所屬技術領域者組合上述相關領域之技術係屬明顯。系爭專利請求項7為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據10、證據11與證據2之組合既足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦足以證明依附於請求項1之請求項7不具進步性。

6.證據10、證據11與證據15之組合，可以證明更正後請求項7不具進步性：﹙1﹚證據10及證據11之組合足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性已如所述，證據15已揭露表面粗糙度為11.3±1.3604、7.8±0.9381、11.05±1.473及7.05±0.8062微米之拋光襯墊，揭示系爭專利請求項7所界定該襯墊具有一從約一到約九微米Ra的表面粗糙度之技術特徵，並未有無法預期之功效。

﹙2﹚綜上，證據15為半導體化學機械拋光墊之技術領域，證據10、11皆屬於研磨墊相關之研究文獻，為該發明所屬技術領域者組合上述相關領域之技術係屬明顯。系爭專利請求項7為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據10、證據11與證據15之組合既足以證明系爭專利請求項1不具進步性，當然亦足以證明依附於請求項1之請求項7不具進步性。

（十五）系爭專利請求項1、2、5至7並未違反90年10月26日施行專利法第71條第1項第3款說明書記載明確性之規定：611.經查系爭專利更正後請求項1之「…該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」，應解釋為「該襯墊之平面化拋光層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30℃和90℃時所測得之E'比約為1到3.6之範圍間」，且可以使用動態機械分析技術測得該張力儲存模數E，系爭專利說明書業已載明實施必要之事項。

2.系爭專利說明書第17至23頁記載實例3至實例5所請研磨墊之具體製造方式的實施例及參數數值範圍，說明書第15至17頁揭示比較實例1至比較實施2所請研磨墊之比較例，而說明書第20頁表4、第22頁表6載有所請研磨墊所達成減少碟化作用之功效，由前揭說明書之內容亦記載各種參數之定義說明及其測試方法，意即較佳方法說明書第14頁所記載，在10弳度/秒之頻率下為使用動態機械分析技術測量張力儲存模數、損失模數(E')以及能量損失因子(KEL)等實施必要之事項。

3.綜上，系爭專利說明書已記載製造研磨墊之具體實施例、各種參數的測試方法及測得數值範圍，且該說明書所對應之系爭專利更正後請求項1、2、5至7亦載明實施之必要事項，為熟習該項技術者即可以依據說明書所載內容，運用系爭專利申請時既有之技術或知識，正確理解且能實現系爭專利更正後請求項1、2、5至7之發明，並未有實施困難或無法據以實施之情事，符合修正前90年專利法第71條第3款之規定。

九、綜上所述，證據3為適格之證據，且系爭專利舉發案無一事62不再理規定之適用。另證據10、證據11，可以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。證據10、11分別與證據2、證據3、證據13、證據14、證據15之組合，可以證明系爭專利更正後請求項2不具進步性。證據10、證據11與證據14之組合，可以證明系爭專利更正後請求項5不具進步性。證據10、證據11分別與證據34、35之組合，可以證明系爭專利更正後請求項6不具進步性。證據2、證據9與證據10；證據10、證據11；證據10、證據11分別與證據2、證據15之組合，可以證明系爭專利更正後請求項7不具進步性。從而，被告以系爭專利更正後請求項1至2、5至7違反核准時90年專利法第20條第2項之規定，而為「請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷」之處分，並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告主張前詞，請求撤銷訴願決定與原處分關於「請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷」部分，為無理由，應予駁回。至於系爭專利其餘舉發請求項即請求項3至4之爭訟部分，由本院106年度行專訴字第39號發明專利舉發事件另行審結，附此敘明。

十、本件事證已臻明確，兩造及參加人其餘主張或答辯，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。

智慧財產法院第三庭

63

65附表更正類舉發審定訴願決定智慧財產法/別院行政判決明確105年10月28日106年3月31日106年4月6日經106106性

（105）智專三經訴字第訴字第年度年度/請

（三）05048字1060630292010606301250行專行專求項第號（103年2月號（請求項1至2訴字訴字1052133742014日之更正事項、5至7）第39第34號、請求項3至4號（號（）請求請求項3項1至4至2）、5至7）103更准予更正准予更正未訴願未起未起年2正訴訴月14日之更正事項請求明有效未訴願未訴願有效有效項確（具明確性）（具（具1-7性明確明確性）性）請求獨無效未訴願無效未起無效項1立（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）請求附無效未訴願無效未起無效項2屬（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）請求附有效有效未訴願有效未起項3屬（具進步性）（具進步性）（具訴項進步性）66請求附有效有效未訴願有效未起項4屬（具進步性）（具進步性）（具訴項進步性）請求附無效未訴願無效未起無效項5屬（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）請求附無效未訴願無效未起無效項6屬（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）請求附無效未訴願無效未起無效項7屬（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）67附圖1：證據3（Rodel公司於1999年公開發行之型號「RodelICl000CMPPad」拋光墊之產品型錄影本）圖式：68附圖2：證據4（Rodel公司於西元1992年公開發行型號「SubaIV」拋光墊之產品型錄影本）69附圖3：證據5（IreneLi等人於西元2000年IreneLi發表在MaterialResearchSocietySymp.Vol.613之論文影本）70附圖4：證據6（IreneLi等人西元2000年4月26~27日在MaterialResearchSociety於美國舊金山所舉辦之研討會簡報資料影本）71附圖5：證據9（西元1997年4月22日公告之美國第5622535號「ABRASIVEARTICLECOMPRISINGPOLYMERICCOMPOSITIONSANDABRASIVEGRAIN」專利案）72附圖6：證據10（1995年刊載於ThinSolidFilms000(0000)WeidanLi.等人之論文「Theeffectofthepolishingpadtreatmentsonthechemical-mechanicalpolishingofSiO2films」）73附圖7：證據11（西元1983年出版之JohnAklonis.et.al,「IntroductiontoPolymerViscoelasticity」,SecondEdition,封面、版權頁及內頁第7-9頁影本）74