一加強型NMOS電晶體其Vt=2V,源極接地,閘極接3V電源,試問VD=0.5V,
VD=1V,VD=5V時電晶體工作在那一種模式?請說明之。(9 分)
六、設|vBZ| ≈ 0.7 V,α≈1,分析電路圖之vE,vC1,vC2。(9 分)
七、某並串回授放大器如圖所示,其中之電流放大器為一理想放大器。Is=100µA,
If=90µA,Io=10mA。試求電流放大器之電流增益A及此回授放大器之回饋因子β,
並標示其單位。(12 分)
vC1
1kΩ
1kΩ
Q2
Q1
vC2
vE
1kΩ
+5V
①
②
Io
回授電路
RL
Io
Rs
If
If
電 流
放大器
圖
Is
+0.5V
-5 V
圖
八、若一電晶體額定功率為20W,最大接面溫度Jj,max=175℃,有一θcase-snk=1℃/W和θsnk-
amb=5℃/W的散熱器加在電晶體上,試求電晶體最大安全消耗功率。(設外界溫度
為25℃)(10 分)
九、如圖,NMOS傳輸閘的門檻電壓VTH=1V,求以下條件輸出電壓vO:
vI=φ =5V,vI=3V,φ =5V,
vI=4.2V,φ =5V,vI=5V,φ =3V。(12 分)
CL
φ
a
b
vI
vO
圖
十、請繪出CMOS反相器之電路。若負載電容2pF,偏壓VDD≈5V,頻率100kHz,求其
消耗功率。(8 分)