智慧財產法院行政判決

　　　　　　　　　　　　　　　　　　98年 4月23日辯論終結

原告

晶宏半導體股份有限公司

代表人

甲○○

訴訟代理人

洪榮宗律師

訴訟代理人

林鈺珊律師

複代理人

王鳳儀律師

被告

經濟部智慧財產局

代表人

乙○○（局長）

訴訟代理人

丁○○

參加人

矽創電子股份有限公司

代表人

丙○○

訴訟代理人

陳群顯律師

　　　　　　呂聿雙律師

　　　　　　朱玉文律師

上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國97年10月27日經訴字第09706114710 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下：

主文

事實及理由

一、事實概要：原告於民國92年11月26日以「具有凸塊之半導體裝置」向被告申請發明專利，經該局編為第92133255號審查准予專利後，發給發明第I239580 號專利證書（以下簡稱系爭專利）。嗣參加人提出舉發證據3 即西元1999年2 月2 日公開之日本特開平00-00000號專利案（以下簡稱引證案）及證據4 即引證案之中文譯本為證，並以系爭專利違反專利法第22條第1 項第1 款及第4 項之規定為由，對之提起舉發。案經被告審查，乃於97年6 月11日以（97）智專三㈡ 04066字第09720300030 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，經被告訴願決定駁回，原告猶未甘服，遂向本院提起行政訴訟。本院因認本件訴訟之結果，參加人之權利或法律上利益將受損害，乃依行政訴訟法第42條第1 項規定，依職權裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。

二、原告聲明求為判決：㈠訴願決定及原處分均撤銷，並命被告機關為舉發不成立之處分。㈡訴訟費用由被告負擔。並主張：

⒈系爭專利申請專利範圍共計16項，其中第1 項及第14項為獨立項，其餘則為附屬項。系爭專利之技術特徵如申請專利範圍第1 項及第14項所述，係至少包含「保護層開口之寬度不大於8 μm 」及「突起區之面積大於中央區之面積」二項技術特徵。系爭專利申請專利範圍就「保護層開口」之解釋，應以發明所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解之內容，以界定權利範圍。況以發明所屬技術領域中具有通常知識者之觀點既可確定權利項用語「保護層開口」之意義，自不應以一般性字面意義解釋權利項用語，否則即與專利法第22條第4 項、第26條第2 項、第26條第3 項及專利審查基準第2-1-42頁等規定相違。另據92年專利法第56條第3 項規定之修法理由意旨可知，不應侷限於申請專利範圍之字面意義，而應參考其發明說明及圖式，以瞭解其目的、作用及效果。然系爭專利所稱「保護層開口」若非「狹長型溝槽狀」，則其發明目的、作用及效果無法達成，故發明所屬技術領域中具有通常知識者基於其對系爭專利合理之理解，自係將權利項用語「保護層開口」瞭解為「狹長型溝槽狀的保護層開口」，而不包含引證案之「小坑洞型的開口」。詎被告未審究發明所屬技術領域中具有通常知識者對該權利項用語之解釋，逕以一般性字面意義解釋權利項用語「保護層開口」，亦不參考發明說明及圖式，以瞭解被舉發案之發明目的、作用及效果，其認事用法顯有重大違誤。復以參加人已自認被舉發案權利項用語「保護層開口」係指「狹長型溝槽狀的保護層開口」，原告亦已提出證據證明之，而參加人既未能提出相反之證據證明，則被告未審究上述客觀事證，顯有認定事實未憑證據之違誤。

⒉系爭專利申請專利範圍之權利項用語「保護層開口」，依發明所屬技術領域中具有通常知識者在參考發明說明及圖式所揭示之目的、作用及效果後，均可以確認其係指「狹長型溝槽狀之保護層開口」。依專利審查基準第2-1-25頁規定，申請專利範圍之記載是否已明確或是否尚未明確並非僅憑一般性之字面意義予以判斷，尚需參考發明說明揭露之內容、申請時之通常知識及該發明所屬技術領域中具有通常知識者，於申請當時對申請專利範圍之認知後才得以確定。另由現行專利法第56條第3 項規定及該條規定於92年修訂之理由，可知專利法第56條第3 項之解釋及適用實應考量立法理由及我國法院實務之多數見解，而原告所提出原證6 至原證13之臺北高等行政法院歷年判決之多數見解乃表明「惟說明書所載之申請專利範圍僅就請求保護範圍之必要敘述，既不應侷限於申請專利範圍之字面意義，也不應僅被作為指南參考而已，實應參考其發明說明及圖式，以瞭解其目的、作用及效果。」，足見於解釋申請專利範圍時不應單純侷限於申請專利範圍字面意義，應同時參酌說明書及圖示，並以該發明所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解之內容為標準，以作為專利權範圍判定之界定依據。詎被告就系爭專利申請專利範圍權利項之解釋，未依專利法第56條第3 項之規定為審定，其認定顯然違背法令，而有重大誤違。

⒊另由原告所提出原證17及原證18之美國聯邦上訴巡迴法院判決，可知美國專利實務肯認對申請專利範圍之用語之解釋應朝向使其專利權有效之方向解釋，並肯認對申請專利範圍用語之解釋應以發明所屬技術領域中具有通常知識者之觀點解釋，而非以一般人之觀點解釋，且肯認若引證案不具可實施性，例如包含需過度實驗才得以發現如何實施引證案時，則該引證案不構成新穎性舉發證據，須予以排除。而系爭專利之技術除對產業界有貢獻，且由發明所屬技術領域中具有通常知識者在閱讀被舉發案專利說明書之技術內容後，可得知權利項用語「保護層開口」係指「狹長型溝槽狀的保護層開口」，此乃應優先使用發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解之權利項用語解釋，而非一般性之字面解釋。至引證案則為「小坑洞型的開口」，兩者有明顯區隔，系爭專利並未侵入公眾領域奪取不當利益。且引證案並未使熟悉該項技術人士在不過度實驗之情形下可以實施該項發明，則該引證案不具可實施性，不得作為新穎性審查之舉發證據。詎被告竟誤認引證案已公開即不得否認其可實施性。

⒋被告倘認系爭專利之權利項用語「保護層開口」不得參考專利說明書之技術內容後而解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」，然於原告主張在參考說明書之目的、作用及功效後，被告依專利法第56條第3 項規定之適用態樣與原告之認知有差異時，應於審定前告知原告；詎被告怠於行使其職權，依最高行政法院91年度判字第2422號之判決意旨，被告裁量權之行使難謂無濫用之嫌。又被告明知系爭專利之權利項用語「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」後，相較於引證案，具有新穎性和進步性；詎被告怠於依職權通知原告更正申請專利範圍，即有違行政程序法第9 條規定。復以引證案之「小坑洞型的開口」具有非常低劣之信賴度，無法為產業界所製造生產，並不具可實施性。而被告對引證案之揭露技術認識錯誤，且引證案與系爭專利習知技術之「必要技術特徵」及「發明目的」彼此相互衝突，兩者乃不相容且無法予以結合，故不足以證明系爭專利之附屬項不具進步性；詎被告認定兩者之習知技術乃相同技術領域，並無無法結合之互斥情事，顯已違反專利審查基準2-3-20頁規定。再者，原告於收受被告之審定書後，即向被告提出原證27之申請專利範圍更正本，是縱認系爭專利不適用專利法第56條第3 項規定，被告亦應審酌系爭專利更正後之申請專利範圍。

⒌綜上所述，被告所為「舉發成立，應撤銷專利權。」之處分，顯有錯誤。懇請鈞院判決如訴之聲明，撤銷原處分及訴願決定，以維權益。

三、被告聲明求為判決：㈠駁回原告之訴。㈡訴訟費用由原告負擔。並抗辯：

⒈原告主張系爭專利申請專利範圍之「保護層開口」係指「狹長型溝槽狀」。惟系爭專利審定公告本說明書揭示該技術特徵保護層開口之一寬度係被限定至不大於8um ，較佳地，係介於3um 至8um ，其長度係介於40um至80um等，已載明保護層開口之外觀。詎原告以原審定公告未揭示之形容文字「狹長型溝槽狀」解釋該技術特徵，以迴避系爭專利申請專利範圍已落入引證案所揭示之事實。然據系爭專利申請專利範圍第1 項所載，系爭專利係一種「具有凸塊之半導體裝置」，另依系爭專利申請專利範圍第2 項所載，該具有凸塊之半導體裝置，其中該頂面之面積係不小於該銲墊顯露於該保護層之面積的兩倍。而引證案為一種半導體晶片技術中，在電極上形成導電凸塊之結構及方法，該半導裝置包含基板、銲墊、保護層、凸塊等。引證案已揭示開口具有極小之開口面積，尺寸為3 ×3 μm ～10×10μm ，以單側尺寸為3 ～10μm ，相較系爭專利申請專利範圍第1 項而言，其已揭示該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8 μm 技術特徵。引證案揭示中央區面積為1.96μm2，「突起面積」乃「凸塊面積」扣除「中央區面積」而為4223.04 μm2，相較系爭專利申請專利範圍第1 項及第2 項而言，其已揭示俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積技術特徵，是引證案能證明系爭專利申請專利範圍第1 項及第2 項為申請前已見於刊物或已公開使用。又系爭專利申請專利範圍第1 項及第2 項既不具新穎性，自無再審究進步性之必要。

⒉原告依臺北高等行政法院96年度訴字4108號判決及現行「專利侵害鑑定要點」第35頁之說明，主張不論採何種解釋申請專利範圍之理論，解釋申請專利範圍時，應著重於申請專利範圍之文字本身，是若申請專利範圍中所載之技術特徵已臻明確，即不得將發明說明及圖式所揭露之內容引入申請專利範圍內，倘若申請專利範圍中所載之技術特徵不甚明確，為認定專利權範圍之實質內容，始得援引發明說明及圖式作為解釋申請專利範圍之輔助依據，且圖式之作用在於補充說明書文字不足之部分，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者閱讀說明書時，得依圖式直接理解該發明之各個技術特徵及其所構成之技術手段。然系爭專利申請專利範圍所揭技術特徵已明確，縱參酌說明書及圖式，亦無通知更正申請專利範圍之必要，故被告於系爭專利審定前，未通知原告更正申請專利範圍所為舉發成立之處分，並未違反最高行政法院91年度判字第2422號判決意旨。另參酌專利審查基準第二篇第六章第2-6-68頁所列舉之更正情況，其更正結果導致實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍，將申請專利範圍未包含但發明說明或圖式中已揭露之其他技術特徵或技術手段，引進附加於原核准公告之請求項內或形成另一請求項。復以發明說明或圖式中已揭露，然請求項本身未包含之技術特徵或技術手段，無論其是否具有新穎性、進步性或屬公眾所知悉之技術，引進附加於原核准公告之請求項內或形成另一請求項時，形式上雖然係對原請求項增加條件以進一步限定，然會改變原有元件、成分、步驟之結合關係以及原核准公告之發明之性質或功能，而導致實質變更申請專利範圍。而被告於系爭專利審查期間既未依職權通知原告更正，足見系爭專利並無可更正之情事。

⒊原告主張系爭專利申請專利範圍第7 項為限定該保護層之厚度係介於1 至2um ，然引證案之說明書內已揭示形成該保護層厚度約1um ，保護層厚度或有不同，惟保護層的厚度本可因引證案揭示成長保護層之沉積時間予以調整而達成等效替換。況舉發證據2 即系爭專利說明書第8 頁已自承先前技術第1 段揭示，以藉由該異方性導電膜20內之導電粒子21與該電路板30電性連接，習知之導電粒子21之外徑為6um ，當該導電粒子21之外徑縮小至3um 時，由於回字效應使得在該中央區14b 與該接合墊31之對導電粒子21a 無法有效接合，而影響電性能。惟據引證案之說明書所載述，可知將能夠縮小導電凸塊表面之凹陷之平面尺寸及深度，其結果將能夠增加導電凸塊上有助於導通之導電粒子數而提高半導體裝置之組裝可靠性，惟引證案之說明書並未有將該尺寸增加或擴大而有導致電性能變差應有避免之必要之反面教示等。再者，系爭專利說明書係揭示指導電粒子外徑，其與引證案所教示，並不衝突，且就結合系爭專利說明書及引證案說明書所揭示製程技術（成長保護層厚度）而言，本就可為其所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成，足見兩者均屬相關之技術領域，並無不相容且無法予以結合之互斥情事，自可為發明所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成者。

⒋綜上所述，被告所為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，洵無違誤，應予維持。

四、參加人聲明求為判決：㈠駁回原告之訴。㈡訴訟費用由原告負擔。並抗辯：

⒈系爭專利申請專利範圍第1 項前言部分之基板、銲墊、保護層、保護層開口、凸塊等習知結構，均屬先前技術之範疇，且已見於引證案，此為原告所不爭執。原告僅主張「保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8 μm 」及「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」等二項技術特徵為其主要之技術特徵構成要件。惟就「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」此一技術特徵構成要件而言，原告並未抗辯引證案未揭示此一特徵，足見原告就此並不爭執。至「保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8 μm 」此一技術特徵構成要件而言，原告亦未曾爭執引證案確已揭示「保護層開口之一寬度不大於8 μm 」之技術內容。且系爭專利申請範圍中除對「保護層開口之一寬度」限定為不大於8 μm 外，對於另一維度（長度）及開口深度（高度）均無任何限制，則系爭專利對於開口之形狀為何，並無特殊之界定或限制，其申請範圍之文義本即涵蓋各種可能形狀之開口，原告事後擅自解釋為「狹長型溝槽狀」以圖與引證案進行區隔，顯乏依據，亦與現行司法實務不合。另就系爭專利申請專利範圍第7 項部分，原告主張不得將系爭專利之說明書與引證案結合，以證明該請求項不具進步性；惟系爭專利與引證案專利之目的，均係改善半導體裝置與凸塊之導電性，其發明所欲解決之問題與技術領域完全相同，所屬技術領域中具有通常知識者自有予以組合之動機，依專利審查基準第2-3-20頁之規定，確屬明顯可為組合之技術內容。

⒉系爭專利申請專利範圍第1 項主要技術特徵在於「保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8 μm 」及「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」等二項，惟引證案舉既已教示縮小保護層開口一寬度至不大於8 μm ，俾使凸塊突起區之面積大於中央區之面積，同時提出實施例之實驗數據，當可驗證具有使該領域具有通常知識者，可以完成系爭專利請求項第1 項所界定之發明而具有可實施性。此與原告所提出原證17、18號之美國聯邦上訴巡迴法院判決之案情顯不相同，亦與系爭舉發案之成立迥然不同，且其乃屬他國法例，不宜援引附比，復以原告刻意忽視我國專利審查基準第2-3-5 頁之規定及實務相關判決等，故於本件並無參考價值。再者，引證案已揭露系爭專利之技術特徵，且其公開日（1999年2 月2 日）早於系爭專利申請日（2003年11月26日）之事實，則無論引證案是否具有產業利用性或可實施性，均與系爭專利有無新穎性（或進步性）之判斷無關。

⒊系爭專利對於保護層開口之形狀是否有所限制，涉及專利申請範圍之認定，依法應依「申請專利範圍」之記載為準，而系爭專利關於保護層開口之形狀，除「一寬度不大於8μm」之特徵外，對於另一維度（即長度）及開口深度（即高度）完全無任何特殊之界定或限制，足見系爭專利申請範圍之文義已涵蓋各種可能形狀之開口。詎原告竟主張系爭專利之技術特徵僅限於狹長型溝槽狀，並列舉諸多行政法院判決主張本案應可參酌說明書及圖式之記載而解釋申請專利範圍，且主張本件應依據專利法第56條第3 項後段參酌「發明說明及圖式」之內容以解釋申請專利範圍；惟系爭專利申請專利範圍之文字，既未對另一維度（即長度）及開口深度（即高度）為任何限制，自無「狹長型」及「溝槽狀」可言，復以系爭專利說明書中「狹長型」及「溝槽狀」之記載，且原告所述多有曲解行政法院判決意旨之嚴重違誤，足見原告之主張，並無理由。

⒋參加人於96年6 月15日對系爭專利提起舉發，經被告於97年6 月11日為舉發成立之審定，詎原告於知悉該審定後，乃於97年6 月18日提出原證27號之更正申請。然申請專利範圍之更正，應於舉發審定作成前為之，倘於行政救濟過程中所提出之更正申請，均屬不合法。又況，原告所提出原證27號之更正本係於系爭專利申請專利範圍之獨立請求項第1 項及第14項中加入「該保護層之開口呈狹長型溝槽狀」、「相鄰銲墊方向之寬度」等技術特徵，並將其附屬項第3 項界定之凸塊突起區與中央區高度差係「不小於1 μm 」更正為「高度差係介於1 至2 μm 」，惟上開更正之技術特徵並未見於系爭專利之發明說明或圖式中，縱有揭露，亦仍屬「申請專利範圍未包含但發明說明或圖式中已揭露的其他技術特徵或技術手段」之情形，原告將之引進附加於原核准公告之請求項內，已構成專利申請範圍之實質變更，是依專利法第64條第2 項規定，應不准更正。再者，被告依專利法第71條之規定，於舉發審查階段中，並無一律「應」通知專利權人更正之義務，且系爭專利已無因更正而維持其有效性之可能，被告自無通知原告更正之必要。

⒌綜上所述，被告所為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，洵無違誤，應予維持。

五、兩造之爭點：綜觀上述兩造所陳，本件爭訟主要爭點在於系爭專利申請專利範圍第1 項及第2 項，相較於舉發證據3 之引證案，是否具有新穎性？而兩造上開爭點，猶可細分如下諸項：

㈠申請專利範圍用語之解釋是否應優先以發明所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解之內容以界定權利範圍？

㈡所謂熟悉該項技術人士能瞭解之內容是指所屬技術領域中之「所有人士」能瞭解之內容？或指所屬技術領域中之「具有通常知識者」能瞭解之內容？

㈢93年7 月1 日施行之專利法第56條第3 項規定：「發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌發明說明及圖式」，是否僅侷限於以一般字義解釋專利範圍用語而無法明確其意義或權利範圍時，始得審酌發明說明及圖式？

㈣若被告機關明知原告之具有合理信賴基礎之真意係將「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」，且在解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」後相較於舉發證據3 具有新穎性和進步性，則被告機關在作成審定前未通知原告進行更正限縮權利項用語，是否構成職權濫用之違反、違反信賴保護原則及比例原則？

㈤由客觀性的科學實驗證實舉發證據3 所揭示之結構違反物理原理，具有極低之可靠度，無法具以實施，則舉發證據3是否仍足以證明被舉發案不具新穎性？

㈥舉發證據之間的組合缺乏指引、構成反面教示且違反個別舉發證據解決問題手段之必要之點，是否代表舉發證據的組合是非顯而易知？

六、本院判斷如下：

㈠按凡利用自然法則之技術思想之創作，而可供產業上利用者，固得依專利法第21條暨第22條第1 項前段之規定申請取得發明專利。惟如「申請前已見於刊物或已公開使用者」或其發明「為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，為同法第22條第1 項第1 款及第4 項所明定。

㈡本件原告係於92年11月26日以「具有凸塊之半導體裝置」向被告申請發明專利，經該局編為第92133255號審查准予專利後，發給發明第I239580 號專利證書，嗣參加人提出舉發證據3 即西元1999年2 月2 日公開之日本特開平00-00000號專利案及證據4 即引證案之中文譯本為證，並以系爭專利違反專利法第22條第1 項第1 款及第4 項之規定為由，對之提起舉發，被告於審查後認系爭專利確有應撤銷專利權之原因，遂為撤銷專利權之處分，原告不服，提起訴願，經被告訴願決定駁回，原告遂再向本院提起行政訴訟。按本件原告系爭專利申請專利範圍共計16項，其中第1 項及第14項為獨立項，其餘則為附屬項。茲就原告系爭專利技術分析，可知系爭專利第1 項之主要技術在於：1.一種具有凸塊(120) 之半導體裝置(100) ，包含：一基板(110) ，其係具有一正面(111) ，該基板之該正面係形成有至少一銲墊(112 )；一保護層(113)，其係形成於該基板之該正面，該保護層係具有至少一開口(114) ，以部分顯露該銲墊(112) ；及至少一凸塊(120)，其係設於該銲墊上，該凸塊係具有一頂面(121) ，該頂面係包含有一中央區(122) 及一突起區(123) ；其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8 μm ，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得有效接合導電粒子增多者。另第14項獨立項之主要技術特徵則為：一種半導體裝置之異方性導電膜(300)連接構造，包含：一半導體裝置(100) ，其係包含一基板(110) ，該基板係具有一正面(111) ，該正面係形成有至少一銲墊(112) 及一保護層(113) ，該保護層係具有至少一開口(114)，以部分顯露該銲墊，該銲墊上係設有一凸塊(120)，該凸塊係具有一頂面(121) ，該頂面係包含有一中央區(122) 及一突起區(123) ；一載板(200) ，其係具有至少一接合墊(210) ，該接合墊係對應該凸塊(120) ；及一異方性導電膜(300) ，其係設於該載板與該半導體裝置之間，該異方性導電膜係包含有複數個導電粒子(310，310a) ；其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8 μm ，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得在該凸塊之突起區與該接合墊間之有效接合導電粒子增多者。原告主張系爭專利之技術特徵依申請專利範圍第1 項及第14項所述，係至少包含「保護層開口之寬度不大於8 μm 」及「突起區之面積大於中央區之面積」二項技術特徵。而被告則辯稱引證案已揭示開口具有極小之開口面積，已揭示該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm 技術特徵，且引證案亦已揭示突起區之面積大於中央區面積之技術特徵，足認引證案能證明系爭專利申請專利範圍第1 項及第2 項為申請前已見於刊物或已公開使用，是原告系爭專利不具新穎性等語。基於上述雙方之爭議，以及本件之主要爭點，本院認為：

⒈上開爭點㈠至㈢中原告主張對於系爭專利第1 、14項中「保護層開口」一詞應解釋為「狹長型溝槽狀的保護狀開口」部分，依專利法第56條第2 項明文規定：「發明專利權範圍，以說明書所載申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時並得審酌發明說明及圖式」，以及依被告所制定之專利審查基準明載「申請專利範圍之認定應以申請專利範圍中所載之文字為基礎，並得審酌發明說明、圖式及申請時的通常知識。認定申請專利範圍時，原則上應以每一請求項所記載之文字意義及該文字在相關技術中通常所總括的範圍，予以認定。對於申請專利範圍中之用語，若發明說明中另有明確揭露之定義或說明時，應考量該定義或說明；對於申請專利範圍中之記載有疑義而需要解釋時，應一併考量發明說明、圖式及該發明所屬技術領域中具通常知識者之通常知識」之意旨，以及侵害鑑定要點第31頁規定「專利權範圍主要取決於申請專利範圍中之文字，若申請專利範圍中之記載內容明確時，應以其所載之文字意義及該發明所屬技術領域中具有通常知識者所認知或瞭解該文字在相關技術中通常總括的範圍予以解釋」，可知於解釋申請專利範圍時，應以每一請求項所記載之文字意義及該文字在相關技術中通常所總括的範圍，予以認定，說明書本身並非定義專利權範圍的依據，定義專利權範圍之根本及唯一依據乃申請專利範圍，是以，雖然專利說明書得作為解釋申請專利範圍之參考，惟基於申請專利範圍始為界定專利權範圍之根本依據，專利說明書之內容自不可讀入申請專利範圍內。而所謂參酌專利說明書來解釋申請專利範圍，應該僅對申請專利範圍中既有之限制條件（文字、用語）加以解釋，而不可透過或依據專利說明書之內容而增加、減少申請專利範圍所記載的限制條件，以致變動申請專利範圍對外所表現的客觀專利權範圍。次按被告所制定之專利侵害鑑定要點第30頁明文「用於解釋申請專利範圍的證據包括內部證據及外部證據。若內部證據足使申請專利範圍清楚明確，則無須考慮外部證據。若外部證據與內部證據對於申請專利範圍的解釋有衝突或不一致者，則優先採用內部證據」等語，可知本件原告申請專利範圍所記載之文字即為一內部證據，而原告於訴願階段所提之鍾卓良教授所出具之專家意見書、南茂科技公司及飛信半導體公司之電子郵件及行政訴訟階段所提之江國寧教授所出具之模擬分析報告等則屬外部證據，倘內部證據已清楚明確時，實無須考慮外部證據，準此，客觀解釋系爭專利申請專利範圍之「保護層開口」，其中銲墊係成長於基板之正面上，保護層係成長於基板之正面上，該開口係為部分顯露該銲墊，故所謂之開口應是一具有三度空間（長、寬、高）且相對於保護層為中空並位於銲墊表面上以部分顯露銲墊之結構。系爭專利申請專利範圍第1、14項所界定開口之一寬度係被限制不大於8μm，其並未對另二維空間及形狀作限定，故其所界定之範圍除了寬度小於或等於8 μm ，長度及高度之範圍則無限制，依據申請專利範圍文字記載客觀之解釋其應包含二維空間為方形及長方形之開口構造，雖系爭專利說明書實施例（說明書第9頁末數第1 行至第10頁第1 行）有記載開口長度為介於40至80μm，惟並不能因此將之讀入系爭專利申請專利範圍內，而將系爭專利之開口解釋為「狹長型溝槽狀開口」，且依據內部證據優先於外部證據，亦不應將開口解釋僅為「狹長型溝槽狀開口」，並排除其它可能的形狀，而限縮申請專利之解釋範圍，是原告此部分主張，實不足採。

⒉原告復主張被告明知原告之真意係將「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」，且在如此解釋下系爭專利與舉發證據3 相較具有新穎性及進步性，卻在審定前未通知原告更正限縮權利項用語，顯然構成職權濫用、違反信賴保護原則及比例原則云云。按專利法第71條第1 項第3 款規定「專利專責機關於舉發審查時，得依申請或依職權通知專利權人限期為下列各款之行為：三、依第六十四條第一項及第二項規定更正」，故更正案之提出，可於舉發審查過程中，經由專利專責機關依職權通知專利權人提出，或由專利權人申請提出，是原告於系爭專利遭舉發後，倘認為其系爭專利與習知技術特徵之差異在於保護層之開口為「狹長型溝渠狀之開口」，自得於舉發過程中自行向專利專責機關申請更正，毋待專利專責機關通知，其在舉發審定後得知系爭專利遭被告舉發成立之審定，始指責專利專責機關未盡告知之責，原告之指摘，並無理由。

⒊原告復主張舉發證據3 所揭示之結構違反物理原理，僅有極低之可靠度，無法具以實施，是舉發證據3 不足以證明系爭專利不具新穎性云云。原告主張舉發證據3 所揭示之實施例1 及實施例2 僅供實驗用途，不具產業利用性，蓋證據3 之製造方式不僅良率不佳，可靠度及信賴度亦不好，非一可被業界接受的製造方式，於訴願階段並提出鍾卓良教授所出具之專家意見書及南茂科技公司及飛信半導體公司之電子郵件作為補強證據。鍾卓良教授認為證據3利用「小坑洞型的開口」因銲墊與凸塊之接合面積太小，會有壓合不良、易於脫落、及因應力集中而容易有界面裂縫之問題。而南茂科技公司及飛信半導體公司之電子郵件則認為若保護層開口小於20μm ，則無法通過凸塊可靠度測試，以致證據3 不具可供產業上利用。原告乃據以主張系爭專利所屬技術領域中具通常知識者在解釋權利項之意義時，應會自動排除直覺上不可行之選項云云。惟按專利申請案經公開或公告後，即構成先前技術的一部分，無論該申請案嗣後是否經放棄或撤回，均得作為新穎性審查之引證文件。審查新穎性時，應以引證文件中所公開之內容為準，而引證文件揭露之程度必須促使該發明所屬技術領域中具通常知識者能製造或使用申請專利之發明（專利審查基準第2-3-5 頁）。查證據3 係一公開之日本專利文獻，其公開日係早於系爭專利申請日，故證據3 已構成系爭專利之先前技術一部分。而舉發證據3 教示縮小保護層開口之寬度至不大於8 μm （實施例揭示3 μm ×3 μm，及5 μm ×5 μm 之範圍），以使凸塊突起區之面積大於中央區之面積（由證據3 第【0027】段表1 中可得知），且證據4 （為證據3 之中譯本）第【0007】段及第【0008】段揭示習知技術利用ACF 接合方式，因其凸塊凹陷之尺寸及深度問題導致導電粒子16將完全無助於導通或僅能以極高的阻抗來導通，致效率不彰，遂提出縮小導電凸塊表面之凹陷平面尺寸及深度，以增加導電凸塊上有助於導通之導電粒子數目，用來提高半導體裝置組裝可靠度，證據3 並提出實施例及相關數據以驗證並支持其發明之可實施性，故由證據3 所揭露之程度應已足以促使液晶顯示裝置封裝業者此一技術領域中具通常知識者能製造或使用申請專利之發明。至證據3是否可作為系爭專利不具新穎性及進步性的適格引證，其本身是否具產業上利用價值及其高低無涉。其次，江國寧教授所提出之模擬分析報告雖認為「小坑洞型的開口」違反物理原理，自然會造成電子遷移效應云云。然由該分析報告可知，其係在探究凸塊與銲墊間因尺寸縮小所造成之短通道效應，與證據3 及系爭專利所欲解決之問題在於「凸塊與載板接合墊間藉由異方性導電膜接合」因保護層開口大小所造成後續凸塊與載板接合墊之電性接觸問題，係屬不同技術問題，關於開口縮小至物理極限後凸塊與銲墊間因電子遷移所造成之金屬淘空，亦非系爭專利於申請時所欲解決之技術問題（即非系爭專利所欲保護之技術特徵），且因尺寸縮小所造成電子遷移問題於系爭專利申請時之半導體製程中於鋁金屬銲墊中加入適量之銅金屬即可獲致改善，是證據3 應可作為系爭專利不具新穎性之適格引證，原告上開指訴，應不足採。

⒋原告另指稱舉發證據之間之組合缺乏指引、構成反面教示且違反個別舉發證據解決問題手段之必要之點，是以本件舉發證據之組合即非顯而易知云云。經查，證據3 說明書第【0008】段揭示儘可能縮小導電凸塊表面之凹陷平面尺寸及深度，以增加導電凸塊上導通之導電粒子數目。另在證據3 說明書第【0007】段記載若凹陷深度深，則位於凹陷內之導電粒子將完全無助於導通或僅能以極高之阻抗來導通。證據3揭示將導電凸塊表面之凹陷深度控制在1 μm 以下，藉以達成其發明目的，並無反面教示採用凹陷深度如系爭專利之1至2μm 之間之深度即無法達成凸塊與載板之接合墊之導電。況證據3 第【0007】段揭示一般使用之導電粒子之粒徑為3至5 μm ，即便保護層之厚度在1 至2 μm 亦不致造成上述情形。證據3 僅舉例成長一約1μm 氮化矽保護層，並未強調或建議該保護層之厚度不得大於1 μm 。再者，證據2 （系爭專利說明書）第8 頁所載先前技術第1 段揭示「…以藉由該異方性導電膜20內之導電粒子21與該電路板30電性連接，習知之導電粒子21之外徑為6 μm ，當該導電粒子21之外徑縮小至3 μm 時，由於回字效應使得在該中央區14b 與該接合墊31之對導電粒子21a 無法有效接合，而影響電性能。」等語，而依證據3 說明書第【0032】段所載，該技術將能夠縮小導電凸塊表面凹陷之平面尺寸及深度，其結果將能夠增加導電凸塊上有助於導通之導電粒子數，進而提高半導體裝置組裝之可靠性，該說明書並未有因將尺寸增加或擴大而成為如證據2 所指電性能變差此一應避免情況之反面教示情事。證據3 係揭示縮小開口3a與凸塊面積之比例，而系爭專利係揭示藉由增加凸塊突起區之面積以使凸塊區面積大於中央區的面積，以達到異方性導電膜之有效接合導電粒子增多之效果，證據2 與證據3之目的均係改善半導體裝置與凸塊之導電性，其發明所欲解決之問題與技術領域完全相同，所述技術領域中具通常知識者自有予以組合之動機與可能性。

㈢本件原告一再指摘引證3 之教示根本無法實施，且目前市面上亦未見有所謂保護層寬度為3 μm ×3 μm ，及5 μm ×5 μm 之產品，足見引證3 所列之教示並不可行，自不得作為有效之引證案云云。惟依本件系爭專利申請專利範圍第1項既明載其保護層開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加凸塊之突起區面積以使該突起區之面積大於該中央區保護層之面積，進而使得有效接合導電粒子增多。可知，系爭專利僅就保護層之一寬度設其上限，相對地並未設其下限，是以，凡保護層開口之一寬度不超過8 μm 者，均為系爭專利所涵蓋，其中當然包含3 μm 及5 μm 部分。而本件原告所申請之系爭專利於申請專利範圍復未明載此一保護層開口寬度除一端為不大於8 μm 外，另一端為大於8 μm ，而呈現長方形狀態，則在此範圍內，舉凡1~8 μm ×1~8 μm 之任一組合，均符合系爭專利所設定之範圍，準此，倘原告認為引證3 所示之3 μm ×3 μm ，及5 μm ×5 μm 尺寸乃不可行之設計，則系爭專利所申請之專利範圍亦包含不可行之部分，則系爭專利之申請即有可議之處。蓋倘原告認為比較可行之開口寬度尺寸應介於5~8 μm 之間，即應於申請專利範圍中詳細記載，詎其並未限定有效實施之範圍，就字面文義解釋自應認為其所指之不大於8 μm 尺寸，應向下相容，包含3 μm 及5μm，而3 μm 及5 μm 部分既已為引證3所明示，則系爭專利即欠缺新穎性。再者，本件原告自承系爭專利主要技術特徵在於「保護層開口之寬度不大於8 μm」及「突起區之面積大於中央區之面積」二項，而引證3 所示之技術特徵於解釋上亦屬於「保護層開口之寬度不大於8μm 」及「突起區之面積大於中央區之面積」之範圍內，自應認為系爭專利據以標新立異之特徵已為前案所揭示，不論該前案是否仍屬有效，系爭專利均已不具新穎性矣，是原告主張系爭專利據有新穎性，引證資料不得作為認定系爭專利不具新穎性之適格證據云云，即屬無稽。

七、綜上所述，本件原告系爭專利既不具被新穎性，為先前技術所揭示，則被告為舉發成立，撤銷系爭專利之處分，即無違誤，訴願決定遞予維持，亦屬允當；原告徒執前詞，聲請撤銷原處分及訴願決定，為無理由，應予駁回。

八、本件事證已明，兩造其餘主張或答辯，已與本院判決結果無影響，爰毋庸一一論列，併此敘明。

據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。

智慧財產法院第一庭