電力工程 92 年電子學概要考古題

電路圖中的接面場效電晶體(JFET)特性參數為IDSS＝5mA，VP＝-4V。 電阻RD＝1kΩ時，求RS 的值，使工作點位於飽和區，且電流ID＝2mA。（10 分） ID＝2mA，JFET 需工作於飽和區，求RD 的最大值。（10 分）

如圖為一共射極放大器，PNP 電晶體之β＝100，ro＝∞，｜VBEactive｜＝0.7V， VT＝25mV。 在忽略基極偏壓電流的條件下，求電晶體的集極偏壓電流。（10 分） 求小信號電壓增益Vo/Vs。（10 分）

如圖電路中FET 電晶體之gm 值為0.1Ω-1，Cgs＝10pF，Cgd＝1pF，RD＝0.5kΩ， RS＝0.5 kΩ，RB>>RS 且CC 可忽略不計（CC→∞）。 試計算中頻小幅訊號電壓增益AV＝vo/vs（5 分） 試求中頻時B 點與地之間等效電容（10 分） 試求高三分貝頻率（5 分） （請接背面） +15V ∞ C= 4.3kΩ 10kΩ 5kΩ C= ∞ 20kΩ 5kΩ Vo Vs + _ 九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 代號： 科 別： 電力工程、電子工程 全一張 （背面） 41460 41560

如圖示，已知稽納二極體(Zener diode)之崩潰電壓為VZ＝5V，運算放大器為理想（電 壓增益無窮大、輸入阻抗無窮大、輸出阻抗為0，頻寬為無限大）。 求輸出電壓Vo1 之大小？（5 分） 求輸出電壓Vo2 之大小？（10 分） 求輸出電流Io 之大小？（5 分）

如圖的穩壓電路中，電晶體Q1與Q2的參數β1, β2, VBE(on)1, VBE(on)2為已知，ro1＝ro2＝∞， 電阻R1, R2, R3, RL，以及zener 二極體電壓Vz均為定值，電壓Vi 使Q1 與Q2 工作於 主動區(active mode)， 忽略IB1(I2≅I3)，求Vo 與IB2 及β2 之間的關係式。（6 分） 若考慮IB1，求IB2 與Vo、Vi、IB1 及β1 之間的關係式。（6 分） 求IB1 與Vo 之間的關係式。（8 分） 4kΩ 1kΩ 1kΩ 4kΩ 20V 1mA Vo2 Vo1 Io + _ R1 R2 R3 RL Vo Vi Q2 Q1 Vz IB2 IB1 I2 I3≅I2