智慧財產法院民事判決

原告泱博實業股份有限公司

法定代理人葉杰

（送達代收人：葉華雄

訴訟代理人葉華雄

蔡清福律師

蔡律律師

蔡馭理專利師

被告TAICERAENTERPRISECO.,LTD

兼法定代理人陳森祥

被告願景國際事業股份有限公司

法定代理人陳文治

被告雄暉股份有限公司

法定代理人陳文治

被告悅群股份有限公司

法定代理人吳婉華

前列被告共同

訴訟代理人林東乾律師

複代理人徐念懷律師

上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於中華民國104年1月12日言詞辯論終結，並判決如下：

主文

事實及理由

壹、程序方面：1信股一、本件乃涉外民事事件，且我國法院有國際裁判管轄權：為外國者。涉外民事訴訟事件，管轄法院須以原告起訴主張之事實為基礎，先依法庭地法或其他相關國家之法律為「國際私法上之定性」，以確定原告起訴事實究屬何種法律類型，再依涉外民事法律適用法定其準據法（最高法院92年度台再字第22號民事判決參照）。又涉外民事法律適用法規定「實體」法律關係所應適用之「準據法」，與因「程序上」所定「法院管轄權」之誰屬係屬二事（最高法院83年度台上字第1179號民事判決參照）。

決定其應適用何國法律之法，至法院管轄部分，無論是民國100年5月26日修正施行前、後之涉外民事法律適用法均無明文規定，故就具體事件受訴法院是否有管轄權，得以民事訴訟法關於管轄之規定及國際規範等為法理，本於當事人訴訟程序公平性、裁判正當與迅速等國際民事訴訟法基本原則，以定國際裁判管轄。

TAICERAENTERPRISECO.,LTD（下稱TAICERA公司）為外國法人，具有涉外因素。又原告主張被告等於我國境內侵害其發明第I276476號「無機板材表面修復之方法」專利（下稱系爭專利），請求排除侵害、損害賠償，依原告起訴主張之事實，本件應定性為專利權侵權事件，應類推民事訴訟法第15條第1項規定，認原告主張侵權行為地之我國法院有國際管轄權。再者，依專利權法所生之第一、二審民事訴訟事件，智慧財產法院有管轄權，智慧財產案件組織法第3條第1款、智慧財產案件審理法第7條定有明文。是本院對本件涉外事件有管轄權，並適用涉外民事法律適用法以定涉外事2件之準據法。

二、準據法之選定：按以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，100年5月26日修正施行之涉外民事法律適用法第42條第1項定有明文。原告依我國專利權法規定取得專利權，並主張被告等有侵害其專利權之行為，故本件準據法自應依中華民國法律。

三、起訴聲明之更正：原起訴聲明為「（第1項）被告共同給付原告新臺幣（下同）165萬元。（第2項）被告立即停止侵犯專利權進口、銷售產品行為。（第3項）判令被告承擔原告系爭專利之維權費用及使用費損失。（第4項）由被告承擔本案全部訴訟費用。」（本院卷（一）第4頁及第109頁之調查筆錄），嗣原告於103年10月17日具狀請求更正為「（第1項）被告應停止使用系爭專利，並停止使用、為販賣之要約、販賣或為上述目的而進口系爭專利直接製成之物品。（第2項）被告應連帶給付原告一部請求之165萬元，及自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按年息百分之五計算之利息。（第3項）依專利法第97條第2項之規定，酌定損害額三倍之賠償。（第4項）訴訟費用由被告負擔。」（本院卷（二）第23頁背面），經核其聲明係就事實上或法律上之陳述為補充或更正，非為訴之變更或追加，依民事訴訟法第256條規定，應予准許。

四、被告雄暉股份有限公司（以下簡稱雄暉公司）原法定代理人為陳瑞誠，嗣由陳文治接任，並於104年2月10日具狀聲明承受訴訟，經核並無不合，自應准許。

貳、實體部分：

一、事實概要396年3月21日至113年6月29日止，此有專利權簿、專利說明書、被告TAICERA公司等之爭點整理狀在卷可按（本院卷（一）第24頁至第31頁背面、第222頁、本院卷（二）第297頁）。

TAICERA公司於越南所製造之型號「P67702N」之拋光磚，其流程、技術係使用○○○所授權之中國「拋光磚專用化學拋光劑」發明專利，有被告TAICERA公司之爭點整理狀可考（本院卷（二）第154頁背面、第297頁）。暉公司及悅群股份有限公司（以下簡稱悅群公司）自被告TAICERA公司進口，且係由TAICERA公司於引進一鼎科技之機器設備所製造之所有型號拋光磚（其型號詳如原證26所示，以下簡稱系爭產品），其製造方法落入系爭專利更正後請求項1，侵害原告系爭專利權。1的專利權範圍。

二、兩造聲明賣或為上述目的而進口系爭專利直接製成之物品。

165萬元，及自起訴狀4繕本送達之翌日起至清償日止，按年息百分之五計算之利息。

97條第2項之規定，酌定損害額3倍之賠償。

三、兩造爭執事項：1所使用之連接詞「含有」是否為開放性連接詞？有機溶劑等有機物？算？

製造方法為何？

TAICERA公司所製造之拋光磚如均係使用「超潔亮」技術進行加工處理，是否足以證明被告TAICERA公司所製造之所有型號拋光磚均係使用○○○專利所述之拋光磚專用化學拋光劑作為鍍液，並使用一鼎科技專利所述之機器設備及流程對於磁磚進行鍍膜及拋磨等？

專用化學拋光劑作為鍍液，並使用一鼎科技專利所述之機器設備及流程對於磁磚進行鍍膜及拋磨等，以製造磁磚之方法5」，並進一步界定為「一種建築裝飾板材表面防污劑之製膜方法，係於建築裝飾板材表面先將含有，液體矽砂之混合液，均勻塗佈在建築裝飾板材表面，再行拋光塗刷。」

TAICERA公司製造各種型號磁磚之方法是否必然均係相同之製造方法，亦即均係使用相同之拋光劑、機器設備及流程？換言之，被告TAICERA公司所製造之型號為「P67702N」之拋光磚既係使用○○○專利所述之拋光磚專用化學拋光劑作為鍍液，並使用一鼎科技專利所述之機器設備及流程對於磁磚進行鍍膜及拋磨等，則該公司所製造之其他型號拋光磚（詳如原證28所示）是否必然均係以相同之方法進行加工處理？

1之文義範圍？

99條第1項方法專利因而認定係依系爭專利請求項1所製造？

品？

四、兩造對系爭產品是否侵害系爭專利權之主張：請求項1並未違反專利法第67條第2、4項之規定：1所使用之連接詞「含有」為開放性連接詞：32頁第9點「解釋申請專利範圍時，應依請求項中連接詞之表達方式決定其專利權範圍。…連接詞係連接前言與主體，其表達方式可決定專利之保護強度。連接詞有開放式、封閉式、半開放式及其他表6達方式。開放式連接詞係表示元件、成分或步驟之組合中不排除請求項未記載的元件、成分或步驟，如『包含』、『包括』等」之規定，系爭專利更正後之請求項1明確記載其第一步驟為「於基材表面先將含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜」中，因其所使用之連接詞「含有」

之通常英譯為comprising、containing、including，故其係屬「開放式連接詞」，則其於文義上並未排除請求項未記載之元件、成分或步驟，亦即並未排除於鍍液中加入表面活性劑、有機溶劑或其他非作為鍍膜材料之有機物，此非但屬法律規範之解釋，亦屬事理之必然解釋。蓋如被告或侵權人可添加任一與鍍膜無關之有機物，即得卸下無機之面貌而躲避侵權，將使專利法毫無用武之處。

請求項1之外。請求項乃在界定一發明之核心組成為何，故若侵權人故意於核心組成之外，添加ㄧ些無關發明目的之其他成分，依前述「開放式連接詞」之規範，此種添加其他成分之行為，並未能脫離一專利請求項之界定範圍。

易言之，原告主張被告在生產過程中，於鍍液中加入表面活性劑或有機溶劑等有機物亦落入系爭專利請求項範圍，並非原告有溢出權利範圍外之主張，此乃應有之法律解釋。因此，被告添加非作為鍍膜材料之有機物，本仍為系爭專利請求項1所稱之「無機鍍液」或「混合液」。32係台灣WiKi關於「無機塗料」之介紹，其謂無機塗料係指「以無機材料為主要成膜物質的塗料。在建築工7程中常用的塗料是鹼金屬硅酸鹽水溶液和膠體二氧化硅的水分散液…。用以上兩種成膜物，再加入顏料、填料以及各種助劑，可製成硅酸鹽和硅溶膠（膠體二氧化硅）無機塗料，具有良好的耐水、耐鹼、耐污染、耐氣候等性能。

可用作房屋建築的內、外牆飾面塗料。」因此，縱使於塗料中加入其他顏料、填料及各種助劑等有機物，而使其貌似「有機塗料」，然因該塗料仍係以無機物為成膜材料，故其仍屬「無機塗料」，不致因此成為「有機塗料」。

承上，無論更正前或更正後之請求項1，系爭專利所稱之「無機鍍液」或「混合液」，依系爭專利說明書之記載，顯然應係指「以無機物為鍍膜材料之鍍液」或「以無機物為鍍膜材料之混合液」。又在該「無機鍍液」或「混合液」中，原本即可加入其他顏料、填料（如系爭專利更正前後之請求項2所述之抗菌材料）及各種助劑（如○○○專利所述之表面活性劑或有機溶劑），以增加其功效，惟此均不影響其「無機鍍液」之性質，亦即不會因此使其成為「有機鍍液」，此因發生鍍膜功能者，唯在該無機材料，所加入之有機材料乃係用於與鍍膜無涉之訴求。系爭專利更正前後之請求項1本質上即未排除於鍍液中加入表面活性劑、有機溶劑或其他非作為鍍膜材料之有機物。因此，即使於鍍液中加入表面活性劑或有機溶劑等有機物，如其所添加之有機物與鍍膜之功用並無相涉，則仍為系爭專利更正前後之請求項1所稱之「無機鍍液」或「混合液」，此不可不辨。

機溶劑或其他非作為鍍膜材料之有機物：系爭專利說明書第6頁「發明內容」之第1行謂：「本發明8除放棄以往慣用之有機防護劑外，改以無機鍍液使用…。」

其中所稱之「有機防護劑」實係指先前技術之「以氟樹酯類及有機矽烷類（矽烷酮）等有機鍍膜材料為主要成分之防護劑」，而非指表面活性劑、有機溶劑或其他非作為鍍膜材料之有機物，此觀系爭專利說明書第5頁「先前技術」之第6行係載明「目前市售防護劑（係）以氟樹脂及有機矽烷類為主之組成物，…其中：氟樹脂類如：…；矽烷酮如：…」，即知。因此，系爭專利說明書顯然並未明示排除於鍍液中加入表面活性劑、有機溶劑或其他非作為鍍膜材料之有機物。

1並未超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍：100年12月21日修正公布並自102年1月1日施行之專利法第67條（與103年1月22日修正公布並自103年3月24日施行之現行專利法第67條規定相同）規定「（第1項）發明專利權人申請更正專利說明書、申請專利範圍或圖式，僅得就下列事項為之：一、請求項之刪除。二、申請專利範圍之減縮。三、誤記或誤譯之訂正。四、不明瞭記載之釋明。（第2項）更正，除誤譯之訂正外，不得超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍。（第3項）依第25條第3項規定，說明書、申請專利範圍及圖式以外文本提出者，其誤譯之訂正，不得超出申請時外文本所揭露之範圍。（第4項）更正，不得實質擴大或變更公告時之申請專利範圍。」

請時、公告時及102年11月11日公告更正後之申請專利範圍，就系爭專利更正後之請求項1是否超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍9，或是否實質擴大或變更公告時之申請專利範圍如下：A.系爭專利無論更正前或更正後之請求項1，其所稱之「無機鍍液」或「混合液」，依系爭專利說明書之記載，均係指「以無機物為鍍膜材料之鍍液」或「以無機物為鍍膜材料之混合液」，故系爭專利更正前後之請求項1本質上即並未排除於鍍液中加入表面活性劑、有機溶劑或其他非作為鍍膜材料之有機物。因此，系爭專利更正後之請求項1所使用之連接詞「含有」雖為開放性連接詞，而於文義上並未排除於鍍液中加入表面活性劑、有機溶劑或其他非作為鍍膜材料之有機物，並不會因此使系爭專利更正後之請求項1超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍，或實質擴大或變更公告時之申請專利範圍，而違反上述專利法第67條第2、4項之規定。

B.系爭專利更正後之請求項1並未超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍：比較系爭專利更正後之請求項1與系爭專利申請時之申請專利範圍，系爭專利更正後之請求項1係將系爭專利申請時之請求項1態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液」，屬於申請專利範圍之減縮，並未超出申請時申請專利範圍所揭露之範圍。

C.系爭專利更正後之請求項1並未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍：比較系爭專利更正後之請求項1與系爭專利公告時之申請專利範圍，系爭專利更正後之請求項1係將系爭專利10公告時之請求項1中之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液」，屬於申請專利範圍之減縮，並未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍。

1並未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍：A.系爭專利102年2月11日公告更正之申請專利範圍及102年11月11日公告更正之申請專利範圍，均係原告親自到智慧財產局與該局科長、組長及組員等經過數次往返及詳細討論，經其指導而確定。系爭專利更正後之請求項1確實未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍，該局始准予更正申請專利範圍，而該局科長、組長及組員等皆屬專利法嫻熟人士，抑且數次往返及詳細及反覆討論，實無違背法令之可能，合先敘明。

B.原告於103年10月17日民事補充理由狀中係表示「鈞院於101年度民專上易字第5號民事判決中，均係以系爭專利102年2月11日公告更正之請求項1為文義讀取分析比對之基礎，並因而認定系爭產品方法並未侵害系爭專利。惟在系爭專利請求項1於102年11月11日公告更正後，顯然已無法作成相同之判斷」等語，而非如被告等所稱「系爭專利申請專利範圍之請求項於102年11月11日公告更正後，已無法與之前（96年3月21日）公告之申請專利範圍作成相同之判斷」云云，此不可不辨。又原告所稱已無法作成相同之判斷，係指系爭專利請求項1既經102年11月11日公告更正，本應11就更正之內容重為判斷，而不宜援用原來之判斷。況且經更正後，其文義較102年2月11日公告更正之請求項1為明確，範圍亦有減縮，故鈞院就系爭產品方法是否侵害系爭專利，勢必無法作成相同之判斷，此顯非指申請專利範圍有實質擴大或變更之情形。

C.專利法第58條第4項規定：「發明專利權範圍，以申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌說明書及圖式。」又專利審查基準第2-1-33頁第2.5點「請求項之解釋」並規定：「發明專利權之範圍，以申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌說明書及圖式。…請求項之解釋應以請求項中所載之文字為基礎，並得審酌說明書、圖式及申請時之通常知識。解釋請求項時，原則上應給予在請求項中之用語最廣泛、合理且與說明書一致之解釋。對於請求項中之用語，若說明書中另有明確揭露之定義或說明時，應考量該定義或說明；對於請求項中之記載有疑義而需要解釋時，則應一併考量說明書、圖式及申請時之通常知識。此外，請求項之技術特徵後得附加圖式中對應之符號，惟該符號不得作為解釋請求項之限制。」

D.依上揭規定，於解釋請求項時，原則上應給予在請求項中之用語最廣泛、合理且與說明書一致之解釋。對於請求項中之用語，若說明書中另有明確揭露之定義或說明時，應考量該定義或說明；對於請求項中之記載有疑義而需要解釋時，則應一併考量說明書、圖式及申請時之通常知識。故系爭專利公告時之請求項1中之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」實係指「二氧化矽與矽酸鹽類（之其一或一種以上）混合之無機鍍液」，始為12合理且與說明書所揭露一致之解釋，理由如下：a.系爭專利說明書第7頁第10行記載：「無機矽酸鍍液之形成可以採用市售膠態二氧化矽（矽酸膠）、矽酸鈉（水玻璃）、矽酸鉀、矽酸鋰等，亦可利用有機矽酯水解、加熱生成無機矽酸鹽，其生成方法係：使用矽酸乙酯Si（OC2H5）4（TEOS），水解形成矽烷醇Si（OH）4，於80℃加熱生成無定型二氧化矽（SiO2）或於水解前加入鹼金屬如：氫氧化鉀、鈉、鋰等，而形成金屬矽酸鹽類如矽酸鉀、鈉、鋰等，而其他無機金屬鹽類亦可使用該方法形成，如以鈦酸乙酯Ti（OC2H5）4等。」等語，由上述系爭專利說明書之說明可知，系爭專利所稱之無機鍍液可為直接使用膠態二氧化矽、矽酸鈉、矽酸鉀、矽酸鋰等任何一種矽酸鹽類之無機鍍液，亦可為有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鈉、矽酸鋰等任何一種矽酸鹽類之無機鍍液，而絕非必須同時含有二氧化矽與其他矽酸鹽類之無機鍍液。因此，如對系爭專利公告時之請求項1中之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」之意義存有疑義，於參酌前述說明書說明後，本即可知其係指「二氧化矽與矽酸鹽類（之其一或一種以上混合）之無機鍍液」。正因如此，專利權人之更正內容始為智慧局所認同。

b.此外，二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉等均屬於矽酸鹽類，矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉等則可稱為鹼金屬矽酸鹽類，併此指明。又系爭專利更正前後之申請專利範圍所稱之「有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液」，依上述系爭專利說明書之記載，係13指「有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之（矽酸鹽類之）無機鍍液」，亦併此指明。

c.系爭專利說明書所述之實施例二包括鍍液A、B、C、AB、AC、BC及ABC等七種鍍液，其中鍍液A、B、C即分別為有機矽酯水解成矽烷醇後，再加熱生成之矽酸鋰、矽酸鈉、矽酸鉀之無機鍍液，鍍液AB、AC、BC及ABC則分別為上述三種鍍液之各種混合液；又系爭專利說明書所述之實施例三包括鍍液D、E、F、DE、DF、EF及DEF等七種鍍液，其中鍍液D、E、F即分別為直接使用矽酸鉀、矽酸鈉、矽酸鋰之無機鍍液，鍍液DE、DF、EF及DEF則分別為上述三種鍍液之各種混合液。由此可知，系爭專利所稱之無機鍍液顯然係可為有機矽酯水解成矽烷醇後，再加熱生成之二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鈉、矽酸鋰等矽酸鹽類之其一或一種以上混合之無機鍍液，或膠態二氧化矽、矽酸鈉、矽酸鉀、矽酸鋰等矽酸鹽類之其一或一種以上混合之無機鍍液。此外，上述鍍液A、B、C、D、E及F等六種無機鍍液均不含有「二氧化矽」，此益證系爭專利所稱之無機鍍液原本即不須同時含有二氧化矽與其他矽酸鹽類。因此，系爭專利公告時之請求項1中之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」本應解釋為「二氧化矽與矽酸鹽類（之其一或一種以上）混合之無機鍍液」。

d.系爭專利公告時之請求項1為「一種無機板材表面防護之方法，係於基材表面先將二氧化矽與矽酸鹽類混14較高之被覆基材」，請求項3為「如申請專利範圍第1項所述之無機板材表面防護之方法，其中無機鍍液係有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成無機鍍液」。

復查，附屬項乃獨立項之補充或舉例說明，乃屬專利從業人員之基本常識，故如將請求項1與請求項3合併觀察可知，請求項3乃在補充說明請求項1所述之成之（矽酸鹽類之）無機鍍液」，必如此解釋，始為熟習專利人士之基本素養。蓋如依被告等之主張，應「二氧化矽與矽酸鹽類混合之有機矽酯水解成矽烷醇後，再加熱生成之（矽酸鹽類之）無機鍍液」，顯違專利基本常識，亦與系爭專利說明書之記載不符。

e.又自系爭專利公告時之請求項3，可知請求項1中之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」可單純為「有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之（矽酸鹽類之）無機鍍液」（依系爭專利說明書之記載，係指有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鈉、矽酸鋰等矽酸鹽類之其一或一種以上混合之無機鍍液），此亦足以說明系爭專利公告時之請求項1中含義較為廣泛「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」之原義本指「二氧化矽與矽酸鹽類（之其一或一種以上）混合之無機鍍液」。

E.如上所述：a.系爭專利公告時之請求項1中之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」既係指「二氧化矽與矽酸鹽類（15之其一或一種以上）混合之無機鍍液」，則系爭專利更正後之請求項1顯係將系爭專利公告時之請求項1中之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」減縮為「含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液」，顯屬於申請專利範圍之減縮，而並未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍。

b.系爭專利更正後之請求項1將系爭專利公告時之請求項1中之「一種無機板材表面防護之方法」更正為「一種無機板材表面修復之方法」，由於就系爭專利而言，「防護」與「修復」之文義本即雷同，不至實質擴大或變更公告時之申請專利範圍。

c.此外，系爭專利更正後之請求項1將系爭專利公告時之請求項1中之「將無機鍍液均勻分散及填補」更正為「將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補」，僅係為配合上述申請專利範圍之減縮，而酌作文字調整，亦未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍。

1有實質擴大或變更公告時之申請專利範圍之情形，原告勢須改依系爭專利公告時之請求項1為主張。依鈞院100年民專訴字第93號判決理由「按發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌發明說明及圖式，專利法第56條第3項定有明文」等語，故如各造對系爭專利公告時之請求項1中之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」一語存有爭議，必須回至說明書釋其疑義。因系爭專利說明書揭露系爭專利所稱之無機鍍液為「各種矽酸鹽類之無機鍍液」，並可為有機矽酯16水解成矽烷醇後再加熱生成之二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鈉、矽酸鋰等矽酸鹽類之其一或一種以上混合之無機鍍液，或膠態二氧化矽、矽酸鈉、矽酸鉀、矽酸鋰等矽酸鹽類之其一或一種以上混合之無機鍍液，故系爭產品方法以「二氧化矽之無機鍍液」作為鍍液，係其適例。

1具有進步性：鍍液使用於玻璃、磁磚、拋光石英磚、大理石、花崗石及人造石材等，將其表面分佈之大量毛孔，以物理拋磨方式，將鍍液均勻分散及填補，使其具有較高平整度，表面增亮、親水、抗污、耐候及抗化學等特性，亦可添加抗菌材加強其抗菌效果（參見系爭專利說明書之摘要）。A.系爭專利係使用矽酸鹽類之無機鍍液，而以矽酸鹽類作為鍍膜材料：系爭專利說明書第7頁第10行記載：「無機矽酸鍍液之形成可以採用市售膠態二氧化矽（矽酸膠）、矽酸鈉（水玻璃）、矽酸鉀、矽酸鋰等，亦可利用有機矽酯水解、加熱生成無機矽酸鹽，其生成方法係：使用矽酸乙酯Si（OC2H5）4（TEOS），水解形成矽烷醇Si（OH）4，於80℃加熱生成無定型二氧化矽（SiO2）或於水解前加入鹼金屬如：氫氧化鉀、鈉、鋰等，而形成金屬矽酸鹽類如矽酸鉀、鈉、鋰等，而其他無機金屬鹽類亦可使用該方法形成，如以鈦酸乙酯Ti（OC2H5）4等。

」由此可知，系爭專利係使用矽酸鹽類之無機鍍液，而以矽酸鹽類作為鍍膜材料。17B.系爭專利係以矽酸鹽類填補無機板材表面之毛孔，以形成平整度較高之被覆基材：a.系爭專利說明書第5頁「先前技術」之第1行記載：「一般玻璃、磁磚、拋光石英磚、大理石、花崗石及人造石材等基材表面常有孔細容易藏污納垢，且毛孔內會因較小物體如：灰塵、油污、浮游物或滲透力較強之物質侵入，使其毛孔、坑洞內累積養分，滋生細菌及黴菌，除使表面污穢影響外觀外，亦會加速其氧化及老化。」系爭專利說明書第6頁第9行記載：「基材表面若施以一般旋渡、浸渡、塗佈等方式，毛孔會因毛細現象（如圖一），阻止鍍液進入毛孔內，於表面乾燥成膜後，孔洞仍會存在，而無法改善基材表面及保護。」此為系爭專利所欲解決之問題。

b.系爭專利說明書第6頁「發明內容」之第1行記載：「本發明除放棄以往慣用之有機防護劑外，改以無機鍍液使用，並以物理拋磨方式得到均勻覆膜，以物理拋磨方式能將鍍液順利帶到孔徑內，將其刨平後即可得到保護…。」系爭專利說明書第10頁倒數第7行記載：「本發明表面修復鍍液能有效使用於玻璃、磁磚、拋光石英磚、大理石、花崗石及人造石材等，將其表面分佈之大量毛孔，以物理拋磨方式，將鍍液均勻分散及填補，進而達到較高平整度，…。」此為系149頁）c.由上可知，系爭專利係以矽酸鹽類填補無機板材表面之毛孔，以形成平整度較高之被覆基材。其原理在於無機板材（如拋光石英磚）之主要成分原本即多屬於矽酸鹽類（如拋光石英磚之主要成分為二氧化矽），18而以矽酸鹽類填補無機板材表面之毛孔，等於是以與無機板材成分相同之材料來填補，可以達到較佳之填補效果。又矽酸鹽類本身為飽和化合物，此亦係其能達到較佳填補效果之原因。此外，以物理拋磨方式，使鍍液進入毛孔內，將毛孔予以填補，可使覆膜不再如習用技術所遭遇：會因毛細現象隆凸，而於脫水乾燥後破裂，因該覆膜喪失，毛孔仍會存在之問題。又因毛孔經填補後，即可在無機板材表面形成平整而無毛孔之覆膜，因而可形成平整度較高之被覆基材。

C.系爭專利已揭露拋磨裝置工作轉速及工作壓力之實施例：系爭專利說明書第9頁倒數第1行記載：「以上述製得之無機鍍液2ml塗佈於剩下之實驗組中，以500/min打臘機，壓力15至20kg，拋磨1分鐘共三次，…。」系爭專利已揭露拋磨裝置工作轉速及工作壓力之實施例。

D.系爭專利可以在常溫下完成無機板材之加工，無須對於無機板材進行加熱：在無機板材之加工過程中，系爭專利並未要求以加熱裝置對於無機板材進行加熱。因此，系爭專利可以在常溫下完成無機板材之加工，無須對無機板材進行加熱。

E.系爭專利具有大幅提高無機板材亮度及防污性之特殊功效：a.依前開系爭專利說明書之摘要及其第8頁第5行記載：「於表一中明顯發現光澤度明顯增加15%至150%，防污能力從無法擦拭到完全防污及親水性亦有明顯改善。」

b.又由系爭專利說明書表一之各項實驗數據（實驗組之19數據）可知，系爭專利可使拋光石英磚之亮度達到92度（除其中之一為72度外，其餘均大於75度），亮度則增加17.1%至64.3%，並可使拋光石英磚之防污性達到完全擦拭（5級）。

c.由上可知，系爭專利具有大幅提高無機板材亮度及防污性之特殊功效。其原因在於透過系爭專利所述之方法，可形成平整度較高之被覆基材，故可大幅提高無機板材之亮度。此外，透過系爭專利所述之方法，並可填補無機板材表面之毛孔，而避免灰塵、油污、浮游物或滲透力較強之物質侵入毛孔，故可大幅提高無機板材之防污性。

F.系爭專利係拋光磚超潔亮技術之先驅發明：a.原證29第2頁第2.1點「工作原理」記載：「『超潔亮』技術通過一種簡單、經濟的製膜工藝，在陶瓷拋光磚的表面形成一層不影響拋光磚表面花色的、透明、持久有效的親水性納米材料保護膜層，該納米保護膜不僅能完全填塞修補磚面的氣孔和微裂紋，使磚面具有極強的雙疏防污功能，同時可防水性和油性物質污染，還可抗菌和防腐，達到自潔的效果。該防護膜層可以將陶瓷拋光磚表面的光澤度提高到90以上，且可以長期保持功能效果不變（見圖2）。保護膜層的材料是一種液體納米功能性材料，材料的細微性在5nm至1μm之間。陶瓷拋光磚表面的毛細氣孔和微裂紋一般在幾個μm到幾十個μm之間，防護膜材料的粒徑達到納米級。超潔亮生產線通過特殊的磨具，配以額定的磨具工作壓力、工作轉速和反應溫度（由磨具摩擦熱提供），對磚面用納米材料進行恰到好處20的擠壓和拋刷。在此額定工作條件下，超細納米材料水劑被強制快速均勻地滲透和擠壓進拋光磚表面的微孔和凹坑中，使拋光磚表面的微孔和微裂紋迅速得到填充，多餘的材料同時被磨具刷掃清除。」。

b.由原證29之上述記載可知，拋光磚超潔亮技術無論在所欲解決之問題（無機板材表面具有毛孔，容易使污染物質侵入）、解決問題之技術手段（填補無機板材表面之毛孔，以形成平整度較高之被覆基材）或功效（大幅提高無機板材之亮度及防污性）方面，均與系爭專利如出一轍。因此，系爭專利係拋光磚超潔亮技術之先驅發明，或拋光磚超潔亮技術係系爭專利之從屬發明或再發明。

c.此外，○○○專利所述之拋光磚專用化學拋光劑及一鼎科技專利所述之機器設備及流程均為拋光磚超潔亮技術之相關技術，前者為拋光磚超潔亮技術之專用拋光劑，後者則為其專用機器設備及流程。因此，○○○專利所述之拋光磚專用化學拋光劑及一鼎科技專利所述之機器設備及流程亦為系爭專利之從屬發明或再發明，前者將鍍膜材料限定於納米材料，並揭露鍍液中各種成分之比例，屬於系爭專利「無機鍍液」方面之從屬發明或再發明，後者則詳細說明鍍膜及拋磨之機器設備及流程，並增加以高分子材料進行鍍膜及拋磨之步驟，屬於系爭專利「鍍膜及拋磨之機器設備及流程」方面之從屬發明或再發明。

G.系爭專利具有上述幾點特色，實足證明其具有進步性。

1要件之解析：A：一種無機板材表面修復之方法。21B：於基材表面先將含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液。

C：以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜。

D：再行拋磨，將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補。

E：形成平整度較高之被覆基材。1內之證據2之技術分析：A.被證1內之證據2（下稱證據2）為89年6月28日公告之大陸第CN2384736Y號「自動拋光打蠟機」實用新型專利。其公告日為89年6月28日，早於系爭專利之申請日（即93年6月30日），理論上得作為判斷系爭專利進步性之先前技術。

B.證據2揭示一種自動拋光打蠟機，主要由噴蠟機、拋磨機、輸送裝置構成（參見證據2說明書摘要）。其使用方式係將燒成、拋光後的拋光磚置於輸送裝置上，在輸送裝置的輸送下，先經噴蠟機噴上地板蠟或防污劑，然後經拋磨機拋磨處理，在拋磨機的拋磨頭施壓拋磨下，拋光磚表面上的蠟等防污劑被均勻塗敷並在拋磨頭的壓力作用下滲入到拋光磚上的毛孔內（參見證據2說明書第1頁倒數第4行）。為了使蠟等防污劑更容易滲入到拋光磚上的毛孔內，在噴蠟機前面的輸送裝置上設有加熱裝置，加熱裝置的作用是將拋光磚預熱到一定溫度，使蠟等防污劑噴在拋光磚表面時受熱，使其黏度變小，流動性加強，從而容易滲入到拋光磚上的毛孔內（參見證據2說明書第3頁倒數第4行）。221內之證據3之技術分析：A.被證1內之證據3為94年4月1日公告之我國第I230186號「防污性材料及其製造方法、以及用於此材料之塗覆組成物」發明專利。其公告日為94年4月1日，晚於系爭專利之申請日（即93年6月30日），不得作為判斷系爭專利進步性之先前技術。

B.前開證據3揭示一種對於表面之防污性，尤其是對於含有油性成分之污穢之防污性優異之防污性材料及其製造方法，以及用於此材料之塗覆組成物及裝置（前開證據3說明書摘要）。

C.其第1形態為關於由其（應為「基」之誤寫）材與實質上由非晶質金屬氧化物所形成之無機被膜所構成之防污性材料，上述無機被膜含有鹼金屬及非交聯氧，其係僅藉由流水之洗滌可將附著於表面之排氣污穢有效恢復其表面之擴散反射率達75%以上，而且上述無機被膜黏著於該防污性材料之最外層。其第2形態為關於塗覆組成物，係用於製造上述防污性材料以及在基板表面形成防污性無機被膜者，係由溶媒與溶質所構成，上述溶質含有由鹼性矽酸鹽，鹼性鋁酸鹽、鹼性鋯酸鹽、鹼性硼酸鹽，鹼性磷酸鹽，以及鹼性膦酸鹽所構成之群中選出之一種以上做為主成分。再者，其第3形態係關於防污性材料之製造方法，包括在基材表面塗覆上述塗覆組成物，並加熱基材以便將上述塗覆組成物之塗覆層固著於上述基材表面做為防污性無機被膜。另外，其第4形態係關於防污性材料之製造裝置，至少具備在基材表面塗覆上述塗覆組成物之塗覆裝置，以及將上述基材快速加熱，並將上述塗覆組成物之塗覆層固著於上述基材表面23以做為防污性無機被膜之加熱裝置（前開證據3說明書第5頁倒數第4行）。

D.所謂非交聯氧意指大多數之無機被膜之原料之塗覆組成物經由加熱而使M-OH（M表示金屬元素，具體地說，M-Si、Al、Zr、B、P等）交聯，並因形成M-O-M鍵而高分子化，堅固地緊貼於基材表面而展現耐磨損性。此時，一部分之M-OH被取進要形成之高分子之分子中，並未形成M-O-M鍵而殘留成羥基（M-OH）。另外，一部分M-OH與存在於塗覆組成物中之鹼金屬離子進行離子結合而成為可逆向變成M-OH之M-O-X+（在此，X表示鹼金屬）。在本發明中，M-OH及M-O-X+稱為非交聯氧（前開證據3說明書第11頁倒數第2行）。

E.又證據3揭露在基材上塗覆上述塗覆組成物。此種塗覆組成物之塗覆方法可以適當地利用噴塗法、浸塗法、flowcoat、spincoat、輥塗法、刷塗法、海綿塗覆法等方法。根據本發明之較佳形態，塗覆組成物以利用噴霧塗覆為佳（前開證據3說明書第19頁第11行）。

1內之證據4之技術分析：A.被證1內之證據4（下稱證據4）為92年2月3日公告之美國第US6,685,889號「光化學觸媒及其製造及使用方法」專利。其公告日為92年2月3日，早於系爭專利之申請日（即93年6月30日），得作為判斷系爭專利進步性之先前技術。

B.證據4揭示一種光化學觸媒及其製造及使用方法（參見證據4摘要）。其例1揭露二氧化矽溶膠的備用溶液係經由添加5ml的四乙基矽酸鹽及5ml的乙醇所製備。添加少量的酸（大約5ml的0.04M鹽酸）至二氧化矽溶24膠中作為矽酸鹽低聚合的催化劑（參見證據4第10欄第13至16行）。其例2則揭露將0.5g的鋇釔沸石、0.4g的淨化光學微纖維及1.0ml的例1中所製備的二氧化矽溶膠添加至15ml的乙醇中。將該反應凝膠在室溫下攪拌1小時，再放入塗佈聚四氟乙烯的不鏽鋼熱壓器。

將該不鏽鋼熱壓器在343K（即69.85℃）下加熱12小時。在加熱後，將該熱壓器冷卻至室溫，而塗佈沸石的光學微纖維則被過濾並在343K下乾燥8小時（參見證據4第10欄第40至48行）。

1進步性之分析：2013年版專利審查基準第2-3-18頁第3.4.2.1點規定：「無法預期之功效包含產生新的特性或在數量上的顯著變化。若申請專利之發明對照先前技術具有無法預期之功效，而其係該發明之技術特徵所導致時，該無法預期之功效得佐證該發明並非能輕易完成。」系爭專利更正後之請求項1具有下列無法預期之功效：A.大幅提高無機板材之亮度及防污性：a.如前所述，系爭專利係以矽酸鹽類填補無機板材表面之毛孔，以形成平整度較高之被覆基材，並因而具有大幅提高無機板材亮度及防污性之特殊功效。又由系爭專利說明書表一之各項實驗數據（實驗組之數據）可知，系爭專利可使拋光石英磚之亮度達到92度（除其中之一為72度外，其餘均大於75度），亮度則增加17.1%至64.3%，並可使拋光石英磚之防污性達到完全擦拭（5級）。

b.惟由原證29第3頁「『超潔亮』與其他防污劑性能25的對照表」可知，在先前技術中，拋光磚之亮度均僅能達到小於或等於75度，防污性僅能達到4級。因此，系爭專利更正後之請求項1相較於先前技術，具有無法預期之功效，而具有進步性。

B.可以在常溫下完成無機板材之加工，無須對於無機板材進行加熱：a.如前所述，系爭專利可以在常溫下完成無機板材之加工，無須對於無機板材進行加熱。

b.惟由證據2可知，在先前技術中，由於地板蠟等有機防污劑之黏度較大、流動性較低，為使防污劑能夠充分滲入到拋光磚上之毛孔內，必須先將拋光磚預熱到一定溫度，使防污劑噴在拋光磚表面時受熱，而使其黏度變小、流動性加強，從而容易滲入到拋光磚上之毛孔內。因此，證據2在噴蠟機前面之輸送裝置上即設有加熱裝置。

c.此外，由證據3可知，在先前技術中，如採用以鹼性矽酸鹽、鹼性鋁酸鹽、鹼性鋯酸鹽、鹼性硼酸鹽或鹼性磷酸鹽作為主要成分之塗覆組成物，則係在基材表面塗覆該塗覆組成物，並加熱基材，而將該塗覆組成物之塗覆層固著於基材表面，以形成實質上由非晶質金屬氧化物所形成之無機被膜。該無機被膜並含有鹼金屬及非交聯氧，而該非交聯氧則係塗覆組成物經由加熱而生成。因此，前揭證據3即必須設有將基材快速加熱，並將塗覆組成物之塗覆層固著於基材表面，以形成無機被膜之加熱裝置。

d.反之，系爭專利在無機板材之加工過程中，並未要求以加熱裝置對於無機板材進行加熱，而可以在常溫下26完成無機板材之加工，以節省成本及時間。因此，系爭專利更正後之請求項1相較於先前技術，顯然具有無法預期之功效，而具有進步性。A.如前所述，系爭專利揭露拋磨裝置工作轉速及工作壓力之實施例，其中工作轉速之實施例為500(rev)/min（每分鐘500轉），即500rpm（revolution(s)perminute），工作壓力則為15至20kg(f)（由於磨盤之直徑為15公分，面積則約為177平方公分，故工作壓力換算後約為0.08至0.11kgf/cm2，即每平方公分0.08至0.11公斤力）。該拋磨裝置之工作轉速及工作壓力係經過發明人反覆研究及實驗而得之一較佳實施例，係為達到以矽酸鹽類之無機材料充分並迅速填補無機板材表面之毛孔之一種適當工作條件，並非任意之數值。蓋系爭專利所採用之矽酸鹽類之無機鍍液一般為溶膠狀態，其固含量較低，必須以較高工作轉速及工作壓力之拋磨裝置進行拋磨，始能充分並迅速填補無機板材表面之毛孔，而具有產業上利用價值。反之，如採用先前技術之地板蠟或其他以氟樹脂類或矽烷類等為主要成分之有機防護劑，由於該等材料之黏度較大，為避免材料在拋磨過程中四處飛濺，無法加工，其拋磨裝置之工作轉速通常必須在150rpm之較低轉速以下，而該工作轉速如應用於系爭專利所採用之矽酸鹽類之無機鍍液，將導致無法充分並迅速填補無機板材表面之毛孔。

B.換言之，欲將先前技術之有機防護劑改為矽酸鹽類之無機鍍液，仍有技術上必須克服之障礙，並非任何人隨時要使用矽酸鹽類之無機材料來填補無機板材表面之毛孔27，即可任意改變。基於材料本身性質之不同，其仍需對於拋磨裝置之適當工作條件進行特別之研究及實驗，始能予以採用。故系爭專利採用矽酸鹽類之無機鍍液，並非技術上能夠輕易完成。

C.又原證29第2頁倒數第15行所記載：「超潔亮生產線通過特殊的磨具，配以額定的磨具工作壓力、工作轉速和反應溫度（由磨具摩擦熱提供），對磚面用納米材料進行恰到好處的擠壓和拋刷。」其中所稱磨具之工作轉速，依業界常識，通常即係指350rpm至1,000rpm。此益證為使矽酸鹽類之無機鍍液能夠充分並迅速填補無機板材表面之毛孔，必須使拋磨裝置在一定較高工作轉速下進行。

D.因此，系爭專利更正後之請求項1已克服技術上之障礙，並非技術上能夠輕易完成，顯然具有進步性。A.2013年版專利審查基準第2-3-19頁第3.4.2.4點規定：「依申請專利之發明所製得之物在商業上獲得成功，若其係直接由發明之技術特徵所導致，而非因其他因素如銷售技巧或廣告宣傳所造成者，得佐證該發明並非能輕易完成。」

B.如前所述，系爭專利係拋光磚超潔亮技術之先驅發明，而為系爭專利之從屬發明或再發明之拋光磚超潔亮技術則已發展成為國內外業界最先進之技術。例如，在原證11中，一鼎科技之董事總經理○○即表示：「如科達和我們一鼎所推出的超潔亮技術解決了拋光磚最致命的防污問題。而國外的技術比我們落後，成本比我們高。

像我們的乾法磨邊等等也是全球沒有，現在是義大利抄28我們的。」又拋光磚超潔亮技術如今已成為全世界拋光磚製造業者為使拋光磚達到最佳之增亮及防污效果所不可或缺之技術。因此，系爭專利更正後之請求項1顯然已獲得商業上之成功，而具有進步性。

1內之證據2不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性：2僅揭露系爭專利更正後之請求項1之要件A「一種無機板材表面修復之方法」及要件D中之「再行拋磨」，而並未揭露要件B「於基材表面先將含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液」

、要件C「以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜」、要件D中之「將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補」及要件E「形成平整度較高之被覆基材」。

E而言，證據2因係以地板蠟等有機防污劑來填補拋光磚表面之毛孔，而該等材料並非矽酸鹽類，與無機板材本身之成分並不相同，且該等材料為不飽和化合物，故無法達到較佳之填補效果，而無法形成為達到系爭專利所述增亮及防污功效所必須之平整度較高之被覆基材。

2顯然不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性。

1內之證據2、3之組合不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性：E而言，前揭證據3因未以塗覆組成物來填補基材表面之毛孔，亦未對於基材進行拋磨，故無法形成為達到系爭專利所述增亮及防污功效所必須之平整度較高之被覆基材。因此，證據2、3之組合亦未揭露要件E，綜上29所述，證據2、3之組合顯然不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性。

前揭證據3之公告日為94年4月1日，晚於系爭專利之申請日（即93年6月30日），不得作為判斷系爭專利進步性之先前技術。因此，證據2、3依法根本不得進行組合，以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性。

1內之證據2、3、4之組合不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性：E而言，證據4僅為一種光化學觸媒及其製造及使用方法，其顯然並未揭露形成平整度較高之被覆基材之技術特徵。因此，證據2、3、4之組合亦未揭露要件E，綜上所述，證據2、3、4之組合顯然不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性。

前揭證據3之公告日為94年4月1日，晚於系爭專利之申請日（即93年6月30日），不得作為判斷系爭專利進步性之先前技術。因此，證據2、3、4依法根本不得進行組合，以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性。

就被證三之證據3（中國第CN1330692號專利案）誤認為94年4月1日公告之我國第I230186號「防污性材料及其製造方法、以及用於此材料之塗覆組成物」發明專利，爰另整理及補充理由如下：A.證據2揭露系爭專利更正後之請求項1之要件D中之「再行拋磨」，惟並未揭露要件D中之「將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補」，蓋其係對於地板蠟等有30機防污劑進行拋磨，而非對於系爭專利所採用矽酸鹽類之無機鍍液或混合液進行拋磨。又證據3則並未揭露系爭專利更正後之請求項1之要件D，蓋其僅揭露鍍膜之步驟，而完全未揭露拋磨之步驟，此亦如被告等所提出之被證三「專利性分析報告」第6頁之第2表所載。

B.由此可知，對於有機防污劑進行拋磨雖為先前技術，但對於矽酸鹽類之無機鍍液進行拋磨則並非先前技術。換言之，先前技術僅係透過拋磨之方式，使有機防污劑能夠滲入到拋光磚上之毛孔內（故無法達到充分填補毛孔之效果），而從來未曾透過拋磨之方式，使矽酸鹽類之無機鍍液能夠充分填補無機板材表面之毛孔。故雖同名之為拋磨，然其功能與結果迥異，實無等同之空間。

3之公告日為91年1月9日，雖得作為判斷系爭專利進步性之先前技術，但證據2、3之組合仍不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性：A.系爭專利更正後之請求項1之要件E「形成平整度較高之被覆基材」之意義：係指「形成為達到系爭專利所述增亮及防污功效所必須之平整度較高之被覆基材」，亦即其所稱之平整度較高並非只要能夠提高被覆基材之平整度即可，尚必須能夠達到系爭專利所述大幅提高無機板材亮度及防污性之特殊功效(例如，可使拋光石英磚之亮度達到92度，大於75度），並可使拋光石英磚之防污性達到完全擦拭（5級），如此始能認為符合「形成平整度較高之被覆基材」之要件。

B.證據2不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性：31a.證據2僅揭露系爭專利更正後之請求項1之要件A「一種無機板材表面修復之方法」及要件D中之「再行拋磨」，而並未揭露要件B「於基材表面先將含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液」、要件C「以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜」、要件D中之「將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補」及要件E「形成平整度較高之被覆基材」。

b.再就要件E而言，證據2因係以地板蠟等有機防污劑來填補拋光磚表面之毛孔，而該等材料並非矽酸鹽類，與無機板材本身之成分性質並不相同，且該等材料為不飽和化合物，故無法達到較佳之填補效果，而無法形成為達到系爭專利所述增亮及防污功效所必須之平整度較高之被覆基材。換言之，其並無法使拋光磚之亮度達到92度（大於75度），亦無法使拋光磚之防污性達到完全擦拭（5級），則其顯然並未形成平整度較高之被覆基材。

C.證據2、3之組合不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性：a.證據3並未揭露系爭專利更正後之請求項1之要件D「再行拋磨，將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補」及要件E「形成平整度較高之被覆基材」。

b.純就要件E而言，證據3因未以塗覆組成物來填補基材表面之毛孔，亦未對於塗覆組成物進行拋磨，故無法形成為達到系爭專利所述增亮及防污功效所必須之平整度較高之被覆基材。因此，證據2、3之組合並32未揭露要件E。

D.證據2、3並無組合動機：a.拋光磚係屬於無釉磚（不施釉瓷磚），其在燒成後，會進行拋光，而不進行施釉。反之，有釉磚（施釉瓷磚）則係在燒成後，不會進行拋光，而係進行施釉。

拋光磚係獨立於有釉磚之專業分工技術領域，蓋拋光磚由於在燒成並拋光後，會在表面形成毛孔，故會有必須填補毛孔以大幅提高其亮度及防污性之問題。反之，有釉磚由於在燒成後，並不會進行拋光，而不會在表面形成毛孔，故不會有必須填補毛孔以大幅提高其亮度及防污性之問題。

b.證據2係一種自動拋光打蠟機，其係專用於拋光磚之技術領域，故會有必須使地板蠟等有機防污劑滲入毛孔之問題。反觀證據3，依其說明書之記載，其係在基材表面塗覆塗覆組成物，並加熱基材，而將該塗覆組成物之塗覆層固著於基材表面，以形成實質上由非晶質金屬氧化物所形成之無機被膜。其顯然係專用於有釉磚之技術領域，蓋其並非在於解決填補毛孔之問題，而僅係以高溫加熱之方式，在基材表面形成含有鹼金屬及非交聯氧之無機被膜。因此，證據2與證據3顯然係屬於不同之技術領域，其所欲解決之問題亦截然不同，故證據2與證據3顯然並無組合動機。

c.系爭專利說明書第6頁第9行記載：「基材表面若施以一般旋渡、浸渡、塗佈等方式，毛孔會因毛細現象（如圖一），阻止鍍液進入毛孔內，於表面乾燥成膜後，孔洞仍會存在，而無法改善基材表面及保護。」

換言之，系爭專利係以物理拋磨方式，使鍍液進入毛33孔內，將毛孔予以填補，而可使覆膜不再如習用技術所遭遇：會因毛細現象隆凸，而於脫水乾燥後破裂，因該覆膜喪失，毛孔仍會存在之問題（參見系爭專利圖式第一圖）。因此，縱認證據3可用於拋光磚之技術領域（假設語氣，拋光磚並不會採用證據3之技術），其在應用於拋光磚時，仍會發生系爭專利所欲解決之上述問題，而系爭專利顯然已提出解決該問題之技術手段，即以拋磨之方式，使矽酸鹽類之無機鍍液能夠充分填補無機板材表面之毛孔。為達成此目的，則必須先對於拋磨裝置之適當工作條件（工作轉速及工作壓力）進行特別之研究及實驗，始能採用。

d.此外，依所屬技術領域中具有通常知識者之認知或瞭解，證據2既係採用地板蠟等有機防污劑，由於該等材料之黏度較大，為避免材料在拋磨過程中四處飛濺，無法加工，其拋磨裝置之工作轉速必須在150rpm之較低轉速以下，而該工作轉速如應用於系爭專利所採用之矽酸鹽類之無機鍍液或證據3所採用之矽酸鹽類之塗覆組成物，將導致無法充分並迅速填補無機板材表面之毛孔，而不具有產業上利用價值。因此，證據2顯然並無關於系爭專利之教示或建議，證據2與證據3即當然無組合動機。又證據3係以高溫加熱之方式，在基材表面形成含有鹼金屬及非交聯氧之無機被膜，其與以常溫拋磨之方式，使塗覆組成物能夠充分填補無機板材表面之毛孔，因所欲解決之問題不同（前者並非在於解決填補毛孔之問題），原本即屬於擇一之技術，採用前者，即不會採用後者，採用後者，亦不會採用前者。因此，證據3顯然並無關於系爭34專利之教示或建議，證據2與證據3即無組合動機。

E.系爭專利縱認為係組合發明、置換技術特徵之發明或轉用發明，均仍具有進步性：a.2013年版專利審查基準第2-3-19頁第3.5.1點規定：「組合發明，指組合複數先前技術所構成之發明。審查組合發明之進步性時，通常須考慮組合後之各技術特徵是否於功能上相互作用、組合之難易程度、先前技術中是否具有組合的教示及組合後之功效等。若組合發明之技術特徵於功能上相互作用而產生新功效，或組合後之功效優於所有單一先前技術之功效的總合，無論先前技術是否已揭露其全部或部分技術特徵，均應認定該發明並非能輕易完成，具進步性。」

b.退一步言，縱認系爭專利有點類似置換技術特徵，然依2013年版專利審查基準第2-3-20頁第3.5.2.2點規定：「置換技術特徵之發明，指將先前技術中之技術特徵置換為其他已知技術特徵的發明。審查置換技術特徵之發明的進步性時，通常須考慮置換後是否僅係具有相同功能之已知技術手段的等效置換，或僅係具有相同功能之已知材料置換已知物品中相對應之材料等。若置換技術特徵之發明能產生無法預期之功效，應認定該發明並非能輕易完成，具進步性。」

c.同理，縱認系爭專利有點類似轉用發明，然依2013年版專利審查基準第2-3-20頁第3.5.3點規定：「轉用發明，指將某一技術領域之先前技術轉用至其他技術領域之發明。審查轉用發明之進步性時，通常須考慮轉用之技術領域的遠近、先前技術中是否具有轉用的教示、轉用之難易程度、是否需要克服技術上之困35難、轉用所帶來之功效等。若轉用發明能產生無法預期之功效，或能克服該其他技術領域中前所未有但長期存在於該發明所屬技術領域中的問題，應認定該發明並非能輕易完成，具進步性。」。

d.如原告於民事辯論意旨狀中所述，系爭專利具有無法預期之功效，即可以大幅提高無機板材之亮度及防污性，並可以在常溫下完成無機板材之加工，無須對於無機板材進行加熱。又系爭專利並克服技術上之障礙，即對於在採用矽酸鹽類之無機鍍液時，拋磨裝置之適當工作條件進行特別之研究及實驗。此外，系爭專利並解決長期存在於「表面具有毛孔之無機板材」（尤其拋光磚）之技術領域中亮度及防污性偏低之問題，或無法充分填補毛孔之問題，而可以大幅提高無機板材之亮度及防污性。

e.反之，證據2並未揭露提高拋光磚亮度之功效，而由原證29第3頁「『超潔亮』與其他防污劑性能的對照表」可知，在證據2等先前技術中，拋光磚之亮度均僅能達到小於或等於75度，防污性則僅能達到4級。因此，系爭專利更正後之請求項1相較於證據2，顯然具有無法預期之功效。

f.證據3僅揭露其可使基材之「防污性」（並非「亮度」）達到藉由流水之洗滌可將附著於表面之排氣污穢有效恢復其表面之擴散反射率達75%以上，故其並無提高基材本身亮度之功效，而僅係使基材在被排氣污穢所污染而導致「擴散反射率」降低時，可藉由流水之洗滌，使其擴散反射率恢復到起始擴散反射率之75%以上，此僅係提高基材之防污性，而非提高基材本36身之亮度。又證據3雖揭露其具有提高基材「防污性」之功效，惟如前述，證據3係專用於「有釉磚」之技術領域，或「表面不具有毛孔之無機板材」之技術領域，則其亦未揭露其可使「表面具有毛孔之無機板材」（尤其拋光磚）之防污性達到完全擦拭（5級）之功效。況且，原證29亦已揭露在先前技術中，拋光磚之防污性均僅能達到4級，則證據3亦無法如同系爭專利般，可使拋光磚之防污性達到完全擦拭（5級）。因此，系爭專利更正後之請求項1相較於證據3，顯然具有無法預期之功效。

g.由上述可知，系爭專利縱認為係組合發明、置換技術特徵之發明或轉用發明，依專利審查基準之相關規定，其仍具有進步性。

2、3、4之組合不足以證明系爭專利更正後之請求項1不具有進步性：A.證據4並未揭露系爭專利更正後之請求項1之要件A、B、C、D、E中之任何要件。事實上，證據4並未具體明確揭露任何與系爭專利有關之內容，與系爭專利亦無明顯關聯。

B.純就要件E而言，證據4僅為一種光化學觸媒及其製造及使用方法，其顯然並未揭露形成平整度較高之被覆基材之技術特徵。因此，證據2、3、4之組合亦未揭露要件E。

C.證據4因與系爭專利、證據2及證據3並無明顯關聯，故證據2、3、4並無組合動機。構成專利法第67條第4項所37禁止之「實質擴大或變更專利範圍」，不應被允許：103年10月16日提出民事補充理由狀，其根據的事實及理由主要為鈞院在前訴訟之第二審係於102年5月23日言詞辯論終結，並於102年6月6日判決駁回上訴，而系爭專利之申請專利範圍係於102年11月11日公告更正，其顯然係在前訴訟事實審言詞辯論終結後，故系爭專利說明書102年11月11日公告之更正本即為新訴訟資料云云。

所承認：「鈞院於101年度民專上易字第5號民事判決中，均係以系爭專利說明書102年11月11日公告更正之請求項1為文義讀取分析比對之基礎，並因而認定系爭產品方法並未侵害系爭專利。惟在系爭專利之請求項1於102年11月11日公告更正後，顯然已無法作成相同之判斷…。」、「系爭專利申請專利範圍之請求項於102年11月11日公告更正後，已無法與之前公告之申請專利範圍作成相同之判斷。

」等語，依專利法第67條第1項及第4項，系爭專利於102年11月11日公告更正，係違背法令之處分而屬無效。

，僅得就下列事項為之：一、請求項之刪除。二、申請專利範圍之減縮。三、誤記或誤譯之訂正。四、不明瞭記載之釋明。」、「更正，不得實質擴大或變更申請專利範圍。」專利法第67條第1項、第4項定有明文。系爭專利原公告申請專利範圍包括5項請求項，亦為鈞院於101年度民專上易字第5號民事判決之基礎，換言之，鈞院已考量系爭專利原公告申請專利範圍的全部請求項所涵蓋的範圍，進而依法作出判決。所以，依法斷無可能在公告申請專利範圍更正後，即成為「足以推翻原判斷之新訴訟資料」、「無法與之前公38告之申請專利範圍作成相同之判斷」，除非更正之請求項內容已實質擴大或變更原公告專利申請範圍。

形式定有明確的行政審查規範，其中，第2.3.1節「請求項之類型」述明，附屬項係依附在前之另一請求項，包含所依附請求項之所有技術特徵，並另外增加技術特徵，進一步限定被依附之請求項。據此，按照系爭專利公告時之申請專利範圍，若欲於申請更正時將原請求項3或4的技術特徵併入原獨立請求項1之中，由於原請求項3及4係各自依附至請求項1，依法僅能改寫將原附屬請求項3及4使其各自包括原獨立請求項1項所有技術，或是各別將原附屬請求項3及4的內容併至請求項1面防護之方法，係於基材表面先將二氧化矽與矽酸鹽類混合之由有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成的無機鍍液，或先將二氧化矽與膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一混合之無機鍍液，以旋渡、塗佈、浸渡等方式鍍膜，再行拋磨，將該無機鍍液均勻分散及填補，形成平整度較高之被覆基材。」。

102年11月11日更正公告本中的新請求項1，卻包括下面實質變更內容：1之發明標的由「一種無機板材表面防護之方法」更改為「一種無機板材表面修復之方法」。

佈、浸渡等方式鍍膜」更改為「將含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜」。其中，更正後「無機鍍液」之必要39成分「二氧化矽」竟消失，明顯實質擴大申請專利範圍及變更申請專利範圍之情事。再者，原公告範圍「無機鍍液之矽酸鹽類係可為膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉」文義應解釋為「無機鍍液之矽酸鹽類係為二氧化矽與膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一」。

該混合液均勻分散及填補」。其中，該混合液之概念與定義未出現於原公告申請專利範圍中，遑論新更正之無機鍍液或新出現的混合液已不再包含必要技術特徵「二氧化矽」。

可知，「先將無機鍍液…」於申請專利實質審查中修正為「先將二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液…」，並於修正後獲准專利。毫無疑問，系爭專利公告本之請求項1中的無機鍍液，其必要技術特徵首先為「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」，若將其他附屬項依公告時之依屬關係併入請求項1時，「無機鍍液」亦必需包括此「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」技術特徵，以及原附屬項中的另外技術特徵。任何涉及其中的變更，均屬申請專利範圍實質變更之情事。前述「專利審查基準」第二篇第九章4.2節「實質擴大或變更申請專利範圍之態樣」例示了多種結果導致實質擴大或變更公告時之申請專利範圍，系爭專利103年11月11日2-9-

6、2-9-7頁）。67條（原64條）條文中的「不得實質擴大或變更申請專利範圍」釋明為：按說明書（包括申請專利範圍）或圖式之更正使請求項之解釋與原核准之請求項不同時，將導40致實擴大或變更申請專利範圍，例如申請專利範圍所記載之技術特徵以較廣的涵義用語取代、或減少限定條件、或增加申請標的、均會導致實質擴大申請專利範圍；若請求項所記載之技術特徵另以實質不同的涵義用語置換、或改變技術特徵、或變更申請標的、或發明之產業技術領域及發明所解決之問題與更正前不同，均會實質變更申請專利範圍。

原告於前開民事補充理由狀事實與理由陳述：「系爭專利申請專利範圍之請求項於102年11月11日公告更正後，已無法與之前公告之申請專利範圍作成相同之判斷。」，故此更正顯屬專利法第67條第4項所禁示之「實質擴大或變更申請專利範圍」無誤，足見系爭專利102年11月11日公告更正之申請應不被允許。

反於核准時專利法第22條第2項有關進步性之相關規定，依法不得取得專利，詳見被證三之論述：2至證據4之結合已揭露系爭專利請求項1之「(B)無機鍍液之原料」、「(C)鍍膜步驟」以及「(D)拋磨步驟」

要件：2為西元2000年6月28日公告之第CN2384736號「自動拋光打蠟機」中國專利，其揭露了一種自動拋光打蠟機以及其運作方式，亦涉及一種無機板材表面防護方法。

證據2之方法係先經噴蠟機噴上地板蠟或防污劑，然後經拋磨機拋磨處理，在拋磨機的拋磨頭施壓拋磨下，拋光磚表面上的蠟等防污劑被均勻塗覆，並在拋磨頭的壓力作用下，防污劑可滲入拋光磚的毛孔內（參閱證據2說明書第1頁倒數第1段、第2頁第12至13行）。

2並未揭露系爭專利之以下技術特徵：41A.系爭專利使用由有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液作為塗佈材料（即要件(B)原料：無機鍍液或混合液）。

B.系爭專利將無機鍍液以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜於基材表面（即要件(C)鍍膜步驟）。

3為西元2002年1月9日公告之第CN1330692A號「防污性材料、其製造方法及用於該方法的塗料組合物和裝置」中國專利，其揭露了將塗覆組成物塗佈於無機材料之基材表面上（證據3說明書第4頁第7行），故亦涉及一種無機板材表面防護方法。而證據3之塗覆組成物的成分有鹼性金屬矽酸鹽、第二成份及溶媒（證據3說明書第11頁第15至18行），其中第二成份之具體例有二氧化矽（證據3說明書第10頁第32行至第11頁第4行），鹼金屬矽酸鹽之具體例有有矽酸鈣、矽酸鈉、矽酸鋰，可單獨使用或多種混合使用（證據3說明書第10頁第22至25行，請求項第28項）。此塗覆組成物塗佈於基材表面的方法有噴塗法、浸塗法、淋塗法、旋轉塗法、輥塗法、毛刷塗法、海綿塗法等方法（證據3說明書第11頁第31行至第12頁第1行，請求項第35項）。

1係將有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱等原料前處理的步驟，而生成無機鍍液。此原料前處理的具體技術內容係參酌系爭專利之說明書，其加熱前處理係將矽酸乙酯水解後，再於80℃加熱生成無定型二氧化矽（公告本第7頁第10至17行）。上述技術內容只是一般常見的「溶膠-凝膠（sol-gelprocess）」反應過程而已，常在分子篩領域、有機無機複合材料等等技術領域中見42到相關的技術內容。

4揭露二氧化矽凝膠的化學轉換反應是始於四乙基矽酸鹽（tetraethylorthosilicate；TEOS）的水解反應，而形成矽烷醇（silanol）。接著，矽烷醇基進行縮合反應，而形成矽酸聚合物（silicatepolymer）。然後，矽酸聚合物彼此連接，而形成凝膠（參閱證據4第14欄第59至63行）。此外，證據4例1（Example1）亦揭露可在TEOS的乙醇溶液中加入酸，催化水解反應，得到氧化矽溶膠（silicasol）溶液（證據4第10欄第13至16行）。在其例2（Example2）中揭露，將含有氧化矽溶膠的反應溶液在343K（i.e.70℃）下加熱12小時得到沸石（zeolite）。而沸石即為一種氧化矽（證據4第10欄第40至48行）。

2與證據3均涉及一種無機板材表面防護方法，因此系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，參考前述證據2與證據3的技術教示以及申請時的通常知識，可以藉由「組合、修飾、置換或轉用」的方式，將證據3之矽酸鹽類與鍍膜步驟，應用到證據2之拋磨步驟，而輕易完成與系爭專利請求項1相同之無機板材表面防護方法。據此，系爭專利之無機板材表面防護方法應已被證據2與證據3之結合所啟示。

4與系爭專利之獨立請求項第1項之「有機矽酯水解」具有共通的技術特徵，因此系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，參考前述證據2至證據4的技術教示以及申請時的通常知識，可以藉由「組合、修飾、置換或轉用」的方式，將證據4之原料前處理使用的水解之有機矽酯以及加熱條件，應用到證據2與證據3之無機板43材表面防護方法，而輕易完成與系爭專利獨立請求項第1項相同之無機板材表面防護方法。據此，系爭專利之獨立請求項1應已被證據2至證據4之結合所啟示，不具進步性，有違專利法第22條第2項之規定。

2、證據3與證據4之揭露內容，依照整個產品製造過程的順序，區分為下述技術特徵，其中粗體底線係標示相對應的元件或技術特徵：系爭專利之請證據2證據3證據4求項第1項(A)基材：無(A)基材：(A)基材：無機板材拋光磚機材料(B)原料：有(B)原料：(B)原料：二(B)原料：機矽酯水解成地板蠟或防氧化矽與鹼金有機矽酯水矽烷醇後再加污劑屬矽酸鹽(矽解成矽烷醇熱生成無機鍍酸鈣、矽酸後再加熱生液或膠態二氧鈉、矽酸鋰)成無機鍍液化矽、矽酸有機矽酯水鉀、矽酸鋰、解成矽烷醇矽酸鈉之其一或一種以上之含有TEOS混合液的矽酸鹽溶膠於49.85℃至79.85℃加熱(C)鍍膜方(C)鍍膜方法：旋鍍、塗法：噴塗法、佈、浸鍍等浸塗法、淋塗法、旋轉塗法、輥塗法、毛刷塗法、海綿塗法等方法(D)拋磨：將(D)拋磨：44無機鍍液均勻地板蠟或防分散及填補污劑均勻塗(於基材表面)覆並滲入拋光磚的毛孔內(E)產物：平(E)產物：平(E)產物：具整度較高之被整度較高之有無機被膜之覆基材被覆基材基材2至證據3之結合已揭露系爭專利請求項2之無機鍍膜的組成：2與證據3的技術教示以及申請時的通常知識，可以藉由「組合、修飾、置換或轉用」的方式，將證據3之混合液，應用到證據2與證據3之無機板材表面防護方法，而輕易完成與系爭專利請求項第2項相同之無機板材表面防護方法。據此，系爭專利之請求項2應已被證據2與證據3之結合所啟示，不具進步性，有違專利法第22條第2項之規定。

2與證據3揭露的無機鍍液原料，區分為下述技術特徵，其中證據3揭露之無機被膜含有抗菌成分（證據3請求項第22項），粗體底線係標示相對應的元件或技術特徵：系爭專利之請求項第2項證據3(B)原料：有機矽酯水解成矽烷(B)原料：塗覆組成物醇後再加熱生成無機鍍液或膠態[B-1]溶質：二氧化二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽矽、矽酸鉀、矽酸鋰、酸鈉之其一或一種以上之混合液矽酸鈉之其一或一種以[B-1]抗菌材上之混合液[B-2]抗菌成分452與證據3之結合已揭露系爭專利請求項3之抗菌材種類：3之無機被膜含有抗菌成分，且此抗菌成分可適當地利用銀等，以抑制菌、黴、藻所引起之污穢（證據3說明書第9頁第22至23行，請求項第22項）。因此，系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，參考前述證據2與證據3的技術教示以及申請時的通常知識，當然可以藉由「組合、修飾、置換或轉用」的方式，將證據3添加銀等抗菌材之無機鍍液，應用到證據2與證據3之無機板材表面防護方法，而輕易完成與系爭專利請求項第3項相同之無機板材表面防護方法。據此，系爭專利之請求項3應已被證據2與證據3之結合所啟示，不具進步性，有違專利法第22條第2項之規定。

3與證據3揭露的無機鍍液原料，區分為下述技術特徵，其中證據3揭露之無機被膜含有抗菌成分（證據3請求項第33項），粗體底線係標示相對應的元件或技術特徵：系爭專利之請求項第5項證據3(B)原料：混合液(B)原料：二氧化矽與鹼金[B-1]抗菌材：銀(Ag)、金屬矽酸鹽(Au)、鉑(Pt)[B-1]抗菌成分：銀

五、得心證之理由：93年6月30日申請，經審定核准專利後，於96年3月21日公告等情，有系爭專利之專利權簿、專利說明書附卷可稽（本院卷（一）第24頁至第31頁背面），並為兩造所不爭，則系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時即92年2月6日修正公布、93年7月1日施行之專利法為斷。4667條第3、4項之規定，兩造就此部分均表示無意見（本院卷（二）第304頁）。效使用於玻璃、磁磚、拋光石英磚、大理石、花崗石及人造石材等，將其表面分佈之大量毛孔，以物理拋磨方式，將鍍液均勻分散及填補，進而達到較高平整度，表面增亮、親水、抗污、耐候及抗化學等特性，提高產業上運用的範圍，亦可添加抗菌材加強其抗菌效果（本院卷（三）第59頁、專利申請卷000000000002號卷─下稱專利申請卷（二），第127頁）。

石材等基材表面常有孔細容易藏污納垢，且毛孔內會因較小物體如：灰塵、油污、浮游物或滲透力較強之物質侵入，使其毛孔、坑洞內累積養分，滋生細菌及黴菌，除使表面污穢影響外觀外，亦會加速其氧化及老化（本院卷（三）第59頁、專利申請卷（二），第127頁）。

系爭專利第二圖所示，系爭專利之基材1為玻璃、磁磚、拋光石英磚、大理石、花崗石及人造石材等，該基材1表面係將無機鍍液2以旋渡、塗佈、浸渡等方式鍍膜10，再行拋磨（拋光研磨）20，將無機鍍液2均勻分散及填補，進而達到較高平整度之被覆基材30，其表面因而具有增亮、親水、抗污、耐候及抗化學等特性（本院卷（三）第60頁、第61頁、專利申請卷（二）第125頁、第126頁）。

系爭專利第三圖所示，基材1表面亦可添加抗菌材3以加強47其抗菌效果，該抗菌材3可選舉銀離子（本院卷（三）第61頁、專利申請卷（二）第125頁）。

2之形成可以使用無機金屬鹽類作為無機鍍液，例如有機金屬酯類水解成有機金屬醇類，再經加熱後即得無機金屬鹽鍍液，例如矽酸乙酯（Si(OC2H5)4）、鈦酸乙酯（Ti(OC2H5)4）等等（本院卷（三）第61頁、專利申請案

（二）第125頁）。膠）、矽酸鈉（水玻璃）、矽酸鉀、矽酸鋰等，亦可利用有機矽酯水解、加熱生成無機矽酸鹽，其生成方法係：使用矽酸乙酯Si(OC2H5)4(TEOS)，水解形成矽烷醇Si(OH)4，於80℃加熱生成無定型二氧化矽(SiO2)或於水解前加入鹼金屬如：氫氧化鉀、鈉、鋰等，而形成金屬矽酸鹽類如矽酸鉀、鈉、鋰等，而其他無機金屬鹽類亦可使用該方法形成，如以鈦酸乙酯Ti(OC2H5)4等（本院卷（三）第61頁、專利申請卷

（二）第125頁）。系爭專利第一圖係基材表面毛孔現象之示意圖；第二圖係系爭專利之方塊圖；第3圖係系爭專利實施例之方塊圖。（如附件一所示）系爭專利請求項共計5項，其中請求項1為獨立項，其餘為附屬項，其中請求項3、4業已更正刪除：第1項：一種無機板材表面修復之方法，係於基材表面先將含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜，48再行拋磨，將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補，形成平整度較高之被覆基材。

第2項：如請求項1所述之無機板材表面修復之方法，其中基材鍍膜同時可添加抗菌材，以增加抗菌效果。

第3項：（本項刪除）第4項：（本項刪除）第5項：如申請專利範圍第2項所述之無機板材表面修復之方法，其中抗菌材係有含銀（Ag）金（Au）鉑（Pt）。系爭產品實物：被告販製之「超潔亮」產品乙箱（80×80公分3片）（原證5）。原告於102年9月9日言詞辯論主張只要被告的產品功能只要有『潔亮』與『防污』都算侵害系爭專利，被告等公司販賣的所有拋光石英磚都是侵權產品云云，並提出被告TAICERA公司拋光石英磚系列之產品型錄（原證26），以附其說。因本件專利侵權訴訟以系爭專利之有效性判斷為前提，爰暫不為被告等銷售產品之侵權比對分析。

有關系爭專利有效性之證據技術分析：2為2000年6月28日公告之中國第CN2384736Y號專利案：2之公告日早於系爭專利申請日93年6月30日，可為系爭專利之先前技術（本院卷（三）第70頁）。

2技術內容：證據2說明書第1頁至第2頁揭露一種磁磚表面處理裝置，其使用時，拋光後的拋光磚先經噴蠟機噴上地板臘或防污劑，然後經拋磨機拋磨處理，拋光磚表面上的臘等防污劑被均勻塗敷並滲入到拋光磚上的毛孔內（本院卷（三）第72頁、第73頁）。493為2002年1月9日公開之中國第CN1330692A號專利案：3公開日係早於系爭專利申請日93年6月30日，可為系爭專利之先前技術（本院卷（三）第77頁）。

3技術內容：證據3說明書第11頁揭露一種防污材料的製造方法，其係在將塗覆組成物塗佈在基材上，塗佈的方法可以利用噴塗法、浸塗法、淋塗法、旋轉塗法、毛刷塗法等方法（本院卷（三）第94頁）。證據3說明書第10至11頁揭露理想的基材是瓷磚；上述塗覆組成物基本上含有鹼金屬矽酸鹽、第二成分以及溶劑，鹼金屬矽酸鹽如水玻璃、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉、和二氧化矽；通過添加第二成分，可以賦予符合目的的功能，如要求抗菌性時，上述第二成分以銅、銀為佳。

說明書第12頁揭露對已塗佈了塗覆組成物的基材進行加熱處理，從而使防污性和耐磨性優良的無機覆膜黏貼於基材上（本院卷（三）第94頁、第95頁）。

1內之證據3（我國第I230186號專利）主張系爭專利有得撤銷事由，嗣改以本證據3主張系爭專利有無效之事由，未再主張前開被證1內之證據3（我國第I230186號專利），附此敘明。

4為2004年2月3日公告之美國第US6685889B1號專利案：4公告日係早於系爭專利申請日93年6月30日，可為系爭專利之先前技術（本院卷（三）第121頁）。

4技術內容：證據4揭露一種光化學催化劑及其製造方法，發明說明第10欄第13至16行揭露將5ml的四乙基矽酸鹽(TEOS)與5ml50的乙醇加在一起，而配製成二氧化矽溶膠的儲備溶液，將少量的酸加入二氧化矽溶膠中，以作為矽酸聚合反應的觸媒。

發明說明第10欄第13至16行揭露將15ml的乙醇、0.5g的鋇釔(BaY)沸石、0.5g清潔過的光學微纖維以及1ml的二氧化矽溶膠加在一起，攪拌1小時後加熱12小時，冷卻至室溫並過濾出塗佈沸石的光學纖維（本院卷（三）第135頁）。是發明說明第10欄第13至16行揭露已知二氧化矽溶膠的化學轉換反應是始於四乙基矽酸鹽(TEOS)的水解反應，而形成矽烷醇。

系爭專利技術特徵爭點分析：系爭專利請求項1中之「含有」是否為開放性連接詞，經查系爭專利請求項2係為依附於請求項1之附屬項，其進一步界定「基材鍍膜同時可添加抗菌材」，其係於請求項1之無機鍍液或混合液中添加抗菌材，因此系爭專利請求項1中之「含有」

應解釋為開放性連接詞。

系爭專利有效性部分：1至5是否違反現行專利法第67條第1、4項之規定？

原96年3月21日公告之申請專利範圍與更正後102年11月11日公告之申請專利範圍列表如下：請原96年3月21日公告之102年11月11日公告之申求申請專利範圍請專利範圍項一種無機板材表面防護之一種無機板材表面修復之方方法,係於基材表面先將二法，係於基材表面先將含氧化矽與矽酸鹽類混合之有，有機矽酯水解成矽烷醇1無機鍍液以旋渡、塗佈、後再加熱生成之無機鍍液或浸渡等方式鍍膜,再行拋膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽磨,將無機鍍液均勻分散及酸鋰、矽酸鈉之其一或一種51請原96年3月21日公告之102年11月11日公告之申求申請專利範圍請專利範圍項填補,形成平整度較高之被以上之混合液以旋鍍、塗覆基材。佈、浸鍍等方式鍍膜，再行拋磨，將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補，形成平整度較高之被覆基材。

如申請專利範圍第1項所如請求項1所述之無機板材述之無機板材表面防護之表面修復之方法，其中基材2方法,其中基材鍍膜同時可鍍膜同時可添加抗菌材，以添加抗菌材,以增加抗菌效增加抗菌效果。

果。

如申請專利範圍第1項所述之無機板材表面防護之3方法,其中無機鍍液係有機（本項刪除）矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成無機鍍液。

如申請專利範圍第1項所述之無機板材表面防護之方法,其中無機鍍液中之矽4（本項刪除）酸鹽類係可為膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉等矽酸鹽類。

如申請專利範圍第2項所如申請專利範圍第2項所述述之無機板材表面防護之之無機板材表面修復之方5方法,其中抗菌材係有含銀法，其中抗菌材係有含銀(Ag)金(Au)鉑(Pt)。(Ag)金(Au）鉑（Pt）。

1是否違反現行專利法第67條第4項之規定？

A.96年3月21日公告之請求項1（下稱原公告請求項1）所界定之「於基材表面先將二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液以旋渡、塗佈、浸渡等方式鍍膜」，其鍍膜的材料為「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」。將附屬於原公告請求項1之請求項3及請求項4之技術特52徵併入原公告請求項1後，其鍍膜的材料亦有兩類，為二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液，該無機鍍液係有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液」（原公告請求項3併入），其仍為二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液，僅再界定該無機鍍液是以有機矽酯水解「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液，該矽酸鹽類係可為膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉等矽酸鹽類」（原公告請求項4併入），其仍為二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液，僅再界定該矽酸鹽類可為膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉等矽酸鹽類。

B.102年11月11日公告之請求項1（下稱更正後請求項1）所界定「於基材表面先將含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜」之特徵，其鍍膜材料有兩類，機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機矽酸鈉之其一或一種以上之混合液。

C.比較前開原公告與更正後請求項1對比原公告請求項1之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液，該無機鍍液係有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液」與更正後請求項1之「含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液」，可知原公告請求項1限定該無機鍍液係以二氧化矽與矽酸鹽類混合，而更正後請求項1並無該限定條件，原告所為更正原公告53請求項1之「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液，該矽酸鹽類係可為膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉等矽酸鹽類」與更正後請求項1之「含有，膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液」，可知原公告請求項1限定該無機鍍液係以「二氧化矽與矽酸鹽類」混合，而更正後請求項1之混合液並未限定需包含二氧化矽，原告所為更正明顯實質擴大原公告時之申請專利範圍。綜上所述，因系爭專利請求項1之更正實質擴大原公告時之申請專利範圍，故違反現行專利法第67條第4項之規定。

D.原告103年12月31日民事辯論意旨狀第8至13頁稱「專利法第58條第4項規定：『發明專利權範圍，以申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌說明書及圖式』。解釋請求項時，原則上應給予在請求項中之用語最廣泛、合理且與說明書一致之解釋。對於請求項中之用語，若說明書中另有明確揭露之定義或說明時，應考量該定義或說明；對於請求項中之記載有疑義而需要解釋時，則應一併考量說明書、圖式及申請時之通常知識。系爭專利所稱之無機鍍液係可為有機矽酯水解成矽烷醇後，再加熱生成之二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鈉、矽酸鋰等矽酸鹽類之其一或一種以上混合之無機鍍液，或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鈉、矽酸鋰等矽酸鹽類之其一或一種以上混合之無機鍍液，系爭專利所稱之無機鍍液原本即不須同時含有二氧化矽或其它矽酸鹽類，因此系爭專利公告時之請求項1中之『二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液』應解釋為『二氧化矽與矽酸鹽類（之其一或一種以上）混合之無機鍍液』。系爭54專利更正後之請求項1僅係將系爭專利公告時之請求項1中之『二氧化矽與矽酸鹽類（之其一或一種以上）混合之無機鍍液』減縮為『含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液』，屬於申請專利範圍之減縮，並未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍」云云。惟查「更正，不得實質擴大或變更公告時之申請專利範圍」，現行專利法第67條第4項定有明文，系爭專利原公告請求項1記載「二氧化矽與矽酸鹽類混合之無機鍍液」，其明確界定該無機鍍液是由「二氧化矽」及「矽酸鹽類」兩者混合，而更正後請求項1卻將「二氧化矽」去除，明顯實質擴大原公告時之申請專利範圍，誠如前述，雖原告主張依專利法第58條第4項：「發明專利權範圍，以申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌說明書及圖式」之規定，於解釋請求項時應給予在請求項中之用語最廣泛、合理且與說明書一致之解釋；然解釋申請專利範圍時，應以申請專利範圍所載文字為準，說明書及圖式係屬於從屬地位，系爭專利原公告請求項1明確界定該無機鍍液是由「二氧化矽」及「矽酸鹽類」兩者混合，即便系爭專利說明書並無此實施例，仍應以系爭專利申請專利範圍所載文字為準，原告前揭理由，顯不足採。

E.原告103年12月31日辯論意旨狀第13辯稱如認為系爭專利更正後之請求項1有實質擴大或變更公告時之申請專利範圍情形，原告勢須改依系爭專利公告時之請求項1為主張云云。惟查，專利法第71條第1項第1款規定違反專利法第67條第4項為得提起舉發之55事由；又同法第82條第1項規定發明專利權經舉發審查成立者，應撤銷其專利權，則系爭專利既違反專利法第67條第4項之規定，即應撤銷其專利權，原告實無法改依系爭專利公告時之請求項1再為主張權利。

更正後請求項2、5是否違反現行專利法第67條第4項之規定？

因102年11月11日更正公告之請求項2、5（下稱更正後請求項2、5）依附更正後請求項1，包含所依附更正後請求項1之全部技術特徵，更正後請求項1實質擴大原公告時之申請專利範圍已如前述，因此系爭專利請求項2、5之更正亦實質擴大原公告時之申請專利範圍，違反現行專利法第67條第4項之規定。

系爭專利更正後請求項3、4是否違反現行專利法第67條第4項之規定？

102年11月11日更正公告之請求項3、4業經刪除，而刪除請求項3、4未導致系爭專利申請專利範圍超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，且未實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍，故刪除請求項3、4不生違反現行專利法第67條第4項規定之問題。

系爭專利請求項1至5是否違反現行專利法第67條第1項之規定？

被告等辯稱系爭專利更正後請求項違反專利法第67條第1項云云（本院卷（三）第31頁），惟查專利法第67條第1項並非第71條第1項條文中所列得提起舉發之情事之一，爰不予以審究，附此敘明。

2與證據3之組合是否足以證明系爭專利請求項1不具進步性？561、證據2、證據3之技術內容比對如下：是要系爭專利請求項1證據2證據3否件技術特徵技術內容技術內容揭示一種防污性材料的製造方法，其一種無機板材表一種磁磚表面處1A係將塗覆組成物是面修復之方法，理裝置，塗佈在無機材料的基材上，係於基材表面先將含有，有機矽該塗覆組成物基酯水解成矽烷醇將拋光後的拋光本上含有鹼金屬後再加熱生成之磚先經噴蠟機噴矽酸鹽，鹼金屬1B無機鍍液或膠態上防污劑；(證據矽酸鹽如矽酸是二氧化矽、矽酸2之防污劑並未鉀、矽酸鋰、矽鉀、矽酸鋰、矽限定為無機鍍液)酸鈉、和二氧化酸鈉之其一或一矽，種以上之混合液以旋鍍、塗佈、將拋光磚先經噴將塗覆組成物塗1C浸鍍等方式鍍蠟機噴上防污是佈在基材上，膜，劑，對已塗佈了塗覆經拋磨機拋磨處組成物的基材進1D再行拋磨，是理，行加熱處理。

(非拋磨)拋光磚表面上的防污劑被均勻塗將該無機鍍液或敷並滲入到拋光該混合液均勻分磚上的毛孔內。

1E散及填補，形成X否(證據2之防污平整度較高之被劑並未限定為如覆基材。

系爭專利之無機鍍液)1與證據2技術內容：57A.查證據2說明書第1頁最後1段揭露一種磁磚表面處理裝置對拋光磚之表面塗敷防污劑的方法，蓋拋光磚係為一無機板材，故證據2已揭露系爭專利要件1A「一種無機板材表面修復之方法」技術特徵。

B.查證據2說明書第1頁最後1段揭露將拋光後的拋光磚先經噴蠟機噴上防污劑（本院卷（三）第72頁）；惟證據2並未指出其所使用之防污劑是無機或是有機之防污劑，更未限定為如系爭專利之無機鍍液或混合液，故證據2未揭露系爭專利要件1B「係於基材表面先將含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液」技術特徵。

C.查證據2說明書第1頁最後1段揭露將拋光磚先經噴蠟機噴上防污劑（本院卷（三）第72頁）；證據2雖是以噴蠟機將防污劑噴在拋光磚上，而非如系爭專利以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式，但兩者均是將鍍膜材料施加於基材上，系爭專利以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜並未產生無法預期之功效，故系爭專利要件1C「以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜」技術特徵為所屬技術領域具有通常知識者依證據2所揭露技術內容所能輕易完成。

D.查證據2說明書第1頁最後1段揭露將拋光磚先經噴蠟機噴上防污劑，然後經拋磨機拋磨處理（本院卷（三）第72頁），故證據2已揭露系爭專利要件1D「再行拋磨」技術特徵。

E.查證據2說明書第1頁最後1段揭露拋光磚表面上的防污劑被均勻塗敷並滲入到拋光磚上的毛孔內（本院卷（三）第72頁），亦即證據2之防污劑可填補拋光磚上58的毛孔；惟證據2之防污劑並未限定為如系爭專利之無機鍍液或混合液，故證據2未揭露系爭專利要件1E「將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補，形成平整度較高之被覆基材」技術特徵。

F.綜上所述，證據2所揭露技術內容與系爭專利之差異主要在於：證據2並未指出其所使用之防污劑是無機或是有機防污劑，更未限定為如系爭專利之無機鍍液或混合液。

1與證據3技術內容：A.查證據3說明書第11頁（本院卷（三）第94頁）揭露一種防污性材料的製造方法，其係將塗覆組成物塗佈在基材上，證據3說明書第4頁第8~11行揭露使用的基材可以是無機材料，例如磁磚等（本院卷（三）第87頁），故證據3已揭露系爭專利要件1A「一種無機板材表面修復之方法」技術特徵。

B.查證據3說明書第10頁第14行至第26行揭露該塗覆組成物基本上含有鹼金屬矽酸鹽，鹼金屬矽酸鹽如水玻璃、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉、和二氧化矽（本院卷（三）第93頁），故證據3已揭露系爭專利要件1B「係於基材表面先將含有，有機矽酯水解成矽烷醇後再加熱生成之無機鍍液或膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之其一或一種以上之混合液」技術特徵。

C.查證據3說明書第11頁第30行揭露將塗覆組成物塗佈在基材上（本院卷（三）第94頁），故證據3已揭露系爭專利要件1C「以旋鍍、塗佈、浸鍍等方式鍍膜」

技術特徵。

D.查證據3說明書第12頁第20行至第24行揭露對已塗59佈塗覆組成物的基材進行加熱處理，從而使防污性和耐磨性優良的無機薄膜固著於基材上（本院卷（三）第95頁）；惟證據3並未對塗覆組成物進行拋磨，故證據3未揭露系爭專利要件1D「再行拋磨」之技術特徵。

E.查證據3說明書第12頁第20至24行揭露對已塗佈了塗覆組成物的基材進行加熱處理，從而使防污性和耐磨性優良的無機薄膜固著於基材上（本院卷（三）第95頁）；惟證據3並未明確指出經由加熱處理後，塗覆組成物可填補基材之毛孔，故證據3未揭露系爭專利要件1E「將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補，形成平整度較高之被覆基材」之技術特徵。

F.綜上所述，證據3所揭露技術內容與系爭專利之差異主要在於：證據3以加熱處理使防污性材料固著於基材上，而系爭專利是以拋磨方式將該無機鍍液或該混合液均勻分散及填補於基材上。

2之防污劑未限定為如系爭專利之無機鍍液或混合液，但證據3已揭露在基材上塗佈塗覆組成物以形成一防污材料，且該塗覆組成物含有如矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉、二氧化矽之鹼金屬矽酸鹽。由於證據2與證據3所揭露技術內容均係有關將防污性材料固著於無機基材上使具有防污效果，均屬相同技術領域；又證據3說明書第10頁、第14頁揭露無機覆膜具有良好的親水疏油性（本院卷（三）第93頁、第97頁），所屬技術領域具有通常知識者參酌證據3所揭露技術內容後，為使基材增加防污效果，有足夠動機將證據3之塗覆組成物應用至證據2，以作為證據2之防污劑。既然證據3之塗覆組成物如同系爭專利之膠態二氧化矽、矽酸鉀、矽酸鋰、矽酸鈉之60其一或一種以上之混合液，在證據2以證據3之塗覆組成物於拋光磚表面上拋磨，當能將該塗覆組成物均勻分散及填補，形成平整度較高之被覆基材，而能達成系爭專利所述之功效，因此證據2與證據3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

稱材進行加熱，具有無法預期之功效」云云。惟查證據3之塗覆組成物應用至證據2以作為證據2之防污劑，理由已如前述，由於證據2與證據3揭露技術內容組合後，如同系爭專利一般，亦是以矽酸鹽類填補無機板材表專利請求項1並未限定其係在常溫下完成無機板材之加工，且系爭專利請求項1係使用「含有」之開放性連接詞，並未排除有加熱步驟或其它步驟之態樣，而證據2與證據3揭露技術內容之組合確實已揭露系爭專利請求項1所界定之技術特徵，原告上開所述，尚不足採。

稱「系爭專利揭露拋磨裝置工作轉速及工作壓力之實施例，該拋磨裝置之工作轉速及工作壓力係為達到以矽酸鹽類之無機材料充分並迅速填補無機板材表面之毛孔之一種適當工作條件，並非任意的數值。如採用先前技術之有機防護劑，其拋磨裝置之工作轉速必須在較低之轉速，欲將先前技術之有機防護劑改為矽酸鹽類之無機鍍液，仍有技術上必須克服之障礙，非能夠輕易完成」云云。惟查，系爭專利請求項1並未限定拋磨裝置工作轉速及工作壓力為何，故無須與證據2、證據3所揭露技術內容比對；況且系爭專利說明書第9頁最後1行至第10頁第1行提及61拋磨裝置工作轉速及工作壓力之數值的記載僅有「以500/min打蠟機，壓力15~20Kg，拋磨1分鐘共三次」（本院卷（三）第63頁、第64頁），其中並未提到利用該工作轉速及工作壓力比起其他工作轉速及工作壓力有任何功效上之增進，原告上開所述，尚非有據。

稱「系爭專利係拋光磚超潔亮技術之先驅發明，而為系爭專利之從屬發明或再發明之拋光磚超潔亮技術則已發展成國內外業界最先進之技術。例如，在原證11中，一鼎科技之董事總經理○○即表示：『如科達和我們一鼎所推出之超潔亮技術解決了拋光磚最致命的防污問題。而國外的技術比我們落後，成本比我們高…』。系爭專利更正後請求項1顯然已獲得商業上之成功，而具有進步性」云云。惟查，一鼎科技商業上之成功得否逕為推論系爭專利更正後請求項1能獲得商業上成功，實有可議，且查一鼎科技之中國第CN100418644C號專利（原證14）第11頁第14至15行所載「通過使用納米防污材料及高分子材料進行本發明的拋光磚防污劑製膜方法及設備的實施使用，可以讓納米防污材料更好的填充表面孔洞和微裂紋」（本院卷（一）第59頁），可知一鼎科技係採用納米防污材料製膜，其採用粒子較小的防污材料，可以讓納米防污材料更好的填充表面孔洞，又於納米材料所形成的保護膜上以高分子材料形成另一層保護膜，故應具有比系爭專利更好之增亮或防污效果，原告以他人效果較好之產品來說明系爭專利獲得商業上成功，尚非有理。

稱以「證據2係一種自動拋光打蠟機，其係專用於拋光磚之技術領域，故會有必須使地板蠟等有機防污劑滲入毛孔之問題，拋光磚屬於無釉磚，其在燒成後，會進行拋62光而不進行施釉；反觀證據3，其顯然專用於有釉磚之技術領域，其並非在於解決填補毛孔之問題，有釉磚在燒成後，不會進行拋光而進行施釉。因此，證據2與證據3屬於不同的技術領域，其所欲解決之問題不同，證據2與證據3並無組合動機」云云。惟查，依證據3說明書第4頁第8至11行所載：「在本發明中使用的基材可以是金屬、無機材料、有機材料或者他們的複合材料，例如可以舉出：內裝材料、外裝材料、磁磚…樹脂等」，指出證據3之基材可以是上述多種基材之一，已說明證據3所揭露技術內容並非專用於有釉磚，因此並無原告所述證據2與證據3屬於不同的技術領域之情事，原告所述，並不足採。

稱「證據2既係採用地板蠟等有機防污劑，由於該等材料之黏度較大，為避免材料在拋磨過程中四處飛濺，其拋磨裝置之工作轉速必須在150rpm之較低轉速以下，而該工作轉速如應用於系爭專利所採用之矽酸鹽類之塗覆組成物，將導致無法充分並迅速填補無機板材表面之毛孔，而不具產業上利用價值。又證據3係以高溫加熱方式，於基材表面形成無機被膜，其與以常溫拋磨之方式，使塗覆組成物能夠充分填補無機板材表面之毛孔，因所欲解決之問題不同，原本即屬於擇一之技術，證據2與證據3及當然無組合動機」云云。惟查，證據2係以「防污劑」之上位用語記載，其亦包含無機防污劑，且依證據2說明書第1頁第12行至第14行記載證據2之防污劑能充分滲入到拋光磚之毛孔內（本院卷（三）第72頁），並無原告所稱拋磨裝置之工作轉速之問題。縱使證據2使用有機防污劑，然證據2說明書第3頁第3段揭露其藉由加熱方式，使防污劑黏度變小，流動性加強，從而容易滲入到拋光磚63上的毛孔內（本院卷（三）第74頁）；承上所述，由於證據2之防污劑黏度變小，流動性加強，故應無原告所稱「由於該等材料之黏度較大，為避免材料在拋磨過程中四處飛濺，其拋磨裝置之工作轉速必須在150rpm之較低轉速以下」之情事發生。再者，前述理由已敘明證據2與證據3之組合係將證據3之塗覆組成物（加熱前）應用至證據2以作為證據2之防污劑，之後將證據3之塗覆組成物塗佈於證據2之拋光磚上，再予以拋磨，而非如同原告所述是在基材表面形成無機被膜後（加熱後）又予以拋磨之證據組合方式，原告所述，尚有誤會。

稱「系爭專利縱認為係組合發明、置換技術特徵之發明或轉用發明，均能產生無法預期之功效，具有進步性」

云云。惟查，可將證據3之塗覆組成物應用至證據2以作為證據2之防污劑之理由，已如前述，由於證據2與證據3揭露技術內容組合後，如同系爭專利一般，亦是以矽酸鹽類填補無機板材表面之毛孔，故亦能達成系爭專利所能達成之功效，是原告上開所述，尚不足採。

2、證據3與證據4之組合是否足以證明系爭專利請求項1不具進步性？

證據2與證據3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性，已如前述，由於證據2與證據3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性，因此證據2、證據3與證據4之組合亦足以證明系爭專利請求項1不具進步性。

2與證據3之組合是否足以證明系爭專利請求項2不具進步性？

查證據3說明書第10頁最後1行至第11頁第9行揭露通過添加第二成分，可以賦予符合目的的功能，例如在要求親水64性時，優選是對水濕潤高的AL2O3、TiO2等。另外，在要求吸收紫外線時，優選是能使紫外線本身失活的Ce；而在要求抗菌性時，優選是Cu（銅）、Ag（銀）．．．。（本院卷（三）第94頁），故由上述，如要求「抗菌性」時，上述第二成分以銅、銀為佳，故證據3已揭露系爭專利請求項2「基材鍍膜同時可添加抗菌材，以增加抗菌效果」技術特徵。

2與證據3之組合是否足以證明系爭專利請求項5不具進步性？

查證據3說明書第10頁最後1行至第11頁第9行揭露通過添加第二成分，可以賦予符合目的的功能，如要求抗菌性時，上述第二成分以銅、銀為佳，誠如前述，故證據3已揭露系爭專利請求項5「其中抗菌材係有含銀（Ag）金（Au）鉑（Pt）」技術特徵。

系爭專利請求項1、2、5違反現行專利法第67條第4項之規定。證據2與證據3之組合或證據2、證據3與證據4之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。證據2與證據3之組合足以證明系爭專利請求項2、5不具進步性。

智慧財產案件審理法第16條規定，當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷；法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對他造主張權利。本件原告所主張之系爭專利請求項1、2、5具有得撤銷之原因，誠如前述，揆諸智慧財產案件審理法第16條第2項之規定，原告於本件民事訴訟自不得主張權利。從而，原告主張被告侵害其系爭專利請求項1、2、5，65被告應連帶給付原告一部請求之165萬元，及自起訴狀繕本送利法第97條第2項之規定，酌定損害額3用由被告負擔。均無理由，不應准許。

本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊、防禦方法及未經援用之證據，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不逐一論列，附此敘明。

六、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第78條，判決如主文。

智慧財產法院第三庭

66