智慧財產法院民事判決

原告

楊秋忠

訴訟代理人

藺超群律師（兼送達代收人）

輔佐人

林明璇

被告

立吉科技有限公司

被告

兼 法 定

代理人

陳慧珊

共同訴訟代理人

吳尚昆律師

被告

覆晶光電有限公司

被告

兼 法 定

代理人

韓昌洙

輔佐人

張仲琦

輔佐人

林洋森

輔佐人

吳信聰

共同訴訟代理人

范國華律師

郭凌豪律師

朱崇佑律師

上列當事人間排除侵害專利權等事件，本院於107 年7 月16日言詞辯論終結，判決如下：

主文

事實及理由

壹、程序事項

一、按原告於訴狀送達後，不得將原訴變更或追加他訴，但被告同意者，不在此限，民事訴訟法第255 條第1 項第1 款定有明文。查原告起訴時原以立吉科技有限公司（下稱：立吉公司）及其法定代理人陳慧珊為被告提起本件訴訟，其起訴時訴之聲明第1 、3 項為：「一、被告不得為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而製造、進口、侵害中華民國I281271 號『未經封裝製程即可使用之LED 製造方法及結構』發明專利（下稱：系爭專利1 ）及I285968 號『具高效率散熱及亮度之晶片』發明專利（下稱：系爭專利2 ）之物品及其他侵害系爭專利權之行為。三、被告應給付原告新臺幣（下同）50萬元及自起訴狀繕本送達翌日起迄清償日止，按週年利率百分之5 計算之利息。」（見本院卷1 第4 頁）。嗣於本院準備程序期日前，具狀變更訴之聲明第1 項為：「被告不得為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而製造、進口、侵害系爭專利1 、系爭專利2 、I429103 號『覆晶發光二極體晶粒及其晶粒陣列』發明專利（下稱：系爭專利3 ）及其他侵害系爭專利權之行為。」（見本院卷1 第176 頁）。復於本院審理中，以「覆晶光電有限公司」（下稱：覆晶公司）製造、販賣「60 -600W LED光源」之LED 晶片零件（下稱：系爭產品1）予被告立吉公司進行「60-600W LED 天井燈、投射燈」產品（下稱：系爭產品2 ）之組裝及販賣，覆晶公司乃共同侵權行為人為由，具狀追加覆晶公司及其法定代理人韓昌洙為被告（見本院卷1 第251 頁）。核原告前揭訴之追加，均經被告同意在卷（見本院卷1 第230 頁、本院卷3第192 頁），核無不合，應予准許。

二、次按不變更訴訟標的，而補充或更正事實上或法律上之陳述者，非為訴之變更或追加，民事訴訟法第256 條亦定有明文。查原告於本院審理中具狀更正訴之聲明第3 項為「被告應連帶給付原告50萬元及自起訴狀繕本送達翌日起迄清償日止，按週年利率百分之5 計算之利息」（見本院卷2第271 頁背面），核原告前開訴之聲明第3 項之更正，僅係補充「連帶」請求，未變更訴訟標的，非為訴之變更或追加，亦應准許。

貳、實體事項

一、原告起訴主張：

（一）原告為系爭專利1 、2 、3 （以下合稱：系爭專利）之專利權人，詎被告立吉公司未經原告同意或授權，製造、販賣系爭產品2 ，而系爭產品2 之LED 晶片零件（即系爭產品1 ），則係由被告覆晶公司製造並販賣被告立吉公司，經原告取得系爭產品2 進行比對分析結果，系爭產品2 已落入系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 之文義及均等範圍、系爭專利2 請求項1 及系爭專利3 請求項1 之文義範圍。又系爭專利並無得撤銷之事由，而被告立吉公司於製造系爭產品2 前，早已自原告取得系爭專利之相關資料，且收受通知停止侵權之律師函後，仍繼續製造、販賣系爭產品2 ，可證明被告立吉公司屬故意侵害系爭專利之專利權，再者，被告覆晶公司為一專業LED 晶片製造商，亦應對系爭專利具有相當知識及經驗，其製造、販賣系爭產品1 予被告立吉公司進行系爭產品2 之組裝及販賣，則系爭產品1 亦已侵害系爭專利之專利權，應與被告立吉公司就侵害系爭專利負共同侵權行為人責任，另被告陳慧珊為被告立吉公司之負責人，被告韓昌洙為被告覆晶公司之負責人，依公司法第23條第2 項之規定，被告陳慧珊與被告韓昌洙就被告立吉公司和被告覆晶公司因執行業務而為之侵權行為，自應連帶負擔賠償責任。爰依專利法第96條第1 、2 、3 項、第97條，民法第185 條第1 項前段及公司法第23條第2 項等規定，提起本件訴訟。

（二）聲明：

1.被告不得為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而製造、進口、侵害系爭專利之物品及其他侵害系爭專利之行為。

2.被告立吉公司應將系爭產品2 全數回收並銷毀或為其他必要之處置。

3.被告應連帶給付原告50萬元及自起訴狀繕本送達翌日起迄清償日止，按週年利率百分之5 計算之利息。

4.第三項請求部分，原告願供擔保，請准宣告假執行。

二、被告抗辯：

（一）系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 欠缺產業利用性，且說明書未充分揭露；系爭專利2 請求項1 記載不明確，且不具新穎性及進步性；系爭專利3 請求項1 亦不具新穎性及進步性，均有應撤銷之原因，又系爭產品1 、2並未落入系爭專利前揭請求項之權利範圍，再者，原告迄未就被告有何故意或過失侵害系爭專利權提出任何證據，且未舉證證明被告因其侵權行為所得利益之金額為何，是原告提起本件訴訟為無理由。

（二）答辯聲明：

1.原告之訴及假執行之聲請均駁回。

2.如受不利益判決，願供擔保請准免予假執行。

三、兩造不爭執事項（見本院卷3 第194 頁）：

（一）原告為系爭專利之專利權人。

（二）被告覆晶公司製造、販賣系爭產品1。

（三）被告立吉公司向被告覆晶公司購得系爭產品1 後，製造、販賣系爭產品2 。

（四）被告韓昌洙為被告覆晶公司之法定代理人。

（五）被告陳慧珊為被告立吉公司之法定代理人。

四、本件經依民事訴訟法第271 條之1 準用同法第270 條之1第1 項第3 款、第3 項規定，整理並協議簡化爭點如下（見本院卷4第266頁）：

（一）專利侵權部分：

1.系爭產品1 、2 是否落入系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 之專利權範圍？

2.系爭產品1 、2 是否落入系爭專利2 請求項1 之專利權範圍？

3.系爭產品1 、2 是否落入系爭專利3 請求項1 之專利權範圍？

（二）系爭專利有效性：「按被告立吉公司具狀陳稱引用被告覆晶公司提出之系爭專利無效抗辯（見本院卷5 第122頁），故此部分僅臚列被告覆晶公司抗辯之無效原因」。

1.被告覆晶公司抗辯：

⑴系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 是否欠缺產業利用性？

⑵系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 是否違反核准時專利法第26條第2 項之規定？

⑶被證1-2 是否可以證明系爭專利1 請求項3 、6 不具新穎性？

⑷被證1-2 或被證1-3 或被證1-4 ；被證1-2 及被證1-3 之組合，是否可以證明系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 不具進步性？

⑸系爭專利2 請求項1 是否違反核准時專利法第26條第3 項之規定？

⑹被證2-2 、被證2-4 、被證2-5 或被證2-6 ，是否可以證明系爭專利2 請求項1 不具新穎性？

⑺被證2-2 及被證2-3 之組合；被證2-3 及被證2-4之組合；被證2-2 、被證2-3 、被證2-4 及被證2-5 之組合；被證2-6 ，是否可以證明系爭專利2 請求項1 不具進步性？

⑻被證3-2 是否可以證明系爭專利3 請求項1 不具新穎性、進步性？

（三）被告覆晶公司製造、販賣系爭產品1 ；被告立吉公司製造、販賣系爭產品2 ，是否有侵害系爭專利之故意或過失？損害賠償額應如何計算？

（四）原告請求被告立吉公司、被告覆晶公司如訴之聲明第1項所示排除侵害請求，是否有據？

（五）原告請求被告立吉公司如訴之聲明第2 項所示銷燬請求，是否有據？

五、兩造之爭點及論斷：

（一）按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或其他法律有關停止訴訟程序之規定。前項情形，法院認為有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利，智慧財產案件審理法第16條定有明文。查系爭專利1 請求項共計8 項，其中請求項1 、3 、6 為獨立項，其餘均為附屬項；系爭專利2 請求項共計1 項，為獨立項；系爭專利3 請求項共計10項，其中請求項1 、10為獨立項，其餘均為附屬項，又原告起訴主張系爭產品1 、2 侵害系爭專利1請求項3 、5 、6 、8 ；系爭專利2 請求項1 ；系爭專利3 請求項1 ，被告則抗辯上開系爭專利請求項之權利範圍，有應撤銷事由（見本院卷4 第266 頁），是本院僅就被告所抗辯之上開系爭專利請求項之權利範圍，有無得撤銷之事由自為判斷。再者，系爭專利先後由經濟部智慧財產局（下稱：智慧局）於96年3 月21日、同年6 月22日、103 年1 月20日審定核准專利，此經本院依職權函調系爭專利之申請卷及舉發卷查明屬實，且有系爭專利公告本3 件在卷可稽（見系爭專利1 申請卷1 第36頁、申請卷2 第251 頁；系爭專利2 申請卷第32、199 頁；系爭專利3 申請卷第3 、114 頁），職是，上開系爭專利1 、2 請求項是否有應撤銷之原因，應以核准審定時即92年2 月6 日修正公布、93年7 月1 日施行之專利法（下稱：修正前92年專利法）為斷，系爭專利3請求項1 是否有應撤銷之原因，應以核准審定時即102年6 月11日施行之專利法（下稱：修正前102 年專利法）為斷，先予敘明。

（二）按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利。惟發明為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，不得依法申請取得發明專利，系爭專利核准時之專利法第21條、第22條第4 項分別定有明文。此即發明專利須具備進步性之規定。關於申請專利之發明是否具有進步性，實務上係依下列步驟進行判斷：1.確定申請專利之發明的範圍；2.確定相關先前技術所揭露之內容；3.確定該發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準；4.確認該發明與相關先前技術所揭露之內容間的差異；5.該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明。一般而言，與發明相關之先前技術內容，包括：發明所記載之先前技術或舉發證據資料等，均得作為確定上開技術水準之客觀證據。至於如何在個案中客觀確定該發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準，必須依據個案之具體證據作為基礎進行論證。此外，由於判斷專利有無進步性之相關事實，往往涉及專門知識，而專利權人、舉發人或其等訴訟代理人、專利專責機關之代理人等，多係具有發明所屬技術領域之相關知識或技能者，是以當事人就「具有通常知識者」及其於申請日之技術水準之認定加以爭執時，自應提出證據加以證明，並具體指明該事實涵攝於個案之先前技術組合後，對於進步性之決定究有何影響。如當事人已於事實審就系爭專利與舉發證據所揭露之內容間有何差異，參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明加以辯論，應認當事人已就該發明所屬技術領域中具有通常知識者及其於申請日之技術水準進行辯論（最高行政法院106 年度判字第651 號判決意旨參照）。

（三）系爭專利之技術分析：

1.系爭專利1：

⑴系爭專利1 之技術內容（主要圖式，如附圖1 ）：系爭專利1 為一種未經封裝製程即可使用之LED 製造方法及結構，尤指一種將未封裝LED 晶片、無需透過封裝基板直接連接於印刷電路板之LED 裝置及製作方法，其係將未封裝之LED 晶片直接連結、導通、固定在印刷電路板上，印刷電路板並預設有電路，該印刷電路板不包括半導體封裝用之基板，據此達成免封裝LED 即可使用，並具散熱佳、成本低、高壽命及高發光率之多重功效者（參系爭專利1發明摘要，見本院卷1 第54頁）。

⑵系爭專利1 請求項3 、6 之更正申請為合法：

①民事法院得自為更正再抗辯之合法性判斷：原告主張被告製造、販賣之系爭產品1 、2 侵害上開系爭專利請求項之權利範圍，而提起本件訴訟，被告於訴訟過程中抗辯上開系爭專利請求項之權利範圍具有應撤銷之原因，已如前述，又原告於107 年1 月12日於系爭專利1 另案舉發程序審查中提出更正之申請，其更正內容為：「A ：請求項1 、3 、6 中加入『其中該連結、導通、固定得採錫膏或導電膠，直接用傳統錫爐或特製設備焊接』之技術特徵；B：刪除原請求項2 、4 、7 。」，有智慧局函文、專利更正申請書各1 件在卷可參（見本院卷1 第208-212 頁），且原告於本院準備程序亦主張依系爭專利1 於107 年1 月12日之更正本主張權利等語（見本院卷1 第230 頁），則原告原起訴主張之系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 之權利範圍，因107 年1 月12日更正申請之合法與否，將變更系爭專利1 請求項3 、6 之權利範圍，然系爭專利1 於107 年1 月12日之更正案，迄至本件言詞辯論終結前，智慧局仍未作成更正之審定，準此，在專利民事侵權訴訟進行中，被告即侵權人為專利無效之抗辯，原告即專利權人則為專利更正之再抗辯，並向智慧局申請更正，在智慧局未為更正審定前，民事法院可否自為判斷更正案應否准許，而逕依判斷結果之申請專利範圍為審理對象？即有先行論究之必要。在民事專利侵害訴訟，被告抗辯專利權有應撤銷之原因（無效抗辯），原告為解消（排除）無效事由，維護其專利之有效性，除積極舉證反駁外，最主要防禦方法（對抗手段），即藉由更正系爭專利之申請專利範圍推翻無效抗辯事由，以確保專利權之行使，此即為日本實務及學理所通稱之「更正再抗辯」、「對抗主張」。我國關於更正再抗辯之規定，即智慧財產案件審理細則第32條：「關於專利權侵害之民事訴訟，當事人主張或抗辯專利權有應撤銷之原因，且專利權人已向智慧財產專責機關申請更正專利範圍者，除其更正之申請顯然不應被准許，或依准許更正後之請求範圍，不構成權利之侵害等，得即為本案審理裁判之情形外，應斟酌其更正程序之進行程度，並徵詢兩造之意見後，指定適當之期日。」。然依條文所稱：「且專利權人已向智慧財產專責機關申請更正專利範圍者，除其更正之申請顯然不應被准許」，對於更正之申請是否只要符合新專利法第67條之更正要件，即非顯然不應被准許而具備合法性？又「應斟酌其更正程序之進行程度，並徵詢兩造之意見後，指定適當之期日」，似認為除有「更正之申請顯然不應被准許，或依准許更正後之請求範圍，不構成權利之侵害等」之例外情形外，原則上，法院仍應等候智慧局之更正審定結果，再為本案審理裁判，如此一來，法院即不具有自為更正合法性之判斷權限，一旦原告對於被告之無效抗辯提出更正再抗辯，恐將拖延訴訟審理之時程，導致審理細則第32條規定違反審理法第16條承認法院得自為專利有效性判斷之訴訟經濟、審理迅速化立法目的，自非妥適。又觀之審理細則第32條之立法理由謂：「當事人提起專利權侵害民事訴訟，法院須判斷侵害專利權之標的物是否屬於專利權之權利範圍，以判斷有無侵害之事實，如當事人主張或抗辯專利權有撤銷之原因，而專利權人已向智慧財產專責機關申請更正，則是否有侵害專利權範圍，須待智慧財產專責機關審核後，始能判定。因之，受理之法院應斟酌其更正程序進行程度及兩造意見後，指定適當期日。但如更正申請顯然不能被准許，或依准許更正後之申請範圍，不構成專利權侵害，則受理之法院可無須斟酌而即為本案裁判，爰訂定本條規定。」，可知，審理細則第32條規定，旨在規範民事法院於專利權人為更正再抗辯時，法院應斟酌其更正程序進行程度及兩造意見後，指定適當期日而為本案審理，並無限制法院僅於「更正申請顯然不能被准許」，「或依准許更正後之申請範圍，不構成專利權侵害」之情形下，始可為本案裁判，亦無限制法院不得自為判斷更正再抗辯之合法性，蓋以，所謂「更正申請顯然不能被准許」，顯然即屬賦予法院自為判斷更正申請之合法性甚明。學者亦主張：「學理上來說，智慧財產法院連是否有效都可以判斷了，更正居然不能自為判斷，舉重以明輕，應該讓智慧財產法院也可以判斷。」（100 年度第5 次智慧財產實務案例評析座談會議紀錄第36頁（謝銘洋教授發言），2011年7 月8 日）。審理細則第32條雖為更正再抗辯之原則性規定，然關於更正再抗辯之合法性要件規定，卻付之闕如，本院基於衡平理念、訴訟經濟、審理迅速化及避免專利權人權利濫用等理念考量，並參酌智慧財產案件審理法（含審理細則）立法時所參考之日本法制，從比較法觀點，歸納專利權人提出更正再抗辯之合法性，至少必須完全具備下述3 項要件：（A ）提出合法的更正申請「包含單獨申請更正（訂正審判）或併於舉發程序提出之更正申請（訂正請求）」；（B ）根據該更正結果，將解消被告抗辯的無效事由；（C ）被控侵權產品、方法，落入更正後的專利請求項之技術範圍內。所需說明者，在前揭（A ）要件，由於智慧局頒佈專利審查基準第二篇第五章舉發基準第5-1-12頁3.4.1 更正與舉發合併審查之處理程序：「（5 ）舉發案於行政救濟期間，因原處分審定結果對舉發成立之請求項有撤銷專利權之拘束力，故專利權人所提更正，僅得就原處分中審定舉發不成立之請求項為之。由於更正須就申請專利範圍整體為之，更正內容如涉及原處分中審定舉發成立之請求項者，即應不受理其更正申請；於設計專利，因係全案審定，故原處分審定舉發成立者，不受理其更正申請」，是以，依智慧局審查實務，對於專利舉發成立之請求項，在行政救濟程序中，專利權人將無從申請更正，如此一來，專利權人在民事侵權訴訟程序中，因專利請求項經舉發成立而於行政訴訟救濟程序中，其如欲於民事侵權訴訟程序提出更正再抗辯，將因智慧局不受理其更正之申請而無從符合上開（A ）要件，易言之，主張更正再抗辯時，確實提出適法之更正，在訴訟上乃屬必要，但是，在上開所舉例外情形，專利權人即使想提出更正申請，卻於現實上有所困難時，從公平的觀點，則應本於個別情事原則之理念，個別考量其情形，來決定是否有必要提出更正程序，附此敘明。

②系爭專利1 請求項3 、6 之更正合法：原告於107 年1 月12日就系爭專利1 向智慧局申請更正，其更正內容為: ⑴請求項1 、3 、6 中加入「其中該連結、導通、固定得採錫膏或導電膠，直接用傳統錫爐或特製設備焊接」之技術特徵；⑵刪除原請求項2 、4 、7 ，已如前述。查請求項1 、3 、6 中所加入之技術特徵係對於請求項1 、3 之步驟c 「直接將P 、N 電極連結、導通、固定於電路基板」及請求項6 中「電路上乃以連結、導通、固定一個以上之LED 晶片之P、N 電極」之「連結、導通、固定」之方式作進一步限縮，且加入之內容為原請求項2 、4 、7之部分內容（原請求項2 、4 、7 之技術特徵為「其中該連結、導通、固定得採錫膏、導電膠、金球、錫球、銀球等，直接用傳統錫爐或特製設備焊接」，更正後所加入之技術特徵係原請求項2 、4 、7 之內容刪除金球、錫球、銀球之技術特徵），其更正為申請專利範圍減縮之更正，且更正所加入之內容並未超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍，且更正前後均能達成因LED 未經封裝即完成其製法（結構），製程簡易快速成本低及發光率高、高壽命之多重功效，且LED 晶片間得以緊靠，並因減少印刷電路板空間，得以更能節省空間或得裝設更多之LED晶片功效，故未實質變更公告時申請專利範圍。此外，刪除請求項2 、4 、7 屬於請求項之刪除之更正。準此，系爭專利1 於107 年1 月12日之更正內容，符合專利法第67條第1 項第1 、2 款及第2 、4 項之規定，應可准予。

③原告上開系爭專利1 於107 年1 月12日之更正更正聲請為合法，業如上述，則本件關於系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 之有效性與系爭產品1、2 有無落入系爭專利1 請求項3-8 （即更正後之請求項3 、5 、6 、8 ）之文義及均等範圍等判斷，即應依系爭專利1 請求項5 、8 及107 年1 月12日系爭專利1 更正後請求項3 、6 之技術內容進行比對，合先敘明。

⑶系爭專利1請求項分析：系爭專利1 申請專利範圍共8 項，其中第1 、3 、6 項為獨立項，其餘均為附屬項。又原告主張系爭產品1 、2 落入系爭專利1 請求項5 、8 及更正後請求項3 、6 之文義及均等範圍，被告除抗辯系爭產品未侵害前揭系爭專利1 請求項之權利範圍外，並抗辯前揭系爭專利1 請求項有應撤銷之事由，故以下僅依兩造所爭執之請求項5 、8 及更正後請求項3 、6 為技術分析：請求項3 ：一種未經封裝製程即可使用之LED 製造方法，尤指一種將未封裝LED 晶片、無需透過封裝基板直接連接於印刷電路板之LED 製作方法，其LED 之製造方法為：a . 印刷電路板上製設電路，該印刷電路板不包括半導體封裝用之基板；b.複數LED 晶片置於印刷電路板上，並P、N 電極對齊印刷電路板上對應之電路；c . 直接將P 、N 電極連結、導通、固定於印刷電路板；據此完成不須封裝之LED 之製造。其中該連結、導通、固定得採錫膏、導電膠，直接用傳統錫爐或特製設備焊接。請求項5 ：依據申請專利範圍第3 項所述之未經封裝製程即可使用之LED 製造方法，其中該複數免封裝LED 晶片連結、導通、固定之於印刷電路板，得利用串並聯之連結方式作多片LED 晶片之連結、導通、固定，並藉LED 晶片間得以緊靠，且減少小印刷電路板空間。請求項6 ：一種未經封裝製程即可使用之LED 結構，尤指一種將未封裝LED 晶片、無需透過封裝基板直接連接於印刷電路板之LED 裝置，其結構係為：一印刷電路板上預設有電路，該印刷電路板不包括半導體封裝用之基板，電路上乃以連結、導通、固定一個以上之LED 晶片之P 、N電極；其中該連結、導通、固定得採錫膏、導電膠，直接用傳統錫爐或特製設備焊接。請求項8 ：依據申請專利範圍第6 項所述之未經封裝製程即可使用之LED 結構，其中該複數免封裝LED 晶片連結、導通、固定之於印刷電路板，得利用串並聯之連結方式作多片LED 晶片之連結、導通、固定，並藉LED 晶片間得以緊靠，且減少電路印刷電路板空間。

2.系爭專利2：

⑴系爭專利2 之技術內容（主要圖式，如附圖2 ）：系爭專利2 為一種具高效率散熱及亮度之晶片，係於製成晶片之蝕刻時，得以減少蝕刻發光層面積，保留較大面積發光層發光，而其P 、N 電極處得再舖設一層大面積之P 、N 電極導電層，達到增加發光面及反光面，提高散熱效率，無須封裝就具有SMD 跟覆晶LED 的功能得以減少封裝成本者（參系爭專利2 發明摘要，見本院卷1 第77頁）。

⑵系爭專利2請求項分析：系爭專利2 申請專利範圍共1 項，係為獨立項，其內容為：請求項1 ：一種具高效率散熱及亮度之晶片，其特徵在於：該晶片P 、N 電極處各增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層；藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果，無須封裝就具有SMD 及覆晶LED 之功能，並減少封裝成本者。

3.系爭專利3：

⑴系爭專利3 之技術內容（主要圖式，如附圖3 ）：系爭專利3 揭示內容揭露一種覆晶發光二極體晶粒，包括一第一型摻雜半導體層、一第二型摻雜半導體層、一第一電極層、一第二電極層及一絕緣層。第二型摻雜半導體層鋪設於第一型摻雜半導體層之底面，第一電極層鋪設於第一型摻雜半導體層之底面且不接觸第二型摻雜半導體層，而且具有一裸露面積以供直接塗佈一導電接合劑。第二電極層鋪設於第二型摻雜半導體層之底面，且具有一裸露面積以供直接塗佈導電接合劑。絕緣層則位於第一電極層與第二電極層間，以電性隔離且支撐第一電極層與第二電極層（參系爭專利3 發明摘要，見本院卷2第188頁）。

⑵系爭專利3請求項分析：系爭專利3 申請專利範圍共10項，其中第1 、10項為獨立項，其餘均為附屬項。又原告主張系爭產品1 、2 落入系爭專利3 請求項1 之文義範圍，被告除抗辯系爭產品1 、2 未侵害前揭系爭專利3 請求項1之權利範圍外，並抗辯前揭系爭專利3 請求項1有應撤銷之事由，故下述僅依兩造所爭執之系爭專利3 請求項1 為技術分析：請求項1 ：一種未經封裝即可使用之覆晶發光二極體晶粒，包括：一第一型摻雜半導體層；一第二型摻雜半導體層，鋪設於該第一型摻雜半導體層之底面；一第一電極層，係鋪設於第一型摻雜半導體層之底面且不接觸該第二型摻雜半導體層，且具有一裸露面積以供直接塗佈一導電接合劑；一第二電極層，係鋪設於第二型摻雜半導體層之底面，且具有一裸露面積以供直接塗佈該導電接合劑；一絕緣層，位於該第一電極層與該第二電極層間，以電性隔離且支撐該第一電極層與該第二電極層；以及一防護層，該防護層由絕緣材料製成，該防護層披覆於該覆晶發光二極體晶粒上除了該覆晶發光二極體晶粒頂面、該第一電極層裸露面、該第二電極層裸露面及該絕緣層底面之外所有的表面；其中該第一電極層裸露面、該第二電極層裸露面及該絕緣層底面系由該覆晶發光二極體晶粒底面向上觀視之方向所言。

（四）系爭產品1、2之技術內容：

1.系爭產品為被告覆晶公司製造、販賣「60-600W LED光源」（系爭產品1 ），及被告立吉公司向被告覆晶光電購得「60-600 W LED光源」後，製造、販賣之「60 -600W LED天井燈、投射燈」（系爭產品2 ）。又原告於106 年10月31日提出原證6 專利侵害比對分析報告，內含系爭產品2 之外觀照片（見本院卷1 第45頁）。被告覆晶公司則於107 年4 月9 日提出被證5專利侵權比對研究報告，內含1 電路基板之照片及系爭產品2 之內部結構圖（見本院卷3 第223 頁背面），此為兩造所不爭執，可據為本件侵權比對基礎。

2.系爭產品2 （主要圖式，如附圖4 ）拆解其內部具有一電路基板，該電路基板之外表面上設有複數個LED連接線路，當複數個LED 晶片（系爭產品1 ）固定於LED 固晶區，將形成LED 陣列，而電路基板上設有一黃色封裝層，封裝層不僅可包覆LED 晶片及部分電路基板，也可以在封裝層內設有螢光粉等光色轉換物質。由被告所提之系爭產品2 之LED 結構圖顯示（參見下圖，摘自被證5 第9 頁），系爭產品2 中之LED 晶片結構係在一藍寶石基板上設有氮化鎵磊晶層，形成一具有發光層的平面型PN接面發光二極體（平面型LED ）。於平面型LED 的P- GaN區及N-GaN 區上依序設有第一延伸電極（1st pad ）及第二延伸電極（2nd pad ），且在第二延伸電極上再設有一P 型黏著電極（P-bonding pad ）及一N 型黏著電極（N-bonding pad ），於GaN 磊晶層上表面、第一延伸電極周邊及第二延伸電極底層之間設有一分佈式布拉格反射件（DBR ），而在第二延伸電極與P 型黏著電極、N 型黏著電極之間設有一鈍化層。經由P 型黏著電極及N 型黏著電極而讓LED 晶片固定於LED 固晶區。

（五）被告抗辯系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 、系爭專利2 請求項1 、系爭專利3 請求項1 有得撤銷之事由，其提出之證據資料為被證1-2 、被證1-3 、被證1-4 、被證2-2 、被證2-3 （同被證1-3 ）、被證2-4 、被證2-5、被證2-6 、被證3-2 及其證據組合。茲就上開證據之技術內容分析如下：

1.被證1-2（主要圖式，如附圖5）：

⑴被證1-2 為93年9 月16日公開之我國第200418209號「光半導體裸晶、印刷電路板、照明單元及照明裝置」專利案，其公告日早於系爭專利1 申請日（93年10月29日），可為系爭專利1 之先前技術。

⑵被證1-2 係以提供能牢固地接合LED 晶片且能提昇製成率之LED 晶片安裝用之配線板為目的而完成的發明。本發明之印刷電路板2 將對向配置之圖案81、85之該對向領域中的間隔D 設成距離配置在設計上位置時之LED 晶片14之中心（點G ）近的部分最窄，隨著遠離點G 而變寬。又，該變寬之部分之配線圖案81、85之圖案邊緣83、87隨著遠離點G 而相對於前述LED 晶片14之電極邊緣148 、149 ，形成朝向前述間隔變寬方向間離而去的形狀（參被證1-2之摘要，見本院卷2第41頁）。

2.被證1-3 （即被證2-3 ，主要圖式，如附圖6 ）：

⑴被證1-3 （即被證2-3 ）為93年6 月21日公告之我國第595015號「裸晶式發光二極體」專利案，其公告日早於系爭專利1 申請日（93年10月29日）及系爭專利2 申請日（93年12月1 日），可為系爭專利1 、2 之先前技術。

⑵被證1-3 為一種裸晶式發光二極體，係將發光二極體（LED ）晶粒直接製作成表面黏著型（SMD ）之結構，不須再經封裝製程即可使用，利用GaN 係（藍光）LED 晶粒的基板為透明氧化鋁單晶（俗稱藍寶石單晶）做為天然之最佳封裝基材，利用覆晶技術將電極面製作成光反射面，同時鍍一層（SiO2）保護膜層，並製作電極凸塊，在基板面上製作微小透鏡或奈米點、奈米柱以增強光的輸出，即完成SMD 型之裸晶式發光二極體，不須再做封裝製程，可直接將裸晶式發光二極體與線路板連接。其特點為省成本、良率高、散熱性佳、微小化容易，可作大功率發光元件（參被證1-3 /2-3之摘要，見本院卷2 第65頁背面、第130 頁背面）。

3.被證1-4：

⑴被證1-4為IPC ,the Association Connecting Electronics Industries於西元1990年11月公開之「IPC-SM-784 Guidelines for Chip-on-Board Technology Implementation 」，其公開日早於系爭專利1 申請日（93年10月29日），可為系爭專利1 之先前技術。

⑵COB （板載芯片）具有兩個主要子集：‧集成電路芯片：首先黏合到印刷電路板上，然後通過引線鍵合與金或鋁線相互連接的芯片與線路技術；和‧覆晶技術：集成電路芯片在互連點鍍有焊料凸點，並以反向方式焊接到電路板上，從而一步完成連接和互連。翻轉芯片鍵合也已使用導電有機黏合劑（而不是焊料）塗覆到有機印刷電路板上（參被證1-4之摘要，見本院卷2 第76頁，中文譯文，見本院卷4 第6 頁）。

4.被證2-2 （主要圖式，如附圖7 ）：

⑴被證2-2 為92年9 月21日公告之我國第554549號「鋁鎵銦氮覆晶發光二極體之高反射性歐姆接點」專利案，其公告日早於系爭專利2 申請日（93年12月1日），可為系爭專利2 之先前技術。

⑵被證2 為一種具有高反射性歐姆接點的反向Ⅲ族氮化物發光裝置（LED ），其包含有為不透明且高反射性的n 及p 電極金屬化，並提供良好的電流散佈。每個n 及p 電極於該LED 活性區域的尖峰放射波長下每次通過係吸收小於25% 的入射光線（參被證2-2 之摘要，見本院卷2 第98頁）。

5.被證2-4（主要圖式，如附圖8 ）：

⑴被證2-4 為90年11月21日公告之我國第465123號「高功率白色發光二極體」專利案，其公告日早於系爭專利2 申請日（93年12月1 日），可為系爭專利2 之先前技術。

⑵被證2-4 為一種高功率白色發光二極體，具有發光二極體晶粒、透明基板、透明歐姆電極、反射層、接觸電極，以及覆有導電跡線之散熱承座等。具有粗糙表面的透明基板位於晶粒之第一表面，透明歐姆電極位於晶粒之第二表面，反射層配置於透明歐姆電極上，並與接觸電極連接。具有高熱導率、用以承載晶粒之散熱承座，其表面之導電跡線藉焊接材料與晶粒上之接觸電極電性連接。晶粒表面還覆有螢光膠體，用以吸收發光二極體晶粒產生之部份光線，並發出互補色之光線，使觀察者所見為白色光（參被證2-4 之摘要，見本院卷2 第140 頁背面）。

6.被證2-5 （主要圖式，如附圖9 ）：

⑴被證2-5 為91年10月11日公告之我國第506145號「具有透明基板覆晶發光二極體晶粒的高亮度發光二極體」專利案，其公告日早於系爭專利2 申請日（93年12月1 日），可為系爭專利2 之先前技術。

⑵被證2-5 為一種高亮度發光二極體，包括：一底座基板，一具有透明基板的覆晶式發光二極體晶粒，一覆蓋基板。該覆蓋基板中央區域具有一孔，其係以傾斜側壁圍成。該覆晶式發光二極體晶粒容置於該中央區域的孔中。該底座基板以一中置絕緣區域分隔為兩部分，其係分別與該發光二極體晶粒的兩電極連結。該底座基板係以一高熱傳導性及高電傳導性的物質形成，以利高電流傳導及熱能散逸。一透明樹脂或環氧樹脂係用以將該中央區域之孔充填之，並將該發光二極體晶粒封裝之。由於光線可以直接穿透射出，或由該發光二極體晶粒反射出，或由該孔之側壁反射導向後，再由該中央區域的孔射出該覆蓋基板，故可以發出高強度的光（參被證2-5之摘要，見本院卷2 第158 頁）。

7.被證2-6（主要圖式，如附圖10 ）：

⑴被證2-6 為西元2004年4 月27日公告之美國第US6727167 號「Method of making an aligned electrode on a semiconductor structure」，其公告日早於系爭專利2 申請日（93年12月1 日），可為系爭專利2 之先前技術。

⑵被證2-6 為一種用於製造發光二極體之透明電極的方法，包括：在半導體結構的頂表面上沉積金屬，並透過在金屬上形成光罩，以定義半導體結構的第一區域，其中第一區域用於第一電極。光罩具有在至少一個開口，使得第一區域被光罩所覆蓋，而光罩的開口則對準一第二區域。本發明的方法還包括去除光罩的開口對準的第二區域的金屬，以形成覆蓋半導體結構的第一區域的第一電極，並暴露第二區域中的半導體結構的頂表面。在去除金屬步驟期間並形成第一電極之後，對齊開口的與第二區域內的材料從半導體結構中被移除，已形成用於第二電極的第二電極表面，其中第二電極表面的高度低於半導體結構的頂表面（參被證2-6 之摘要，見本院卷2 第167 頁，中文譯文，見本院卷4 第7 頁）。

8.被證3-2（主要圖式，如附圖11 ）：

⑴被證3-2 為92年7 月11日公告之我國第541724號「使用發光二極體晶片之發光裝置」專利案，其公告日早於系爭專利3 申請日（99年6 月10日），可為系爭專利3 之先前技術。

⑵被證3-2 為一種發光裝置，其中使用以面朝下狀態安裝在安裝基板（8 ）中的LED 晶片，其包含形成於透光性基板（2 ）上的n 型半導體層（3 ）、形成於此n 型半導體層（3 ）之上的p 型半導體層（5 ）、設置於此等半導體層形成面上並各別連接的電極（6 、7 ）。各電極（6 、7 ）係配置形成為平面狀，俾使LED 晶片（1 ）之發光面整體約略均勻地點亮，至少其中一電極係構成為亦具有作為光反射部之功能，各電極具有一供電部（15、16），而且，靠近透光性基板（2 ）之一側之半導體層上所設置的電極係隨著從供電部遠離而縮小寬度。藉此，可以增大LED 晶片（1 ）中之發光部面積，因此，發光效率與光產生效率均極佳（參被證3-2 之摘要，見本院卷2 第203 頁背面）。

（六）系爭專利1 請求項3、5、6、8之有效性判斷：

1.被證1-2 可以證明系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8不具進步性：

⑴系爭專利1 請求項3之部分：

①被證1-2 說明書【先前技術】段記載「例如於照明裝置之領域中，現正檢討以倒裝面方式藉著超音波接合而將單面配置著p 電極與n 電極之數百μm 角大小之單面電極型的LED 裸晶( 以下簡稱「LED 晶片」) 以多數個且高密度地安裝於印刷電路板上（以下簡稱『電路板』）上，並作為照明裝置使用的技術…」（見本院卷2 第42頁），另說明書第7 頁揭示「…為了達到上述目的，本發明之印刷電路板，係於單側之面對向配置之第1 與第2 電極之半導體裸晶，於倒裝片之安裝面具有對應前述第1 電極、第2 電極之配置關係，且係類似之形狀之第1 配線圖案、第2 配線圖案夾著絕緣領域而對向配置的印刷電路板，…」（見本院卷2 第43頁）；另，由第17圖揭示使用照明單元1 之照明裝置200 之構成立體圖，第1 圖係第17圖之照明單元1 之平面圖。說明書第28頁第4 至7 揭示「殼體201 之內部配置用以對照明單元1 供電單元（圖式未顯示）。此供電單元係藉由燈投203 而將所供給之交流電轉變成用於LED 晶片點亮的直流電而供給至照明單元1 之眾所周知的電路所構成」（見本院卷2 第53頁背面），由被證1-2 上開揭示內容可知，其已揭示將光半導體裸晶多數個且高密度地安裝於印刷電路板上，該光半導體晶片在安裝至印刷電路板2 前並未經過封裝製程，且晶片安裝至印刷電路板2 後即構成光源之照明單元1 ，即可供電使用，故被證1-2 已揭示系爭專利1 請求項1 之「一種未經封裝製程即可使用之LED 製造方法（結構），尤指一種將未封裝LED 晶片、無需透過封裝基板直接連接於印刷電路板之LED 製造方法（裝置）」技術特徵。

②被證1-2 說明書第8 頁第16至19行揭示「本發明之照明單元係光半導體裸晶安裝導裝片於光半導體裸晶安裝用印刷電路板上的照明單元，其特徵在於使用上述印刷電路板作為光半導體裸晶安裝用印刷電路板」（見本院卷2 第43頁背面），被證1-2 說明書第12頁第3 至6 行揭示「照明單元1 係於配線板2 上，64個LED 晶片（多個光半導體裸晶）11~74 於8 行8 列之陣列上…整然地安裝而構成」（見本院卷2 第45頁背面），被證1-2說明書第12頁第8 至11行揭示「配線板2 係加入無機質填充物之熱硬性樹脂之所構成之絕緣板5 、6 之表面形成有金屬所構成之配線圖案8 、7 所構成之基板3 、4 積層多數層（本例為2 層）的構成…又配線圖案7 、8 使用金（Au）。此等配線圖案7 、8 主要係以將各行之第奇數列之LED 晶片與第偶數列之LED 晶片之各個晶片串聯地連接…」（見本院卷2 第45頁背面）；被證1-2說明書第13頁第10至16行揭示「LED 晶片14…以倒裝片方式安裝，…，LED 晶片（光半導體裸晶）14之p 電極145 與配線圖案81之一側端部分82連接，n 電極146 與配線圖案85之一側部分86電性地連接」（見本院卷2 第46頁），故被證1-2已揭示系爭專利1 請求項1 之「a . 印刷電路板上製設電路, 該印刷電路板不包括半導體封裝用之基板b . 複數LED 晶片置於印刷電路板上,並P 、N 電極對齊印刷電路板上對應之電路;c. 直接將P 、N 電極連結、導通、固定於印刷電路板; 據此完成不須封裝之LED 之製造」之技術特徵。

③被證1-2 說明書第5 頁倒數第2 行揭示「並藉著超音波接合而使LED 晶片710 之p 電極711 與配線圖案701 呈面接觸而電性地連接…」（見本院卷2 第42頁、第42頁背面）、第28頁第20行揭示「不限於以超音波接合來接合之情形…」（見本院卷2 第53頁背面）。則被證1-2 已教示可以超音波接合以外之方式來進行晶片與電路板上之配線圖案之連接。

④被證1-2 與系爭專利1 請求項1 之差異在於：被證1-2 揭示以超音波接合方式來作為晶片電極與印刷電路板之間之連結，而系爭專利1 請求項1係界定「得採錫膏、導電膠，直接用傳統錫爐或特製設備焊接」之方式，惟參酌被證15、中華民國第557590號專利說明書第10頁（見本院卷5 第11頁背面）、2 、中華民國第331042號專利說明書第6 、10頁（見本院卷5 第24頁背面、第26頁背面）、3 、中華民國第TW200307726 號專利說明書第115 頁（見本院卷5 第34頁）、4 、中華民國第476452號專利創作說明第4 頁（見本院卷5 第38頁背面）、5 、IPC-SM-784 Guidelinesfor chip-on-board technology implementation 第1 頁（見本院卷5 第43頁）、6 、多層電路板術語詳解辭典（90年出版）（本院卷5 第45頁）及7 、西元1997年1 月15日出版之97年電路板採購及術語手冊（見本院卷5 第47頁）等文獻，可知，所屬技術領域中具通常知識者，以錫膏、導電膠作為電極與印刷電路板之結合技術乃該領域所使用習知之慣用技術。再者，關於系爭產品之LED 晶片與印刷電路板之連接方式，原告亦自陳「按具系爭專利領域之通常知識者，皆可輕易知悉錫膏屬本領域常用之焊接材料」等語（見本院卷4 第247 頁），則原告亦肯認以錫膏作為LED 與基板之連接乃該領域中所輕易知悉的技術，故發明所屬技術領域中具通常知識者，依據被證1-2 所教示之LED 製造方法，參酌系爭專利申請時之通常知識（慣用手段）可簡單改變被證1 -2之結合方式而完成系爭專利1 請求項1 之發明，故被證1-2 可以證明系爭專利1 請求項3 不具進步性。

⑤原告主張：系爭專利1 使用焊料或稱接合材料（如錫膏或導電膠），而被證1-2 並無焊料；系爭專利1 導電線路材料與接合材料（如錫膏或導電膠）不同，而被證1-2 導電線路材料係為金、銅，未揭露有任何接合材料；系爭專利1 使用焊接設備，直接用傳統錫爐或特製設備焊接，而被證1-2 焊接設備係透過超音波振動的方式連（焊）接；系爭專利1 使用印刷電路板，而被證1-2 使用無機質填充物之熱硬化性樹脂所構成之配線板，亦可使用矽基板等；系爭專利1 係直接將LED晶片電極等製成SMD 的模式，而被證1-2 的電極是傳統前封裝的模式，故系爭專利1 與被證1-2存有技術之差異云云（見本院卷4 第17頁背面、本院卷5 第140 頁）。惟查：被證1-2 與系爭專利1 所使用之結合方式雖有不同，惟系爭專利1所使用之焊料（如錫膏或導電膠）為LED 領域所使用之習知慣用技術，對於發明並未產生無法預期之效果；又被證1-2 第1 、3 圖及說明書第8頁第16至19行記載「本發明之照明單元係光半導體裸晶安裝倒裝片於光半導體裸晶安裝用印刷電路板上照明單元，其特徵在於使用上述印電路板作為半導體裸晶安裝用印刷電路板」已揭示將LED 裸晶未經過封裝製程即結合於印刷電路板（2）上，形成的照明單元1 ，亦即揭示將LED 不經過封裝程序直接接合於印刷電路板上即可使用之技術。另由被證1-2 說明書第12頁（第一實施態樣）段記載「第1 圖係本實施樣態之照明單元1之平面圖。照明單元1 係於配線板2 上，64個LED 晶片…之陣列上整然地安裝而構成…配線板2係加入無機質填充物之熱硬化樹脂之所構成之絕緣板5 、6 （參照第3 圖）之表面形成由金屬所構成之配線圖案8 、7 所構成之基板3 、4 積層多數層…配線圖案7 、8 使用金（Au）…」（見本院卷2 第45頁背面）可知，其中的配線板2 即為前述之印刷電路板，且該段係關於印刷電路板之結構及材料例示，由於系爭專利1 請求項中並未限定印刷電路板之組成結構及材料，且被證1-2所例示之板材材料亦為印刷電路板之一種，故被證1-2 亦已揭示系爭專利之印刷電路板之技術特徵，原告前揭主張，尚無可取。

⑥原告主張：被證1-2 所指之配線板2 係為承載LED 晶片之覆晶基板，非印刷電路板，即被證1 -2仍係指晶片與電路基板結合前所需經過的製程，與系爭專利1 揭露之「未經封裝」而能以錫膏、導電膠直接連接LED 晶片與電路板不同云云。惟查，被證1-2 說明書揭露之內容，並無原告所稱晶片與配線板（印刷電路板）以超音波接合後再焊接於電路基板使用之教示內容，原告前揭所舉尚與被證1-2 說明書所揭示之內容不符。

⑵系爭專利1請求項5之部分：

①系爭專利1 請求項5 為依附於系爭專利1 請求項3 之附屬項，其進一步界定「其中該複數免封裝LED 晶片連結、導通、固定之於印刷電路板，得利用串並聯之連結方式作多片LED 晶片之連結、導通、固定，並藉LED 晶片間得以緊靠，且減少小印刷電路板空間。」之技術特徵。

②被證1-2 可以證明系爭專利1 請求項3 不具進步性，已如前述。又被證1-2 第1 圖及說明書第12頁第14至16行揭示「此等配線圖案7 、8 主要係以將各行之第奇數列之LED 晶片與第偶數列之LED 晶片之各個晶片串聯地連接之接縫而形成者」（見本院卷2 第45頁背面），另說明書【先前技術】段記載「例如於照明裝置之領域中，現正檢討以倒裝面方式藉著超音波接合而將單面配置著p 電極與n 電極之數百μm 角大小之單面電極型的LED 裸晶以多數個且高密度地安裝於印刷電路板上）上，並作為照明裝置使用的技術…」（見本院卷2 第42頁），故被證1-2 已揭露系爭專利1 請求項5 之附屬技術特徵，是被證1-2 可以證明系爭專利1 請求項5 不具進步性。

⑶系爭專利1請求項6、8之部分：系爭專利1 請求項6 為獨立項，請求項8 為依附於請求項6 之附屬項。系爭專利1 請求項6 、8 為一種未經封裝製程即可使用之LED 結構，尤指一種將未封裝LED 晶片、無需透過封裝基板直接連接於印刷電路板之LED 裝置，其技術特徵與系爭專利1 請求項3 、5 並無差異，而被證1-2 已揭示請求項3、5 之技術特徵。故被證1-2 可以證明系爭專利1請求項6 、8 不具進步性。

2.被證1-2 及被證1-3 之組合，可以證明系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 不具進步性：被證1-2 可以證明系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8不具進步性，則被證1-2 及證據1-3 之組合，亦可以證明系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 不具進步性。

（七）系爭專利2 請求項1之有效性判斷：

1.被證2-2 及被證2-3 之組合；被證2-2 、被證2-3 、被證2-4 及被證2-5 之組合，可以證明系爭專利2 請求項1 不具進步性：

⑴被證2-2 說明書第20頁第17至22行揭示「本發明提供一具有光線產生能力的大面積的高功率LED …藉由降低由該 p-n接面到該燈具封裝的熱阻抗，而藉由使用高反射性歐姆接點來增加光線擷取。為此目的，本發明使用了一利用低電阻、不透明，高反射性 p及n 電極的反向結構。一第一具體實施例示於圖6a-b」（見本院卷2 第106 頁背面），又說明書第25頁第19至24行揭示「在該LED 晶粒上的可焊金屬41製作成大於焊料凸塊，藉以允許該焊料散開，並可以濕化一面積，比其個別直徑所能提供的要大得多。此可造成一焊料面積覆蓋率超過了圖11a 中個別凸塊的總合。同時，該焊料厚度可有效地降低。這兩種效應可降低該焊料接面的熱阻抗，並允許該LED 晶粒被驅動到更高的密度電流來增加光線輸出」（見本院卷2 第109 頁）。由上開內容可知，證據2-2 圖6a及圖6b揭示一種具高效率散熱及亮度之晶片，證據2-2 請求項1 揭示「兩個電極之一為連接到該n 型層11的一n 型電極22，而該兩個電極的另一個為連接到該p 型層12的一p 電極20。其中每個電極20、22對於由該放射層所放射的光線具有一正常入射反射率超過80% 」，被證2-2 說明書第26頁第4 至6 行揭示「可焊金屬41係在該p 電極20及n 電極22金屬化上來圖樣化」（見本院卷2 第109 頁背面）；由圖6b顯示，導電介面41與p 電極20及n 電極22相連接，由圖6a顯示導電介面41具有大面積，故被證2-2 之「可焊金屬41」已揭示系爭專利2 請求項1 之「該晶片P 、N 電極處各增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層」之技術特徵。至於系爭專利2 請求項1 中「藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果，無須封裝就具有SMD及覆晶LED 之功能，並減少封裝成本者。」之技術內容，僅為功能性描述，且被證2-2 之「導電介面41」已可對應系爭專利2 請求項1 之「導電（導熱）層」之技術特徵，自可達成系爭專利2 請求項1所述之功效，故被證2-2 可以證明系爭專利2 請求項1 不具進步性。由於被證2-2 可以證明系爭專利2 請求項1 不具進步性，故被證2-2 及被證2-3 之組合；被證2-2 、被證2-3 、被證2-4 及被證2-5之組合，亦可以證明系爭專利2 請求項1 不具進步性。

⑵原告主張：系爭專利2 的晶片包含大面積導電（導熱）層（導電層40、50分別較P 、N 電極20、30大），被證2-2 的晶片則包含小面積導電層（導電介面41較P 電極20小）；系爭專利2 的晶片該二大面積導電材40、50的中間具有絕緣層80，被證2-2 的晶片導電介面41的中間是P 電極20、N 電極22及介電保護層42；系爭專利2 的晶片為SMD 的模式且無須封裝就具有SMD 之功能，被證2-2 的晶片不是SMD 的模式且須封裝製程；系爭專利2 的晶片無須封裝，被證2-2 的晶片封裝製程包含填膠以及凸塊，故系爭專利2 與被證2-2 存有技術之差異云云（見本院卷4 第24頁、本院卷5 第142 頁背面）。惟查：

①系爭專利2 請求項1 僅記載「晶片P 、N 電極處各增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層」，並未明確記載所謂「大」面積所指為何？又系爭專利2 說明書第6 頁倒數第3 行至第7 頁第1行雖記載「…該二大面積導電材（40）（50）分別導通P 極（20）與N 極（30），據此達到放大電極，大面積導熱…」（見本院卷1 第80頁），惟因實施例僅為例示作用，且請求項亦未定義大面積導電層為導電層40、50分別較P 、N 電極20、30大，自不得將請求項未記載之技術特徵讀入請求項中，而不當限縮專利範圍；即便限縮請求項1 之大面積導電層為導電層40、50分別較P 、N 電極20、30大，然被證2-2 圖6a顯示n 型電極22上形成有較其大面積的導電層41，且被證2 -2說明書第22頁第5 至7 行揭示「為於一使用焊料作為內連線的具體實施例，最終的內連線（60）厚度及面積係由該焊料體積以及在LED 晶粒上的可濕化金屬（導電介面）41及該次黏著上的54來決定」（見本院卷2 第107 頁背面），另依被證2-2 說明書第22頁第19至23行揭示之內容，可知焊料面積As控制了熱阻抗，因此其有需要以該焊料來覆蓋LED 晶粒的整個表面，是被證2-2 揭示透過內連線（焊料）60作為LED 熱移除的路徑；內連線（60）厚度及面積可由可濕化金屬（導電介面）41及次黏著上的54來決定，內連線（焊料）60的面積As與熱阻抗成反比等技術特徵，故所屬技術領域中具通常知識者為提高LED 之散熱效率，自可依據被證2-2 所教示者改變可濕化金屬（導電介面）41之面積大小而完成系爭專利2 請求項1 之發明，故即便如原告主張將系爭專利2請求項1 之大面積導電（導熱）層解釋為「大面積導電層為導電層40、50分別較P 、N 電極20、30大」，被證2-2 亦可以證明系爭專利2 請求項1 不具進步性。

②原告主張：系爭專利2 的晶片為SMD 且無須封裝就具有SMD 之功能，而被證2-1 晶片不是SMD 且需封裝製程云云。惟查，由系爭專利2 請求項1「一種具有高效率散熱及亮度之晶片」，並未明確界定該晶片為SMD 之晶片，自不得據此作為系爭專利是否具專利要件之比對。又系爭專利2 請求項1 記載「無需封裝就具有SMD 及覆晶LED 之功能」，可知，既然被證2-2 為一種覆晶發光二極體，且已揭示系爭專利2 請求項1 之導電（導熱）層之結構之技術特徵，則自具有（達成）系爭專利2 請求項1 所稱之功效，故原告主張，尚無可採。

（八）系爭專利3 請求項1之有效性判斷：

1.被證3-2 可以證明系爭專利3 請求項1 不具新穎性：

⑴被證3-2 圖12揭示一種覆晶發光二極體晶粒結構，其具有透光性基板1 上之n 型半導體3 （第一半導體層）、形成於該半導體層上之p 型半導體層（第二半導體層）5 ，其已對應揭示系爭專利3 請求項1 之「一種覆晶發光二極體晶粒，包括：一第一型摻雜半導體層；一第二型摻雜半導體層，鋪設於該第一型摻雜半導體層之底面；」之技術特徵；被證3-2 圖12揭示「設置於該等半導體層之形成面上並與其個別連接之n 側電極（第一電極）6 與p 側電極（第二電極）7 」，且說明書第24頁倒數第1 行至第25頁第8 行揭示「本實施例係利用圖2 之電極配置構造。藉由覆蓋p 側電極7 所形成之絕緣薄膜20之對角方向的端部、而透過分別開口之窗孔23、以焊料、金、或其他金屬所形成之凸塊21，而將電極7 連接固定至安裝基板8 之導電體10。亦可使用導電性黏著劑加以固定。又，在其他的對角位置上的端部中，n 側電極6 、6 從絕緣薄膜20中形成的窗孔23露出，此露出部係作為對應到n 側電極6 的供電部15，而和p 側電極7 之供電部16同樣地藉由凸塊21或者導電性黏著劑連接固定到安裝基板8 之導電體10」（見本院卷2 第211 頁背面、第212 頁），說明書第20頁第18至21行揭示「…LED 晶片1之電極形成表面中，除了供電部以外之部位以絕緣薄膜17覆蓋的情況下，即使設置相對較大的凸塊21a ，但因為凸塊21a 不會直接接觸到凸塊21b …就不會產生短路」（見本院卷2 第209 頁背面），其揭示絕緣薄膜17具有電性隔離的效果，其已對應揭示系爭專利3 請求項1 之「一第一電極層，係鋪設於第一型摻雜半導體層之底面且不接觸該第二型摻雜半導體層，且具有一裸露面積以供直接塗佈一導電接合劑；一第二電極層，係鋪設於第二型摻雜半導體層之底面，且具有一裸露面積以供直接塗佈該導電接合劑」及「一絕緣層，位於該第一電極層與該第二電極層間，以電性隔離且支撐該第一電極層與該第二電極層」等技術特徵；由圖12顯示絕緣層20除佈設於於晶片之具有電極之上表面外，亦披覆於於晶片之側面。再者，由被證3-2 說明書第28頁第16至18行揭示「本實施例中，較佳的情況為，藉由透光性之合成樹脂將LED 晶片1 與其周圍密封，如此一來，可以藉由合成樹脂保護LED 晶片1 」（見本院卷2 第213 頁背面），故被證3-2 已揭示系爭專利3 請求項1 之「一防護層，該防護層由絕緣材料製成，該防護層披覆於該覆晶發光二極體晶粒上除了該覆晶發光二極體晶粒頂面、該第一電極層裸露面、該第二電極層裸露面及該絕緣層底面之外所有的表面；其中該第一電極層裸露面、該第二電極層裸露面及該絕緣層底面系由該覆晶發光二極體晶粒底面向上觀視之方向所言。」之技術特徵，故被證3-2 已揭示系爭專利3 請求項1 之所有技術特徵，雖系爭專利3 請求項1 中界定該覆晶晶粒未經封裝即可使用，惟被證3-2 已揭示專利3 請求項1 主體中所記載之相同結構之技術特徵，故由被證3-2 可以證明系爭專利3 請求項1 不具新穎性。

⑵原告主張：系爭專利3 之LED 係利用導電接合劑（錫膏或銀膠）連接至PCB ，而被證3-2 之圖1 中之LED 一電極7 係透過凸塊21a 與導體板11連接，靠近藍寶石基板之電極6 透過以金形成之凸塊21b 與導電層12連接；被證3-2 之圖12係以焊料、金或其他金屬形成凸塊21，以將LED 之兩個電極連接至金屬板80之導電體10，而凸塊21中間27為填充材料；被證3-2 中之LED 並無如同系爭專利3 之LED 在第ㄧ電極層303 及第二電極層304 具有大的裸露面積云云（見本院卷4 第32頁、第32頁背面、本院卷5第155 頁背面）。惟查，被證3-2 說明書第24頁倒數第1 行至第25頁第8 行揭示「本實施例係利用圖2 之電極配置構造。藉由覆蓋p 側電極7 所形成之絕緣薄膜20之對角方向的端部、而透過分別開口之窗孔23、以焊料、金、或其他金屬所形成之凸塊21，而將電極7 連接固定至安裝基板8 之導電體10。亦可使用導電性黏著劑加以固定。又，在其他的對角位置上的端部中，n 側電極6 、6 從絕緣薄膜20中形成的窗孔23露出，此露出部係作為對應到n 側電極6 的供電部15，而和p 側電極7 之供電部16同樣地藉由凸塊21或者導電性黏著劑連接固定到安裝基板8 之導電體10。」（見本院卷2 第211 頁背面、第212 頁），可知，電極7 與安裝基板連接除了凸塊結構外，亦教示以導電性黏著劑作為黏著技術，且電極間覆蓋有絕緣薄膜20，且電極具有開口。再者，系爭專利3 請求項1 僅記載第一（二）電極具有一裸露面積以供直接塗佈一導電接合層，惟請求項中並未對於裸露面積之大小作界定，另請求項1 記載為覆晶發光二極體晶粒，且主體亦記載該晶粒之結構，並未界定該晶粒後續與何種基板作結合，故不得據此作為系爭專利是否具專利要件之比對技術特徵，由於被證3-2 已明確揭示系爭專利3 請求項1 所記載之晶粒之結構，故被證3-2 可以證明系爭專利3 請求項1 不具新穎性，至於該晶粒是否需封裝即可使用，乃該晶粒後續使用或（應用），亦即係直接與封裝基板或電路板連接，並不生系爭專利3 請求項1 之晶粒結構是否具專利要件之判斷，原告前揭所稱，自無可採。

2.被證3-2 可以證明系爭專利3 請求項1 不具進步性：被證3-2 已揭示系爭專利3 請求項1 之所有技術特徵，當具有達成系爭專利3 說明書所載之功效，故被證3-2 亦可以證明系爭專利3 請求項1 不具進步性。

六、綜上，系爭專利具有前揭應撤銷之事由存在，原告於本件民事訴訟即不得對被告主張系爭專利之權利，則本件關於被告抗辯系爭專利其他無效證據及系爭產品1 、2 是否侵害系爭專利之權利範圍等其他爭執事項部分，即無審究之必要，併此敘明。

七、綜上所述，被告抗辯系爭專利1 請求項3 、5 、6 、8 、系爭專利2 請求項1 、系爭專利3 請求項1 有得撤銷之事由，於法有據，依智慧財產案件審理法第16條第2 項規定，原告於本件民事訴訟自不得對被告主張系爭專利前揭請求項之權利。從而，原告主張系爭產品1 、2 侵害系爭專利前揭請求項之權利範圍，依專利法第96條第2 項、第97條第1 項第3 款、第2 項、公司法第23條第2 項等規定提起本件訴訟，訴請判決如聲明所示，即無理由，應予駁回。又原告之訴既經駁回，其假執行之聲請即失其依據，應併予駁回。

八、被告覆晶公司抗辯：本件系爭專利技術，涉及專業之LED封裝製程，本件訴訟攻防之實施，實須結合所涉專利技術領域及法律之雙重專業，被告覆晶公司延聘律師為訴訟代理人，並須委請專利事務所進行專利無效與專利侵權之比對，並出具報告，即屬必要訴訟行為，參酌本院105 年度民專訴字第71號判決理由，被告覆晶公司所支出之律師報酬、委任製作專利無效理由書及專利侵權比對研究報告之費用，共計65萬元，自應列入訴訟費用之一部，並由敗訴之原告負擔。又被告覆晶公司之代理人等3 人於107 年3月19日，配合至公證人事務所拆解系爭產品2 ，應參考法院辦理民事事件證人鑑定人日費旅費及鑑定費支給標準第3 條規定，每次依500 元支給，共計1,500 元日費；並應參同標準第4 條第3 項規定核定旅費，均應列入訴訟費用之一部云云（見本院卷5 第114-115 頁）。惟查：

1.按「我國民事訴訟法於92年2 月7 日修正時，於第一篇總則增訂第三章『訴訟標的價額之核定及訴訟費用』之專章，其中第二節『訴訟費用之計算及徵收』，明定訴訟費用之計算及徵收依據。其中第77之23條第1 項規定：『訴訟文書之影印費、攝影費、抄錄費、翻譯費，證人、鑑定人之日費、旅費及其他進行訴訟之必要費用，其項目及標準由司法院定之』。其立法理由謂：『原民事訴訟費用法第24條、第25條及第27條分別就抄錄費、翻譯費、到庭費、滯留費及食、宿、舟、車費定其計算標準，其標準與實際情形多已不能配合，且所規定之項目亦不周全，爰於第一項概括規定上述費用及其他進行訴訟之必要費用，其項目及標準由司法院定之，俾便於配合實際情形，適時調整，以利適用』。司法院基於上開法律之授權，訂定『法院辦理民事事件證人鑑定人日費旅費及鑑定費支給標準』及『法院辦理民事事件訴訟文書之影印、攝影、抄錄及翻譯費徵收標準』。依民事訴訟法第77之23條第1 項規定及其立法理由，係授權司法院就民事訴訟之必要費用（包括例示之訴訟文書影印費、攝影費、證人、鑑定人日費、旅費等及其他一切進行訴訟之必要費用），訂定其項目及收費標準，司法院基於上開法律之授權所訂定之相關費用支給或徵收標準，性質上應屬法規命令（中央法規標準法第3 條、行政程序法第150 條）。惟上開規定並未授權法官，得於個案中自行認定民事訴訟必要訴訟費用之項目及其計算標準。另關於律師酬金部分，民事訴訟法第77之25條第1、2 項規定：『法院或審判長依法律規定，為當事人選任律師為特別代理人或訴訟代理人者，其律師之酬金由法院或審判長酌定之。前項酬金及第466 條之3 第1 項之酬金為訴訟費用之一部，其支給標準，由司法院參酌法務部及中華民國律師公會全國聯合會意見定之』。其立法理由謂：『依第466 條之2 第1 項、第585 條第1項（現已刪除）之規定，法院或審判長得為當事人選任律師為訴訟代理人，又法院或審判長依第51條、第374條之規定為當事人選任特別代理人時，亦得斟酌情形選任律師為之，其律師之酬金，自應由法院或審判長酌定，爰於第一項明定之，俾利適用。前項訴訟代理人、特別代理人並非當事人所選任，又第三審上訴採律師強制代理制度，其律師之酬金均應作為訴訟費用之一部，依本章第三節之規定定其負擔。為使上述法院或審判長選任律師之酬金，及當事人於第三審選任律師之酬金公平合理，應由司法院根據社會經濟狀況，並參酌法務部及中華民國律師公會全國聯合會之意見，就上開選任律師酬金之支給、給付方法，及其最高限額，統一訂定標準，爰規定第二項』。司法院基於上開法律之授權，訂定『法院選任律師及第三審律師酬金核定支給標準』。按民事訴訟法第77之25條第1 、2 項規定及其立法理由，已明定僅在法院或審判長依法律之規定，為當事人選任律師為特別代理人或訴訟代理人（非當事人自行選任），或第三審上訴採律師強制代理之情形下，律師酬金始得列入訴訟費用之一部，且係授權司法院就上開情形選任律師之律師酬金，訂定統一之支給標準，此外並無就第一、二審律師酬金得列入訴訟費用之法律上依據。準此，在司法院就第一、二審律師酬金並無訂定任何支給標準之情形下，如將第一、二審律師酬金作為進行訴訟之必要費用，而將其列入訴訟費用之計算，欠缺法律上之依據。」，此業據本院106 年度民專上字第27號判決理由指摘105 年度民專訴字第71號判決違誤之處明確；又從比較法之法理基礎，日本民事訴訟法第155 條規定因當事人、代理人或輔佐人欠缺論述能力時，法院得禁止其陳述，必要時可命其選任訴訟代理人，除非有此例外情形，否則依同法第61條規定由敗訴之當事人負擔之訴訟費用，仍不包含律師費用在內，然而，在涉及高度專業性之醫療疏失或人身交通事故或專利侵權等損害賠償請求訴訟時，當原告本人難以為訴訟行為，而無從與被告維持訴訟上之對等關係時，從對於被害人救濟之意旨，日本實務在個案上亦有肯認將律師費用包含在損害賠償金額中，而准許對被告請求，再者，在金錢債務以外之一般債務不履行事件，如果是基於某種法律基礎，在當事人間存有特別的社會接觸之法律關係，就該法律關係所生之附隨義務，當事人之一方或雙方對於相對人負有依誠信原則履行之義務，如有違反該義務而生之債務不履行訴訟，日本最高裁判所判例亦肯定將律師費用列為損害賠償範圍（最判平24.2.24 判時2144號89頁），是以，日本實務固然允許法院個案考量當事人因必須委任訴訟代理人始得遂行訴訟程序時，將當事人所支出之律師費用，列為損害請求範圍，而非在法無明文下，逕將律師費用列入訴訟費用之一部，此於我國現行民事訴訟法仍為相同規定之意旨下，自具有參考價值，是被告覆晶公司此部分將律師費用列為訴訟費用之請求，於法無據，不應准許。

2.按當事人支出之旅費，並不在現行民事訴訟費用法所定費用之內，自無從認為訴訟費用（最高法院32年上字第3145號判例意旨參照）。是被告覆晶公司請求其代理人等3 人配合至公證人事務所拆解系爭產品2 所支出之旅費，應列入訴訟費用之一部云云，亦屬無據，不應准許。

九、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊、防禦方法及未經援用之證據，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，附此敘明。

十、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1 條，民事訴訟法第78條，判決如主文。

智慧財產法院第三庭