電子工程 92 年電子學概要考古題

電路圖中的接面場效電晶體(JFET)特性參數為IDSS＝5mA，VP＝-4V。 電阻RD＝1kΩ時，求RS 的值，使工作點位於飽和區，且電流ID＝2mA。（10 分） ID＝2mA，JFET 需工作於飽和區，求RD 的最大值。（10 分）

如圖所示，假設二極體D1，D2 之導通電壓為0.7 V，電晶體Q1 導通時之VBE 電壓 亦為0.7 V，且電流增益β = 100，若電晶體Q1 操作在主動區，則VCE 須大於0.3 V。 流過二極體D1 及D2 之直流電流iD 之大小為何？（10 分） 若要避免電晶體進入飽和區，問RC 電阻之最大值為何？（10 分）

如圖為一共射極放大器，PNP 電晶體之β＝100，ro＝∞，｜VBEactive｜＝0.7V， VT＝25mV。 在忽略基極偏壓電流的條件下，求電晶體的集極偏壓電流。（10 分） 求小信號電壓增益Vo/Vs。（10 分）

如圖所示，電晶體的VBE (on) = 0.7 V，電流增益β 與集極輸出電阻ro 皆很大，電阻 RE = 0.3 kΩ，RC = 5 kΩ，RL = 5 kΩ，電容C1，C2 非常大，求電晶體的gm 值，以及電 路的電壓增益Vo / Vi，輸入電阻Rin，輸出電阻Rout。（註：VT = 25 mV）（20 分）

如圖電路中FET 電晶體之gm 值為0.1Ω-1，Cgs＝10pF，Cgd＝1pF，RD＝0.5kΩ， RS＝0.5 kΩ，RB>>RS 且CC 可忽略不計（CC→∞）。 試計算中頻小幅訊號電壓增益AV＝vo/vs（5 分） 試求中頻時B 點與地之間等效電容（10 分） 試求高三分貝頻率（5 分） （請接背面） +15V ∞ C= 4.3kΩ 10kΩ 5kΩ C= ∞ 20kΩ 5kΩ Vo Vs + _ 九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 代號： 科 別： 電力工程、電子工程 全一張 （背面） 41460 41560

如圖所示，放大器A 為理想OP 放大器，求Vo / Vi。（20 分） 5V RC Q1 D1 D2 175 Ω 2 kΩ RC Rout Vo RL RE Rin C1 Vi C2 VEE = －1 V VCC = 10 V R R R R A － + Vi Vo iD 九十二年公務人員普通考試第二試試題 代號： 科 別： 電子工程 全一張 （背面） 42510

如圖示，已知稽納二極體(Zener diode)之崩潰電壓為VZ＝5V，運算放大器為理想（電 壓增益無窮大、輸入阻抗無窮大、輸出阻抗為0，頻寬為無限大）。 求輸出電壓Vo1 之大小？（5 分） 求輸出電壓Vo2 之大小？（10 分） 求輸出電流Io 之大小？（5 分）

如圖所示，假設二極體為理想： 當Vi = 15 V 時，Vo 值為何？流經電阻R1 之電流值為何？（7 分） 當Vi = 6 V 時，Vo 值為何？流經R1 之電流值為何？（7 分） 若Vi = 8 sinωt (伏特)，則Vo 之最大值為何？最小值為何？（6 分）

如圖的穩壓電路中，電晶體Q1與Q2的參數β1, β2, VBE(on)1, VBE(on)2為已知，ro1＝ro2＝∞， 電阻R1, R2, R3, RL，以及zener 二極體電壓Vz均為定值，電壓Vi 使Q1 與Q2 工作於 主動區(active mode)， 忽略IB1(I2≅I3)，求Vo 與IB2 及β2 之間的關係式。（6 分） 若考慮IB1，求IB2 與Vo、Vi、IB1 及β1 之間的關係式。（6 分） 求IB1 與Vo 之間的關係式。（8 分） 4kΩ 1kΩ 1kΩ 4kΩ 20V 1mA Vo2 Vo1 Io + _ R1 R2 R3 RL Vo Vi Q2 Q1 Vz IB2 IB1 I2 I3≅I2

如圖所示，假設運算放大器為理想 (電壓增益無窮大、輸入阻抗無窮大、輸出阻抗為 0、頻寬為無限大)，電容C 為無限大。 求交流電壓增益Vo / Vi 之大小。（10 分） 求輸出點Vo 之直流電壓準位之大小。（10 分） 5 V 2 V + － Vo D1 D2 5 kΩ R1 =5 kΩ + － Vi C Vi -2 V 4 V 4 kΩ 1 kΩ 10 kΩ 1 kΩ 9 kΩ Vo + －