4
1
R
R
R
R
=
,計算寫出轉移函數
)
(
/)
(
T(S)
s
V
s
V
i
O
=
並說明電路將執行何種濾波
功能?畫出振幅響應和相角響應圖。(10 分)
圖一
二、圖二為MOSFET 元件之立體結構,其中L = 0.4 μm,W = 4 μm,閘氧化層(gate oxide)
厚6.9 nm,絕緣介電係數(dielectric constant)
)
/
(
10
45
.3
11
m
F
−
×
,電子遷移率(mobility)
450(cm2/V.s),元件切入電壓0.7 V。
計算MOSFET 之閘極電容Cୋ和元件之轉導參數(transconductance parameter)。(5 分)
若MOSFET 操作在飽和區(saturation)且ID = 225 μA,計算閘極-源極電壓VGS。
(5 分)
若MOSFET 的VDS 很小,操作在三極管(triode)區作為線性電阻,計算閘極-源
極電壓VGS。(5 分)
此元件結構顯示有四個電極:源極(S)、閘極(G)、汲極(D)和基體電極(B),但
是一般電子電路之MOSFET 電子符號只有三個電極,為什麼?請畫圖說明。(5 分)
圖二
+
_
C
R1
R3
R4
R2
VO
Vi
Vo
+
-
C
R2
R4
R3
R1
Vi
105年公務人員特種考試關務人員考試、
105年公務人員特種考試身心障礙人員考試及
105年國軍上校以上軍官轉任公務人員考試試題
全一張
(背面)
考試別: 身心障礙人員考試
等
別: 四等考試
類
科: 電力工程
科
目: 電子學概要